专利名称：电子部件封装用密封构件以及电子部件封装的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种作为电子部件封装的第1密封构件而使用的电子部件封装用密封构件以及使用该电子部件封装用密封构件而成的电子部件封装，该电子部件封装通过相对置配置的第1密封构件以及第2密封构件来密封电子部件元件的电极。
背景技术：
压电振动器件等电子部件的封装(下面，称作电子部件封装)的内部空间，为了防止搭载在该内部空间的电子部件元件的电极特性劣化而进行气密密封。作为这种电子部件封装有如下封装包括底座和盖这两个密封构件，其框体构成为长方体的封装。在这样的电子部件封装的内部空间中，压电振动片等电子部件元件保持接合在底座上。并且，通过接合底座和盖来气密密封电子部件封装的内部空间的电子部件元件的电极。例如，在日本特开平6483951号公报(以下称为专利文献1)所公开的晶体部件 (本发明所说的电子部件)中，在由底座和盖构成的电子部件封装的内部空间气密密封有晶体片。在这样的晶体部件的底座上设置有贯通构成该底座的基材的贯通孔，在该贯通孔的内侧面形成有由Cr-Ni-Au等多层金属膜构成的布线用金属。而且，在贯通孔中溶敷有 AuGe等合金，由此确保电子部件封装的内部空间的气密性。在这种电子部件中，在向印刷布线板等基板进行安装时被加热，但此时产生下面所示的不良情况。在专利文献1所公开的晶体部件中，有时由于安装到该基板时被施加的热量，溶敷在贯通孔的内侧面的合金的界面发生软化(扩散)，贯通孔的内侧面与合金的密接性下降。并且，由于这样的合金的密接性下降，有时合金从贯通孔的内侧面剥落，剥落的合金向晶体部件的电子部件封装以外脱落。这种合金从贯通孔的脱落，导致电子部件封装的内部空间中的气密性下降。因此，为了在电子部件封装的内部空间确保充分的气密性，本申请人发明了向贯通孔填充成为布线图案的一部分的导电性材料(金属)、并且通过树脂材料来塞住贯通孔的另一主面侧的开口面的技术，但是存在有时树脂向底座的密接强度变弱这样的问题。具体地说，在底座的背面(另一主面)中形成了由金属构成的布线图案等，密封贯通孔的树脂材料不仅形成于底座的另一主面(素面)，还形成于布线图案上，该布线图案形成于另一主面。树脂材料(特别是具有高耐热性的高耐热树脂等)与Cu、贵金属(例如Au)的密接强度(密接性)弱，因此树脂材料与导电性材料的粘接强度(密接性)弱，有时树脂材料从布线图案等导电性材料剥落，以此为原因，有可能导致电子部件封装的内部空间的气密性下降。
本发明是鉴于这样的状况而作出的，其目的在于提供一种电子部件封装用密封构件以及电子部件封装，其在为了气密密封电子部件封装的内部空间而在电子部件封装用密封构件的另一主面使用树脂材料的情况下，也能够抑制电子部件封装的内部空间的气密性下降。
发明内容
为了达成上述目的，在本发明的作为电子部件封装的第1密封构件而使用的电子部件封装用密封构件中，该电子部件封装具备在一主面搭载电子部件元件的所述第1密封构件、以及与所述第1密封构件相对置配置而气密密封所述电子部件元件的电极的第2密封构件，该电子部件封装用密封构件的特征在于，在构成该电子部件封装用密封构件的基材的另一主面形成有与外部电连接的外部端子电极、用于将搭载于所述一主面的电子部件元件与所述外部端子电极电连接的布线图案、以及树脂材料，在所述另一主面的所述基材以及所述布线图案上层叠所述树脂材料，在所述布线图案以及所述树脂材料上层叠有所述外部端子电极。根据本发明，在为了气密密封电子部件封装的内部空间而在所述另一主面使用所述树脂材料的情况下，也能够抑制所述内部空间的气密性的下降。具体地说，因为在所述另一主面的所述基材以及所述布线图案上层叠所述树脂材料，并在所述布线图案以及所述树脂材料上层叠所述外部端子电极，因此即使在所述树脂材料向所述布线图案的粘接强度弱的情况下，通过所述树脂材料向所述基材的粘接、所述外部端子电极向所述布线图案的粘接，也能够补充所述树脂材料向所述基材的粘接。另外，在将电子部件封装搭载在印刷基板等时，使用焊锡(无铅焊锡)将该电子部件封装用密封构件与印刷基板接合。作为这里所说的焊锡的主成分，使用Sn。因此，在将电子部件封装搭载于印刷基板等时，焊锡Sn在该电子部件封装用密封构件的布线图案、贯通孔上传播，有可能进入到电子部件封装的内部空间。与此相对，根据本发明的电子部件封装用密封构件，在所述基材的另一主面形成所述外部端子电极、所述布线图案以及所述树脂材料，在所述另一主面的所述基材以及所述布线图案上层叠所述树脂材料，因此能够防止焊锡Sn由于所述树脂材料而进入到电子部件封装的内部空间，其结果是，能够保持电子部件封装的内部空间的真空状态。在所述结构中，也可以在沿着层叠有所述外部端子电极的所述树脂材料的层叠部位的外周缘的外方，在所述布线图案上层叠所述外部端子电极。在这种情况下，因为在沿着层叠有所属外部端子电极的所述树脂材料的层叠部位的外周边的外方在所述布线图案上层叠所述外部端子电极，因此能够进行所述外部端子电极向所述布线图案的层叠以使得包围在所述树脂材料上层叠有所述外部端子电极的层叠部位，对于所述树脂材料向所述基材的粘接是优选的。另外，根据这样的结构，能够加长从所述布线图案到所述外部连接端子为止的距离，其结果是，能够抑制上述的焊锡Sn进入电子部件封装的内部空间。在所述结构中，也可以向贯通所述基材的两主面之间的贯通孔填充导电性材料， 所述贯通孔的另一主面(与电子部件元件的搭载面相对置的面)侧的开口面被所述树脂材料塞住。
在这种情况下，贯通所述两主面的所述贯通孔的所述另一主面的侧的开口面被所述树脂材料塞住，因此能够防止填充到所述贯通孔的所述导电性材料从所述贯通孔剥落、 脱落。另外，因为通过塞住所述贯通孔的另一主面侧的开口面的所述树脂材料阻断从所述另一主面向填充到所述贯通孔的所述导电性材料的热传导，因此例如能够防止将电子部件封装安装到基板时的热量所导致的所述导电性材料与构成该电子部件封装用密封构件的基材的密接性的下降。其结果是，能够抑制所述内部空间的气密性的下降。为达成上述目的，本发明的电子部件封装具备在一主面搭载电子部件元件的第1 密封构件、以及与所述第1密封构件相对置配置而气密密封所述电子部件元件的电极的第 2密封构件，该电子部件封装的特征在于，所述第1密封构件是上述的本发明的电子部件封装用密封构件。根据该结构，作为第1密封构件使用上述的本发明的电子部件封装用密封构件， 因此具有与本发明的电子部件封装用密封构件相同的作用效果，即使在所述第1密封构件的另一主面使用所述树脂材料的情况下，也能够抑制该电子部件封装的所述内部空间的气密性的下降。
