专利名称：电子照相感光体、电子照相感光体的制造方法及图像形成装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及电子照相感光体、电子照相感光体的制造方法及使用该感光体的图像形成装置，尤其涉及能够有效抑制产生曝光记忆的电子照相感光体以及使用该感光体的图像形成装置。
背景技术：
在复印机和激光打印机等电子照相设备中所使用的电子照相感光体中，出于低价格和低环境污染性等要求，近年来，大多使用有机感光体。
使用这种有机感光体的图像形成方法包括以下工序使有机感光体的表面带电的主带电工序、在带电的有机感光体上形成静电潜影的曝光工序、通过对有机感光体施加显影偏压对所形成的静电潜影进行调色剂显影的显影工序、通过翻转显影方式将所形成的调色剂像转印到转印纸上的转印工序、以及通过加热定影所转印的调色剂像进行规定的图像形成的定影工序。
并且，所述图像形成方法还包括以下工序通过清洁刮板除去在所述显影工序之后残留在有机感光体上的调色剂的清洁工序，以及使用LED等消去残留在有机感光体上的电荷的电荷去除工序。
由于这种有机感光体是通过旋转的方式来使用的，因此存在所谓的曝光记忆现象的问题。具体地说，在某一循环中，即使经过主带电工序，由于在上一循环中曝光的部分残留有电位(明电位)，导致不能够得到所希望的带电电位(暗电位)部分，产生这种问题。在产生曝光记忆现象的情形中，由于存在曝光记忆的部分与不存在曝光记忆的部分的图像浓度发生变化，因此不能得到良好的图像。
因此，为了提供即使反复使用、电位的变化也很少的电子照相感光体，在日本特开平7-36204号公报中，公开了一种电子照相感光体，即在负带电积层型有机感光体(negative-charged multilayer typeorganic photoconductor)中使用特定的电荷输送剂，且限定电荷输送层和电荷发生层各自的离子化势值的差。
但是，所述公开的电子照相感光体为负带电积层型有机感光体，用所公开的方式，不能抑制在例如正带电单层型感光体等其他类型的感光体上所产生曝光记忆。例如，正带电单层型感光体那样，在电子输送距离长的感光体的情形中，容易产生曝光记忆，特别是在安装有所述正带电单层型感光体等、且不具有电荷去除单元的图像形成装置中，产生曝光记忆的问题更明显。
作为正带电单层型感光体的电子输送距离影响曝光记忆的主要原因，可以举出尚未开发出具有与空穴输送剂的移动度同等移动度的电子输送剂、单层型感光体的电荷输送效率比积层型感光体的电荷输送效率低、等等。
另外，在电子照相感光体中，不仅要求抑制所述曝光记忆的产生，而且，为了适应图像形成装置的高速化，还要求对曝光具有高灵敏度。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够有效抑制产生曝光记忆的电子照相感光体和该感光体的制造方法以及使用该感光体的图像形成装置。
本发明提供的电子照相感光体，包括导电性基体和在该导电性基体上的单层型感光层，所述单层型感光层包含电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂、以及粘合树脂，所述电荷产生剂包含氧代钛氧基酞菁系化合物(oxotitanyl phthalocyanine)的晶体，所述电子输送剂包含还原电位值在-0.97～-0.83V范围内的电子输送剂，且对于波长700nm的光，所述感光层的反射吸光度A、所述感光层的膜厚d(m)、以及所述感光层中的所述晶体的浓度C(重量％)满足下述数学式(1)的关系A·C-1·d-1＞1.75×104(重量％-1·m-1) (1)。
还有，本发明提供的电子照相感光体的制造方法，是在导电性基体表面上形成单层的感光层，所述感光层包含含有氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体的电荷产生剂、空穴输送剂、还原电位值在-0.97～-0.83V范围内的电子输送剂、及粘合树脂；求出所形成的感光层对于波长700nm的光的反射吸光度A、膜厚d(m)、及所述感光层中的所述晶体的浓度C(重量％)，并选择满足下述数学式(1)的电子照相感光体，A·C-1·d-1＞1.75×104(重量％-1·m-1) (1)。
另外，本发明提供的图像形成装置，具备所叙述的电子照相感光体。
按照本发明，可以有效地抑制曝光记忆的产生。因此可以得到有效抑制曝光记忆、且曝光时的灵敏度高的图像形成装置。
图1A～图1C为说明本发明第一实施方式的单层型感光体的结构的示意图。
