该第六厚度D6相似于该第四厚度D4，该第七厚度D7相似于第五厚度D5 ;但本发明并未受限于此。
[0032]于本发明中，“厚度”一词表示一区域的平均厚度，详言之，于一区域中随机量测三个位置以上的厚度值，将该些厚度值平均后得到一区域的平均厚度。在量测厚度值时，较佳选取一区域中五个位置以上、更佳选取十个位置以上进行量测，可得到较准确的平均厚度值。“厚度”的量测方式不受限，可使用已知技术领域中常用的量测方式，例如在扫描式电子显微镜(SEM)下量测厚度。
[0033]于本发明中，薄膜晶体管基板可采用已知的薄膜晶体管工艺制作。请参照图1，简言之，制作薄膜晶体管基板时，需先提供一具有上述第一区21、第二区22及第三区23的图案化半导体层，其中第一区21、第二区22及第三区23的平均厚度可根据使用材料而加以调整实施；接着，将该图案化的半导体层2设置于基层I上；于半导体层2上沉积一绝缘层材料，并经由电浆处理蚀刻该绝缘层材料，以形成第一绝缘层3 ;于第一绝缘层3上沉积一电极材料作为栅极电极7 ;再于其上沉积一绝缘层材料，并经由电浆处理蚀刻该绝缘层材料，以形成第二绝缘层4，其具有用于容纳源极电极5与漏极电极6的穿孔；最后于第二绝缘层4的穿孔处沉积一电极材料，以形成与半导体层2直接接触的源极电极5与漏极电极6。据此，完成一上栅极式(top gate)薄膜晶体管基板。
[0034]然而，一下栅极式(bottom gate)薄膜晶体管基板亦可用于本发明，可由本技术领域的人视实际需求而简单调整。例如，目前已知如蚀刻阻障层结构(etching stop layerstructure, ESL)、或如背信道蚀刻结构(back channel etching structure, BCE)等。若为下栅极式薄膜晶体管基板，例如图5所示的蚀刻阻障层结构:可于一基层I上依序沉积形成一栅极电极7、一第一绝缘层3、一半导体层2、一第二绝缘层4及一源极电极5与一漏极电极6，可再视需要设置一保护层8于该源极电极5与该漏极电极6上，以得到下栅极式的薄膜晶体管基板10’。相同地，制作该薄膜晶体管基板10’时，需先提供一具有上述第一区
21、第二区22、第三区23、第四区24及第五区25的图案化半导体层2，再进行后续工艺；其中，第一区21对应栅极电极7并位于第二区22与第三区23之间，第二区22对应源极电极5，第三区对应漏极电极6，第二区22的邻接第一区21的反侧设有第四区24，第三区23的邻接第一区21的反侧设有第五区25。于此实施例中，第一区21、第四区24及第五区25的厚度大致相同并大于第二区22及第三区23的厚度(第二区22及第三区23的厚度大致相同)。
[0035]此外，基层I可使用本技术领域常用的基板，如玻璃基板、塑料基板、硅基板及陶瓷基板等。再者，源极电极5、漏极电极6与门极电极7的材料可分别使用本技术领域常用的导电材料，如金属、合金、金属氧化物、金属氮氧化物、或其他本技术领域常用的电极材料；且较佳为金属材料，但本发明不仅限于此，若需要，可选用透明电极与半透明电极的复合电极，如:TC0电极与钼薄膜电极的复合电极。至于半导体层2，亦可采用本技术领域常用的半导体层材料，例如氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、其他金属氧化物半导体、非晶石圭、多晶娃、结晶??圭及其他有机半导体例如Ρ13、DH4T、五苯环的有机材料等；另外，第一绝缘层3及第二绝缘层4的材料可为本技术领域常用的如氮化硅(SiNx)、氧化硅(S1x)或其组合的钝化层材料。然而，本发明并不仅限于此。
[0036]因此，为了使半导体层中各区的阻值关系符合:第一区>第四区(相似于第五区)>第二区(相似于第三区)，经由电浆处理对半导体层进行图案化，使半导体层中各区的厚度符合:第一区 > 第四区(相似于第五区)> 第二区(相似于第三区)。据此，由于半导体层中各区域的厚度不同，经过电浆处理的后，造成各区域的阻值不同，厚度越薄则阻值越低，进而达到降低源极电极与门极电极至载子通道区间的串联阻抗，避免薄膜晶体管基板的开通电流下降，进而解决面板电容充电不足、功耗过高等问题。
[0037]实施例2
[0038]本发明另提供一种显示设备，包含:上述薄膜晶体管基板，一对侧基板，设置于该薄膜晶体管基板上；以及一显示单元，设置于该薄膜晶体管基板与该对侧基板之间。如图6所示，当本发明的显示设备为一液晶显示设备(IXD)，还包含设置于薄膜晶体管基板10上方的液晶单元20及彩色滤光片基板30、以及设置于薄膜晶体管基板10下方的背光模块40;或者，如图7所示，当本发明的显示设备为一有机发光二极管装置(OLED)时，还包含设置于薄膜晶体管基板10上方的有机发光二极管50和封装基板(或薄膜封装模块)60。此夕卜，本技术领域中具有通常知识者可轻易了解其他省略的组件，已知常用的组件皆可应用于本发明。例如，有机发光二极管50包含第一电极、有机发光层及第二电极，以及其他可帮助电子电洞传输结合的层的有机发光二极管组件均可应用于本发明中，例如:包括电子传输层、电子注入层、电洞传输层、及电洞注入层等。此外，本发明的显示设备，可应用于本技术领域已知的任何电子装置上，如显示器、手机、笔记本电脑、摄影机、照相机、音乐播放器、行动导航装置、电视等。