图1是公开了本实施方式的晶体振动器的内部空间的概要结构图，是沿着图2所示的底座的A-A线切断了整体时的晶体振动器的概要截面图。图2是本实施方式的底座的概要俯视图。图3是本实施方式的底座的概要后视图。图4是表示图1所示的底座的贯通孔部分的概要结构的概要截面图。图5是本实施方式的盖的概要后视图。图6是本实施方式的晶体振动片的概要俯视图。图7是表示本实施方式的底座的制造工序的一个工序的晶片的部分概要截面图。图8是表示本实施方式的底座的制造工序的一个工序的晶片的部分概要截面图。图9是表示本实施方式的底座的制造工序的一个工序的晶片的部分概要截面图。图10是表示本实施方式的底座的制造工序的一个工序的晶片的部分概要截面图。图11是表示与本实施方式有关的底座的制造工序的一个工序的晶片的部分概要截面图。图12是表示本实施方式的底座的制造工序的一个工序的晶片的部分概要截面图。图13是表示本实施方式的底座的制造工序的一个工序的晶片的部分概要截面图。图14是表示本实施方式的底座的制造工序的一个工序的晶片的部分概要截面图。图15是图14所示的底座的概要后视图。图16是表示本实施方式的底座的制造工序的一个工序的晶片的部分概要截面图。
图17是表示本实施方式的底座的制造工序的一个工序的晶片的部分概要截面图。图18是图17所示的底座的概要后视图。图19是表示本实施方式的底座的制造工序的一个工序的晶片的部分概要截面图。图20是表示本实施方式的底座的制造工序的一个工序的晶片的部分概要截面图。图21是表示本实施方式的底座的制造工序的一个工序的晶片的部分概要截面图。图22是表示本实施方式的底座的制造工序的一个工序的晶片的部分概要截面图。图23是表示本实施方式的底座的制造工序的一个工序的晶片的部分概要截面图。图M是表示本实施方式的底座的制造工序的一个工序的晶片的部分概要截面图。图25是表示本实施方式的底座的制造工序的一个工序的晶片的部分概要截面图。图沈是表示本实施方式的底座的制造工序的一个工序的晶片的部分概要截面图。图27是表示本实施方式的底座的制造工序的一个工序的晶片的部分概要截面图。图观是表示本实施方式的底座的制造工序的一个工序的晶片的部分概要截面图。图四是表示本实施方式的底座的制造工序的一个工序的晶片的部分概要截面图。图30是表示本实施方式的底座的制造工序的一个工序的晶片的部分概要截面图。图31是其它方式的底座的概要截面图，是表示与图4相对应的部分的贯通孔的概要结构的概要结构图。图32是其它方式的底座的概要截面图，是表示与图4相对应的部分的贯通孔的概要结构的概要结构图。图33是表示其它方式的底座的概要结构的概要截面图。图34是其它方式的晶体振动片的概要俯视图。图35是其它方式的底座的概要后视图。图36是其它方式的底座的概要后视图。图37是与图15所示的底座相对应的其它方式的底座的概要后视图。图38是其它方式的底座的概要后视图。图39是其它方式的底座的概要后视图。图40是公开了其它方式的晶体振动器的内部空间的概要结构图，是沿着图41所
6示的底座的Al-Al线切断了整体时的晶体振动器的概要截面图。图41是其它方式的底座的概要俯视图。图42是公开了其它方式的晶体振动器的内部空间的概要结构图，是沿着图43所示的底座的A2-A2线切断了整体时的晶体振动器的概要截面图。图43是其它方式的底座的概要俯视图。图44是其它方式的盖的概要后视图。附图标记说明1 晶体振动器；11 内部空间；12 接合材料；13 导电性凸块；2 晶体振动片(电子部件元件)；20 压电振动素板；21、22 脚部；211、221 前端部；223 基部；231 —端面； 232 另一端面；233 侧面；24 接合部；241 短边部；242 长边部；243 前端部；25 槽部； 26 贯通孔；27 接合部位；31、32 激励电极；33、34 引出电极；4 底座(作为第1密封构件的电子部件封装用密封构件)；41 底部；42 —主面；43 另一主面；44 壁部；45 腔；452 一端部；46 台座部；47 树脂图案形成区域；471 长边；472 短边；473、474 端部；48 第1 接合层；49 贯通孔；491 :内侧面；492 —端开口面；493 另一端开口面；51、52 电极衬垫 (pad) ；53,54 外部端子电极；541 切口部；532,542 扩展部；55 布线图案；551 周缘部； 552 区域；553 锥部；5M 格子布线图案部；56 吸气膜；58、59 接触区域；61 树脂图案； 611 凹部；612 锥部；613 —部；7 盖(第2密封构件)；71 顶部；72 —主面；73 壁部； 731 内侧面；732 外侧面；733 顶面；74 第2接合层；76 吸气膜；8 晶片；81,82 主面； 92 第1种子膜(第1金属层)；93 第2种子膜(第2金属层)；94 第1电镀膜(第1电镀层)；95 第2电镀膜(第2电镀层)；96 树脂层；97 正型抗蚀层；98 填充层；981 —端面；982 另一端面；99 间隙。
具体实施例方式下面参照
本发明的实施方式。此外，在下面所示的实施方式中表示如下情况作为电子部件封装在作为压电振动设备的晶体振动器的封装中应用本发明，而且作为电子部件元件在作为压电振动片的音叉型晶体振动片中应用本发明。如图1所示，在本实施方式的晶体振动器1中设置有由音叉型晶体片构成的图6 所示的晶体振动片2 (本发明所说的电子部件元件)；底座4 (本发明所说的作为第1密封构件的电子部件封装用密封构件)，保持该晶体振动片2，用于气密密封晶体振动片2 ；以及盖 7 (本发明所说的第2密封构件)，配置成与底座4相对置，用于气密密封保持于底座4的晶体振动片2的激励电极31、32 (是图6所示的电极，本发明所说的电子部件元件的电极)。在该晶体振动片1中，底座4和盖7通过由Au和Sn的合金构成的接合材料12、 下述的第1接合层48、下述的第2接合层74而接合，通过这些的接合来构成具备被气密密封的内部空间11的本体框体。在该内部空间11中，通过使用了金凸块等导电性凸块13的 FCB法(Flip Chip Bonding 倒装片焊接)将晶体振动片2与底座4电机械地超声波接合。 此外，在本实施方式中，导电性凸块13使用了金凸块等非流动性构件的电镀凸块。接着，说明该晶体振动器1的各结构。底座4由硅硼酸玻璃等玻璃材料构成，如图1 3所示，成形为由底部41和壁部 44构成的箱状体，该壁部44沿着底座4的一主面42的外面从底部41向上方延伸。这样的底座4是湿蚀刻长方体的一张板的基材而成形为箱状体的。底座4的壁部44的内侧面成形为锥状。另外，壁部44的顶面是与盖7的接合面， 在该接合面中设置有用于与盖7接合的第1接合层48。第1接合层48由多层的层叠结构来构成，包括通过溅射法而溅射形成在底座4的壁部44的顶面的溅射膜(参照图1的标记 93)、以及电镀形成在溅射膜(参照图1的标记93)之上的电镀膜(参照图1的标记95)。 溅射膜(参照图1的标记9 包括通过溅射法溅射形成在底座4的壁部44的顶面的Ti膜 (省略图示)、通过溅射法溅射形成在Ti膜上的Au膜(省略图示)。另外，电镀膜(参照图 1的标记95)包括电镀形成在溅射膜(参照图1的标记93)之上的Au膜。另外，在底座4的一主面42中成形有通过底部41和壁部44包围的俯视长方形的腔45。在腔45的底面451中，沿着其长方向的一端部452的整体蚀刻成形有台座部46。