图2为表示电子输送剂的还原电位与曝光记忆电位之间关系的曲线图。
图3为表示数学式(1)的左边的值与曝光记忆电位之间关系的曲线图。
图4为表示本发明第二实施方式的图像形成装置结构的示意图。
图5为实施例中用作电荷产生剂的TiOPc-A的示差扫描热量分析图。
图6A和图6B为用于说明感光层的反射吸光度的测定方法的示意图。
图7为实施例中用作电荷产生剂的TiOPc-B的示差扫描热量分析图。
具体实施例方式
第一实施方式本发明的第一实施方式为一种电子照相感光体，该电子照相感光体包括导电性基体和在所述导电性基体上的单层型感光层，所述单层型感光层包含电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂、以及粘合树脂，所述电荷产生剂包含氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体，所述电子输送剂包含还原电位值在-0.97～-0.83V范围内的电子输送剂，且对于波长700nm的光，所述感光层的反射吸光度A、所述感光层的膜厚d(m)、以及所述感光层中的所述晶体的浓度C(重量％)满足下述数学式(1)的关系A·C-1·d-1＞1.75×104(重量％-1·m-1) (1)。
下面，针对第一实施方式的电子照相感光体进行说明。
如图1A所示，第一实施方式的电子照相感光体10在导电性基体12表面上具有单层的感光层14。感光层14为单层，包含作为电荷产生剂的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体、空穴输送剂、电子输送剂、及粘合树脂。通过使单层中包含空穴输送剂及电子输送剂，可有效地输送从作为电荷产生剂的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体在曝光时所产生的电荷。
另外，如图1B所示的感光体10’那样，电子照相感光体可以在导电性基体12与感光层14之间在不阻碍感光体特性的范围内形成阻挡层16。另外，如图1C所示的单层型感光体10”那样，可以在感光层14的表面上形成保护层18。
在本实施方式的感光层14中，包含作为电荷产生剂的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体。
作为氧代钛氧基酞菁系化合物，优选使用如下述通式(1)所表示的化合物。在使用现有技术所通常使用的无金属酞菁作为电荷产生剂的情形中，不能得到灵敏度充分高的电子照相感光体。另一方面，在使用如通式(1)所表示的氧代钛氧基酞菁系化合物的情形中，由于能够提高量子产率，因而能够得到灵敏度充分高的电子照相感光体。
通式(1)中，X1、X2、X3、及X4可以是相同的或者各不相同的取代基或原子，并表示氢原子、卤原子、烷基、烷氧基、氰基、或者硝基，重复数a、b、c及d分别表示1～4的整数，并且可以分别是相同的或者不同的。
作为通式(1)所表示的氧代钛氧基酞菁系化合物的具体实例，可以列举出下式(2)所表示的氧代钛氧基酞菁(TiOPc)。
另外，氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体优选为具有Y型晶体结构。在使用量子产率约90％的具有Y型晶体结构的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体的情形中，由于电荷产生剂的量子产率显著提高，因此对曝光的灵敏度提高。即，利用氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体的高量子产率，能够根据通过曝光所照射的光有效地产生电荷，从而得到对曝光灵敏度充分高的电子照相感光体。
在氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体具有下述(a)或(b)的热特性的情形中，由于形成感光层14的感光层用涂布液中的晶体的经时稳定性和分散性优良，故优选。
(a)在示差扫描热量分析中，除了由于吸附水的气化所产生的信号峰之外，在50～400℃的范围内不存在信号峰。
(b)在示差扫描热量分析中，除了由于吸附水的气化所产生的信号峰之外，在大于等于50℃且小于200℃的范围内不存在信号峰，但是在大于等于200℃且小于等于400℃的范围内有一个信号峰。
