率为0-50W。聚合物保护层32的厚度由后续的微结构31决定，所需刻蚀的结构宽度越大，聚合物保护层32的厚度越厚，沉积工艺的时间越长。优选地，在沉积聚合物保护层32时，C/F的比值越高，沉积效果越明显。另外，上电极功率越高，聚合物保护层32的沉积效果越好。较低的下电极功率有利于各向同性沉积，从而获得均匀的聚合物保护层32。
[0038]步骤S3，采用各向异性刻蚀工艺去除微结构的底部的保护层。
[0039]在步骤S3中，采用CFX、CHxFy, Cl2, HBr, SF6中的一种或几种作为刻蚀气体进行保护层32各向异性刻蚀工艺，以去除微结构31的底部的保护层32，如图3c所示。上电极功率为300-5000W，下电极功率为10-200W。优选地，上电极功率越高，刻蚀速率越快。下电极功率越高，越有利于各向异性刻蚀，使得位于微结构31的底部的保护层32刻蚀干净，同时尽量多的保留微结构31的侧壁的保护层32。
[0040]另外，在去除微结构31的底部的保护层32时，还可以采用Ar、N2、He或O2等气体作为载气体。
[0041]步骤S4，采用各向异性刻蚀工艺刻蚀微结构的底部至所需深度。
[0042]在步骤S4中，采用SF6和O2的混合气体或NF3和O2的混合气体作为刻蚀气体进行各向异性刻蚀工艺，以进一步刻蚀被加工工件，如图3d所示。上电极功率为300-5000W，下电极功率为10-200W。优选地，上电极功率越高，刻蚀速率越快。下电极功率越高，越有利于各向异性刻蚀，从而获得垂直的侧壁形貌。
[0043]另外，在各向异性刻蚀工艺刻蚀微结构的底部至所需深度时，还可以采用HBr或Cl2作为辅助刻蚀气体，和/或，采用Ar、N2、He或O2气体作为载气体。
[0044]步骤S5，采用各向同性刻蚀工艺释放微结构的下方以释放微结构。
[0045]在步骤S5中，采用SF6或NF3进行各向同性刻蚀工艺，以达到结构释放，如图3e所示。上电极功率为300-5000W，下电极功率为0-50W，以达到结构释放。在工艺过程中，上电极功率越高，刻蚀速率越快。下电极功率越低，越有利于各向同性刻蚀，从而达到结构释放，因此，优选下电极功率为0W。
[0046]需说明的是，在释放结构的过程中，对于微结构31的固定部分，由于其尺寸较大，虽然在步骤S5的各向同性刻蚀过程中会有所损伤，但这并不影响器件的使用。
[0047]另外，本发明还提供一种深硅刻蚀微结构，该结构包含有悬浮架构或空腔，这些悬浮架构和/或空腔通过本实施例提供的微结构释放的方法获得。
[0048]本实施例提供的微结构释放的方法，首先在微结构的侧壁和底部形成保护层；再通过各向异性刻蚀使被加工工件需要进一步刻蚀的区域露出，同时保留其它区域的保护层，即通过各向异性工艺刻蚀保护层；然后通过各向异性刻蚀被加工工件至所需的深度，最后通过各向同性蚀刻实现结构释放。由于采用了各向异性工艺对保护层选择性刻蚀，无需截止层也可控制刻蚀的深度。因此，不再需要SOI晶片作为被加工工件，也不需要二氟化氙气体及对应的复杂设备，既简化了后续的刻蚀工艺，又降低了加工成本。
[0049] 可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种微结构释放的方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤1:采用刻蚀工艺在被加工工件的被加工面获得微结构； 步骤2:在所述微结构的侧壁和底部沉积保护层； 步骤3:采用各向异性刻蚀工艺去除所述微结构底部的所述保护层； 步骤4:采用各向异性刻蚀工艺刻蚀所述微结构的底部至所需深度； 步骤5:采用各向同性刻蚀工艺刻蚀所述微结构的下方以释放所述微结构。2.根据权利要求1所述的微结构释放的方法，其特征在于，所述步骤I包括交替进行的刻蚀步骤和沉积步骤；所述刻蚀步骤采用SF6作为工艺气体，所述沉积步骤采用C4F8作为工艺气体。3.根据权利要求1所述的微结构释放的方法，其特征在于，所述步骤2的保护层通过CxFy类气体获得。4.根据权利要求1所述的微结构释放的方法，其特征在于，所述步骤3采用CFX、CHXFY、Cl2、HBr、SF6中的一种或几种作为刻蚀气体进行所述各向异性刻蚀工艺。5.根据权利要求4所述的微结构释放的方法，其特征在于，所述步骤3采用Ar、N2,He或O2气体作为载气体。6.根据权利要求1所述的微结构释放的方法，其特征在于，所述步骤4采用SF6和O2的混合气体或NF3和O2的混合气体作为刻蚀气体进行各向异性刻蚀工艺。7.根据权利要求6所述的微结构释放的方法，其特征在于，所述步骤4采用HBr或Cl2作为辅助刻蚀气体，和/或采用Ar、N2, He或O2气体作为载气体。8.根据权利要求1所述的微结构释放的方法，其特征在于，所述步骤5采用SF6或NF3进行所述各向同性刻蚀工艺。9.根据权利要求1所述的微结构释放的方法，其特征在于，所述被加工工件为硅片。10.一种半导体微结构，包括悬浮架构和/或空腔，其特征在于，所述悬浮架构和/或空腔通过权利要求1-9任意一项所述的微结构释放的方法获得。
【专利摘要】本发明提供一种微结构释放的方法及深硅刻蚀微结构，包括以下步骤：采用刻蚀工艺在被加工工件的被加工面获得微结构；在所述微结构的侧壁和底部沉积保护层；采用各向异性刻蚀工艺去除所述微结构的底部的所述保护层；采用各向异性刻蚀工艺刻蚀所述微结构的底部至所需深度；采用各向同性刻蚀工艺释放所述微结构的下方以释放所述微结构。该微结构释放的方法简单，加工成本低。另外，本发明还提供一种深硅刻蚀微结构。
【IPC分类】H01L21/311, B81C1/00, H01L21/3065, B81B7/02
【公开号】CN105590847
【申请号】CN201410648558
【发明人】刘海鹰, 蒋中伟
【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2014年11月14日