专利名称：一种硅片清洗方法
技术领域：
本发明涉及一种硅片清洗方法，属于硅片加工的技术领域。
背景技术：
硅片是一种硅材料通过加工切成一片一片而形成的。从而硅材料到可使用的硅片要经过切割、清洗等多道工序。随着社会的发展，硅片的使用越来越多，硅片的加工也受取更多的关注。清洗作为硅片的一个生产工序之一，其清洗的好坏对硅片的使用性能有着很大的影响。传统的清洗方法采用的是超声波清洗，这种清洗方法将硅片安装在清洗篮内，通入去离子水，再利用超声波对硅片进行清洗，通常清洗6-8道工序，每道工序为10-15分钟，再经过漂洗、甩干即可。该方法存在以下不足不之处1、由于硅片竖插在清洗篮中，超声波波源从底部向上发散，存在超声波存在梯度问题，使硅片的清洗不均勻，清洗的洁净度有限；2、由于通过清洗篮由聚四氟材料加工而成，该材料具有一定阻挡和吸收超声波的作用，使超声波的发散不均勻，从而，影响了硅片的清洗。
发明内容
本发明所要解决的问题是提供一种硅片清洗方法，该方法操作方便，可有效地去除附着在硅片上的残留研磨砂和杂质，确保硅片表面清洁度。为了解决上述技术问题，本发明一种硅片清洗方法，包括如下步骤A、粗洗将硅片放入硅片清洗篮内，将载有硅片的清洗篮浸入去离子水中在超声波作用下进行粗洗；超声波频率为80KHz，粗洗时间为15分钟；B、浸泡室温中将粗洗后的硅片的放入柠檬酸中浸泡，柠檬酸的质量百分比浓度为10%，浸上泡时间为30分钟；再浸入煤油中浸泡20分钟；C、清洗将浸泡后的硅片浸入去离子水中，进行清洗；去离子水中含有绒毛颗粒， 绒毛颗粒的含量为20%，按体积比计算；清洗进程中，硅片在去离子水中旋转，硅片旋转的速度为20r/min，转动1-2分钟；再反向旋转，硅片旋转的速度为20r/min，转动1_2分钟；反复多次，清洗总时间为6 20分钟，清洗温度为30 85°C ；D、干燥将上述清洗后的硅片进行氮气干燥处理，氮气流速为12m/s。上述的硅片清洗方法，其中，所述氮气经过加温处理，氮气的温度为20°C，氮气的纯度为99% (按质量百分比计算)。上述的硅片清洗方法，其中，氮气的出口设有挡板，所述挡板上均勻设有多个出气孔。上述的硅片清洗方法，其中，绒毛颗粒的粒度为200um。本发明的有益效果本发明通过正反旋转，对硅片进行清单，可有效地去除附着在硅片上的残留研磨砂和杂质，确保硅片表面清洁度，另外，本发明不需要有相当大的清洗装置和大量的清洗液，消耗大量的电力以及花费许多时间，该方法可以有效的节约空间、节约成本、节约能源、 节约时间及良好的清洗效果，且该方法成本低、操作简单，环境污染小。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。
为了解决上述技术问题，本发明一种硅片清洗方法，包括如下步骤
A、粗洗将硅片放入硅片清洗篮内，将载有硅片的清洗篮浸入去离子水中在超声波作用下进行粗洗；超声波频率为80KHz，粗洗时间为15分钟；
B、浸泡室温中将粗洗后的硅片的放入柠檬酸中浸泡，柠檬酸的质量百分比浓度为10%，浸上泡时间为30分钟；再浸入煤油中浸泡20分钟；
C、清洗将浸泡后的硅片浸入去离子水中，进行清洗；去离子水中含有绒毛颗粒， 绒毛颗粒的含量为20%，按体积比计算；清洗进程中，硅片在去离子水中旋转，硅片旋转的速度为20r/min，转动1-2分钟；再反向旋转，硅片旋转的速度为20r/min，转动1_2分钟；反复多次，清洗总时间为6 20分钟，清洗温度为30 85°C;绒毛颗粒的粒度为200um ；通过正、反转清洗硅片，不仅可使硅片得到充分清洗，而且可使去离子水中的绒毛颗粒分布更加均勻，避免沉积；另外，可调节硅片清洗的面，消除了因承载硅片的清洗篮的阻挡造成硅片表面局部区域清洗不干净的现象，从而，使硅片的清洗更加彻底、干净；可使硅片洗后无水痕，更加光亮。D、干燥将上述清洗后的硅片进行氮气干燥处理，氮气流速为12m/s。
为了使硅片的干燥彻底、提高速度可对所述氮气经过加温处理，使氮气的温度达到20°C，氮气的纯度为99% (按质量百分比计算)，
为了使氮气流过时更加均勻，可在氮气的出口设有挡板，所述挡板上均勻设有多个出气孔，出气孔将降低氮气流动的粒度，使氮气流动更加均勻，使硅片受的氮气均勻，使硅片的干燥均勻。
清洗过程中，可在去离子水的上面喷盖一层惰性气体，如氮气，避免硅片被氧化。
实施例一
一种硅片清洗方法，包括如下步骤
A、粗洗将硅片放入硅片清洗篮内，将载有硅片的清洗篮浸入去离子水中在超声波作用下进行粗洗；超声波频率为80KHz，粗洗时间为15分钟；
