型外延层、有源层和P型外延层；
[0071]S2:在所述外延层中形成若干暴露所述N型外延层的凹槽；
[0072]S3:在所述P型外延层上形成接触层，所述接触层对应所述凹槽的位置处设有接触层开口 ；
[0073]S4:在所述接触层上形成若干第一柱状金属层，并在每个凹槽内形成第二柱状金属层;
[0074]S5:在所述P型外延层、接触层、第一柱状金属层、第二柱状金属层上以及所述凹槽内形成绝缘反射层，所述绝缘反射层设有暴露所述第一柱状金属层的第一绝缘反射层开口以及暴露所述第二柱状金属层的第二绝缘反射层开口；
[0075]S6:在所述绝缘反射层上形成若干间隔排布的第一条状金属层和第二条状金属层；
[0076]S7:在所述绝缘反射层、第一条状金属层和第二条状金属层上形成绝缘层，所述绝缘层设有暴露所述第一条状金属层部分区域的第一绝缘层开口以及暴露所述第二条状金属层部分区域的第二绝缘层开口；
[0077]S8:在所述绝缘层上形成第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘通过所述第一条状金属层和第一柱状金属层与所述P型外延层形成电连接，所述第二焊盘通过所述第二条状金属层和第二柱状金属层与所述N型外延层形成电连接。
[0078]下面结合图1A至图1OB更详细地说明本实用新型所提供的倒装LED芯片制作方法。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
[0079]首先，如图1所不，如图1A和图1B所不，提尚一外延片I，所述外延片I包括衬底11及形成于所述衬底11上的外延层12。所述衬底11可以为蓝宝石衬底、碳化硅衬底、硅衬底、氮化镓衬底或者两种以上材料组成的复合衬底。所述外延层12包括依次形成于所述衬底11上的N型外延层121、有源层122和P型外延层123。形成所述N型外延层121之前还可以在所述衬底11上形成其他公知的膜层。其中，所述外延层12上包括阵列排布的预定区域一和阵列排布的预定区域二，所述预定区域一和所述预定区域二间隔错开排布。
[0080]接着，如图2A和图2B所示，在所述P型外延层123的预定区域一上形成阻挡层3，所述阻挡层3的材料例如为Si02，其可通过蒸发、溅射、PECVD或LPCVD工艺形成，所述阻挡层3阵列排布在P型外延层123上。
[0081]接着，如图3A和图3B所示，通过光刻刻蚀工艺在所述外延层12的预定区域二中形成凹槽2，所述凹槽2暴露所述N型外延层121，本实施例中，所述凹槽2的深度大于所述P型外延层123和所述有源层122厚度的总和而小于所述外延层12的厚度，即，凹槽2内的P型外延层123和有源层122完全被去除，而N型外延层121被去除一部分。其中，所述阻挡层3与所述凹槽2间隔错开排布，即，所述阻挡层3和凹槽2并不在同一行同一列上，以沿图3A中第一方向X为行、沿第二方向Y为列举例，阻挡层3为五行四列，凹槽2则为四行四列，两行阻挡层3之间设置一行凹槽2，并且，两列阻挡层3之间同样设置一列凹槽2。可以理解的是，所述凹槽2和阻挡层3的数量和排布方式并不局限于此，只要是间隔错开排布即可。
[0082]接着，如图4A和图4B所示，通过蒸发、溅射或喷涂等工艺在所述P型外延层123上形成接触层4，所述接触层4在对应所述凹槽2的位置处设有接触层开口，所述接触层开口完全暴露所述凹槽2，所述接触层4的材料为ITO、N1、Ni\Ag、Ni\Au中的一种或多种组合。