更具体地说，在氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体具有(a)的热特性的情形中，形成难以引起晶体转变的稳定的晶体。因此，所制造的感光层用涂布液，即使在储藏一定时间之后再使用的情形中，也难以产生由于感光层用涂布液中所包含的四氢呋喃等有机溶剂的作用所引起的Y型晶体转变为α型晶体或者β型晶体的现象，结果是，保持了电荷产生特性优良的Y型晶体。
另外，在氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体具有(b)的热特性的情形中，由于感光层用涂布液中的晶体的经时稳定性和分散性更优良，故优选。
更具体地说，在氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体具有(b)的热特性的情形中，在有机溶剂中，氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体的晶型难以转变，同时感光层涂布液中的分散性也变得良好。即，在制备用于形成感光层14的感光层用涂布液时，难以产生Y型晶体转变为α型晶体或β型晶体的现象，并且对感光层用涂布液的分散性特别优良，因此，在对所形成的感光层14进行曝光时，能够有效地产生电荷。此外，利用该良好的分散性，由于能在氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体与电荷输送剂之间有效地进行电荷输送，并抑制感光层14中的残留电位的产生，因此能够有效抑制产生曝光记忆。
另外，(b)热特性的在200～400℃的范围内出现的一个信号峰，优选在270～400℃的范围内出现，更优选在290～400℃的范围内出现，更加优选在300～400℃的范围内出现。
具有(a)的热特性的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体可以单独使用，也可以组合使用。另外，具有(b)的热特性的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体也可以单独使用，或者也可以组合使用。
另外，也可以将具有(a)的热特性的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体与具有(b)的热特性的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体组合使用。在该情形中，以重量比计，优选具有(a)的热特性的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体具有(b)的热特性的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体＝10∶90～90∶10，更优选为20∶80～80∶20。
另外，氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体的热特性的测定方法在后面的实施例中进行说明。
另外，作为电荷产生剂，在不损害本发明的效果的范围内，优选进一步包含除了具有(a)的热特性的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体、及具有(b)的热特性的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体之外的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体。
其理由是，具有(a)的热特性的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体或具有(b)的热特性的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体在单独使用时，都存在感光层用涂布液中的经时稳定性和分散性不够的情形。在这种情形中，通过组合使用除了具有(a)的热特性的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体、及具有(b)的热特性的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体以外的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体，能够显著改善分散性。另外，通过将包含具有多种特性的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体作为电荷产生剂，能够容易地满足数学式(1)，同时能够提供便宜的电子照相感光体。