在该台座部46中搭载有晶体振动片2。此外，该腔45的壁面是壁部44的内侧面，如上述那样地成形为锥状。另外，在底座4中形成有一对电极衬垫51、52，以电机械的方式与晶体振动片2 的激励电极31、32分别接合；外部端子电极53、54，与外部部件、外部设备电连接；以及布线图案55，电连接电极衬垫51和外部端子电极M、及电极衬垫52和外部端子电极53。通过这些电极衬垫51、52、外部端子电极53、54以及布线图案55来构成底座4的电极5。电极衬垫51、52形成在台座部46的表面。另外，两个外部端子电极5354是在底座4的另一主面 43中分别形成在长方向的两端部、且沿着长方向相互分开而并排设置的。在外部端子电极讨的一角部(与外部端子电极53面对面侧的一个角部)形成有切口部M1，该切口部Ml 起到对进行该晶体振动器1的制造工序中的底座的定位、将该晶体振动器2向外部部件、外部设备搭载时的定位的支持的作用。电极衬垫51、52包括形成在底座4的基板上的第1种子膜(参照图1的标记92)、 形成在该第1种子膜(参照图1的标记9 之上的第2种子膜(参照图1的标记9 、以及形成在该第2种子膜(参照图1的标记93)之上的第2电镀膜(参照图1的标记95)。此外，构成电极衬垫51、52的第1种子膜(参照图1的标记9 包括通过溅射法溅射形成在底座4的一主面42的Ti膜(省略图示)、以及通过溅射法溅射形成在Ti膜之上的Cu膜 (省略图示)。另外，第2种子膜(参照图1的标记9 包括通过溅射法溅射形成在第1 种子膜(参照图1的标记92)之上的Ti膜(省略图示)、以及通过溅射法溅射形成在Ti膜之上的Au膜(省略图示)。另外，第2电镀膜(参照图1的标记95)包括电镀形成在第2 种子膜(参照图1的标记93)的Au膜。布线图案55从底座4的一主面42经由贯通孔49 (参照下述)的内侧面491而形成在底座4的另一主面43上，使得电极衬垫51、52和外部端子电极53、54电连接。另外， 布线图案55由形成在底座4的基板上的第1种子膜(参照图1的标记92)构成，在位于底座4的一主面42的部分的第1种子膜(参照图1的标记9 上，形成有第2种子膜(参照图1的标记93)、以及由Au膜构成的第2电镀膜(参照图1的标记95)。构成布线图案55 的第1种子膜(参照图1的标记9 包括通过溅射法溅射形成在底座4的一主面42的 Ti膜(省略图示)、以及通过溅射法溅射形成在Ti膜之上的Cu膜(省略图示)。另外，第 2种子膜(参照图1的标记9 包括通过溅射法溅射形成在第1种子膜(参照图1的标记92)之上的Ti膜(省略图示)、以及通过溅射法溅射形成在Ti膜之上的Au膜(省略图示)。另外，第2电镀膜(参照图1的标记95)包括电镀形成在该第2种子膜(参照图1的标记93)的Au膜。此外，在图1所示的概要截面图中，考虑附图的可看性，省略了连接底座 4的一主面42中的电极衬垫52和外部端子电极53的布线图案55、与连接电极衬垫51和外部端子电极M的布线图案阳之间的空隙。在其它概要截面图或者部分概要截面图中， 也同样地省略了所述的空隙。另外，外部端子电极5354包括在由树脂材料构成的树脂图案61(参照下述)上以及形成于底座4的另一主面43的布线图案55 (参照图1的标记92)上形成的第2种子膜 (参照图1的标记93)、形成在该第2种子膜(参照图1的标记93)上的第1电镀膜(参照图1的标记94)、以及形成在该第1电镀膜(参照图1的标记94)上的第2电镀膜(参照图 1的标记95)。此外，构成外部端子电极53、54的第2种子膜(参照图1的标记93)包括 通过溅射法溅射形成在树脂图案61上以及形成于底座4的另一主面43的布线图案55 (参照图1的标记92)上的Ti膜(省略图示)、以及通过溅射法溅射形成在Ti膜之上的Au膜 (省略图示)。另外，第1电镀膜(参照图1的标记94)包括电镀形成在第2种子膜(参照图1的标记95)的Ni膜。另外，第2电镀膜(参照图1的标记95)包括电镀形成在第1电镀膜(参照图1的标记94)的Au膜。另外，如图1 4所示，在底座4中形成有贯通孔49，该贯通孔49用于将晶体振动片2的激励电极31、32经由电极衬垫51、52而通过布线图案55从腔45内导出到腔45夕卜。在通过光刻法进行蚀刻而成形底座4时，与腔45的成形同时形成贯通孔49，如图 1 图4所示，在底座4中贯通两主面42、43间地形成有两个贯通孔49。该贯通孔49的内侧面491相对底座4的一主面42以及另一主面43具有倾斜，形成为锥状。如图4所示，贯通孔49在位于底座4的另一主面43侧的贯通孔49的另一端开口面493的直径成为最大， 在位于底座4的一主面42侧的贯通孔49的一端开口面492的直径成为最小。这样，在本实施方式中，贯通孔49的内侧面491相对底座4的一主面42以及另一主面43具有倾斜， 底座4的一主面42与贯通孔49的内侧面491形成的角度(参照图4的标记θ )被视作约 45度。此外，在本实施方式中，虽然底座4的一主面42与贯通孔49的内侧面491形成的角度θ视作约45度，但是不限于此。例如，底座4的一主面42与贯通孔49的内侧面491 形成的角度θ也可以比45度大，作为具体例子为70度 90度。当使底座4的一主面42 与贯通孔49的内侧面491形成的角度(参照图4的标记Θ)接近90度时，在底座4中，贯通孔49所占的面积变小，能够提高布线图案55的形成部位的自由度。在这样的贯通孔49的内侧面491中，形成有作为布线图案55的一部分的由Ti以及Cu构成的第1种子膜(参照图1的标记92)。而且，在贯通孔49的内部通过将由Cu构成的填充材料(本发明所说的导电性材料)填充在第1种子膜(参照图1的标记9 上来形成有填充层98，通过该填充层98塞住贯通孔49。该填充层98由电解电镀形成在第1种子膜(参照图1的标记92)的表面的Cu电镀层构成。此外，如图4所示，形成填充层98使得底座4的一主面42侧的一端面981与形成在底座4的一主面42上的第1种子膜(参照图1的标记9 的表面921在一个平面，且另一主面43侧的另一端面982位于比贯通孔49 的另一端开口面493更靠近一主面42侧。另外，贯通孔49的底座4的另一主面43侧的另一端开口面493通过由具有感光性的树脂材料构成的树脂图案61塞住。此外，在本实施方式中，作为树脂材料应用了树脂
