本发明构思的示例实施例制造的包括半导体装置的电子系统的框图；
[0053]图15和图16是示出根据本发明构思的一些示例实施例制造的半导体装置可应用于的半导体系统的平面图和透视图。
【具体实施方式】
[0054]现在将参照示出了一些示例实施例的附图更充分地描述各种示例实施例。然而，出于描述示例实施例的目的，在这里公开的特定结构和功能细节仅是代表性的。因此，发明可以以许多替代形式来实施并且不应被解释为仅局限于在这里阐述的示例实施例。因此，应理解的是，不意图将示例实施例限制为所公开的具体形式，而是相反，示例实施例将用于涵盖落入范围内的所有修改、等同物和替代物。
[0055]在附图中，为了清楚起见，可夸大层和区域的厚度，在所有对附图的描述中同样的标号表示同样的元件。
[0056]虽然可在这里使用术语第一、第二等来描述各种元件，但是这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个区分开。例如，在不脱离示例实施例的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件，类似地，第二元件可被称为第一元件。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。
[0057]将理解的是，如果元件被称为“连接”或“结合”到另一元件，则该元件可直接连接或结合到所述另一元件，或者可存在中间元件。相反，如果元件被称为“直接连接”或“直接结合”到另一元件，则不存在中间元件。用于描述元件之间的关系的其他词汇应该以同样的方式来解释(例如，“在……之间”与“直接在……之间”相对，“与……相邻”与“直接与……相邻”相对等)。
[0058]在这里使用的术语仅出于描述具体实施例的目的且不意图限制示例实施例。除非上下文另外清楚地指示，否则如在这里使用的，单数形式“一个(种)”、和“该(所述)”也意图包括复数形式。还将理解的是，如果在这里使用术语“包括”和/或“包含”，则说明存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，而不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
[0059]为了易于描述，这里可使用空间相对术语(例如，“在……之下”、“在……下面”、“下”、“在……上面”和“上”等)来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征之间的关系。将理解的是，除了在附图中描绘的方位之外，空间相对术语还意图包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则描述为“在”其他元件或特征“下面”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其他元件或特征“上面”。因此，术语“在……下面”可包括“在……上面”和“在……下面”两种方位。装置可被另外定位(旋转90度或者在其他方位观察或参照)，并应相应地解释这里使用的空间相对描述符。
[0060]这里参照作为理想化的实施例(和中间结构)的示意图的剖视图来描述示例实施例。如此，由于例如制造技术和/或公差而引起的示图的形状的变化可以是预期的。因此，示例实施例不应被解释为局限于在这里示出的区域的具体形状，而是可包括例如由制造引起的在形状方面的偏差。例如，示出为矩形的注入区可具有圆形或弯曲的特征和/或在其边缘处的(例如，注入浓度的)梯度，而不是从注入区到非注入区的突变。同样地，由注入形成的埋区可导致在埋区与注入通过其可发生的表面之间的区域中的一些注入。因此，在附图中示出的区域实际上是示意性的，它们的形状不必示出装置的区域的实际形状并且不限制范围。
[0061]还应注意的是，在一些可选择的实施中，标记的功能/动作可不按附图中标记的顺序而发生。例如，连续示出的两幅附图根据涉及的功能/动作可实际上大致同时执行或者可有时以颠倒的顺序来执行。
[0062]除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与示例实施例所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确这样定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与相关领域的背景中的它们的意思一致的意思，并且将不以理想或过度正式的意义来解释。
