电气元件制品的制造及其应用技术
  • 掺杂有氟化合物的二氧化硫基无机电解质,其制造方法以及包含其的二次电池与流程
    本申请涉及掺杂有氟化合物的二氧化硫基无机电解质,制造所述二氧化硫基无机电解质的方法以及包含所述二氧化硫基无机电解质的二次电池。、可充电的二次电池广泛地用于小型电子设备(例如移动电话和笔记本电脑)和大型车辆(例如混合动力车辆和电动车辆)中。因此,对高容量二次电池的需求正在增加。锂金属具有较高...
  • 绝缘区分结构及使用该绝缘区分结构的外置式电流互感器的制作方法
    本发明属于外置式电流互感器,具体涉及绝缘区分结构及使用该绝缘区分结构的外置式电流互感器。、电流互感器分为内置式和外置式,内置式电流互感器中的线圈位于绝缘气室的内部,外置式电流互感器中的线圈位于绝缘气室的外部。外置式电流互感器上设有绝缘区分结构。、如图所示,现有其中一种绝缘区分结构包括第一壳...
  • 太阳能电池的制备方法及太阳能电池与流程
    本申请实施例涉及太阳能电池领域,特别涉及一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池。、太阳能电池具有较好的光电转换能力,在隧穿氧化物钝化接触电池(topcon)中,会在基底的其中一个表面制备隧穿氧化层以及掺杂导电层,用于抑制太阳能电池中基底表面的载流子复合以及增强对基底的钝化效果。其中,隧穿氧化...
  • 半导体结构及其形成方法、版图结构与流程
    本公开涉及半导体,涉及但不限于一种半导体结构及其形成方法、版图结构。、目前互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,cmos)在半导体工业中占有重要地位,它可以应用于数字逻辑电路、静态随机存取存储器(static random-a...
  • 刻蚀装置和晶圆刻蚀方法与流程
    本申请涉及半导体制造,尤其涉及一种刻蚀装置和晶圆刻蚀方法。、干法刻蚀是晶圆加工过程中的重要工艺。干法刻蚀主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。、在现有干法刻蚀机中,通常采用静电吸附方...
  • 一种N型TOPCon电池正面主栅银浆及其制备方法和电池与流程
    本发明涉及晶硅太阳能电池制造,特别是涉及一种n型 topcon电池正面主栅银浆及其制备方法和电池。、当前,晶硅太阳能电池中的n型topcon电池的由于其衰减小,电池整体效率及发电量优势明显等优点而被广泛应用。、n型topcon电池正面银浆基本分成正面主栅银浆和正面细栅银铝浆料,其一般采用先...
  • 一种用于对动力供给系统进行控制的方法和装置与流程
    概括地说,本发明涉及工程中的动力供给,具体地说,本发明涉及用于对动力供给系统进行动力控制的方法和装置。、随着电池技术的发展,近年来燃料电池受到越来越多的关注。燃料电池具有零排放或近似零排放、噪音低等优势,适合用作交通工具的动力源。例如,燃料电池汽车利用氢等燃料与大气中的氧气发生化学反应,产...
  • 一种高功率锂离子电池用电解液
    本发明涉及电池,特别是涉及一种高功率锂离子电池用电解液。、近年来航空、弹射系统以及以激光器为代表的高定向能器件等领域对超高功率化学电源表现出了迫切需求,国际上也已针对超高功率化学电源展开了研究。此类应用对配套的脉冲电源的高功率、高比能、长寿命的指标需求极高,一般化学电源难以满足其要求。锂离...
  • 电子装置的制作方法
    本发明涉及一种电子装置,特别是涉及一种可变形的显示装置。、可变形的显示装置可贴附到不同形状的曲面上,而具有较多的应用。例如,可变形的显示装置可贴附到车用面板作为车用显示器或车用传感器,或可贴附到人体皮肤作为穿戴显示器或穿戴传感器。然而,在显示装置变形的过程中,基板或上方的膜层可能产生裂痕或...
  • 在半导体处理系统中的等离子体的基于模型的表征的制作方法
    、通过在基板表面上产生复杂图案化的材料层的工艺,使得集成电路成为可能。在基板上产生经图案化的材料需要用于移除暴露材料的受控方法。例如,出于多种目的而使用化学蚀刻,包括将光刻胶中的图案转移至下层中,使层变薄,或使已存在于表面上的特征的横向尺寸变薄。通常,需要具有蚀刻一种材料比另一种材料更快的...
