玻璃基板的蚀刻方法及蚀刻浸泡装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种玻璃基板的蚀刻方法及蚀刻浸泡装置，该玻璃基板的蚀刻方法包括如下步骤：步骤1.提供待蚀刻的玻璃基板(1)、刻蚀槽(3)、蚀刻药液及供给管路(7)；步骤2.在刻蚀槽(3)内设置一浸泡槽(9)；步骤3.所述供给管路(7)向浸泡槽(9)内注入蚀刻药液直至注入预定量的蚀刻药液；步骤4.将待蚀刻的玻璃基板(1)送入刻蚀槽(3)内；步骤5.升高浸泡槽(9)直至其内蚀刻药液完全浸没玻璃基板(1)；步骤6.达到预定浸泡时间后，降低浸泡槽(9)露出玻璃基板(1)。该玻璃基板的蚀刻方法简单、易操作，能够缩短蚀刻制程时间，提高生产效率。
【专利说明】玻璃基板的蚀刻方法及蚀刻浸泡装置
【技术领域】
[0001] 本发明涉及液晶显示器的制程领域，尤其涉及一种玻璃基板的蚀刻方法及蚀刻浸 泡装置。
【背景技术】
[0002] 液晶显示器（Liquid Crystal Display, LCD)具有机身薄、省电、无福射等众多优 点，得到了广泛的应用，如：移动电话、个人数字助理（PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记 本电脑屏幕等。
[0003] 薄膜晶体管液晶显不器一般包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背 光模组（Backlight module)。其中，液晶面板的结构是由一薄膜晶体管阵列基板（Thin Film Transistor Array Substrate, TFT Array Substrate) >一彩色滤光片基板（Color Filter, CF)、以及一配置于两基板间的液晶层（Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过 在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射 出来产生画面。
[0004] 上述TFT-IXD的制程过程一般包括：前段阵列（Array)制程，主要是制造 TFT基板 及CF基板；中段成盒（Cell)制程，主要是将TFT基板与CF基板贴合，在二者之间添加液晶， 形成液晶面板；及后段模组组装制程，主要是将液晶面板与背光模组、PCB等其它零部件进 行组装。
[0005] 前段阵列制程又包括：玻璃基板的清洗与干燥、镀膜、涂光刻胶、曝光、显影、蚀刻、 去除光刻胶等制程。蚀刻制程分为干法蚀刻与湿法蚀刻。湿法蚀刻是使用液体化学试剂， 即蚀刻药液以化学腐蚀的方式去除无光刻胶覆盖的薄膜，以在玻璃基板上形成所需的电路 图案。
[0006] 现有技术中，对TFT-LCD的玻璃基板进行湿法蚀刻有喷淋和浸泡两种方式。浸泡 是将玻璃基板完全浸入蚀刻药液进行蚀刻。请参阅图1、图2,传统的对TFT-LCD的玻璃基 板进行浸泡的方法，主要包括：步骤Γ、传动装置100将待蚀刻的玻璃基板200输送入刻蚀 槽300内，数个挡板400上升构成一容置空间；步骤2'、供给管路500向该由数个挡板400 上升构成的容置空间内注入蚀刻药液，直至待蚀刻的玻璃基板200完全浸入蚀刻药液，进 行浸泡蚀刻。上述方法需要先将玻璃基板200输送至刻蚀槽300内，再注满蚀刻药液，才能 进行浸泡蚀刻，造成蚀刻制程的时间较长，不利于提高生产效率。
【发明内容】
[0007] 本发明的目的在于提供一种玻璃基板的蚀刻方法，能够缩短蚀刻制程时间，提高 生产效率。