另外，作为氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体，优选具有下述(c)的光学特性。
(c)在有机溶剂中浸渍24小时之后所测定的CuKα特征x射线衍射光谱中，在布拉格角2θ±0.2°＝27.2°处具有最大信号峰，在26.2°处没有信号峰。通过使用具有这种光学特性的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体，能够可靠地抑制有机溶剂中的晶型转变。
即，具有(c)的光学特性的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体在实际浸渍在四氢呋喃等有机溶剂中24小时的情形中，晶型不会转变为α型或β型，能够保持Y型晶体，因此能够可靠地抑制有机溶剂中的晶型转变。
氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体的所述光学特性可以通过例如如下方法来测定。
即，将0.3g氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体分散到5g四氢呋喃中，在温度23±1℃、相对湿度50～60％RH的条件下，在密闭系统中保存24小时后，填充到X射线衍射装置(理学电机株式会社制造，RINT 1100)的样品架中，在下述条件下进行测定。
X射线管靶Cu管电压40kV管电流30mA起始角度3.0°终止角度40.0°扫描速度10°/分另外，氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体的离子化势值范围优选为5.0～5.5eV、更优选为5.1～5.4eV、特别优选为5.2～5.3eV。在所述离子化势值小于5.0eV的情形中，与后述空穴输送剂的离子化势值之差变得过大，难以有效地进行电荷输送，其结果是，感光体的灵敏度降低，存在容易产生曝光记忆的倾向。另外，在所述离子化势值超过5.5eV的情形中，与后述空穴输送剂的离子化势值之差变得过小，感光体的带电特性有降低的倾向。
所述离子化势值可以例如使用大气氛围气型紫外线光电子分析装置(理研计器株式会社制造，AC-1)进行测定。
本实施方式的感光层14中包含氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体的电荷产生剂的含有比例优选为0.6～3.0重量％、更优选为在0.8～2.8重量％的范围内，这样，当对感光体进行曝光时，可以有效地产生电荷、并且在电荷输送剂之间有效地进行电荷输送。在所述含有比例小于0.6重量％的情形中，电荷产生量不足，难以在感光体上形成规定的静电潜影。另外，在所述含有量超过3重量％的情形中，难以将电荷产生剂均匀地分散到感光层用涂布液中。
作为本实施方式的感光层14中所包含的空穴输送剂，可以使用现有公知的空穴输送性的化合物，没有特别的限制。作为其具体实例，例如可以列举出联苯胺系化合物、苯二胺系化合物、萘二胺系化合物、菲二胺系化合物、噁二唑系化合物、苯乙烯基系化合物、咔唑基系化合物、吡唑啉系化合物(pyrazoline)、腙系化合物、三苯胺系化合物、吲哚系化合物、噁唑系化合物、异噁唑系化合物、噻唑系化合物、噻二唑系化合物、咪唑系化合物、吡唑系化合物、三唑系化合物、丁二烯系化合物、芘-腙系化合物、丙烯醛系化合物、咔唑-腙系化合物、喹啉-腙系化合物、芪系化合物、芪-腙系化合物、及二亚苯基二胺系化合物等。这些化合物可以单独使用，也可以将两种以上组合使用。
作为空穴输送剂，在浓度为30重量％、电场强度为3.0×105V/cm的条件下所测定的移动度范围优选为5.0×10-6～5.0×10-4cm2/V/sec、更优选为1.0×10-5～1.0×10-4cm2/V/sec、特别优选为2.0×10-5～5.0×10-5cm2/V/sec。通过使用这种移动度的空穴输送剂，能够有效地输送由电荷产生剂所产生的空穴，其结果是，能够更有效地抑制曝光记忆的产生。在所述空穴输送剂的移动度小于5.0×10-6cm2/V/sec的情形中，不能充分输送完通过曝光所产生的空穴，由于电荷残留在感光层14内而导致容易产生曝光记忆，并且，灵敏度也有降低的倾向。所述空穴输送剂的移动度超过5.0×10-4cm2/V/sec的情形，从因提高空穴输送能力而抑制曝光记忆的产生、且提高灵敏度的观点出发是优选的，但是，获得该高性能的空穴输送剂成本很高。另外，还存在与电子输送剂的电子输送能的平衡被破坏，电荷残留在感光层14内的可能。