[0063]虽然可不示出一些剖视图的相应的平面图和/或透视图，但是这里示出的装置结构的剖视图对沿如将在平面图中示出的两个不同方向和/或沿如将在透视图中示出的三个不同方向延伸的多个装置结构提供支持。两个不同的方向可以或可以不彼此正交。三个不同的方向可包括可与两个不同的方向正交的第三方向。所述多个装置结构可集成在同一电子装置中。例如，当装置结构(例如，存储单元结构或晶体管结构)示出在剖视图中时，如将通过电子装置的平面图示出的电子装置可包括多个装置结构(例如，存储单元结构或晶体管结构)。所述多个装置结构可以按照阵列和/或按照二维图案来布置。
[0064]为了更具体地描述示例实施例，将参照附图详细地描述各种特征。然而，描述的示例实施例不限于此。
[0065]本发明构思的示例实施例涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。
[0066]以下，将描述使用激光在晶片的划片线上形成对准记号的半导体装置。根据本发明构思的示例实施例，通过在WSS(晶片支撑系统，Wafer Support System)工艺中采用激光工艺来简化背面对准工艺，并且可在背面焊盘工艺中形成自对准标记。因此，可提高对准精度，并且可减小加工成本。此外，根据激光布置，可在TWS(薄晶片切割，Thin Wafer Sawing)工艺中执行GAL(层后研磨，Grinding After Layer)工艺。
[0067]图1是示意性地示出根据本发明构思的示例实施例的用于制作对准记号的设备的视图，图2是示意性地示出根据本发明构思的示例实施例的其上形成有对准记号的晶片的横截面的视图。图3是顺序地示出根据本发明构思的示例实施例的使用对准记号形成半导体封装件的工艺的流程图。
[0068]参照图1和图2，将描述根据本发明构思的示例实施例的用于制作对准记号的设备。
[0069]参照图1和图2，针对限定有划片线区SR和芯片区CR的晶片W，使用激光L在划片线区SR的晶片W内部(或之内)形成对准记号AM。
[0070]多个半导体芯片形成在晶片W上。S卩，半导体芯片形成在多个芯片区CR上，隔开多个半导体芯片的区域是划片线区SR。为了在一个晶片W上形成最大数量的半导体芯片，多个半导体芯片可形成为例如按照矩阵形式来布置。在随后的工艺中，切割划片线区SR以使多个半导体芯片彼此分离。
[0071]在这种情况下，形成在划片线区SR中的对准记号AM可被部分地去除，但与芯片区CR相邻地形成的对准记号AM可以保留而不被去除。
[0072]在相关技术中，对于背面对准工艺，执行光刻工艺，通过执行蚀刻工艺来形成凹进，形成的凹进被用作对准标记。在这种情况下，增加了加工步骤，并且增加了加工时间和成本。根据本发明构思的示例实施例，为了解决这个问题，不在晶片的背面上形成单独的对准标记，而在半导体基板的内部形成对准记号。形成的对准记号可用作在背面对准工艺中的对准标记。
[0073]S卩，对准记号可使用半导体基板与形成在半导体基板内部的对准记号之间的在照度和亮度方面的识别差异而用作对准标记。
[0074]使用这个方法，可简化背面对准工艺，可改善对准工艺的精度，并且可减少加工时间和成本。
[0075]参照图1和图2，可使用聚焦透镜FL聚焦激光L，对准记号AM可通过调节激光L的强度而形成在划片线区SR的晶片W的内部。在这种情况下，对准记号AM可形成为与晶片的前面或背面分隔开，并且可形成在与晶片W的背面分隔开大约40 μ m的位置中。
[0076]在执行TWS (薄晶片切割)工艺以减小在随后工艺中的晶片W的厚度的情况下，可使用GAL(层后研磨)工艺。然而，为此，需要保证晶片(W)处理边缘。
[0077]参照图3，示意性地示出了根据本发明构思的示例实施例的使用对准记号形成半导体封装件的工艺。首先，通过激光(L)扫描工艺，在划片线区SR的晶片W内部形成对准记号 AM(S1)。
[0078]在这种情况下，对准记号AM是用于将包括在晶片W中的半导体材料的一部分变成非晶态，可通过保证工艺余量而按照各种方式来形成对准记号AM的形状。例如，可以以十字(+)形状来形成对准记号AM。此外，可以以诸如“L”形状、“Η”形状和“U”形状的各种形状