[0008] 本发明的目的还在于提供一种蚀刻浸泡装置，能够使得蚀刻药液在极短的时间内 浸没送到的待蚀刻的玻璃基板，利于提高生产效率，且结构简单、易实现。
[0009] 为实现上述目的，本发明提供一种玻璃基板的蚀刻方法，包括如下步骤：
[0010] 步骤1、提供待蚀刻的玻璃基板、刻蚀槽、蚀刻药液及供给管路；
[0011] 步骤2、在刻蚀槽内设置一浸泡槽；
[0012] 步骤3、所述供给管路向浸泡槽内注入蚀刻药液直至注入预定量的蚀刻药液；
[0013] 步骤4、将待蚀刻的玻璃基板送入刻蚀槽内；
[0014] 步骤5、升高浸泡槽直至其内蚀刻药液完全浸没玻璃基板；
[0015] 步骤6、达到预定浸泡时间后，降低浸泡槽露出玻璃基板。
[0016] 所述浸泡槽的材质为PVC。
[0017] 所述供给管路位于浸泡槽的一侧以注入蚀刻药液。
[0018] 所述浸泡槽的底部两端设有气缸，为步骤5与步骤6中所述浸泡槽的升降提供动 力。
[0019] 所述步骤4通过传动装置将待蚀刻的玻璃基板送入刻蚀槽内，所述传动装置包括 数个位于刻蚀槽内的滚轮，所述浸泡槽包围该数个滚轮，在步骤5升高该浸泡槽后，所述数 个滚轮位于浸泡槽内。
[0020] 在所述步骤3注入到预定量的蚀刻药液时，所述步骤4将待蚀刻的玻璃基板送入 到刻蚀槽内预定的位置。
[0021] 所述玻璃基板为用于TFT-IXD的玻璃基板。
[0022] 本发明还提供一种玻璃基板的蚀刻浸泡装置，包括刻蚀槽、传动装置、浸泡槽、及 供给管路，所述浸泡槽位于刻蚀槽内，所述传动装置包括数个位于刻蚀槽内的滚轮，所述浸 泡槽包围该数个滚轮，所述供给管路用于供给蚀刻药液给浸泡槽。
[0023] 所述浸泡槽的材质为PVC。
[0024] 该蚀刻浸泡装置还包括设于所述浸泡槽的底部两端的气缸，为所述浸泡槽于刻蚀 槽内的升降提供动力。
[0025] 本发明的有益效果：本发明玻璃基板的蚀刻方法，在刻蚀槽内设置浸泡槽，在玻璃 基板进入刻蚀槽之前向所述浸泡槽内注入预定量的蚀刻药液，在玻璃基板进入刻蚀槽之后 立即通过气缸升高浸泡槽，使玻璃基板瞬时完全浸入蚀刻药液，减少了蚀刻制程的时间，提 高了生产效率；本发明蚀刻浸泡装置，通过在刻蚀槽内设置浸泡槽，并在浸泡槽的底部两端 设置气缸，由气缸实现浸泡槽的快速升降，能够使得蚀刻药液在极短的时间内浸没玻璃基 板，利于提高生产效率，且结构简单、易实现。
[0026] 为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细 说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
【专利附图】
【附图说明】
[0027] 下面结合附图，通过对本发明的【具体实施方式】详细描述，将使本发明的技术方案 及其它有益效果显而易见。附图中，
[0028] 图1为现有的玻璃基板的蚀刻浸泡方法步骤Γ的示意图；
[0029] 图2为现有的玻璃基板的蚀刻浸泡方法步骤2'的示意图；
[0030] 图3为本发明玻璃基板的蚀刻方法的流程图；
[0031] 图4为本发明玻璃基板的蚀刻浸泡装置的结构示意图；
[0032] 图5为本发明玻璃基板的蚀刻方法的步骤4的示意图；
[0033] 图6为本发明玻璃基板的蚀刻方法的步骤5的示意图。
【具体实施方式】
[0034] 为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施 例及其附图进行详细描述。
[0035] 请参阅图3至图6,本发明提供一种玻璃基板的蚀刻方法，包括如下步骤：
[0036] 步骤1、提供待蚀刻的玻璃基板1、刻蚀槽3、蚀刻药液6及供给管路7 ;