9图案61，但是只要是为了气密密封内部空间11而用在底座4的另一主面43的材料，其方式不限于树脂图案61。如图3所示，树脂图案61以俯视矩形状(在本实施方式中为长方形状)形成于底座4的另一主面43。在底座的另一主面43中，形成树脂图案61的树脂图案形成区域47呈现由沿着另一主面43的长方向的长边471、以及沿着另一主面43的短方向的短边472构成的大致长方形状，树脂图案61设置成在该树脂图案形成区域47内包含贯通孔49的另一端开口面493。通过这样的形成在树脂图案形成区域47的树脂图案61，塞住贯通孔49的另一端开口面493、并且覆盖设置在贯通孔49的另一端开口面493的周缘部551的布线图案55。这样，通过由树脂图案61来塞住内部形成有填充层98的贯通孔49的另一端开口面 493，实现贯通孔49的封孔强度的提高。另外，如图4所示，树脂图案61的一部分在贯通孔49的内部与填充层98相接。具体地说，在电解电镀形成填充层98时的电镀析出中，底座4的另一主面42侧的填充层98 的另一端部(填充层98的另一端面982侧的端部)鼓起而形成为凸状，在形成在贯通孔49 的内侧面491的另一主面42侧的端部的种子膜(参照图4的标记9 与填充层98的另一端部之间，如图4所示那样地产生间隙99。构成树脂图案61的树脂材料进入该间隙99中而产生固定器(anchor)效果。由此，通过发挥固定器效果，确保树脂图案99与填充层98 以及贯通孔49的内侧面491(第1种子膜9 之间的密接性。这样，根据树脂图案61的树脂材料嵌入贯通孔49的结构，获得固定器效果，提高了树脂图案61向贯通孔49的密接强度。另外，底座4的另一主面43侧的布线图案55的一部分，沿着树脂图案形成区域47 的长边471的两端部473、474、和短边472成形为环状。此外，在环状内未形成布线图案55。 这样的环状的布线图案阳的一部分沿着树脂图案形成区域47的长边471的两端部473、 474、和短边472形成在俯视时的树脂图案形成区域47的外侧的区域552以使得不覆盖树脂图案61。并且，在底座4的另一主面43中，在形成于树脂图案形成区域47的俯视外侧的区域(外侧区域)552的布线图案55上、以及树脂图案61上形成有外部端子电极53、54。具体地说，布线图案55和外部端子电极5354在外侧区域552中设为直接层叠状态、在其它区域(树脂图案形成区域47)中以期间夹住树脂图案61的两端部(插入树脂图案61的两端部而层叠)的方式形成。通过这样地形成布线图案55、外部端子电极53、54以及树脂图案61，实现树脂图案61向底座4的粘接强度以及树脂图案61的强度提高。如上述那样，在构成底座4的基材的另一主面43中形成外部端子电极53、54、布线图案阳以及树脂图案61，在另一主面43的基材以及布线图案55上层叠树脂图案61，在布线图案阳以及树脂图案61上层叠外部端子电极53、54。关于这些外部端子电极53、54、布线图案阳以及树脂图案61在另一主面43中的形成位置，在沿着层叠有外部端子电极53、 M的树脂图案61的层叠部位的外周缘的外方，外部端子电极5354层叠在布线图案55上。 如果进一步详细说明时，在本实施方式中，在沿着层叠有外部端子电极53的树脂图案61的层叠部位的外周缘(参照短边472和端部47 的外方，在布线图案55上层叠有外部端子电极53。另外，在沿着层叠有外部端子电极53的树脂图案61的层叠部位的外周缘(参照短边472和端部474)的外方，在布线图案55上层叠有外部端子电极M。另外，在本实施方式中，在沿着树脂图案61的层叠部位的外周缘的三边的外方，外部端子电极5354层叠在布线图案55上，但是优选是至少在层叠部位的外周缘的大于等于二边的边的外方，外部端子电极5354层叠在布线图案55上。另外，在构成树脂图案61的树脂材料中使用了聚苯并恶唑(Polybenzoxazole， ΡΒ0)。此外，构成树脂图案61的树脂材料不限于聚苯并恶唑(PBO)，能够使用任意的与构成底座4的材料(例如，玻璃材料)的密接性良好的树脂材料。由此，在构成树脂图案61的树脂材料中，例如也可以使用由苯并环丁烯(BenzocyclobutenhBCB)、环氧、聚酰亚胺或者氟系树脂构成的树脂材料。另外，构成本实施方式中使用的树脂图案61的树脂材料、即聚苯并恶唑(PBO)是具有感光性的树脂材料，是能够基于光刻法来形成图案的树脂材料。这里， 本发明所说的具有感光性的树脂材料设为如下广义的概念除了由具有感光性的树脂构成的树脂材料之外，还包含感光性树脂组成物，该感光性树脂组成物包含感光剂和树脂。盖7是由硅硼酸玻璃等玻璃材料构成，如图1以及图5所示，包括顶部71、以及沿着盖7的一主面72的外周从顶部71向下方延伸的壁部73。这样的盖7是通过湿蚀刻长方体的一张板的基材来成形的。盖7的壁部73的两侧面(内侧面731以及外侧面73 成形为锥状。另外，在壁部73中形成有用于与底座4接合的第2接合层74。如图1所示，从盖7的壁部73的顶面733至外侧面732形成盖7的第2接合层74。 该第2接合层74具有多个层叠结构，该层叠结构是形成由Ti构成的Ti膜(省略图示)、并在Ti膜之上形成由Au构成的Au膜(省略图示)而构成的，这些Ti膜以及Au膜是通过溅射法溅射形成的。用于接合上述底座4和盖7的接合材料12层叠于盖7的第2接合层74。该接合材料12具有多个层叠结构，该层叠结构是在盖7的第2接合层74之上电镀形成由Au和Su 的合金构成的Au/Sn膜(省略图示)、在该Au/Sn膜之上电镀形成Au膜(省略图示)而形成的。此外，Au膜具有多层的层叠结构，该层叠结构是电镀形成Au缓冲击(strike)电镀膜、并在Au缓冲击电镀膜之上电镀形成Au电镀膜。在这种接合材料12中，Au/Sn膜通过加热熔融而成为AuSn合金膜。此外，接合材料12也可以是通过在盖7的第2接合层74之上电镀形成AuSn合金膜而构成的材料。另外，在本实施方式中，接合材料12层叠于盖7的第2接合层74，但是也可以层叠于底座4的第1接合层48。晶体振动片2是从作为各向异性材料的晶体片的晶体素板(省略图示)通过湿蚀刻形成的晶体Z板。如图6所示，该晶体振动片2包括作为振动部的2根脚部21、22、基部23、与底座 4的电极衬垫51、52接合的接合部M，包括压电振动素板20，该压电振动素板20在基部23 的一端面231突出设置有2根脚部21、22，在基部23的另一端面232突出设置有接合部24。如图6所示，基部23成为俯视左右对称形状。另外，基部23的侧面233形成为 一端面231侧的部位与一端面231相同宽度，而另一端面232侧的部位从一端面231侧至另一端面232侧逐渐宽度变窄。如图6所示，2根脚部21、22是从基部23的一端面231向相同方向突出而设置的。 这2根脚部21、22的前端部211、221与脚部21、22的其它部位相比形成为宽幅(在相对于突出方向正交的方向上宽幅)，而且各自的前端角部被曲面地形成。另外，为了改善CI值，在2根脚部21、22的两主面形成有槽部25。如图6所示，接合部M是从基部23的另一端面232的宽度方向的中央部突出而设置的。该接合部M包括相对于基部23的另一端面232向俯视垂直方向突出的短边部Ml、 以及与短边部Ml的前端部连接并向基部23的宽度方向延伸的长边部M2，长边部M2的前端部243朝向基部23的宽度方向。即接合部M成形为以俯视直角折弯的俯视L字状。 另外，在接合部M中设置有经由导电性凸块13与底座4的电极衬垫51、52接合的两个接合部位27。在由上述结构构成的晶体振动片2中，形成有以不同电位构成的第1以及第2激励电极31、32 ；以及为了将这第1以及第2激励电极31、32与底座4的电极衬垫51、52电接合而从第1以及第2激励电极31、32引出的引出电极33、34。