另外，空穴输送剂的离子化势值(eV)范围优选为5.1～6.0eV、更优选为5.2～5.8eV、特别优选为5.3～5.7eV。
其理由是，通过使用所述离子化势值(eV)在5.1～6.0eV范围内的空穴输送剂，能够容易地将空穴输送剂的离子化势值(eV)与氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体的离子化势值(eV)的差调整到0.1～0.4(eV)的范围内。
另外，当空穴输送剂的离子化势值(eV)与氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体的离子化势值(eV)的差在0.1～0.4(eV)范围内时，能够抑制感光层产生曝光记忆，并且，能够提高灵敏度、进而提高带电特性。当所述差小于0.1eV时，感光体的带电特性有降低的倾向。并且，当所述差超过0.4eV时，由于难以有效地进行电荷输送，所以灵敏度降低，容易产生曝光记忆。
另外，所述差优选为0.12～0.35eV、更优选为0.15～0.3eV。
空穴输送剂的离子化势值的测定方法可以使用例如大气氛围型紫外线光电子分析装置(理研计器株式会社制造，AC-1)进行测定。
作为具有所述移动度和离子化势值的空穴输送剂，优选使用下式(3)～(8)所表示的化合物(HTM-A～F)、或其衍生物。
空穴输送剂的添加量，相对于100重量份的粘合树脂，优选为20～500重量份、更优选为30～200重量份、特别优选为40～100重量份。在所述空穴输送剂的添加量小于20重量份的情形中，感光层的空穴输送功能降低，对图像特性产生恶劣影响。另外，在空穴输送剂的添加量超过500重量份的情形中，空穴输送剂的分散性降低，容易发生结晶。
作为本实施方式的感光层14中所包含的电子输送剂，可以使用还原电位为-0.97～-0.83V范围的电子输送剂。通过使用具有这种还原电位的电子输送剂，能够有效输送由电荷产生剂所产生的电子，有助于有效地抑制曝光记忆的产生，并且能够提高灵敏度。在所述电子输送剂的还原电位低于-0.97V的情形中，产生所输送的电子难以从电子输送剂中分离的所谓的载流子捕获的现象，电子输送效率降低。另一方面，在所述电子输送剂的还原电位超过-0.83V的情形中，LUMO(最低未占据分子轨道)的能级比电荷产生剂的氧代钛氧基酞菁系化合物的能级高，电子未移动到电子输送剂中，电荷产生效率降低。另外，LUMO为不具有电子的分子轨道中能级最低的轨道，所激发的电子通常移动到该轨道中。
下面，参照图2对电子输送剂的还原电位与曝光记忆电位之间的关系进行说明。另外，曝光记忆电位的测定方法在后述实施例中进行说明。
图2表示横轴采用电子输送剂的还原电位、纵轴采用感光体的曝光记忆电位的特性曲线。另外，用于评价的感光体均满足下式(1)的关系A·C-1·d-1＞1.75×104(1)。
在所述特性曲线中，随着电子输送剂的还原电位的增加，曝光记忆电位发生临界变化，并形成向下凸出的曲线。并且，如果电子输送剂的还原电位从-1.01V增加到-0.97V，曝光记忆电位从99V减少到79V。另外，当电子输送剂的还原电位在-0.97V至-0.83V范围内时，与电子输送剂的还原电位(V)的变化无关，曝光记忆电位均为70V左右。另外，当电子输送剂的还原电位从-0.83V增加到-0.73V时，曝光记忆电位从51V增加到85V。
因此，由图2的特性曲线可知，在满足A·C-1·d-1＞1.75×104(1)的情形中，电子输送剂的还原电位在-0.97～-0.83V范围时，能够将曝光记忆电位控制在80V以下的较低的值。这样，在满足A·C-1·d-1＞1.75×104(1)的情形中，如果电子输送剂的还原电位在-0.97～-0.83V的范围内，则能够有效地输送由电荷产生剂所产生的电荷，能够有效抑制感光体产生曝光记忆。
另外，电子输送剂的还原电位范围更优选为-0.95～-0.85V、进一步优选为-0.92～-0.88V。
作为具有这种还原电位的电子输送剂的具体实例，可以列举出例如用下式(9)～(14)所表示的电子输送剂(ETM-A～F)。