[0037] 步骤2、在刻蚀槽3内设置一浸泡槽9 ;
[0038] 步骤3、所述供给管路7向浸泡槽9内注入蚀刻药液6直至注入预定量的蚀刻药液 6 ；
[0039] 步骤4、将待蚀刻的玻璃基板1送入刻蚀槽3内；
[0040] 步骤5、升高浸泡槽9直至其内蚀刻药液6完全浸没玻璃基板1 ;
[0041] 步骤6、达到预定浸泡时间后，降低浸泡槽9露出玻璃基板1。
[0042] 具体的，所述步骤1中待蚀刻的玻璃基板1为用于TFT-LCD的玻璃基板；所述供给 管路7 -端置于刻蚀槽3内，另一端插入储存于机台（未图示）内的蚀刻药液中，用于供给 蚀刻药液6给后续所述步骤3中的浸泡槽9。
[0043] 所述步骤2为在刻蚀槽3内设置一浸泡槽9。所述浸泡槽9用于盛装蚀刻药液6, 以对玻璃基板1进行蚀刻浸泡，其由具有耐腐蚀性的材料制成，优选的，所述浸泡槽9由PVC 制成。特别需要指出的是，所述浸泡槽9的底部两端分别设有一气缸11，所述气缸11作为 动力源，为后续步骤5、步骤6中所述浸泡槽9的升降提供动力。
[0044] 所述步骤3为所述供给管路7向浸泡槽9内注入蚀刻药液6直至注入预定量的蚀 刻药液6。所述供给管路7位于所述浸泡槽9的一侧，并对准浸泡槽9,以注入蚀刻药液6 ; 所述预定量的蚀刻药液6,能够保证在后续步骤5中完全浸没所述玻璃基板1。
[0045] 当所述步骤3注入预定量的蚀刻药液6完成时，进入步骤4,将待蚀刻的玻璃基板 1送入刻蚀槽3内预定的位置。在所述步骤4中，通过传动装置13将待蚀刻的玻璃基板1 送入刻蚀槽3内；所述传动装置13包括数个位于刻蚀槽3内的滚轮131，所述浸泡槽9包围 该数个滚轮131 ;进一步的，所述数个滚轮131平行排布于玻璃基板1的上下两侧。此时， 盛装有预定量的蚀刻药液6的浸泡槽9位于待蚀刻的玻璃基板1的下方。
[0046] 所述步骤5中，通过所述气缸11升高浸泡槽9直至其内蚀刻药液完全浸没玻璃基 板1,相应的，此时所述数个滚轮131也位于浸泡槽9内。此过程可在瞬时内完成，玻璃基板 1在极短时间内即完全浸入蚀刻药液，能够减少蚀刻制程的时间，提高生产效率。
[0047] 当达到预定浸泡时间后，进行步骤6的操作，通过所述气缸11降低浸泡槽9露出 玻璃基板1，完成对所述玻璃基板1的蚀刻。通过气缸11可以实现快速让蚀刻药液6离开 玻璃基板，从而更快速进入下一个操作步骤，提高效率。
[0048] 请参阅图4,本发明还提供一种玻璃基板的蚀刻浸泡装置，包括刻蚀槽3、传动装 置13、浸泡槽9及供给管路7。
[0049] 所述浸泡槽9用于盛装蚀刻药液6,其位于刻蚀槽3内，并且所述浸泡槽9可于所 述刻蚀槽3内进行升降；所述传动装置13用于传送玻璃基板1至所述刻蚀槽3内的预定位 置，其包括数个位于刻蚀槽3内的滚轮131，该数个滚轮131平行排布于玻璃基板1的上下 两侧，所述浸泡槽9包围该数个滚轮131 ;所述供给管路7位于所述浸泡槽9的一侧，并对 准浸泡槽9,用于供给蚀刻药液6给浸泡槽9。
[0050] 所述浸泡槽9的材质为PVC，具有耐腐蚀性。
[0051] 值得一提的是，该玻璃基板的蚀刻浸泡装置还包括设于所述浸泡槽9的底部两端 的气缸11，其作为动力源为所述浸泡槽9于刻蚀槽3内的升降提供动力。在玻璃基板1进 入刻蚀槽3之前，所述浸泡槽9在刻蚀槽3内处于低位，所述供给管路7向浸泡槽9内注 入预定量的蚀刻药液6 ;当所述传动装置13传送玻璃基板1至所述刻蚀槽3内的预定位置 时，所述气缸11立即带动所述浸泡槽9快速升高，使得所述浸泡槽9内的蚀刻药液6在极 短的时间内浸没玻璃基板1 ;当达到预定的蚀刻浸泡时间后，所述气缸11再带动所述浸泡 槽9下降返回至初始位置。
