记号的位置。图6示出在晶片W上的四个半导体芯片SC1、SC2、SC3和SC4。划片线区形成为分别隔开四个半导体芯片SC1、SC2、SC3和SC4，对准记号AM可形成在晶片角部的边缘部分上。然而，本发明构思的示例实施例不限于此。为了方便，可改变形成有对准记号AM的位置。
[0108]在沿划片线区切割半导体芯片之后，划片线区的一部分可继包括有半导体芯片的芯片区之后保留，包括在划片线区中的对准记号AM可单独保留。
[0109]以下，将描述根据本发明构思的其他示例实施例的半导体装置。
[0110]图7是根据本发明构思的其他示例实施例的半导体装置的示意性剖视图，图8是解释形成有对准标记的区域的视图。
[0111]为了便于解释，将省略与如上所述的在图4中示出的根据本发明构思的示例实施例的半导体装置的部分基本上相同的部分的解释。
[0112]参照图7，根据本发明构思的其他示例实施例的半导体装置2包括第一半导体基板100、第一对准记号AM1、第二半导体基板200、第二对准记号AM2、第三对准记号AM3和结合凸起 310、320、330。
[0113]第一半导体基板100、第一对准记号AM1、第二半导体基板200、第二对准记号AM2和结合凸起310、320、330与上面描述的那些基本上相同。
[0114]第三对准记号AM3可形成在第一半导体基板100的一侧102上。在这种情况下，第三对准记号AM3可形成在与第一对准记号AM1对应的位置中。
[0115]S卩，第三对准记号AM3可形成为在后续工艺中容易掌握第一对准记号AM1的形状和位置。
[0116]图8示出形成有第三对准记号AM3的位置。第三对准记号AM3可形成为使得第三对准记号AM3的轮廓位于距与第一对准记号AM1对应的轮廓大约3.75 μ m的范围内。
[0117]当从外部识别通过激光工艺形成的第一对准记号AM1时，识别区AM_R的误差范围为大约3.75 μm0这个值是根据实验的结果确定的值并且指示可在背面对准工艺中识别第一对准记号AM的误差范围。
[0118]因为第三对准记号AM3形成在第一半导体基板100的面对第二半导体基板200的一侧102上，所以可第三对准记号AM3在随后的工艺中用作对准标记。
[0119]图9是根据本发明构思的另外其他示例实施例的半导体装置的示意性剖视图。
[0120]为了便于解释，将省略与如上所述的在图4中示出的根据本发明构思的示例实施例的半导体装置的部分基本上相同的部分的解释。
[0121]参照图9，根据本发明构思的另外其他示例实施例的半导体装置3包括半导体芯片SC和第四对准记号AM4。
[0122]在半导体芯片SC中，限定有划片线区SR和芯片区CR。半导体芯片SC可为在半导体产品中使用的各种集成电路(1C)芯片中的一种。
[0123]半导体芯片SC可包括作为半导体基板的半导体材料。具体地，半导体芯片SC可包括硅(Si)，但本发明构思的示例实施例不限于此。例如，半导体芯片SC可由从包括S1、Ge、SiGe、GaP、GaAs、SiGeC、InAs和InP的组中选择的至少一种半导体材料制成。此外，半导体芯片SC可由SOI (绝缘体上硅)制成。
[0124]第四对准记号AM4形成在划片线区SR的半导体芯片SC的内部以与半导体芯片SC的上侧分隔开。此外，第四对准记号AM4形成在划片线区SR的半导体芯片SC的内部以与半导体芯片SC的下侧分隔开。
[0125]因为第四对准记号AM4利用激光工艺形成在划片线区SR的半导体芯片SC的内部，所以可在不对半导体芯片SC的表面产生影响的情况下形成第四对准记号AM4。第四对准记号AM4的形成是使得半导体芯片SC的一部分处于非晶态。因为半导体芯片SC的半导体材料以结晶态存在而第四对准记号AM4处于非晶态，所以由于在随后工艺中它们之间的在照度和亮度方面的识别差异而可使第四对准记号用作对准标记。
[0126]在切割划片线区SR的工艺中，可去除第四对准记号AM4的一部分，而与芯片区CR相邻地形成的第四对准记号AM4可以保留而不被去除。因此，第四对准记号可用作对准标记。