另外，第1以及第2激励电极31、32的一部分形成在脚部21、22的槽部25的内部。 因此，即使将晶体振动片2小型化也能抑制脚部21、22的振动损失，能够将CI值抑制得低。第1激励电极31形成在一个脚部21的两主面、和另一个脚部22的两侧面以及前端部221的两主面。同样地，第2激励电极32形成在另一个脚部22的两主面、和一个脚部 21的两侧面以及前端部211的两主面。另外，引出电极33、34形成在基部23以及接合部24，通过形成在基部23的引出电极23，形成在一个脚部21的两主面的第1激励电极31与形成在另一个脚部22的两侧面以及前端部221的两主面的第1激励电极31连接，通过形成在基部23的引出电极34，形成在另一个脚部22的两主面的第2激励电极32与形成在一个脚部21的两侧面以及前端部 211的两主面的第2激励电极32连接。此外，在基部23形成有贯通压电振动素板20的两主面的两个贯通孔沈，在这贯通孔26内填充有导电性材料。经由这些贯通孔沈，引出电极33、34在基部23的两主面之间引回。如图1所示，在由上述结构构成的晶体振动器1中，晶体振动片的接合部M经由导电性凸块13通过FCB法以电机械的方式与形成于底座4的一主面42的台座部46超声波接合。通过该接合，晶体振动片2的激励电极31、32经由引出电极33、34和导电性凸块13 以电机械的方式与底座4的电极衬垫51、52接合，在底座4上搭载晶体振动片2。并且，盖 7通过FCB法与搭载有晶体振动片2的底座4临时接合，之后通过在真空环境下进行加热， 接合材料12、第1接合层48以及第2接合层74熔融，由此盖7的第2接合层74经由接合材料12与底座4的第1接合层48接合，制造出气密密封了晶体振动片2的晶体振动器1。 此外，在导电性凸块13中使用了非流动性构件的电镀凸块。接着，使用图7 图30来说明该晶体振动器1以及底座4的制造方法。在本实施方式中，使用形成多个底座4的由玻璃材料构成的一张板的晶片8。首先，通过使用了光刻技术的湿蚀刻法来蚀刻晶片8的两主面81、82，如图7所示，在晶片8形成多个底座4 (底座成形工序)，该底座形成有台座部46、腔45、贯通孔49。图7表示蚀刻晶片8的两主面81、82而成形的底座4之一，在底座4中形成有腔45、台座部46、贯通孔49。 此外，各底座4的台座部46、腔45、贯通孔49等也可以使用干蚀刻法、喷砂法等机械加工方法。底座成形工序之后，在晶片8(两主面81、82、贯通孔49的内侧面491等)上通过溅射法溅射形成由Ti构成的Ti层。在形成Ti层之后，在Ti层上通过溅射法溅射形成由 Cu构成的Cu层来进行层叠，如图8所示那样地形成第1电镀层92 (电镀层形成工序)。这里形成的第1电镀层92成为构成图1所示的底座4的电极衬垫51、52以及布线图案55的第1种子膜92，该第1种子膜92由Ti膜以及Cu膜构成。电镀层形成工序之后，在第1电镀层92上通过提拉涂敷法(dipcoater)涂敷抗蚀剂，形成新的正型抗蚀层97 (抗蚀层形成工序)，之后通过光刻法对形成在晶片8的一主面 81侧的贯通孔49的开口端部的正型抗蚀层97进行曝光以及显影，如图9所示，进行贯通孔 49的内侧面的图案形成(图案形成工序)。如图10所示，在图案形成工序之后，通过对贯通孔49的内侧面491的暴露的第1 电镀层92 (种子膜)进行Cu电解电镀，电镀形成由Cu构成的填充层98 (填充工序)。如图11所示，在填充工序之后，剥离除去正型抗蚀层97 (抗蚀剂剥离工序)。在抗蚀剂剥离工序之后，在第1电镀层92以及填充层98上通过提拉涂敷法涂敷抗蚀剂，形成新的正型抗蚀层97(第2抗蚀层形成工序)，之后对形成电极衬垫51、52以及布线图案55的位置以外的正型抗蚀层进行曝光以及显影，进行图1所示的底座4的电极衬垫51、52和布线图案55以及底座4的外形的图案形成(图12所示的第2图案形成工序)。在第2图案形成工序之后，通过电镀蚀刻暴露的第1电镀层92而去除(图13所示的电镀蚀刻工序)。如图14所示，在电镀蚀刻工序之后，剥离去除正型抗蚀层97(第2抗蚀剂剥离工序)。此外，在图15中表示图14所示的第2抗蚀剂剥离工序后的各底座4的另一主面43 的俯视图(底座4的后视图)。如图16所示，在第2抗蚀剂剥离工序之后，在第1电镀层92、填充层98以及暴露的晶片8的两主面81、82上通过提拉涂敷法涂敷具有感光性的树脂材料，形成树脂层96 (树脂层形成工序)。在树脂层形成工序之后，通过光刻法(ithography)对形成树脂图案61的位置以外的树脂层96进行曝光以及显影，如图17所示那样形成树脂图案61 (树脂图案形成工序)，该树脂图案61塞住贯通孔49的另一端开口面493侧的开口端部。此外，在图18中表示图17所示的在树脂图案形成工序之后的各底座4的另一主面43的俯视图(底座4的后视图)。此外，在图17、18所示的树脂图案形成工序之后的制造工序中在树脂图案61上形成电极(第2电镀层93)，但是为了提高与该第2电镀层93的密接性，也可以通过使用了惰性气体(例如Ar气体)的等离子体灰化来切削树脂图案61的表面来使其活性化。当是树脂图案61的表面粗糙化时，通过第2电镀层93 (具体地说为Ti层)进入到粗糙化后的树脂图案61的表面的凹凸中的固定器效果，能够提高树脂图案61与第2电镀层93的接合性。即在底座4的另一主面43中，能够提高树脂图案61与外部端子电极53、54的接合性。 此外，这里所说的基于等离子体灰化的树脂图案61的表面切削量例如大于等于0. 2 μ m。在树脂图案形成工序之后，在暴露的第1电镀层92、树脂层96以及暴露的晶片8 的两主面81、82之上，通过溅射法溅射形成由Ti构成的Ti层。在Ti层的形成之后，如图 19所示地，在Ti层上通过溅射法溅射形成Au层并进行层叠，形成第2电镀层93 (第2电镀层形成工序)。这里形成的第2电镀层93成为构成图1所示的第1接合层48的由Ti膜以及Au膜构成的溅射膜、以及构成电极衬垫51、52、外部端子电极53、54以及布线图案55的由Ti膜以及Au膜构成的第2种子膜92。在第2电镀层形成工序之后，在第2电镀层93上通过提拉涂敷法来涂敷抗蚀剂， 形成新的正型抗蚀层97 (第3抗蚀层形成工序)，之后如图20所示地，通过光刻法对形成底座4的外部端子电极53、54的位置上的正型抗蚀层97进行曝光以及显影，进行图1所示的底座4的外部端子电极53、54的图案形成(第3图案形成工序)。在第3图案形成工序之后，如图21所示，在暴露的第2电镀层93上电镀形成由Ni 构成的第1电镀层94(第1电镀形成工序)。这里，形成的第1电镀层94成为底座4的外部端子电极53、54的Ni膜的第1电镀膜(参照图1的标记94)。如图22所示，在第1电镀形成工序之后，剥离去除正型抗蚀层97(第3抗蚀剂剥离工序)。在第3抗蚀剂剥离工序之后，在暴露的第2电镀层93以及第1电镀层94之上通过提拉涂敷法涂敷抗蚀剂，如图23所示那样地形成新的正型抗蚀层97 (第4抗蚀层形成工序)。