纤维素、或者水溶性纤维素衍生物。
[0045] 接着，如图3d所示从基板4的表面除去光致抗蚀剂30、残存于基板4表面的种子 层8a。将含有金属的周缘部8形成于中央部6的表面。周缘部8的主成分为金属。周缘部 8可W只由金属来进行构成。周缘部8的形成方法可W对应于构成周缘部8的金属种类来 作适当选择。周缘部8的形成方法例如可W是电锻法、瓣射法、或者化学其相蒸锻法（CVD)。 电锻法可W是无电解电锻法或者电解电锻法。
[0046] 由W上所述工序完成制作具备基板4、沿着基板4表面进行设置的高频传输线路2 的电子电路基板16。还有，由中央部6W及周缘部8的形成方法不一定要形成种子层8a。
[0047]W上已就本发明的一个实施方式作了说明，但是本发明丝毫不限定于上述实施方 式。 W48] 例如，在制造具有图2a所表示的截面的高频传输线路2的情况下，如果由使用了 含有铜W及碳纳米管的锻液的电解电锻或者无电解电锻来形成种子层8a的话即可。在此 情况下，种子层8a构成高频传输线路2的中央部6的一部分。
[0049] 中央部6的形成方法并不限定于W上所述方法。例如，使金、银、铜、铁、钻、儀或者 锡等催化剂成分附着于凹部30a内的种子层8a的表面。接着，热分解甲烧或者乙烘等碳化 氨气体，从而使碳纳米管生长在催化剂成分上。接着，由电锻、瓣射或者CVD法来使金属成 分充填于碳纳米管之间的间隙。也可W由运些工序来形成含有金属W及碳纳米管的中央部 6。
[0050] 如图4所示，高频传输线路2可W是圆柱状。即，高频传输线路2可W具备圆柱状 的中央部6、覆盖中央部6侧面的圆筒状的周缘部8。像运样的圆柱状的高频传输线路2可 W被形成于电子电路基板的通孔或者中继孔内。高频传输线路也可W是棱柱状。
[0051] 即使是对于具备W上所述的高频传输线路的晶体管、1C、电容器、电感器、滤波器 W及电磁屏蔽器等来说也能够达到与上述实施方式相同的作用效果。 阳0巧实施例
[0053]W下是使用实施例W及比较例来进一步详细说明本发明的内容，但是本发明并不 限定于W下所述的实施例。
[0054](实施例1) 阳化日]准备热氧化膜被形成于表面的娃基板。娃基板的尺寸为横30mmX纵30mmX厚 0. 625mmD
[0056] 由瓣射法来将由铭W及铜构成的种子层形成于热氧化膜被形成的娃基板的表面。 该种子层是构成周缘部一部分的物质。种子层的厚度均匀。
[0057] 将光致抗蚀剂涂布于种子层的表面。接着，实行对光致抗蚀剂的曝光W及显影，从 而形成迂回曲折图形状的凹部。
[0058] 使用含铜W及碳纳米管的电解电锻液来实行电解电锻。通过该电解电锻从而将由 铜W及碳纳米管构成的迂回曲折图形状的中央部形成于凹部内。中央部的厚度均匀。用于 中央部形成的电解电锻液中的碳纳米管的含有率被调整成0.Ig/L。
[0059] 接着，从娃基板的表面除去光致抗蚀剂、残存的种子层。使用含有铜但不含有碳纳 米管的无电解电锻液来实行无电解电锻。通过该无电解电锻从而将由铜构成的周缘部形成 于中央部的表面。周缘部的厚度均匀。
[0060] 经过W上所述工序从而制作出沿着娃基板表面进行设置的迂回曲折图形状的高 频传输线路。该高频传输线路中的交流电信号的传输方向为平行于娃基板表面的方向。在 平行于娃基板表面的方向上的高频传输线路的宽度为均匀的IOym。垂直于娃基板表面的 方向上的高频传输线路的厚度为均匀的IOym。高频传输线路整体的线路长为19. 7mm。用 扫描电子显微镜来观察垂直于娃基板表面（交流电信号的传输方向）的方向上的高频传输 线路的截面。该截面如图化所示被确认为由矩形状的中央部6、围绕中央部6四边的周缘 部8构成。周缘部8的厚度均匀。周缘部8的厚度为2ym。中央部6中的碳纳米管的含有 率相对于中央部6的整个体积为0. 5体积％。在周缘部8中的碳纳米管的含有率相对于周 缘部8的整个体积为0体积％。目P，碳纳米管偏在于中央部6。 阳OW](实施例2~W
