透明导电性膜的制造方法、透明导电性膜及电子器件的制作方法

透明导电性膜的制造方法、透明导电性膜及电子器件的制作方法
【专利摘要】在本发明的透明导电性膜的制造方法中，首先，在基材上形成含有硅氮烷化合物的化合物层。接着，对化合物层赋予能量而将至少一部分的硅氮烷化合物转换为具有硅氧烷键的化合物来将化合物层进行改性。而且，在改性前的化合物层上、或改性后的化合物层上形成由银或以银为主要成分的合金形成了的金属层。
【专利说明】透明导电性膜的制造方法、透明导电性膜及电子器件

【技术领域】
[0001] 本发明涉及透明导电性膜的制造方法、以及透明导电性膜及具备其的电子器件。

【背景技术】
[0002] 近年来，在液晶显示元件（LCD)、太阳能电池（PV)、有机电致发光元件（以下，记作 有机EL元件）等的各种电子器件中，从其安全性的提高、成本降低的实现、适用范围的扩大 等的观点出发，对电子器件要求轻量化、挠性。为了使这些电子器件具有挠性，作为电子器 件的基材，不是以往使用的玻璃基材，而需要使用塑料基材。进一步，例如，在使用有机EL 元件作为各种显示器的背光、招牌、应急灯等的显示板、照明等的光源的情况下，为了将进 行了面发光的光取出至外部，需要使用透明电极（透明导电性膜）作为电极。
[0003] 作为透明电极的形成材料，一般使用氧化铟锡（Sn02-In20 3 :ΙΤ0)等的氧化物半导 体系的材料，但在ΙΤ0中含有稀有金属的铟。因此，在这样透明电极中存在材料成本高、为 了降低电阻而需要在成膜后在300°C左右进行退火处理等的课题。另外，为了扩大有机EL 元件的面积，需要进一步降低透明电极的电阻值，但ΙΤ0也存在在电阻值的降低方面有界 限的问题。
[0004] 因此，以往，为了降低透明电极的电阻，提案有各种技术（例如，参照专利文献1? 3) 〇
[0005] 在专利文献1中，提案有将由ΙΤ0构成的透明高折射率薄膜层和由银或银合金构 成的透明金属薄膜层进行层叠而形成透明电极的技术。另外，在专利文献2中，提案有例如 在由ΙΤ0构成的第1透明电极膜上依次层叠氧化银系薄膜及由ΙΤ0构成的第2透明电极膜 而形成透明电极的技术。另外，在专利文献3中，提案有用含有银及铝作为主要成分的合金 薄膜构成透明电极的技术。在专利文献3中，通过该技术，在透明电极中，以比银膜单体的 膜厚薄的膜厚确保导电性、谋求光透射率的确保及电阻的降低的两者。
[0006] 现有技术文献
[0007] 专利文献
[0008] 专利文献1:日本特开2002-15623号公报
[0009] 专利文献2:日本特开2006-164961号公报
[0010] 专利文献3:日本特开2009_151%3号公报


【发明内容】

[0011] 发明要解决的课题
[0012] 如上所述，以往，提案有各种构成的透明电极（透明导电性膜）。但是，例如，在上 述专利文献1及2中提案的技术中，由于使用ΙΤ0作为透明电极的形成材料之一，因此残留 上述的ΙΤ0的问题。另外,上述专利文献3中提案的技术中，存在透明电极中所含的铝容易 氧化、在氧化后生成的氧化铝成为非常高的电阻体而因此电极制作时和/或因经时变化而 透明电极的电阻增大这样的课题。
[0013] 另外，目前，也进行了使用由电导率高的银等构成的金属薄膜作为透明电极的研 究。但是，一般已知：例如膜厚为l〇nm以下的银薄膜不是均匀的连续膜而形成不连续的岛 状结构的膜。因此，为了使银薄膜作为导电膜起作用，需要某种程度上加厚其膜厚（例如 15nm以上）。但是，在该情况下，难以确保光透明性。
[0014] 即使为lOrnn以下的膜厚，只要可以以均勻的连续膜形成银薄膜，则可得到具备低 电阻及光透射性的两者的透明电极，可以解决上述银薄膜的问题，但迄今为止对于这样的 技术，实用上没有进行充分的提案。
[0015] 进一步，一般已知：在高湿度的环境下对银电极施加电压时，在银电极内由于电分 解作用而容易产生离子迁移。在银电极中产生离子迁移时，也有可能产生配线短路。因此， 如上所述，在作为电子器件的基材要求塑料基材的利用的现状中，为了稳定地维持银薄膜， 需要以高的水平抑制来自基材的水分透过。
