化膜F0X相邻的区域中。更具体地，在附图中所示的实施例中，场氧化膜F0X的平面构造具有在一侧上的具有上述突起C0N的矩形形状。于是，存储区MR和逻辑区LR沿不同于上述一侧的场氧化膜F0X的侧面形成。即使在存储区MR和逻辑区LR邻近高电压区(第一区RG1)设置时，存储区MR和逻辑区LR也能通过场氧化膜F0X和金属互连丽进行保护以免受高电压。
[0078]另外，说明参考实施例的示例。
[0079]1.一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤:
[0080]在衬底上形成场绝缘膜，由此形成平面图中由场绝缘膜围绕的第一区，平面图中经由场绝缘膜的位于第一区外部的第二区，
[0081]在第一区中形成晶体管的漏区，且同时在第二区中形成晶体管的源区，
[0082]形成覆盖衬底，场绝缘膜以及晶体管的层间介电膜，
[0083]在层间介电膜上方形成阻挡金属膜，
[0084]在阻挡金属膜上方形成金属膜，
[0085]在场绝缘膜上方的金属膜中形成开口，
[0086]图案化平面图中位于开口内部的阻挡金属膜，由此形成沿第一区的边缘的方向折返或螺旋地重复提供的金属互连。
[0087]2.一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤:
[0088]在衬底上方形成场绝缘膜，由此形成平面图中由场绝缘膜围绕的第一区以及平面图中经由场绝缘膜的位于第一区外部的第二区，
[0089]在第一区中形成晶体管的漏区，且同时在第二区中形成晶体管的源区，
[0090]在第二区中形成覆盖衬底，场绝缘膜以及晶体管的层间介电膜，
[0091]在层间介电膜上方形成金属膜，
[0092]在场绝缘膜上方的金属膜中形成开口，
[0093]形成作为覆盖平面图中位于开口内部的金属膜和层间介电膜的金属膜的抗反射膜，以及
[0094]图案化平面图中位于开口内部的抗反射膜，由此形成沿第一区的边缘的方向折返或螺旋地重复提供的金属互连。
[0095]已经参考优选实施例具体说明了本发明人提出的发明，但是对于本领域技术人员来说显而易见的是本发明不限于上述优选实施例，而是可在不脱离本发明主旨的范围内进行各种变型。
【主权项】
1.一种半导体器件，包括: 衬底， 形成在所述衬底中的晶体管， 形成在所述衬底中并包括所述晶体管的漏区的第一区， 形成在所述衬底中并在平面图中围绕所述第一区的场绝缘膜， 形成在所述衬底中的、在平面图中经由所述场绝缘膜位于所述第一区外部并包括所述晶体管的源区的第二区，以及 位于所述场绝缘膜上方的金属互连， 其中 所述金属互连由在25°c下具有40μ Ω.cm或以上且200 μ Ω.cm或以下的电阻率的金属形成、且在沿所述第一区的边缘的方向上折返或螺旋的同时重复提供、在最内周处与所述漏区电连接、且在最外周处与所述源区或接地电势电连接。2.根据权利要求1的半导体器件， 还包括一互连，该互连位于所述场绝缘膜上方、并从所述第一区延伸至第二区，在该第二区中，所述金属互连在折返的同时重复提供以便在平面图中不与该互连重叠。3.根据权利要求2的半导体器件， 还包括电极焊盘，该电极焊盘位于该互连电连接所述电极焊盘和所述漏区的所述场绝缘膜上方。4.根据权利要求1的半导体器件， 其中所述金属互连由钛、氮化钛、钽或氮化钽形成。5.