作为感光层14中所包含的电子输送剂的含有比例，相对于100重量份粘合树脂优选为20～500重量份、更优选为30～200重量份、特别优选为40～100重量份。在所述电子输送剂的添加量小于20重量份的情形中，灵敏度降低，在实际使用中会产生弊端，在超过500重量份的情形中，电子输送剂容易结晶，难以形成适合作为感光层的膜。
作为本实施方式的感光层14中所包含的粘合树脂，例如可以列举出苯乙烯系聚合物、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-马来酸共聚物、丙烯酸系聚合物、苯乙烯-丙烯酸系共聚物、聚乙烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、氯化聚乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚酯、醇酸树脂、聚酰胺、聚氨基甲酸乙酯、聚碳酸酯、聚芳酯(polyarylate)、聚砜、邻苯二甲酸二烯丙基酯树脂、酮树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、及聚醚树脂等的热塑性树脂；硅酮树脂、环氧树脂、苯酚树脂、尿素树脂、三聚氰氨树脂等的交联性热固性树脂；环氧-丙烯酸酯、尿烷-丙烯酸酯等的光硬化性树脂，等等。这些树脂可以单独使用，也可以将两种以上组合使用。
其中，特别优选使用包含下式(15)所表示的结构单位的Z型聚碳酸酯树脂或其衍生物。
(树脂-A)
另外，在不损害本发明的效果的范围内，本实施方式的感光层14还可以含有其他的添加剂。作为所述添加剂，可以列举出例如感光增效剂(sensitization agent)、芴系化合物、紫外线吸收剂、增塑剂、表面活性剂、均化剂等。另外，为了进一步提高感光体的灵敏度，可以包含例如三联苯、卤代萘醌类、苊烯等感光增效剂。
作为形成所述感光层14的导电性基体，可以使用基体整体具有导电性的导电性基体、或仅在表面具有导电性的导电性基体。其具体实例可以列举出例如铁、铝、铜、锡、铂、银、钒、钼、铬、镉、钛、镍、钯、铟、不锈钢、及黄铜等金属所形成的导电性基体；通过在塑料基体上蒸镀或层叠所述一种或多种金属而得到的导电性基体；通过碘化铝、氧化锡、氧化铟等来覆盖玻璃基体的导电性基体，等等。
基体的形状可以根据所使用的图像形成装置的结构，适当选择薄片状、或者鼓状等形状。另外，导电性基体在使用时优选具有足够的机械强度。
作为第一实施方式的电子照相感光体的制造方法，可以列举出例如，在导电性基体上涂布预先制备的感光层用涂布液之后，干燥溶剂，并根据需要使树脂成分硬化的方法等。
感光层用涂布液可以通过将例如粘合树脂、电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂等添加到溶剂中之后进行分散混合而制得。具体来说，可以通过将包含氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体的电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂、及粘合树脂等添加到溶剂中，然后使用辊磨机、球磨机、立式球磨机、油墨振荡机、及超声波分散机等进行分散混合得到。
作为所述溶剂，例如可以列举出四氢呋喃、二氯甲烷、甲苯、1、4-二氧六环、及1-甲氧基-2-丙醇等。这些溶剂可以单独使用，或者将两种以上组合使用。
感光层用涂布液为了使电荷输送剂和电荷产生剂的分散性和感光体层表面的平滑性变得良好，可以根据需要添加表面活性剂和均化剂等。
在导电性基体上涂布所制备的感光层用涂布液的方法没有特别的限制，例如，优选使用公知的浸渍涂布法等。涂布后，使所涂布的感光层用涂布液干燥，并根据需要通过使粘合树脂硬化形成感光层14。
作为本实施方式的电子照相感光体，选择对于波长700nm的光，感光层14的反射吸光度A(无因次量)、感光层14的膜厚d(m)、感光层14中的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体的浓度C(重量％)满足下述数学式(1)的电子照相感光体。
A·C-1·d-1＞1.75×104(重量％-1·m-1) (1)在感光层14满足数学式(1)的情形中，可以认为感光层14中的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体充分分散。因此，在感光层14满足数学式(1)的情形中，能够有效抑制曝光记忆的产生。并且，通过抑制曝光记忆的产生，能够在感光层14中有效移动电荷，因此，曝光时的灵敏度也得到提高。