[0016] 本发明是鉴于上述状况而完成的发明。本发明的目的在于，提供兼备充分的导电 性和光透射性、且性能稳定性优异（水蒸气阻隔性优异）的透明导电性膜的制造方法、透明 导电性膜及具备其的电子器件。
[0017] 用于解决课题的手段
[0018] 为了解决上述课题，本发明的透明导电性膜的制造方法按照以下的步骤来进行。 首先，在基材上形成含有硅氮烷化合物的化合物层。接着，对化合物层赋予能量而将至少一 部分的硅氮烷化合物转换为具有硅氧烷键的化合物来将化合物层进行改性。而且，在改性 前的化合物层上或改性后的化合物层上形成由银或以银为主要成分的合金形成、具有透明 性的金属层。
[0019] 另外，本发明的透明导电性膜，为用上述本发明的透明导电性膜的制造方法制造 了的透明导电性膜，具备：基材、设于基材上的改性化合物层、和设于改性化合物层上的金 属层。予以说明，改性化合物层含有通过将硅氮烷化合物进行改性而得到的具有硅氧烷键 的化合物。另外，金属层由银或以银为主要成分的合金形成，具有透明性。
[0020] 进一步，本发明的电子器件，具备上述本发明的透明导电性膜。
[0021] 发明的效果
[0022] 如上所述，在本发明的透明导电性膜的制造方法中，对在基材和金属层之间形成 的、含有硅氮烷化合物的化合物层赋予能量而将至少一部分的硅氮烷化合物转换为具有硅 氧烷键的化合物来将化合物层进行改性。由此，根据本发明，可以得到兼备充分的导电性和 光透射性、且性能稳定性优异的（水蒸气阻隔性优异的）透明导电性膜、及具备其的电子器 件。

【专利附图】

【附图说明】
[0023]图1是本发明的第1实施方式涉及的透明导电性膜的概略构成剖面图。
[0024]图2A?2C是表示第1实施方式涉及的透明导电性膜的制造手法的步骤的工序 图。
[0025] 图3A?3C是表示第1实施方式涉及的透明导电性膜的制造手法的其它步骤（变 形例1)的工序图。
[0026]图4A?4D是表示第1实施方式涉及的透明导电性膜的制造手法的其它步骤（变 形例2)的工序图。
[0027]图5是本发明的第2实施方式涉及的透明导电性膜的概略构成剖面图。
[0028]图6A?6D是表示第2实施方式涉及的透明导电性膜的制造手法的步骤的工序 图。
[0029]图7是本发明的第3实施方式涉及的电子器件（有机EL元件）的概略构成剖面 图。
[0030]图8是变形例3的电子器件的概略构成剖面图。

【具体实施方式】
[0031]以下，对本发明的实施方式涉及的透明导电性膜及其制造方法、以及具备本发明 的实施方式涉及的透明导电性膜的电子器件的一例，一边参照附图，一边按下述的顺序进 行说明。予以说明，本发明的技术的范围应该基于专利权利要求的记载而确定，并不限定于 以下的实施方式。另外，附图中所示的各部的尺寸比率在说明的方便上被夸张，有时与实际 的尺寸比率不同。
[0032] 1.第1实施方式：透明导电性膜的第1构成例
[0033] 2.第2实施方式：透明导电性膜的第2构成例
[0034] 3_第3实施方式：电子器件的构成例
[0035] 4.各种实施例
[0036] < 1·第1实施方式：透明导电性膜的第1构成例>
[0037][透明导电性膜的整体构成]
[0038] 图1中表示第1实施方式涉及的透明导电性膜的概略构成剖面图。予以说明，本 说明书中所说的"透明"，是指波长550nm下的光透射率为50%以上。
[0039] 透明导电性膜10,如图1中所示，具备：基材11、改性化合物层12和金属层13。而 且，在本实施方式中，在基材11的一个面上依次层叠改性化合物层12及金属层13。予以说 明，图1中没有示出，但在基材11的改性化合物层12侧的表面也可以设置防渗出层。所谓 防渗出层，是指用于防止基材11中含有的各种添加剂随着时间的经过而析出于基材11的 表面的层。予以说明，各部的构成，在后面进行详述。
[0040] [透明导电性膜的制造手法]
[0041] 在此，一边参照图2A?2C，一边对本实施方式的透明导电性膜10的制造手法的 一例简单地进行说明。予以说明，图2A?2C是表示透明导电性膜10的制造工序的步骤的 图，各图是各工序结束时的层叠构件的概略构成剖面图。另外，对于各制造工序中的更详细 的处理条件等，在后述的各部的详细说明中进行说明。