[0039] 上述实施例仅是为了方便说明而举例而已，本发明所主张的权利范围自应以申请专利范围所述为准，而非仅限于上述实施例。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管基板，包括: 一基层; 一半导体层，设置于该基层上； 一源极电极与一漏极电极，设置于该半导体层上；以及 一栅极电极，设置于该基层上并对应该半导体层； 其中，该半导体层包含一第一区、一第二区及一第三区，该第一区对应该栅极电极，该第二区对应该源极电极，以及该第三区对应该漏极电极， 其中，该第一区具有一第一厚度，该第二区具有一第二厚度，该第三区具有一第三厚度，且该第一厚度大于该第二厚度或该第三厚度。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，该第二厚度或该第三厚度为该第一厚度的1%至50%。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，该半导体层还包括一第四区，位于该第一区及该第二区之间，该第四区具有一第四厚度，且该第四厚度介于该第一厚度及该第二厚度之间。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其中，该第二厚度为该第四厚度的1%至50%o5.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，该半导体层还包括一第五区，位于该第一区及该第三区之间，该第五区具有一第五厚度，且该第五厚度介于该第一厚度及该第三厚度之间。6.如权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其中，该第三厚度为该第五厚度的I%至50%o7.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，该第二区具有一第一侧及相对的一第二侧，该第一侧邻近该第一区；以及 该半导体层还包括一第六区，其邻近该第二区的该第二侧，该第六区具有一第六厚度，且该第六厚度介于该第一厚度及该第二厚度之间。8.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，该第三区具有一第一侧及相对的一第二侧，该第一侧邻近该第一区；以及 该半导体层还包括一第七区，其邻近该第三区的该第二侧，该第七区具有一第七厚度，且该第七厚度介于该第一厚度及该第三厚度之间。9.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其是为一上栅极式薄膜晶体管基板。10.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，该半导体层是氧化铟镓锌、氧化铟锡锌、或其他金属氧化物半导体。11.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，该半导体层是非晶硅、多晶硅、或结晶石圭。12.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，该半导体层是P13、DH4T、或五苯环的有机半导体。13.一种显示设备，包括: 该如权利要求1所述的薄膜晶体管基板； 一对侧基板，设置于该薄膜晶体管基板上；以及 一显示单元，设置于该薄膜晶体管基板与该对侧基板之间。14.如权利要求13所述的显示设备，其是为一有机发光二极管装置或一液晶显示设备。
【专利摘要】本发明是有关于一种薄膜晶体管基板，包括：一基层；一半导体层，设置于该基层上；一源极电极与一漏极电极，设置于该半导体层上；以及一栅极电极，设置于该基层上并对应该半导体层；其中，该半导体层包含一第一区、一第二区及一第三区，该第一区是对应该栅极电极，该第二区是对应该源极电极，以及该第三区是对应该漏极电极，其中，该第一区具有一第一厚度，该第二区具有一第二厚度，该第三区具有一第三厚度，且该第一厚度大于该第二厚度或该第三厚度。
【IPC分类】H01L29/786, H01L27/12
【公开号】CN105590935
【申请号】CN201410557303
【发明人】沈义和, 张荣芳
【申请人】群创光电股份有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2014年10月20日