另外，数学式(1)的A·C-1·d-1，如果参考朗伯-比尔定律，可以认为是表示感光层中的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体的分散性的参数。
在感光层14的膜厚d(m)、及氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体的浓度C(重量％)为一定值、氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体的分散性不充分的情形中，难以吸收入射光，因此，对于波长700nm的光，感光层14的反射吸光度A的值变小。另一方面，如果所述分散性良好，则容易吸收入射光，反射吸光度A的值变大。因此，可以通过数学式(1)来评价感光层中的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体的分散性。
参照图3，对数学式(1)的左边A·C-1·d-1(单位重量％-1·m-1、以下同)与感光体的曝光记忆电位之间的关系进行说明。另外，反射吸光度A的测定方法在后述实施例中进行说明。
图3表示横轴为数学式(1)的左边A·C-1·d-1的数值、纵轴为感光体的曝光记忆电位时的特性曲线。其中，用于评价的感光体全部使用所述通式(9)所表示的还原电位为-0.90V的电子输送剂(ETM-A)。
从该特性曲线可以了解，A·C-1·d-1的值越小，曝光记忆电位的值就变得越大，A·C-1·d-1的值越大，则曝光记忆电位变得越小。并且，当A·C-1·d-1的值在0～1.75×104的范围时，随着A·C-1·d-1的值增大，曝光记忆电位的值急剧降低。另外，当A·C-1·d-1的值在1.75×104以上的范围时，随着A·C-1·d-1的值的增大，曝光记忆电位(V)的值缓慢降低，并达到60V以下的范围内的值。因此，作为所述A·C-1·d-1的值，满足A·C-1·d-1＞1.75×104(1)，所述A·C-1·d-1的值，优选为1.9×104以上的值，更优选为2.0×104以上的值。
另外，作为对于波长700nm的光的感光层的反射吸光度A的值，优选在0.7～0.9、更优选在0.72～0.88、特别优选在0.75～0.85的范围内。反射吸光度A处于所述范围的情形是为了通过调整膜厚d及浓度C的值，容易地形成具备满足数学式(1)的特性的感光层。并且，当反射吸光度A在所述范围时，能够有效抑制曝光记忆的产生，进而得到灵敏度充分高的电子照相感光体。当所述反射吸光度A的值小于0.7时，氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体的浓度变得过低，电荷产生量变得不足，存在难以在电子照相感光体上形成规定的静电潜影的倾向。并且，也存在膜厚d变得过小，感光层的机械强度变得不足的倾向。另一方面，当反射吸光度A的值超过0.9时，存在膜厚d或浓度C的值会变得过大的倾向。
另外，作为感光层14的膜厚d(m)，优选在5.0×10-6～1.0×10-4m的范围、更优选在1.0×10-5～8.0×10-5m的范围、特别优选在2.0×10-5～4.0×10-5m的范围。膜厚d处于所述范围内时，通过调整反射吸光度A及浓度C的值，就容易地形成具备满足数学式(1)的特性的感光层。并且，当膜厚d在所述范围内时，在满足数学式(1)的同时，还能够得到实用性优良的感光体。当所述膜厚d小于5.0×10-6m时，感光层14的机械强度变得不足，当所述膜厚d大于1.0×10-4m时，感光层14存在容易从导电性基体剥离的倾向。
第二实施方式本发明的第二实施方式为具备第一实施方式的电子照相感光体的图像形成装置。
下面，针对第二实施方式的图像形成装置，对于与第一实施方式中所说明内容重复的部分予以省略说明，而参照附图4仅对与第一实施方式的不同点进行说明。
图4为表示第二实施方式的图像形成装置100的结构的一个实例的示意图。下面，按照其动作顺序进行说明。
首先，使图像形成装置100的电子照相感光体111沿着箭头A所示的方向以规定的运行速度(圆周速度)旋转，然后利用带电装置112使电子照相感光体111的表面带有规定电位。
接着，根据图像信息利用反射镜等来进行光调制，同时利用曝光装置113对感光体111的表面进行曝光。通过该曝光，在感光体111的表面形成静电潜影。
接着，利用显影装置114对所形成的静电潜影进行显影。在显影装置114的内部装有调色剂，使该调色剂对应于感光体111表面的静电潜影进行附着，从而形成调色剂像。