[0042] 首先，准备在表面设有防渗出层（未图示）的基材11。接着，将含有硅氮烷化合物 的涂布液涂布于基材11的防渗出层侧的表面上。而且，将涂布于基材11上的涂布液进行 干燥，形成规定膜厚的硅氮烷化合物层14 (化合物层）（图2A的状态）。
[0043] 接着，在硅氮烷化合物层14上形成由银（Ag)或以银为主要成分的合金构成的金 属层13 (图2B的状态）。此时，在本实施方式中，用现有已知的手法在硅氮烷化合物层14 上形成金属层13,将其膜厚设为例如约4?12nm、优选约4?9nm左右。
[0044] 而且，对在基材11上形成有硅氮烷化合物层14及金属层13的层叠构件（层叠 体）赋予光、等离子体、热等的能量（以下，称为改性能量），将硅氮烷化合物层14(改性对 象层）内的至少一部分的硅氮烷化合物进行改性，生成改性化合物层12 (图2C的状态）。 [0045]在本实施方式中，这样制作透明导电性膜1〇。予以说明，在硅氮烷化合物层 14的 改性处理中，硅氮烷化合物层14内的至少一部分的硅氮烷化合物转换为具有硅氧烷键的 化合物（例如氧氮化硅化合物等）。
[0046]在本实施方式的透明导电性膜10的制造手法中，如上所述，在硅氮烷化合物层14 上形成薄膜的金属层13。此时，通过金属层13内的银和硅氮烷化合物层14内的具有氮原 子的化合物之间的相互作用，银的凝聚受到抑制。其结果，在本实施方式中，可以在硅氮烷 化合物层14上稳定地形成均匀的薄膜的金属层13(连续膜），可以得到导电性及光透射性 的两者优异的金属层13。予以说明，对于该效果，在后面进行详述。
[0047]另外，在本实施方式的透明导电性膜10的制造手法中，如上所述，对硅氮烷化合 物层14实施改性处理而生成改性化合物层12。该情况下，可以使改性化合物层丨2的致密 性提高，可以对改性化合物层12附加水蒸气阻隔性能。即，在本实施方式的上述制造手法 中，可以制作兼备充分的导电性和光透射性、且性能稳定性高的（水蒸气阻隔性也优异的） 透明导电性膜10。
[0048][制造方法的变形例]
[0049] 本实施方式的透明导电性膜10的制造手法并不限定于图2A?2C中所示的例子。 例如，可以对在硅氮烷化合物层14上层叠金属层13之前的层叠构件进行上述改性处理 (变形例1)。另外，例如，可以对在硅氮烷化合物层14上层叠金属层13之前及之后的各层 叠构件实施改性处理（变形例2)。
[0050] 图3A?3C中表示变形例1中的透明导电性膜10的制造工序的步骤。予以说明， 图3A?3C的各图为各工序结束时的层叠构件的概略构成剖面图。
[0051] 在变形例1中，首先，与上述实施方式同样地，在基材11的防渗出层（未图示）侧 的表面上形成硅氮烷化合物层14 (图3A的状态）。
[0052] 接着，对在基材11上形成有硅氮烷化合物层14的层叠构件赋予改性能量，将至少 一部分的硅氮烷化合物进行改性，生成改性化合物层12 (图3B的状态）。
[0053] 而且，在改性化合物层12上形成由银或以银为主要成分的合金构成的金属层 13 (图3C的状态）。在变形例1中，这样制作透明导电性膜10。
[0054] 另外，图4A?4D中表示变形例2中的透明导电性膜10的制造工序的步骤。予以 说明，图4A?4D的各图为各工序结束时的层叠构件的概略构成剖面图。
[0055] 在变形例2中，首先，与上述实施方式同样地，在基材11的防渗出层（未图示）侧 的表面上形成硅氮烷化合物层14 (图4A的状态）。
[0056] 接着，对在基材11上形成有硅氮烷化合物层14的层叠构件赋予改性能量，对硅氮 烷化合物层14实施第1改性处理，生成硅氮烷化合物层14的改性化合物层I 5 (图4B的状 态）。予以说明，第1改性处理设为以硅氮烷化合物层14的平滑化为目的，以硅氮烷化合 物层14的表面层没有完全被改性的程度进行。由此，由第1改性处理生成的改性化合物层 15,以在其表面层残留有某种程度的氮的状态来生成，其次，确保与在其上部形成的层的密 合性。