  • 电磁场探头的制作方法
    本公开一般地涉及电磁场探头领域。其特别适用于无线信息传输,特别是在磁场和电场分布不均匀的诸如至少部分封闭的空腔的环境中。、在信息传输领域中,并且更具体地在使用电磁波的无线传输领域中,某些环境使得磁场和电场的分布不总是均匀的。特别是当期望信息在其尺寸(电尺寸)相对于电磁场波长大于物理限制的至...
  • 具有嵌入式电连接的载体、具有载体的部件及载体的制造方法与流程
    说明了具有引线框的载体、具有载体的部件以及用于制造载体的方法。、例如用于led的基于引线框的衬底在其结构的精细度方面受到限制,并且通常不提供涉及重新布线的理想选择。所谓qfn(quad flat no-lead)元件(四方扁平无引线元件)中的重新布线在实践中甚至受到限制,使得通常不考虑重新...
  • 各向异性导电片及其制造方法、电检查装置与电检查方法与流程
    本发明涉及一种各向异性导电片及其制造方法、电检查装置与电检查方法。、搭载于电子产品的印刷电路板等的半导体装置通常会进行电检查。通常,电检查通过使电检查装置的(具有电极的)基板与半导体装置等成为检查对象物的端子进行电接触,并读取在检查对象物的端子间施加预定的电压时的电流等方法来进行。并且,为...
  • 可变电容元件的制作方法
    本公开涉及可变电容元件,特别涉及由具有二维电子气层的半导体构成的可变电容元件。、iii―v族类半导体、特别是砷类的gaas及algaas以及氮化物类的gan及algan能够容易地形成algaas/gaas、algan/gan等异质构造。在iii―v族氮化物半导体的情况下,除了带隙的差以外,...
  • 工艺挡板结构的制作方法
    本发明涉及根据权利要求的工艺挡板结构(process shutter arrangement)、根据权利要求的挡板片、根据权利要求的挡板臂、根据权利要求的真空工艺系统以及根据权利要求的使用工艺挡板结构的方法。、工艺挡板结构包括:挡板片,也称为挡片(dummy disc,或为“假片”),因为...
  • 层叠体的制造方法和粘接剂组合物的套组与流程
    本发明涉及一种层叠体的制造方法、经加工的半导体基板的制造方法以及粘接剂组合物的套组。、就以往在二维的平面方向上集成而得到的半导体晶片而言,以更进一步的集成化为目的,追求将平面进一步向三维方向集成(层叠)的半导体集成技术。该三维层叠是通过硅贯通电极(tsv:through silicon v...
  • 用于将电连接材料或焊剂施加到器件上的方法与流程
    本发明涉及一种用于将电连接材料或焊剂施加到光电子器件的至少一个电连接面上的方法。、为了电接触或连接光电子器件,例如可以将电连接材料施加到光电子器件的电连接面上,以便由此将光电子器件施加在接收器组件或基板上并将与其电连接。在此,例如,除了电连接材料之外,还会需要将焊剂施加到光电子器件的电连接...
  • 成像装置和电子设备的制作方法
    本公开涉及一种成像装置和电子设备。具体地,本公开涉及一种成像装置和包括所述成像装置的电子设备。、作为拍摄被摄体的成像装置,使用了一种其中包括执行入射光的光电转换的光电转换元件的像素以二维矩阵布置的成像装置。为了提高该成像装置的灵敏度,片上透镜布置在像素中。例如,片上透镜是形成为半球形并且将...
  • 利用基于色差的特征变化来区分电池的系统和方法与流程
    、本申请要求年月日提交的名称为“基于电池的一部分的颜色识别电池的系统(system for identifying a battery based on a color of a part of thebattery)”的第/,号美国临时专利申请的权益,并要求年月日提交的名称为“基于电池的...
  • 电极用片材及全固态二次电池、以及电极用片材、电极片及全固态二次电池的制造方法与流程
    本发明涉及一种电极用片材及全固态二次电池、以及电极用片材、电极片及全固态二次电池的制造方法。、全固态二次电池中,负极、电解质及正极全部由固体构成,能够大幅改善作为使用了有机电解液的电池的课题的安全性或可靠性。并且还能够延长寿命。此外,全固态二次电池能够设为电极和电解质直接排列并串联配置的结...
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