一种半导体器件，包括: 衬底， 形成在所述衬底中的晶体管， 形成在所述衬底中并包括所述晶体管的漏区的第一区， 形成在所述衬底中并在平面图中围绕所述第一区的场绝缘膜， 形成在所述衬底中、在平面图中经由所述场绝缘膜位于所述第一区外部并包括所述晶体管的源区的第二区， 覆盖所述衬底、所述晶体管以及所述场绝缘膜的层间介电膜， 经由所述层间介电膜位于所述场绝缘膜上方的金属互连， 第一金属电极，其在平面图中位于相对于所述金属互连的第一区的那侧上、覆盖所述层间介电膜且与所述漏区电连接， 第二金属电极，其在平面图中位于相对于所述金属互连的第二区的那侧上、覆盖所述层间介电膜并与所述源区电连接，以及阻挡金属膜，该阻挡金属膜沿所述第一金属电极的底部以及所述第二金属电极的底部形成，其中 所述金属互连在沿所述第一区的各边缘的方向上折返或螺旋地被重复提供、在最内周处与所述漏区电连接、且在最外周处与所述源区或接地电势电连接、并由与所述阻挡金属膜相同的材料形成。6.根据权利要求5的半导体器件， 还包括一互连，该互连位于所述场绝缘膜上方、并从所述第一区延伸至第二区，在所述第二区中，所述金属互连在折返的同时被重复提供以便在平面图中不与该互连重叠。7.根据权利要求6的半导体器件， 还包括电极焊盘，其位于所述互连电连接所述电极焊盘和所述漏区的所述场绝缘膜上方。8.根据权利要求5的半导体器件， 其中所述金属互连由钛、氮化钛、钽或氮化钽形成。9.一种半导体器件，包括: 衬底， 形成在所述衬底中的晶体管， 形成在所述衬底中并包括所述晶体管的漏区的第一区， 形成在所述衬底中并在平面图中围绕所述第一区的场绝缘膜， 形成在所述衬底中、在平面图中经由所述场绝缘膜位于所述第一区外部并包括所述晶体管的源区的第二区， 覆盖所述衬底、所述晶体管以及所述场绝缘膜的层间介电膜， 经由所述层间介电膜位于所述场绝缘膜上方的金属互连， 第一金属电极，其在平面图中位于相对于所述金属互连的第一区的那侧上、覆盖所述层间介电膜且与所述漏区电连接， 第二金属电极，其在平面图中位于相对于所述金属互连的第二区的那侧上、覆盖所述层间介电膜并与所述源区电连接，以及 抗反射膜，其是覆盖所述第一金属电极和所述第二金属电极的金属膜， 其中所述金属互连在沿所述第一区的各边缘的方向上折返或螺旋的同时被重复提供、在最内周处与所述漏区电连接、且在最外周处与所述源区或接地电势电连接、并由与所述抗反射膜相同的材料形成。10.根据权利要求9的半导体器件， 还包括一互连，该互连位于所述场绝缘膜上方、并从所述第一区延伸至第二区，在该第二区中，所述金属互连在折返的同时被重复提供以便在平面图中不与所述互连重叠。11.根据权利要求10的半导体器件， 还包括电极焊盘，其位于所述互连电连接所述电极焊盘和所述漏区的场绝缘膜上方。12.根据权利要求11的半导体器件， 其中所述金属互连由钛、氮化钛、钽或氮化钽形成。
【专利摘要】一种半导体器件，其中在重叠漏区和源区的区域中抑制电场的聚集。漏区形成在第一区中，源区形成在第二区中。场氧化膜在平面图中围绕第一区。金属互连位于场氧化膜上。金属互连由在25℃下具有40μΩ·cm或以上且200μΩ·cm或以下的电阻率的金属形成。而且，金属互连在沿第一区的边缘的方向上被螺旋地重复提供。而且，金属互连在最内周处与漏区电连接，且在最外周处与源区或接地电势电连接。
【IPC分类】H01L29/78, H01L23/528, H01L23/532, H01L23/48
【公开号】CN105280612
【申请号】CN201510302984
【发明人】佐藤启之, 中柴康隆
【申请人】瑞萨电子株式会社
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年6月4日
【公告号】US9299772, US20150357404, US20160181354