[0062] 在实施例2~5中，调整用于中央部形成的电解电锻液中的碳纳米管的含有率，将 中央部中的碳纳米管的含有率控制在下述表1所表示的值。除了运方面之外其余均W与实 施例1相同的方法制作实施例2~5的各个高频传输线路。除了中央部中的碳纳米管的含 有率之外实施例2~5的各个高频传输线路的尺寸、形状、截面的构成W及组成均与实施例 1的高频传输线路相同。还有，实施例2的用于中央部形成的电解电锻液中的碳纳米管的含 有率为0. 2g/L。实施例3的用于中央部形成的电解电锻液中的碳纳米管的含有率为1. 2g/ L。实施例4的用于中央部形成的电解电锻液中的碳纳米管的含有率为2. 5g/L。实施例5 的用于中央部形成的电解电锻液中的碳纳米管的含有率为5.Og/L。所谓下述表1所表示的 "CNT"是指碳纳米管。 阳06引（比较例1) W64] 在比较例1中，在形成中央部之后由实施例1的用于中央部形成的电解电锻液来 形成周缘部。目P，在比较例1中不是通过无电解电锻而是通过电解电锻来形成周缘部。除了 运方面之外其余均W与实施例1相同的方法制作比较例1的高频传输线路。比较例1的周 缘部中的碳纳米管的含有率被确认为与实施例1的中央部中的碳纳米管的含有率相同。比 较例1的中央部中的碳纳米管的含有率被确认为与实施例1的中央部中的碳纳米管的含有 率相同。目P，比较例1的周缘部中的碳纳米管的含有率被确认为与比较例1的中央部中的 碳纳米管的含有率相同。换言之，被确认为碳纳米管遍布比较例1的高频传输线路整体进 行均匀分布。比较例1的高频传输线路的尺寸W及形状与实施例1的高频传输线路相同。 柳65](比较例。
[0066] 在比较例2中，在形成中央部之后由实施例2的用于中央部形成的电解电锻液来 形成周缘部。目P，在比较例2中不是通过无电解电锻而是通过电解电锻来形成周缘部。除了 运方面之外其余均W与实施例2相同的方法制作比较例2的高频传输线路。比较例2的周 缘部中的碳纳米管的含有率被确认为与实施例2的中央部中的碳纳米管的含有率相同。比 较例2的中央部中的碳纳米管的含有率被确认为与实施例2的中央部中的碳纳米管的含有 率相同。目P，比较例2的周缘部中的碳纳米管的含有率被确认为与比较例2的中央部中的 碳纳米管的含有率相同。换言之，被确认为碳纳米管遍布比较例2的高频传输线路整体进 行均匀分布。比较例2的高频传输线路的尺寸W及形状与实施例2的高频传输线路相同。[0067](比较例如 W側在比较例3中，在形成中央部之后由实施例3的用于中央部形成的电解电锻液来 形成周缘部。目P，在比较例3中不是通过无电解电锻而是通过电解电锻来形成周缘部。除了 运方面之外其余均W与实施例3相同的方法制作比较例3的高频传输线路。比较例3的周 缘部中的碳纳米管的含有率被确认为与实施例3的中央部中的碳纳米管的含有率相同。比 较例3的中央部中的碳纳米管的含有率被确认为与实施例3的中央部中的碳纳米管的含有 率相同。目P，比较例3的周缘部中的碳纳米管的含有率被确认为与比较例3的中央部中的 碳纳米管的含有率相同。换言之，被确认为碳纳米管遍布比较例3的高频传输线路整体进 行均匀分布。比较例3的高频传输线路的尺寸W及形状与实施例3的高频传输线路相同。 W例（比较例4) 阳070]在比较例4中，在形成中央部之后由实施例4的用于中央部形成的电解电锻液来 形成周缘部。目P，在比较例4中不是通过无电解电锻而是通过电解电锻来形成周缘部。除了 运方面之外其余均W与实施例4相同的方法制作比较例4的高频传输线路。比较例4的周 缘部中的碳纳米管的含有率被确认为与实施例4的中央部中的碳纳米管的含有率相同。比 较例4的中央部中的碳纳米管的含有率被确认为与实施例4的中央部中的碳纳米管的含有 率相同。目P，比较例4的周缘部中的碳纳米管的含有率被确认为与比较例4的中央部中的 碳纳米管的含有率相同。换言之，被确认为碳纳米管遍布比较例4的高频传输线路整体进 行均匀分布。比较例4的高频传输线路的尺寸W及形状与实施例4的高频传输线路相同。 阳07U(比较例。 阳072]在比较例5中，在形成中央部之后由实施例5的用于中央部形成的电解电锻液来 形成周缘部。目P，在比较例5中不是通过无电解电锻而是通过电解电锻来形成周缘部。除了 运方面之外