B、浸泡室温中将粗洗后的硅片的放入柠檬酸中浸泡，柠檬酸的质量百分比浓度为10%，浸上泡时间为30分钟；再浸入煤油中浸泡20分钟；
C、清洗将浸泡后的硅片浸入去离子水中，进行清洗；去离子水中含有绒毛颗粒， 绒毛颗粒的含量为20%，按体积比计算；清洗进程中，硅片在去离子水中旋转，硅片旋转的速度为20r/min，转动2分钟；再反向旋转，硅片旋转的速度为20r/min，转动1分钟；反复2 次，清洗总时间为6分钟，清洗温度为30°C ；绒毛颗粒的粒度为200um ；
D、干燥将上述清洗后的硅片进行氮气干燥处理，氮气流速为12m/s。
实施例二
一种硅片清洗方法，包括如下步骤
A、粗洗将硅片放入硅片清洗篮内，将载有硅片的清洗篮浸入去离子水中在超声波作用下进行粗洗；超声波频率为80KHz，粗洗时间为15分钟；B、浸泡室温中将粗洗后的硅片的放入柠檬酸中浸泡，柠檬酸的质量百分比浓度为10%，浸上泡时间为30分钟；再浸入煤油中浸泡20分钟；C、清洗将浸泡后的硅片浸入去离子水中，进行清洗；去离子水中含有绒毛颗粒， 绒毛颗粒的含量为20%，按体积比计算；清洗进程中，硅片在去离子水中旋转，硅片旋转的速度为20r/min，转动2分钟；再方向旋转，硅片旋转的速度为20r/min，转动2分钟；反复4 次，清洗总时间为12分钟，清洗温度为55°C ；绒毛颗粒的粒度为200um ；D、干燥将上述清洗后的硅片进行氮气干燥处理，氮气流速为12m/s。实施例三一种硅片清洗方法，包括如下步骤A、粗洗将硅片放入硅片清洗篮内，将载有硅片的清洗篮浸入去离子水中在超声波作用下进行粗洗；超声波频率为80KHz，粗洗时间为15分钟；B、浸泡室温中将粗洗后的硅片的放入柠檬酸中浸泡，柠檬酸的质量百分比浓度为10%，浸上泡时间为30分钟；再浸入煤油中浸泡20分钟；C、清洗将浸泡后的硅片浸入去离子水中，进行清洗；去离子水中含有绒毛颗粒， 绒毛颗粒的含量为20%，按体积比计算；清洗进程中，硅片在去离子水中旋转，硅片旋转的速度为20r/min，转动2分钟；再方向旋转，硅片旋转的速度为20r/min，转动2分钟；反复多次，清洗总时间为20分钟，清洗温度为85°C ；绒毛颗粒的粒度为200um ；D、干燥将上述清洗后的硅片进行氮气干燥处理，氮气流速为12m/s。最后有必要在此指出的是，上述说明并非是对本发明的限制，本发明也并不限于上述举例，本领域的技术人员，在本发明的实质范围内，所作出的变化、改型、添加或替换， 都将属于本发明的保护范围。
权利要求
1.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括如下步骤A、粗洗将硅片放入硅片清洗篮内，将载有硅片的清洗篮浸入去离子水中在超声波作用下进行粗洗；超声波频率为80KHz，粗洗时间为15分钟；B、浸泡室温中将粗洗后的硅片的放入柠檬酸中浸泡，柠檬酸的质量百分比浓度为 10%，浸上泡时间为30分钟；再浸入煤油中浸泡20分钟；C、清洗将浸泡后的硅片浸入去离子水中，进行清洗；去离子水中含有绒毛颗粒，绒毛颗粒的含量为20%，按体积比计算；清洗进程中，硅片在去离子水中旋转，硅片旋转的速度为20r/min，转动1-2分钟；再反向旋转，硅片旋转的速度为20r/min，转动1_2分钟；反复多次，清洗总时间为6 20分钟，清洗温度为30 85°C ；D、干燥将上述清洗后的硅片进行氮气干燥处理，氮气流速为12m/s。
2.如权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述氮气经过加温处理，氮气的温度为20°C，氮气的纯度为99% (按质量百分比计算)。
3.如权利要求1或2所述的硅片清洗方法，其特征在于，氮气的出口设有挡板，所述挡板上均勻设有多个出气孔。
4.如权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，绒毛颗粒的粒度为200um。
全文摘要
本发明提供了一种硅片清洗方法，包括粗洗、浸泡、清洗、干燥的步骤，本发明通过正反旋转，对硅片进行清单，可有效地去除附着在硅片上的残留研磨砂和杂质，确保硅片表面清洁度，另外，本发明不需要有相当大的清洗装置和大量的清洗液，消耗大量的电力以及花费许多时间，该方法可以有效的节约空间、节约成本、节约能源、节约时间及良好的清洗效果，且该方法成本低、操作简单，环境污染小。
文档编号B08B7/04GK102489478SQ20111044838
公开日2012年6月13日 申请日期2011年12月29日 优先权日2011年12月29日
发明者聂金根 申请人:镇江市港南电子有限公司