之后，通过光刻法对形成图1所示的底座4的第1接合层48、电极衬垫51、52、外部端子电极53、54、以及布线图案55的位置上的正型抗蚀层97进行曝光以及显影，如图M所示那样地进行图1所示的底座4的第1接合层48、电极衬垫51、52、外部端子电极53、54以及布线图案55的图案形成(第4图案形成工序)。在第4图案形成工序之后，如图25所示，在暴露的第2电镀层93以及第1电镀层 94上电镀形成由Au构成的第2电镀层95(第2电镀形成工序)。这里形成的第2电镀层 95成为由Au膜构成的第2电镀膜(参照图1的标记95)，该第2电镀膜构成图1所示的底座4的第1接合层48、电极衬垫51、52、外部端子电极53、54以及布线图案55。如图沈所示，在第2电镀形成工序之后，剥离正型抗蚀层97(第4抗蚀剂剥离工序)。在第4抗蚀剂剥离工序之后，在暴露的第2电镀层93以及第2电镀层95上通过提拉涂敷法涂敷抗蚀剂，如图27所示那样地形成新的正型抗蚀层97 (第5抗蚀层形成工序)。 之后，通过光刻法对形成图1所示的底座4的第1接合层48、电极衬垫51、52、外部端子电极53、54以及布线图案55的位置以外的正型抗蚀层97进行曝光以及显影，如图观所示那样地进行图1所示的底座4的第1接合层48、电极衬垫51、52、外部端子电极5354和布线图案阳以及底座4的外形的图案形成(第5图案形成工序)。如图四所示，在第5图案形成工序之后，通过电镀蚀刻暴露的第2电镀层93进行去除(第2电镀蚀刻工序)。在第2电镀蚀刻工序之后，剥离去除正型抗蚀层97，如图30所示那样地，在晶片8 形成多个底座4 (第5抗蚀剂剥离工序)。此外，在图3中表示图30所示的第5抗蚀剂剥离工序后的各底座4的另一主面43的俯视图(底座4的后视图)。在第5抗蚀剂剥离工序之后，个别地分割多个底座4而对多个底座4进行单片化 (底座单片化工序)，制造多个图2、3所示的底座4。并且，在图2、3所示的底座4中根据切口部541的位置来配设图6所示的晶体振动片2，经由导电性凸块13通过FCB法将晶体振动片2以电机械的方式与底座4超声波接合，将晶体振动片2搭载保持在底座4中。另外，通过其它工序在图5所示的盖7的第2接合层74上层叠接合材料12。之后，在搭载保持了晶体振动片2的底座4配设盖7，经由接合材料12通过FCB法以电机械的方式超声波接合底座4的第1接合层48与盖7的第2接合层74，制造图1所示的晶体振动器1。上述制造工序中通过底座成形工序形成贯通孔49的工序，与本发明所说的贯通孔形成工序相当。另外，经过电镀层形成工序在贯通孔49的内侧面491形成作为种子膜的第1电镀层92的工序，与本发明所说的种子膜形成工序相当。另外，在填充工序中，对暴露在贯通孔49的内侧面491的第1电镀层92 (第1种子膜9 进行Cu电解电镀的工序，与本发明所说的电镀工序相当。另外，经过树脂层形成工序以及树脂图案形成工序，形成树脂图案61并通过该树脂图案61塞住贯通孔49的另一端开口面493侧的开口端部493的工序，与本发明所说的封孔工序相当。另外，上述的制造工序是具体化了本发明的实施方式之一，不限于此，也可以通过其它实施方式来制造晶体振动器1。如上述那样地，根据本实施方式的晶体振动器1以及电子部件封装，即使在底座4 的另一主面43中使用树脂材料(树脂图案61)的情况下，也能够抑制内部空间11的气密性的下降。具体地说，因为在底座4的另一主面43的基材以及布线图案55上层叠树脂图案 61，在布线图案55以及树脂图案61上层叠外部端子电极53、54，所以即使在树脂图案61向底座4的基材的粘接强度弱的情况下，通过树脂图案61向布线图案55的粘接、和外部端子电极53、54向布线图案55的粘接，能够进行补充树脂图案61向底座4的基材的粘接。另外，在沿着层叠了外部端子电极5354的树脂图案61的层叠部位的外周缘的外方(参照图4所示的标记55 ，在布线图案55上层叠有外部端子电极53、54，因此能够进行外部端子电极53、54向布线图案55的层叠以使得包围在树脂图案61上外部端子电极53、 54层叠的部位，在树脂图案61向底座4的基材的粘接上是优选的。另外，贯通底座4的两主面42、43的贯通孔49的另一端开口面493被树脂图案61 塞住，因此能够防止填充到贯通孔49的导电性材料(参照填充层98)从贯通孔49剥落、脱落。另外，通过塞住贯通孔49的另一端开口面493的树脂图案61来阻断从底座4的另一主面43向填充在贯通孔49的填充层98的热传导，因此例如能够防止将晶体振动器1安装在基板时由热量导致的填充层98与构成底座4的基材的密接性的下降。由此，能够抑制内部空间11的气密性的下降。此外，在本实施方式的晶体振动器1中，填充层98是由电镀形成于贯通孔49的内侧面的种子膜(参照图1的标记92)的Cu电镀层来构成的，但是只要是向贯通孔填充导电性材料而构成的，则填充层98不限于此。即填充层98也可以通过向贯通孔49填充金属焊膏(添加了导电填充剂的膏状树脂材料)来构成。另外，在本实施方式的晶体振动器1中，如图4所示，填充层98形成为底座4的一主面42侧的一端面981与底座4的一主面42在一个平面，但是这是优选的例子，不限于此。 即填充层98只要是塞住贯通孔49即可，如图31所示，填充层98的一端面981也可以比底座4的一主面42还位于更下方。或者如图32所示，填充层98的一端面981也可以比底座 4的一主面42还位于更上方。即在图32所示的结构中，填充层98的突出部(从底座4的一主面42突出的部分)的厚度T优选为小于等于2 μ m,以使得构成形成在填充层98上的布线图案55的电镀膜(参照图4的第2电镀膜95)不接触晶体振动片2。
另外，在本实施方式的晶体振动器1中，塞住贯通孔49的另一端开口面493的树脂图案61形成在除了另一主面41的外周缘的大致整面，但是这是优选的例子，不限于此。 即例如图33所示，即使只在贯通孔49的另一端开口面493形成树脂图案也能够获得防止填充在贯通孔49的内部的导电性材料(填充层98的构成材料)掉落的效果。此外，在图 33所示的结构中，外部端子电极5354包括第2种子膜93 (参照图1的第2种子膜93)， 形成在布线图案55(参照图1的第1种子膜92)上的由Ti膜以及Au膜构成，该布线图案 55形成于底座4的另一主面43 ；以及第2电镀膜95 (参照图3 ，在该第2种子膜93上的由形成Au膜构成。另外，在本实施方式的晶体振动器1中，电极衬垫51、52以及布线图案55包括形成在底座4的基版上的由Ti膜以及Cu膜构成的第1种子膜92、形成在该第1种子膜92之上的由Ti膜以及Au膜构成的第2种子膜93、以及电镀形成在该第2种子膜93之上的由 Au膜构成的第2电镀膜95，但是电极衬垫51、52以及布线图案55的电极结构不限于此，也可以是如下结构在底座4的基板上不经过由Ti膜以及Cu膜构成的种子膜而直接形成由 Ti膜以及Au膜构成的种子膜，在该种子膜之上电镀形成Au膜。即贯通孔49的内侧面491 的布线图案阳的种子膜也可以是由Ti膜以及Au膜构成的结构。