[0052] 综上所述，本发明的玻璃基板的蚀刻方法，在刻蚀槽内设置浸泡槽，在玻璃基板进 入刻蚀槽之前向所述浸泡槽内注入预定量的蚀刻药液，在玻璃基板进入刻蚀槽之后立即通 过气缸升高浸泡槽，使玻璃基板瞬时完全浸入蚀刻药液，减少了蚀刻制程的时间，提高了生 产效率；本发明玻璃基板的蚀刻浸泡装置，通过在刻蚀槽内设置浸泡槽，并在浸泡槽的底部 两端设置气缸，由气缸实现浸泡槽的快速升降，能够使得蚀刻药液在极短的时间内浸没玻 璃基板，利于提商生广效率，且结构简单、易实现。
[0053] 以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术 构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的 保护范围。
【权利要求】
1. 一种玻璃基板的蚀刻方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、提供待蚀刻的玻璃基板（1)、刻蚀槽（3)、蚀刻药液（6)及供给管路（7); 步骤2、在刻蚀槽（3)内设置一浸泡槽（9); 步骤3、所述供给管路（7)向浸泡槽（9)内注入蚀刻药液（6)直至注入预定量的蚀刻药 液⑶； 步骤4、将待蚀刻的玻璃基板（1)送入刻蚀槽（3)内； 步骤5、升高浸泡槽（9)直至其内蚀刻药液（6)完全浸没玻璃基板（1); 步骤6、达到预定浸泡时间后，降低浸泡槽（9)露出玻璃基板（1)。
2. 如权利要求1所述的玻璃基板的蚀刻方法，其特征在于，所述浸泡槽（9)的材质为 PVC。
3. 如权利要求1所述的玻璃基板的蚀刻方法，其特征在于，所述供给管路（7)位于浸泡 槽（9)的一侧以注入蚀刻药液（6)。
4. 如权利要求1所述的玻璃基板的蚀刻方法，其特征在于，所述浸泡槽（9)的底部两端 设有气缸（11)，为步骤5与步骤6中所述浸泡槽（9)的升降提供动力。
5. 如权利要求1所述的玻璃基板的蚀刻方法，其特征在于，所述步骤4通过传动装置 (13)将待蚀刻的玻璃基板（1)送入刻蚀槽（3)内，所述传动装置（13)包括数个位于刻蚀 槽（3)内的滚轮（131)，所述浸泡槽（9)包围该数个滚轮（131)，在步骤5升高该浸泡槽（9) 后，所述数个滚轮（131)位于浸泡槽（9)内。
6. 如权利要求1所述的玻璃基板的蚀刻方法，其特征在于，在所述步骤3注入到预定量 的蚀刻药液（6)时，所述步骤4将待蚀刻的玻璃基板（1)送入到刻蚀槽（3)内预定的位置。
7. 如权利要求1所述的玻璃基板的蚀刻方法，其特征在于，所述玻璃基板（1)为用于 TFT-IXD的玻璃基板。
8. -种蚀刻浸泡装置，其特征在于，包括刻蚀槽（3)、传动装置（13)、浸泡槽（9)、及供 给管路（7)，所述浸泡槽（9)位于刻蚀槽（3)内，所述传动装置（13)包括数个位于刻蚀槽 (3)内的滚轮（131)，所述浸泡槽（9)包围该数个滚轮（131)，所述供给管路（7)用于供给蚀 刻药液（6)给浸泡槽（9)。
9. 如权利要求8所述的蚀刻浸泡装置，其特征在于，所述浸泡槽（9)的材质为PVC。
10. 如权利要求8所述的蚀刻浸泡装置，其特征在于，还包括设于所述浸泡槽（9)的底 部两端的气缸（11)，为所述浸泡槽（9)于刻蚀槽（3)内的升降提供动力。
【文档编号】C03C15/00GK104045242SQ201410298834
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2014年6月26日 优先权日:2014年6月26日
【发明者】李嘉 申请人:深圳市华星光电技术有限公司