[0057] 接着，在第1改性处理形成的改性化合物层15上形成由银或以银为主要成分的合 金构成的金属层13 (图4C的状态）。而且，对在基材11上形成有改性化合物层15及金属 层13的层叠构件再次赋予改性能量，对改性化合物层15实施第2改性处理，生成对改性化 合物层15进一步进行了改性的改性化合物层12(图4D的状态）。在变形例2中，这样制作 透明导电性膜10。
[0058] 即使在上述的变形例1及2的制造手法中，也可以制作本实施方式的透明导电性 膜10,得到同样的效果。特别是如变形例1及2那样，对层叠金属层13之前的层叠构件实 施了改性处理（在变形例2中为第1改性处理）的情况下，可以更稳定地得到均匀的金属 膜，其结果，即使在其后接下来的层叠工序中，也可以更稳定地制作层叠体。
[0059][各部的构成及改性处理的细节]
[0060] 以下，对构成透明导电性膜10的各部分，更详细地进行说明。
[0061] ⑴基材
[0062] 基材11只要是具有透明性的基材，就可以由任意的基材构成。予以说明，在本实 施方式中，优选由挠性及光透射性优异的树脂膜构成基材11。
[0063] 作为树脂膜，可以使用例如由丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯 (PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN)、聚碳酸酯（PC)、聚芳酯、聚氯 乙烯（PVC)、聚乙烯（PE)、聚丙烯（PP)、聚苯乙烯（PS)、尼龙（Ny)、芳香族聚酰胺、聚醚醚 酮、聚砜、聚醚砜、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺等的材料构成的树脂膜。另外，作为树脂膜，可以 使用由以倍半硅氧烷为基本骨架的材料构成、具有有机无机混合结构的耐热透明膜（例如 Sila-DEC(注册商标）^株式会社制）等。
[0064] 上述各种膜中，在成本或获得的容易性的观点方面，优选使用由聚对苯二甲酸乙 二醇酯（PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN)、聚碳酸酯（PC)构成的 树脂膜。另外，在光学的透明性、耐热性等的观点方面，优选将具有有机无机混合结构的耐 热透明膜作为树脂膜来使用。予以说明，在本实施方式中，既可以分别单独使用上述各种 膜，也可以组合使用2种以上的膜。
[0065] 另外，使用了上述各种树脂膜的基材11，既可以为未拉伸膜，也可以为拉伸膜。该 情况下，可以利用以往公知的一般的手法来制造树脂膜。例如，将作为材料的树脂通过挤出 机而熔融、将该熔融树脂从环状口模或T型口模挤出后，进行骤冷，由此可以以实质上无定 形制造没有取向性的未拉伸膜。另外，可以通过利用未拉伸膜进行单轴拉伸、拉幅机式依次 双轴拉伸、拉幅机式同时双轴拉伸、管式同时双轴拉伸等的公知的方法在树脂基材的流动 (纵轴）方向、或与树脂基材的流动方向正交（横轴）的方向进行拉伸来制造拉伸膜。该情 况的拉伸倍数，可以根据作为树脂基材的原料的树脂来适当选择，例如，各方向的拉伸倍数 优选为约2倍?10倍。
[0066] 作为基材11使用树脂膜的情况下，树脂膜的厚度优选为约5?500μηι，更优选为 约 25 ?250 μ m。
[0067] 另外，作为基材11使用树脂膜的情况下，树脂膜的线膨胀系数优选为约50ppm/°C 以下，更优选为约1?50ppm/°C。通过将树脂膜的线膨胀系数设为5〇ppm/°C以下，在将本 实施方式的透明导电性膜10应用于液晶显示装置（LCD面板）、有机EL元件等的电子器件 的情况下，可以抑制对于环境温度变化等的色偏移的产生、树脂膜（基材11)的变形。
[0068] 予以说明，在本说明书中，所谓"线膨胀系数"，是指通过下述的方法而测定了的线 膨胀系数的值。具体而言，使用EXSTAR TMA/SS6000型热应力变形测定装置（七4 3 - 4 > 乂 V >株式会社制），将基材11在氮氛围下以5? /分钟加热至30?5(TC后，暂时维持其 温度。其后，再次将基材11以5°C /分钟加热至30?15(TC,此时，以拉伸模式（荷重5g) 测定基材11的尺寸变化。而且，由此时的基材11的尺寸变化求出线膨胀系数。