这样，在由Ti膜和Au膜来构成贯通孔49的内侧面491的种子膜的情况下，当将电镀形成在贯通孔49的内侧面491 的布线图案阳的种子膜上的填充层98设为AuSn电镀层时，能够提高内侧面491的布线图案阳的种子膜与填充层98的粘接强度。另外，在本实施方式的晶体振动器1的底座4中，由Ti膜以及Cu膜来构成第1种子膜92，但是不限于此，也可以代替Ti膜而使用由Mo构成的Mo膜。另外，在本实施方式的晶体振动器1的底座4中，由M膜来构成第1电镀膜94，但是不限于此，也可以在Ni膜下形成由Cu构成的Cu膜并层叠Cu膜和Ni膜。另外，在本实施方式的晶体振动器1的底座4中，由Au膜来构成第2电镀膜95，但是不限于此，也可以设为在由Pd构成的Pd膜上层叠了 Au膜的2层结构。另外，在本实施方式的晶体振动器1的底座4中，由Ti膜以及Au膜来构成第2种子膜93，但是不限于此，也可以代替Ti膜而使用由Mo构成的Mo膜，也可以替代Ti膜以及 Au膜而使用Mo膜以及由Cu构成的Cu膜。另外，在本实施方式的晶体振动器1的底座4中，由以标记95表示的电镀膜以及标记93表示的溅射膜构成第1接合层48，但是不限于此，参照图1，也可以在以标记95表示的电镀膜和以标记93表示的溅射膜之间插入以符号94表示的第1电镀膜。另外，在本实施方式的晶体振动器1的底座4中，由以标记92表示的第1种子膜、 以标记93表示的第2电镀膜以及以标记95表示的第2电镀膜构成电极衬垫51、52，但是不限于此，参照图1，也可以在第1种子膜和第2种子膜之间插入以标记94表示的第1电镀膜。另外，在本实施方式的晶体振动器1的底座4中，第1接合层48如上述那样包括 溅射形成在底座4的基材上的由Ti膜以及Au膜构成的溅射膜(参照图1的标记93)、以及电镀形成在该溅射膜之上的由Au膜构成的电镀膜(参照图1的标记95)，但是不限于该结构。例如第1接合层48也可以包括溅射形成在底座4的基材上的由Ti膜以及Au膜构成的溅射膜、电镀形成在该溅射膜之上的M电镀膜、以及电镀形成在M电镀膜之上的Au电镀膜。这样，当在溅射膜与Au电镀膜之间存在M电镀膜时，能够防止由接合材料12 (钎焊材料)造成的溅射膜(Au膜)的侵蚀，能够提高底座4与盖7的接合强度。另外，在本实施方式的晶体振动器1的底座4中，外部端子电极5354如上述那样包括形成在底座4的另一主面43的布线图案55的第1种子膜92上以及树脂图案61上的由Ti膜以及Au膜构成的第2种子膜93、电镀形成在该第2种子膜93之上的由Ni构成的第1电镀膜94、以及电镀形成在该第1电镀膜94之上的由Au构成的第2电镀膜95，但是不限于该结构，例如也可以在第2种子膜93之上直接(不经过由Ni构成的第1电镀膜 94)形成由Au构成的第2电镀膜95。另外，在本实施方式中，作为底座4以及盖7的材料使用了玻璃，但是底座4以及盖7都不限于使用玻璃来构成，例如也可以使用晶体来构成。另外，在本实施方式中，作为接合材料12主要使用了 AnSn，但是只要能够接合底座4与盖7则不特别限定接合材料12，例如，也可以使用CuSn等Sn合金钎焊材料来构成。另外，在上述的实施方式的晶体振动器1中，作为晶体振动片使用了图6所示的音叉型晶体振动片2，但是也可以使用图34所示的AT切割晶体振动片2。在使用了 AT切割晶体振动片2的晶体振动器1中，结合AT切割晶体振动片2在底座4形成有电极，但是关于本发明的结构，与本实施方式相同，并起到与本实施方式相同的效果。另外，也可以在本实施方式的底座4上除了搭载晶体振动片2外还搭载IC芯片而构成振荡器。在底座4上搭载IC芯片的情况下，在底座4上形成符合IC芯片的电极结构的电极。另外，本实施方式的底座4的外部端子电极5354的形状不限于图3所示的形状， 也可以是图35所示的外部端子电极53、54的形状。在该图35所示的方式中，从相对置的外部端子电极5354沿着底座4的长方向，电极部位(扩展部532( )向分别相对置的相对侧的外部端子电极53(54)延伸。另外，扩展部532、542从外部端子电极5354分别对置的两个角部延伸，通过这些扩展部532542，扩大外部端子电极53、54向底座4的基材的粘接面积。而且，扩展部532、542位于难以粘接的外部端子电极5354与树脂图案61的接合部位附近(区域55 ，对于补充外部端子电极5354与树脂图案61的粘接是优选的。此外，图35所示的扩展部532、542沿着底座4的长方向延伸而形成，但是不限于此，既可以从外部端子电极53、54的上述两个角部沿着底座4的短方向延伸而形成，另外也可以沿着底座4的长方向以及短方向从外部端子电极53、54的上述两个角部延伸而形成。另外，在本实施方式中，树脂图案61成形为俯视矩形状，但是不限于此，如图36所示，也可以在树脂图案61的内方形成切口凹部611。此外，在图36中为了明确凹部611，还以点来显示被外部端子电极5354覆盖的部分。此外，在图36所示的方式中，在树脂图案 61中不仅形成具有锥部612的凹部611，而且布线图案55也与树脂图案61的形状对应，在布线图案阳中形成有与凹部611的锥部612相同形状的锥部553。这样，树脂图案61的锥部612和布线图案55的锥部553为相同形状，因此能够提高布线图案55与外部端子电极 53,54的连接的可靠性。此外，图36所示的布线图案55中成形为环状的一部分，除了锥部 553以外由与本实施方式相同的结构来构成。另外，在本实施方式中，底座4的另一主面43侧的布线图案55的一部分沿着树脂图案形成区域47的长边471的两端部473、474、和短边472成形为环状，在环状内未形成布
17线图案55，但是不限于此，如图37所示，也可以在环状内形成格子状(在图37中为十字形状)的格子布线图案部阳4。在这种情况下，能够提高布线图案55中的电阻。其结果是，即使在布线图案55的一部分、外部端子电极53、54的一部分断线了的情况下，也能够抑制电阻值恶化。另外，在本实施方式中，如图3所示，外部端子电极53、54的宽度方向(底座4的短方向)的尺寸设定为比树脂图案61的宽度方向(底座4的短方向)的尺寸还长，但是不限于此，如图38所示地，也可以设为外部端子电极53、54的宽度方向的尺寸和树脂图案 61的宽度方向的尺寸相同。此外，在图38所示的方式中，在将底座4进行三分割的中央部分431中，外部端子电极5354分别覆盖树脂图案61。在这种情况下，外部端子电极53、54 只覆盖在将底座4进行三分割的中央部分431中暴露的树脂图案61的对置部分的一部分 613。因此，通过两个外部端子电极53、54，能够补充树脂图案61向底座4的基材的粘接。 此外，图38所示的外部端子电极M中没有形成切口部541 (参照图3)，但这是简单的设计事项的变更。另外，在本实施方式中，使用了 2端子的晶体振动器1，但是不限于此，也可以如图 39所示那样地应用于4端子的晶体振动器1。在图39所示的4端子的晶体振动器1中，在底座4中形成有4个外部端子电极 56。