g、Cu、Sn中至少两种材料组合而成。所述第一焊盘91与所述第一条状金属层71形成电连接，所述第二焊盘92与所述第二条状金属层72形成电连接，所述第一焊盘91和第二焊盘暴露所述第一条状金属层71和第二条状金属层72的中间部分上方的缘隔离层8。本实施例中，所述第一焊盘91和第二焊盘92均为矩形片状，沿所述第一条状金属层71和第二条状金属层72的长度方向排列。图9C仅示出了第一焊盘91和第二焊盘92，其中第一焊盘91和第二焊盘92以空白图案代替，由此可方便观察第一焊盘91和第二焊盘92的形状和排布方式，可以理解的是，上述并非用以限制本实用新型。
[0089]接着，如图1OA和图1OB所示，将上述结构作为一个整体，在完成上述整体结构制作之后，提供一倒装基板20 (如图1OA所示)，并将所述整体结构倒装焊接于倒装基板20上，最终完成本实用新型的倒装LED芯片的制作。
[0090]如图1OA所示，所述倒装基板20包括第一导电基板201、第二导电基板202以及设置于第一导电基板201、第二导电基板202之间用以绝缘隔离第一导电基板201和第二导电基板202的绝缘隔离固定板203。所述第一导电基板201与所述第一焊盘91相对应形成电连接，所述第二导电基板202与所述第二焊盘92相对应形成电连接。所述绝缘隔离固定板203将第一焊盘91和第二焊盘92绝缘隔离以及固定第一焊盘91和第二焊盘92。
[0091]进一步的，在倒装焊接之前，还包括对所述衬底11进行减薄的工艺步骤。更进一步的，在将形成金属功能层之后的结构作为一个有机的整体倒装焊接或键合于所述倒装基板20上之前，还包括在二者的接触面上形成粘合层(图1OB中未示出)，所述粘合层的材料为Au或Sn。
[0092]综上所述，本实用新型的倒装LED芯片具有以下有益效果:
[0093]1、本实用新型采用阵列排布的凹槽，凹槽内N型外延层通过第二条状金属层和第二柱状金属层与第二焊盘形成电连接，相比于现有技术中做一整条的凹槽而言，本实用新型中凹槽面积大幅减小，进而减少了凹槽所占用的外延层发光区的面积，大大提高了倒装LED芯片的发光亮度；
[0094]2、本实用新型采用矩形片状的第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘和第二焊盘沿第一条状金属层和第二条状金属层的长度方向上下排列，几乎全部覆盖了芯片的面积，其可将绝缘反射层透射出来的小部分光再次反射回去，进一步提高了倒装LED芯片的发光亮度；
[0095]3、本实用新型可采用DBR作绝缘反射层，性能更稳定，也省去了钝化层、保护层等繁琐的工艺步骤，而这些工艺步骤正是芯片制造端的技术瓶颈，在解决了芯片制造端的技术难题的同时降低了 LED的生产成本。
[0096]上述描述仅是对本实用新型较佳实施例的描述，并非对本实用新型范围的任何限定，本实用新型领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
【主权项】
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括: 衬底以及形成于所述衬底上的外延层，所述外延层包括依次形成于所述衬底上的N型外延层、有源层和P型外延层； 形成于所述外延层中并暴露所述N型外延层的阵列排布的凹槽； 形成于所述P型外延层上的接触层，所述接触层对应所述凹槽的位置处设有接触层开P ； 形成于所述接触层上的若干第一柱状金属层以及形成于每个凹槽内的第二柱状金属层； 形成于所述P型外延层、接触层、第一柱状金属层、第二柱状金属层上以及所述凹槽内的绝缘反射层，所述绝缘反射层设有暴露所述第一柱状金属层的第一绝缘反射层开口以及暴露所述第二柱状金属层的第二绝缘反射层开口； 形成于所述绝缘反射层上的若干间隔排布的第一条状金属层和第二条状金属层； 形成于所述绝缘反射层、第一条状金属层和第二条状金属层上的绝缘层，所述绝缘层设有暴露所述第一条状金属层部分区域的第一绝缘层开口以及暴露所述第二条状金属层部分区域的第二绝缘层开口 ；以及 形成于所述绝缘层上的第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘通过所述第一条状金属层和第一柱状金属层与所述P型外延层形成电连接，所述第二焊盘通过所述第二条状金属层和第二柱状金属层与所述N型外延层形成电连接。
2.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一条状金属层和第二条状金属层均呈矩形条状。
3.如权利要求1或2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一条状金属层与同一行中所有第一柱状金属层电连接，所述第二条状金属层与同一行中所有第二柱状金属层电连接；或者，所述第一条状金属层与同一列中所有第一柱状金属层电连接，所述第二条状金属层与同一列中所有第二柱状金属层电连接。
4.如权利要求1或2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一绝缘层开口和第二绝缘层开口均呈矩形条状，所述第一绝缘层开口和第二绝缘层开口沿所述第一条状金属层和所述第二条状金属层的长度方向错开分布。
5.如权利要求1或2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一焊盘和第二焊盘均呈矩形片状，所述第一焊盘和第二焊盘沿所述第一条状金属层和第二条状金属层的长度方向排列。
6.如权利要求1或2所述的倒装LED芯片，其特征在于，还包括阵列排布于所述P型外延层上的阻挡层，所述第一柱状金属层形成于所述阻挡层上方的接触层上，所述阻挡层与所述凹槽间隔错开排布。
7.如权利要求1或2所述的倒装LED芯片，其特征在于，还包括一倒装基板，所述倒装基板包括第一导电基板、第二导电基板以及用以绝缘隔离所述第一导电基板和第二导电基板的绝缘隔离固定板，所述第一导电基板与所述第一焊盘形成电连接，所述第二导电基板与所述第二焊盘形成电连接。
8.如权利要求7所述的倒装LED芯片，其特征在于，还包括形成于所述倒装基板与所述第一焊盘和第二焊盘的接触面上的粘合层。
9.如权利要求1或2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述绝缘反射层是DBR反射层；或者，所述绝缘反射层由金属反射层和绝缘介质层组合而成，所述金属反射层的材料为银，所述绝缘介质层的材料为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种。
【专利摘要】本实用新型提供了一种倒装LED芯片，在接触层上形成若干第一柱状金属层，在每个凹槽内形成第二柱状金属层，再形成绝缘反射层，并形成若干间隔排布的第一条状金属层和第二条状金属层，然后形成具有第一绝缘层开口和第二绝缘层开口的绝缘层，第一焊盘通过第一条状金属层和第一柱状金属层与P型外延层形成电连接，第二焊盘通过第二条状金属层和第二柱状金属层与N型外延层形成电连接。本实用新型采用阵列排布的凹槽，并通过三层金属结构(第一和第二焊盘、第一和第二条状金属层、第一和第二柱状金属层)形成电连接，可以减小凹槽所占用的外延层发光区的面积，提高倒装LED芯片的发光亮度。
【IPC分类】H01L33-22, H01L33-02, H01L33-46, H01L33-62
【公开号】CN204596828
【申请号】CN201520300915
【发明人】马新刚, 丁海生, 李东昇, 王洋, 江忠永
【申请人】杭州士兰明芯科技有限公司
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2015年5月12日