[0069] 另外，在本实施方式中，基材11对于可见光（400nm?700nm)的光透射率，优选为 约80%以上，更优选为约90%以上。通过将基材11的光透射率设为80%以上，在将本实施 方式的透明导电性膜10应用于液晶显示装置（LCD面板）或有机EL元件等的电子器件的 情况下，可以得到高的亮度。
[0070] 予以说明，在本说明书中，所谓"光透射率"，是指：通过使用分光度计（可见紫外 线分光度计uv-2500PC :株式会社岛津制作所制）、根据ASTM D-1003规格测定相对于可见 光线的入射光量的全透过光量而算出的、可见光区域中的平均透射率。
[0071] 另外，在本实施方式中，对于基材11，可以实施电晕处理等的亲水化处理。在该情 况下，可以使基材11与层叠于其上的层的密合性提高。
[0072] 进一步，在本实施方式中，在层叠例如改性化合物层12等的基材11的表面，可以 根据需要设置如下的各种层。例如，也可以在基材11的表面设置锚涂层（易粘接层）。在 该情况下，可以使基材11与改性化合物层12 (或硅氮烷化合物层14)、后述的平滑层的密合 性提尚。
[0073]作为锚涂层的形成材料（锚涂剂），可以使用任意的锚涂剂，例如，优选使用硅烷 偶联剂。在该情况下，可以在基材11上形成从单分子水平到纳米水平的薄膜，可以在层界 面形成分子键，可以得到高的粘接性。
[0074] 另外，例如，可以在由丙烯酸类树脂、硅氧烷聚合物等的材料构成的基材11的表 面设置用于将该基材11的表面平滑化的平滑层。予以说明，平滑层优选为兼具备层间密合 性、应力缓和性、及防止来自基材11等的渗出的性能的层。
[0075] 另外，在本实施方式中，可以在基材11的背面（与层叠改性化合物层12等的面相 反侧的面）设置背涂层。该情况下，可以改良透明导电性膜10的卷曲平衡调整时、器件的 制作过程时的耐性、操作适合性等。
[0076] (2)改性化合物层及其生成手法
[0077] (2_1)改性化合物层的构成
[0078] 改性化合物层12,如上所述，可以通过对硅氮烷化合物层14赋予光、等离子体、热 等的改性能量而生成。通过该改性能量的施加处理（改性处理），硅氮烷化合物层14内的 至少一部分的硅氮烷化合物转换（改性）为具有硅氧烷键的化合物。
[0079] 予以说明，在本实施方式中，既可以为改性化合物层12内部的一部分进行了改性 的状态，也可以为改性化合物层12内部整体进行了改性的状态。在前者的情况下，形成在 改性化合物层12内部混杂了硅氮烷化合物和通过将硅氮烷化合物进行改性而生成了的具 有硅氧烷键的化合物的状态，在后者的情况下，形成在改性化合物层12内部的大致整体范 围内生成了具有硅氧烷键的化合物的状态。
[0080] 另外，改性化合物层12的厚度，优选为约lnm?10 μ m，更优选为约2nm?1 μ m， 最优选为约5?600nm。在本实施方式的透明导电性膜1〇(改性化合物层12)中，优选具有 水蒸气阻隔性，通过将改性化合物层12的膜厚设为lnm以上，可以对透明导电性膜10附加 水蒸气阻隔性。另外，通过将改性化合物层12的膜厚设为10 μ m以下，在改性化合物层12 中难以产生裂缝。
[0081]予以说明，在本说明书中，所谓"具有水蒸气阻隔性"，是指：用根据JIS κ 7129-1的2的方法测定的水蒸气透过度（温度：40±0_5°C、相对湿度（RH) :90±2% )为 0.01gAm2*24h)以下、或用钙法测定的水蒸气透过率为0.01gAm2,24h)以下。予以说明， 在本实施方式中，透明导电性膜 10优选用根据JIS K 7126_1987的方法测定的氧透过度为 〇· 01mlV(m2 · 24h · atm)以下。
[0082] 进一步，在本实施方式中，既可以以单层构成改性化合物层12,也可以以多层构 成。