这4个外部端子电极56具有多个电极膜的层叠结构，在图39所示的实施方式中，由俯视面积不同的两个层(面积小的层561和面积大的层56 来构成，4个外部端子电极56分别形成为具有段差的凸状。另外，贯通孔49的开口端成形为多角形(在图39所示的方式中为八角形)。根据图39所示的实施方式，4个外部端子电极56由面积小的层561和面积大的层562的2层结构来构成，其结果是，在4个外部端子电极56中分别形成凸状的段差部。 因此，在通过无铅焊锡等将晶体振动器1来与外部部件、外部设备(具体地说为印刷布线基板)进行导电接合时产生固定器效果，能够提高接合的可靠性。另外，与外部部件、外部设备连接的连接部位具有从底座4的另一主面43按照布线图案55、树脂图案61以及外部端子电极53、54的顺序层叠而成的层叠结构。因此，与印刷布线基板连接的连接部位作为整体而能够加大底座4的另一主面43与外部端子电极53、 M之间的距离。即能够加厚与印刷布线基板连接的连接部位。通过设为这养的结构，能够缓冲晶体振动器1与印刷布线基板之间产生的应力。特别是，通过设为将树脂图案61插入布线图案阳与外部端子电极5354之间的结构，能够进一步发挥缓冲效果，其结果是能够提高与印刷布线基板连接的连接部位的接合的可靠性。另外，在本实施方式中，在底座4的另一主面43的树脂图案形成区域47的外侧区域552，成为在布线图案55上直接层叠外部端子电极53、54的状态，但是不限于此，也可以是如图40、41所示那样的实施方式。在图40、41所示的实施方式中，在树脂图案形成区域47的外侧区域552，不是成为在布线图案阳上直接层叠外部端子电极53、54的状态，而是在树脂图案形成区域47内分别设置一个外部端子电极53、54与布线图案55接触的接触区域58、59，通过这些接触区域 58,59来使外部端子电极5354与布线图案55接触(层叠)。即通过接触区域58、59将外部端子电极5354与布线图案55电连接。
另外，在图40、41所示的实施方式中，布线图案从底座4的一主面42经由贯通孔 49的内侧面491形成于底座4的另一主面43，以使得电极衬垫51、52与外部端子电极53、 54电连接，树脂图案61形成在底座4的另一主面43中除了接触区域58、59的全区域。此外，在图40、41所示的实施方式中，在树脂图案形成区域47内分别设置有一个接触区域58、59，但是接触区域58、59的个数不限于此，也可以在树脂图案形成区域47内 (外部端子电极53、54的层叠下)分别设置任意个数的接触区域58、59。另外，也可以在本实施方式的晶体振动器1中设置吸气材料。接着，在图42、43、44 中表示设置吸气材料的晶体振动器1。在图42、43、44所示的实施方式中，在底座4的一主面42、具体地说在包含台座部 46的腔45的底面以及壁面中形成有由吸气材料构成的吸气膜56。吸气膜56由Ti膜构成 (参照图1的标记931)，该Ti膜是通过溅射法溅射形成在底座4的基材上。在该实施方式中，作为构成吸气膜56的吸气材料，使用与构成电极衬垫51、52、以及位于底座4的一主面 42侧的布线图案55的第1种子膜92的Ti膜相同的材料，吸气膜56是与第1种子膜92的 Ti膜形成时同时地图案形成的。另外，该吸气膜56与电极衬垫51、52以及布线图案55的一部分隔着间隙而设置，由此，防止电极衬垫51、52以及布线图案55的一部分与吸气膜56 的短路。另外，在与盖7的内部空间11面对面的一主面72、具体地说在整个与顶部71的内部空间11面对面的部分和整个壁部73的内侧面732中形成有吸气膜76。该吸气膜76 由Ti膜构成，该Ti膜通过溅射法溅射形成在底座4的基材上。此外，在图42、43、44所示的实施方式中，在吸气膜76上形成有第2接合层74，但是不限于此，也可以在吸气膜76上不形成第2接合层74，而在形成第2接合层74的Ti膜时同时地形成吸气膜76。根据图42、43、44所示的晶体振荡器1，在底座4的基材上，通过覆盖包含台座部 46的腔45的底面451以及壁面453的大体整体的电极衬垫51、52、布线图案55 (即形成在底座4的主面42侧的内部电极)以及吸气膜56，具备有充分的机械强度。同样地，因为在盖7的基材形成有吸气膜76，该吸气膜76覆盖与顶部71的内部空间11面对面的面和壁部的整个内侧面732，因此具备充分的机械强度。具体地说，在本实施方式中，构成底座4的电极衬垫51、2、外部端子电极53、54以及布线图案55的第1种子膜92、吸气膜56、76，如上述那样地由Ti膜构成。Ti是具有高硬度的材料，在本实施方式中，通过将Ti膜形成为厚壁
(作为具体例子为3000人的厚度)，实现底座4以及盖7的机械强度的提高。当然能够对上述的本实施方式以及各变形例适当地进行组合。此外，本发明能够在不超出其精神或者主要特征的范围内以其它各种方式来实施。因此，上述的实施例的所有部分不过是简单的例示，不应限定地进行解释。本发明的范围是通过权利要求范围来表示的，在说明书正文中没有任何限制。而且，属于权利要求范围的均等范围内的变形、变更，全部在本发明的范围内。
权利要求
1.一种电子部件封装用密封构件，作为电子部件封装的第1密封构件而使用，该电子部件封装具备在一主面搭载电子部件元件的所述第1密封构件、以及与所述第1密封构件相对置配置而气密密封所述电子部件元件的电极的第2密封构件，该电子部件封装用密封构件的特征在于，在构成该电子部件封装用密封构件的基材的另一主面形成与外部电连接的外部端子电极、用于将搭载于所述一主面的电子部件元件与所述外部端子电极电连接的布线图案、 以及树脂材料，所述树脂材料层叠在所述另一主面的所述基材以及所述布线图案上，所述外部端子电极层叠在所述布线图案以及所述树脂材料上。
2.根据权利要求1所述的电子部件封装用密封构件，其特征在于，在沿着层叠有所述外部端子电极的所述树脂材料的层叠部位的外周缘的外方，所述外部端子电极层叠在所述布线图案上。
3.根据权利要求1所述的电子部件封装用密封构件，其特征在于，向贯通所述基材的两主面之间的贯通孔填充导电性材料，所述贯通孔的另一主面一侧的开口面被所述树脂材料塞住。
4.一种电子部件封装，具备在一主面搭载电子部件元件的第1密封构件以及与所述第 1密封构件相对置配置而气密密封所述电子部件元件的电极的第2密封构件，该电子部件封装的特征在于，所述第1密封构件是权利要求1 3中任一项所述的电子部件封装用密封构件。
全文摘要
本发明提供一种电子部件封装用密封构件以及电子部件封装。在构成电子部件封装用密封构件的基材的另一主面形成有与外部电连接的外部端子电极、用于将搭载于所述一主面的电子部件元件与所述外部端子电极电连接的布线图案、以及树脂材料。在所述另一主面的所述基材以及所述布线图案上层叠有所述树脂材料，在所述布线图案以及所述树脂材料上层叠有所述外部端子电极。
文档编号H03H9/10GK102420581SQ201110281010
公开日2012年4月18日 申请日期2011年9月21日 优先权日2010年9月21日
发明者幸田直树 申请人:株式会社大真空