[0127]形成在晶片的划片线区中的对准记号可为十字(+)形状。通过切割划片线区的工艺去除对准记号的一部分，第四对准记号AM4的形状保留。然而，在本发明构思的示例实施例中。对准记号的形状不限于此。对准记号可以是诸如“L”形状、“H”形状和“U”形状的各种形状。
[0128]图10是根据本发明构思的另外其他示例实施例的半导体装置的示意性剖视图。
[0129]为了便于解释，将省略与如上所述的在图4中示出的根据本发明构思的示例实施例的半导体装置的部分基本上相同的部分的解释。
[0130]参照图10，根据本发明构思的另外其他示例实施例的半导体装置4包括半导体芯片SC、第四对准记号AM4和第五对准记号AM5。
[0131]半导体芯片SC和第四对准记号AM4与上面描述的那些基本上相同。
[0132]第五对准记号AM5可形成在半导体芯片SC的一侧上，具体地，形成在与形成有第四对准记号AM4的位置对应的位置中。第五对准记号AM5可形成为在随后的工艺中容易掌握第四对准记号AM4的形状和位置。
[0133]第五对准记号AM5可形成为使得第五对准记号AM5的轮廓位于距与第四对准记号AM4对应的轮廓大约3.75 μ m的范围内。
[0134]当从外部识别通过激光工艺形成的第五对准记号AM5时，识别区的误差范围为大约3.75 μ m0这个值是根据实验的结果确定的值并且指示可在背面对准工艺中识别第五对准记号AM5的误差范围。
[0135]因为第五对准记号AM5形成在半导体芯片SC的上侧上，所以第五对准记号AM5可在随后的工艺中用作对准标记。
[0136]以下，将描述根据本发明构思的示例实施例的用于制造半导体装置的方法。
[0137]图11是顺序地示出根据本发明构思的示例实施例的用于制造半导体装置的方法的流程图。
[0138]参照示出了根据本发明构思的示例实施例的用于制造半导体装置的方法的图11，首先准备限定有划片线区SR和芯片区CR的半导体基板S(S100)。
[0139]半导体基板S可包括硅(Si)，例如，半导体基板S可由从包括S1、Ge、SiGe、GaP、GaAs、SiGeC、InAs和InP的组中选择的至少一种半导体材料制成。此外，半导体基板S可由SOI (绝缘体上硅)制成。
[0140]在半导体基板S的芯片区CR中，例如，可形成穿透通孔结构或电路结构。S卩，半导体基板S可为在各种种类的半导体产品中使用的半导体芯片。这里，半导体芯片可为集成电路(1C)芯片。
[0141]然后，通过用光束照射划片线区SR，在划片线区SR的半导体基板S的内部形成第一对准记号AM1以与半导体基板S的上侧或下侧分隔开(S110)。这里，光束可为激光束。
[0142]因为第一对准记号AM1利用激光工艺形成在划片线区SR的半导体基板S的内部，所以可在不对半导体基板S的表面产生影响的情况下形成第一对准记号AM1。
[0143]第一对准记号AM1的形成是用于使得半导体基板S的一部分处于非晶态。因为半导体基板S的其他部分以结晶态存在而第一对准记号AM1处于非晶态，所以由于它们之间的在照度和亮度方面的识别差异而可使第一对准记号用作对准标记。
[0144]具体地，在切割划片线区SR的工艺中，可去除第一对准记号AM1的一部分，而与芯片区CR相邻地形成的第一对准记号AM1可在不被去除的情况下保留。
[0145]第一对准记号AM1可为十字(+)形状，但本发明构思的示例实施例不限于此。第一对准记号AM1可以是诸如“L”形状、“H”形状和“U”形状的各种形状。
[0146]图12是顺序地示出根据本发明构思的其他示例实施例的用于制造半导体装置的方法的流程图。
[0147]为了便于解释，将省略与在如上所述的根据本发明构思的示例实施例的用于制造半导体装置的方法中的部分基本上相同的部分的解释。
[0148]参照示出根据本发明构思的其他示例实施例的用于制造半导体装置的方法的图12，首先准备限定