[0083]例如，将改性化合物层12设为2层构成的情况下，首先，与上述第1实施方式同样 地，在基材上设置第1硅氮烷化合物层。接着，对第1硅氮烷化合物层实施充分的改性处理 而形成第1改性化合物层。接着，在第1改性化合物层上再次层叠第2硅氮烷化合物层。接 着，在第2硅氮烷化合物层上设置由银或以银为主要成分的合金构成的金属层。而且，对形 成有各种层的层叠构件再次实施改性处理。这样，可以制作改性化合物层为2层构成的透 明导电性膜。
[0084] 这样，在设有多个改性化合物层的情况下，可以有效地修复由杂质引起的缺陷、针 孔等的纳米水平的缺陷，可以制作具有更高的水蒸气阻隔性的透明导电性膜。
[0085] (2-2)硅氮烷化合物层
[0086] (2-2-A)硅氮烷化合物
[0087] 作为硅氮烷化合物层14的形成材料的硅氮烷化合物，为在其结构内具有Si-N键 的化合物，且为通过上述改性能量的施加而转换为具有硅氧烷键的化合物的化合物。具体 而言，可以将例如作为无机前体而已知的六甲基二硅氮烷等的硅烷偶联剂、聚硅氮烷等的 硅氮烷化合物作为硅氮烷化合物层14的形成材料来使用。其中，优选将通过赋予改性能量 而有效率地改性为具有硅氧烷键的无机化合物的聚硅氮烷作为硅氮烷化合物层14的形成 材料来使用。
[0088] 聚硅氮烷为其结构内具有Si-N、Si-H、N-Η等键的聚合物，作为Si02、Si具及这些 中间固溶体SiOxNy等的无机前体起作用。予以说明，作为聚硅氮烷，可以使用任意的化合 物，但考虑后述的硅氮烷化合物的改性处理时，优选使用在比较低的温度下变化为陶瓷而 改性为二氧化硅的化合物。具体而言，聚硅氮烷，优选为例如日本特开平8-112879号公报 中记载的具有由下述通式（1)表示的单元构成的主骨架的化合物。
[0089] [化学式1]
[0090]

【权利要求】
1. 一种透明导电性膜的制造方法，其包含： 在基材上形成含有硅氮烷化合物的化合物层； 对所述化合物层赋予能量而将至少一部分的所述硅氮烷化合物转换为具有硅氧烷键 的化合物来将所述化合物层进行改性； 在改性前的所述化合物层上、或改性后的所述化合物层上形成由银或以银为主要成分 的合金形成、具有透明性的金属层。
2. 根据权利要求1所述的透明导电性膜的制造方法，其中，所述化合物的改性在形成 所述金属层前及形成了金属层后的至少一种情况下进行。
3. 根据权利要求1或2所述的透明导电性膜的制造方法，其中，所述硅氮烷化合物为聚 硅氮烷。
4. 根据权利要求1?3的任一项所述的透明导电性膜的制造方法，其中，通过紫外线照 射、等离子体照射及加热的任意的方法对所述化合物层赋予能量。
5. 根据权利要求4所述的透明导电性膜的制造方法，其中，所述紫外线照射为真空紫 外线照射。
6. 根据权利要求1?5的任一项所述的透明导电性膜的制造方法，进一步包含：在所 述化合物层和所述金属层之间形成具有以氮原子作为杂原子的杂环的杂环化合物层。
7. -种透明导电性膜，其为通过权利要求1?6的任一项所述的透明导电性膜的制造 方法而制造了的。
8. -种透明导电性膜，其具备： 基材； 设于所述基材上、含有通过将硅氮烷化合物进行改性而得到了的具有硅氧烷键的化合 物的改性化合物层； 设于所述改性化合物层上、由银或以银为主要成分的合金形成、具有透明性的金属层。
9. 根据权利要求8所述的透明导电性膜，其中，所述改性化合物层含有硅氮烷化合物 和所述具有硅氧烷键的化合物。
10. 根据权利要求8或9所述的透明导电性膜，其中，所述改性化合物层具有水蒸气阻 隔性。
11. 根据权利要求8?10的任一项所述的透明导电性膜，其中，进一步在所述改性化合 物层和所述金属层之间具备具有以氮原子作为杂原子的杂环的杂环化合物层。
12. -种电子器件，其具备透明导电性膜，所述透明导电性膜具有：基材；设于所述基 材上、含有通过将硅氮烷化合物进行改性而得到的具有硅氧烷键的化合物的改性化合物 层；设于所述改性化合物层上、由银或以银为主要成分的合金形成、具有透明性的金属层。
【文档编号】H05B33/28GK104246918SQ201380020474
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2013年4月15日 优先权日:2012年4月19日
【发明者】竹村千代子 申请人:柯尼卡美能达株式会社