其余均W与实施例5相同的方法制作比较例5的高频传输线路。比较例5的周 缘部中的碳纳米管的含有率被确认为与实施例5的中央部中的碳纳米管的含有率相同。比 较例5的中央部中的碳纳米管的含有率被确认为与实施例5的中央部中的碳纳米管的含有 率相同。目P，比较例5的周缘部中的碳纳米管的含有率被确认为与比较例5的中央部中的 碳纳米管的含有率相同。换言之，被确认为碳纳米管遍布比较例5的高频传输线路整体进 行均匀分布。比较例5的高频传输线路的尺寸W及形状与实施例5的高频传输线路相同。 阳07引（参考例1)
[0074]在参考例1中，由含有铜但不含有碳纳米管的电解电锻液来形成周缘部。除了运 一方面之外其余均W与实施例1相同的方法制作参考例1的高频传输线路。参考例1的高 频传输线路实质上是只由铜来进行构成的。目P，参考例1的高频传输线路不包含碳纳米管。 参考例1的高频传输线路的尺寸W及形状与实施例1的高频传输线路相同。 阳0巧]〈交流电阻的测定〉
[0076] 使频率F[GHz]为下述表1所表示的值的交流电信号流到实施例1的高频传输线 路，用阻抗分析仪来测量各个频率F[GHz]上的高频传输线路的交流电阻R(F) [Q]。所谓 交流电阻R(巧是指高频传输线路（迂回曲折图形）的一个端部与另一个端部之间的电阻。 W同样的方法测量各个频率F[GHz]上的参考例1的高频传输线路的交流电阻Rcu(巧[Q]。 然后，求得各个频率F[GHz]上的R(巧的相对于Rcu(巧的比r(F)。r(巧是由下述数学式 A来进行表示的。将各个频率F上的实施例I的r(巧表示于下述表I中。还有，所谓频率F[GHz]为O的电信号是指直流的电信号。因此，R(O)为实施例1的高频传输线路的直流电 阻，Rcu(O)为参考例1的高频传输线路的直流电阻。
[0077]r(F) =R(F)/Rcu(F) (A) 阳〇7引下述表1所表示的参考例1的r(巧被定义为Rcu(F)/Rcu(巧。因此，下述表1所 表示的参考例1的r(巧任一个都为1. 00。 阳079] 与实施例1相同，求得实施例2~5W及比较例1~5各个r(F)。将实施例2~ 5W及比较例1~5各个r(巧表示于下述表1中。
[0080] 〈破坏功率的测定〉
[0081] 将0.IW的功率施加于实施例1的高频传输线路并阶段性地使功率上升，测定高频 传输线路烙断时的功率（破坏功率EP)。各个阶段上的功率施加时间为5分钟。在破坏功 率EP的测定过程中，提供给实施例1的高频传输线路的交流电信号的频率为1.00[GHz]。 W同样的方法测定参考例1的高频传输线路的破坏功率EPcu。然后，求得实施例1的破坏 功率EP的相对于参考例1的破坏功率EPcu之比r-ep。r-ep由W下所述数学式B进行表 示。将在各个频率F上的实施例1的r-ep表示于下述表1中。
[0082] r-巧=EP/E化U(B)
[0083] 下述表1所表示的参考例1的r-巧被定义为EPcu/E化U。因此，参考例1的r-巧 为 1. 00。
[0084] W与实施例1相同的方法求得实施例2~5W及比较例1~5的各个r-巧。将实 施例2~5W及比较例1~5各个r-巧表示于下述表1中。r-巧越大则高频传输线路越 难W烙断。
[0085][表1]
[0087][实施例1、比较例1W及参考例1的比较] 阳08引对中央部中的碳纳米管的含有率为相同的实施例1与比较例1实施比较。不论在 任一个频率F[GHz]上都被确认为实施例1的H巧小于比较例1的r(F)。目P，不论在任一 个频率F[GHz]上都被确认为实施例1的交流电阻R(巧小于比较例1的交流电阻R(巧。本 发明人推测实施例1的小的交流电阻R(巧是依据于W下所述主要原因1W及2。
[0089]〈主要原因1〉实施例1的高频传输线路整体中的碳纳米管的含有率与比较例1相 比较相对较小。因此，实施例1的高频传输线路整体的电导率高于比较例1的高频传输线 路整体的电导率。