[0083]接着，如图5A和图5B所示，通过蒸发、溅射或喷涂等工艺，在所述预定区域一上(即所述阻挡层3上方)的接触层4上形成第一柱状金属层51，并在所述凹槽2内形成第二柱状金属层52，所述第一柱状金属层51和第二柱状金属层52由Cr、T1、Al、N1、Au、Ag、Cu、Sn中至少两种材料组合而成。
[0084]接着，如图6A和图6B所示，通过蒸发、溅射或喷涂等工艺在所述P型外延层123上、接触层4上、凹槽2内、第一柱状金属层51上、第二柱状金属层52上形成绝缘反射层6，所述绝缘反射层6优选是DBR反射层，所述DBR反射层可以为S1、Si02、Ti02、Ti305等氧化物材料中的至少两种，按照λ/4n厚度交替生长所形成，其中，生长周期为3-50个。或者，所述绝缘反射层6也可以由金属反射层和绝缘介质层组合而成，所述金属反射层的材料为银，所述绝缘介质层的材料为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的至少一种。所述绝缘反射层6中设有暴露所述第一柱状金属层51的第一绝缘反射层开口和暴露所述第二柱状金属层52的部分区域的第二绝缘反射层开口，以便后续形成电连接。为了便于观察，第一绝缘反射层开口和第二绝缘反射层开口暴露出来的第一柱状金属层51和第二柱状金属层52的填充图案已经去除，仅以空白图案代替。
[0085]接着，如图7A和图7B所示，通过蒸发溅射或喷涂等工艺，在绝缘反射层6上形成若干间隔排列第一条状金属层71和第二条状金属层72。所述第一条状金属层71和第二条状金属层72由Cr、T1、Al、N1、Au、Ag、Cu、Sn中至少两种材料组合而成。
[0086]本实施例中，第一条状金属层71和第二条状金属层72均为矩形条状，所述第一条状金属层71与同一列中的所有第一柱状金属层51电连接，所述第二条状金属层72与同一列中的所有第二柱状金属层52电连接。可以理解的是，上述是以沿图7A中第一方向X为行、沿第二方向Y为列举例，所述第一条状金属层71和第二条状金属层72的长度方向是沿第二方向Y延伸，在其它实施例中，所述第一条状金属层71和第二条状金属层72的长度方向也可以是沿第一方向X延伸，如此，所述第一条状金属层71与同一行中的所有第一柱状金属层51电连接，所述第二条状金属层72则与同一行中的所有第二柱状金属层52电连接。为了便于观察，图7A仅示意性表示出了第一条状金属层71和第二条状金属层72的填充图案，而绝缘反射层6的填充图案已经去除，仅以空白图案代替。
[0087]接着，如图8A和图8B所示，通过蒸发、溅射、PECVD或LPCVD等工艺，在所述绝缘反射层6及所述第一条状金属层71和所述第二条状金属层72上形成绝缘层8，所述绝缘层8设有暴露所述第一条状金属层71部分区域的第一绝缘层开口以及暴露所述第二条状金属层72部分区域的第二绝缘层开口。所述第一绝缘层开口和第二绝缘层开口沿第一条状金属层71和所述第二条状金属层72的长度方向错开分布，即，二者即不在同一行上也不在同一列上。本实施例中，每个所述第一条状金属层71和第二条状金属层72均包括沿其长度方向依次排布的第一部分、中间部分以及第二部分，所述第一条状金属层71和第二条状金属层72的中间部分完全被绝缘层8覆盖，所述第一绝缘层开口暴露所有第一条状金属层71的第一部分，所述第二绝缘层开口暴露所有第二条状金属层72的第二部分，以便后续形成电连接。
[0088]接着，如图9A和图9B所示，通过蒸发溅射或喷涂工艺，在所述绝缘层8上形成第一焊盘91和第二焊盘92，所述第一焊盘91通过所述第一条状金属层71与所述第一柱状金属层51形成电连接，所述第二焊盘通过所述第二条状金属层与所述第二柱状金属层形成电连接。所述第一焊盘91和第二焊盘92由Cr、T1、Al、N1、Au、A