[0090] 〈主要原因2〉在实施例IW及比较例I的任一个中都是频率F[GHz]越高则交流 电信号越是会由趋肤效应而容易集中于高频传输线路的表面附近。因此，在实施例1W及 比较例1随便任一个中都是频率F[GHz]越高则高频传输线路的表面附近的电导率越是会 变得容易影响到高频传输线路整体的交流电阻。目P，频率F[GHz]越高则高频传输线路整体 的交流电阻越是会变得由于高频传输线路表面附近的电导率降低而增高。但是，实施例1 的周缘部实质上是由铜所构成并且不包含碳纳米管。另外，比较例1的周缘部包含铜W及 碳纳米管。因此，实施例1的周缘部的电阻小于比较例1的周缘部的电阻。因此，在交流电 信号由于高频带上的趋肤效应而集中于高频传输线路的周缘部的情况下，实施例1的周缘 部上的交流电信号的传输难W被阻碍并且实施例1的在周缘部附近的焦耳热的发生也被 抑制。
[0091] 对实施例1与参考例1实行比较。在频率F[GHz]为1. 25 [GHz]W上的情况下，实 施例1的r(巧被确认为小于1.00。目P，在频率F[GHz]为某个阔值W上的情况下，实施例1 的交流电阻R(巧被确认为小于参考例1的交流电阻Rcu(巧。
[00巧可W确认到伴随于频率F[GHz]的增高而会有一种实施例1的r(巧降低的倾向。 即，可W确认到频率F[GHz]越高则实施例1的交流电阻R(巧的增加越是比参考例1的交 流电阻Rcu(巧的增加更容易被抑制。
[0093] 本发明人推测高频带上的实施例1与参考例1的上述关系依据于W下所述主要原 因3。
[0094] 〈主要原因3〉在实施例1W及参考例1随便任一个中都是频率F[GHz]越高则交流 电信号越是会由趋肤效应而容易集中于高频传输线路的表面附近。因此，在实施例1W及 参考例1随便任一个中都是频率F[GHz]越高则高频传输线路的表面附近的电导率越是会 变得容易影响到高频传输线路整体的交流电阻。目P，频率F[GHz]越高，则高频传输线路整 体的交流电阻越是会变得由于高频传输线路表面附近的电导率降低而增高。但是，在实施 例1中偏在有热传导率高于铜的碳纳米管的中央部6作为导热通道行使其功能。目P，中央 部6散热。因此，如果与只是由铜构成的参考例1的高频传输线路相比较的话，则在实施例 1的高频传输线路上发生的焦耳热难W蓄积于高频传输线路内。因此，在实施例1中由于焦 耳热引起的高频传输线路的升溫被抑制并且由于升溫引起的高频传输线路的交流电阻的 增高也被抑制。交流电阻W及焦耳热起因于趋肤效应并伴随于交流电信号频率的增高而增 大。因此，交流电信号的频率越高则在散热性方面表现优异的实施例1的高频传输线路的 交流电阻的增高越比只是由铜来构成的高频传输线路的交流电阻的增高更加容易被抑制。
[0095] 对比较例1与参考例1实行比较。不论在任一个频率F[GHz]上都被确认为比较 例1的r(巧为1. 00W上。目P，不论在任一个频率F[GHz]上都被确认为比较例1的交流电 阻R(巧大于等于参考例1的交流电阻Rcu(巧。运个原因就在于参考例1的高频传输线路 实质上只是由铜来进行构成，然而在比较例1中电导率低于铜的碳纳米管分布于高频传输 线路整体。
[0096] 可W确认到伴随于频率F[GHz]的增高而比较例1的H巧降低。换言之，伴随于 频率F[GHz]的增高而参考例1的交流电阻Rcu(巧有接近于比较例1的交流电阻R(巧的 倾向。本发明人推测为运是依据于W下所述主要原因4。
[0097]〈主要原因4〉比较例1的高频传输线路因为含有碳纳米管，所W具有与实施例1 相同的散热功能。因此，在交流电阻W及焦耳热起因于趋肤效应而增大的高频带上，具有散 热性的比较例1的高频传输线路的交流电阻比只是由铜构成的参考例1的高频传输线路的 交流电阻更难W则增高。
[009引示意性地将W上所述的实施例1、比较例1W及参考例1各自的各个频率（巧上的 交流电阻（R)表示于图5。还有，图5所表示的"纯铜"的曲线是表示只由不发热的理想的 铜来构成的高频传输线路的交流电阻的曲线。即"纯Cu"的交流电阻不受焦耳热影响，只会 由趋肤效应而增大。
[0099][实施例2、比较例2W及参考例1的比较] 阳100] 对中央部中的碳纳米管的含有率为相同的实施例