另外，记录纸120沿着规定的转印运送通道被运送至感光体111的下部。这时，通过施加规定的转印偏压，将调色剂像转印到位于感光体111与转印装置115之间的记录纸120上。
接着，利用图中未示出的分离装置将转印了调色剂像的记录纸120从感光体111表面分离后，利用传送带送至图中未示出的定影器。通过定影器实施加热、加压处理，并将表面定影有调色剂像的记录纸120通过排出辊排出到图像形成装置100的外部。
另一方面，感光体111在转印调色剂像后继续旋转。并且，在转印时未转印到记录纸120上而残留在感光体111的表面上的调色剂(残留调色剂)可以通过清洁装置117除去。
在第二实施方式的图像形成装置100中，作为感光体111，可以使用第一实施方式中所说明的电子照相感光体，即在导电性基体上具有包含电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂、及粘合树脂的单层型感光层的电子照相感光体，所述电荷产生剂包含氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体，所述电子输送剂包含还原电位值在-0.97～-0.83V范围内的电子输送剂，且对于波长700nm的光，所述感光层的反射吸光度A、所述感光层的膜厚d(m)、所述感光层中的所述晶体的浓度C(重量％)满足下述数学式(1)A·C-1·d-1＞1.75×104(重量％-1·m-1) (1)。
因此，如第一实施方式所详细说明的那样，感光体111难以产生曝光记忆，并且曝光时的灵敏度也很优良。因此，图像形成装置100能够以高速度印刷曝光记忆得到抑制的高画质图像。
另外，图像形成装置100通过使用所述感光体111，能够充分抑制曝光记忆的产生。因此，即使不具备利用电荷去除装置消除曝光记忆等的工序，也能够形成高画质图像。并且，在不具备电荷去除装置的情形中，能够简化图像形成装置100的结构，并且能够实现图像形成装置100的小型化，因此是优选的。
实施例下面，通过实施例对本发明进行具体的说明，但是本发明并不受到实施例的任何限制。另外，在说明书中的“以上”和“以下”皆包括本数，例如，“X以上”指“大于等于X”，“X以下”指“小于等于X”，“超过”、“超出”、“高于”、“低于”、“未满”以及“不足”皆不包括本数。还有，记号“～”皆包括该记号的前后之数，例如，“X～Y”指“大于等于X且小于等于Y”。
首先，针对本实施例及比较例中所使用的所述式(2)所表示的Y型氧代钛氧基酞菁(以下也称为TiOPc)的晶体的制造及特性进行说明。
TiOPc-A的制造在氩气置换的烧瓶中，加入25g的1，3-二亚氨基异吲哚啉、22g四丁氧基钛、以及300g二苯基甲烷，一边搅拌一边升温至150℃。接着，一边将反应系统中产生的蒸汽除去，一边升温至215℃，保持215℃的反应温度的同时，进一步搅拌反应4小时。
反应结束后，冷却至150℃，之后将反应混合物从烧瓶中取出，利用玻璃过滤器进行过滤处理得到固体。依次使用N，N-二甲基甲酰胺、以及甲醇洗涤所得到的固体，通过真空干燥，得到24g紫色的固体(合成工序)。
接着，将10g合成工序所得到的紫色固体加入到100毫升N，N-二甲基甲酰胺中，一边搅拌一边加热至130℃，之后进一步进行两小时的搅拌处理。在两小时的搅拌处理之后，停止加热，冷却至23±1℃。并且，在停止搅拌之后，将液体静置12小时。接着，利用玻璃过滤器对静置的液体进行过滤处理，使用甲醇洗涤所得到的固体，然后通过进行真空干燥，得到9.85g的钛氧基酞菁化合物的粗晶体(前处理工序)。
将5g前处理工序中得到的钛氧基酞菁化合物的粗晶体加入100毫升的二氯甲烷与三氟乙酸的混合溶剂(体积比4∶1)中进行溶解。接着，将该溶液滴加到甲醇和水的混合贫溶剂(体积比1∶1)中，然后在室温下搅拌15分钟，进一步在23±1℃下静置30分钟使其重结晶。接着，利用玻璃过滤器对所得到的液体进行过滤处理，水洗所得到的固体直至洗浄液达到中性，然后在不进行干燥且存在水的状态下，在200毫升的氯苯中分散、搅拌1小时。利用玻璃过滤器对该液体进行过滤处理，在50℃下对所得到的固体真空干燥5小时，得到4.2g式(2)所表示的无取代的钛氧基酞菁的晶体(青色粉末)(晶体化工序)。
TiOPc-B的制造在氩气置换的烧瓶中，加入22g邻苯二甲腈(0.17摩尔)、25g四丁氧基钛(0.073摩尔)、2.28g尿素(0.038摩尔)和300g喹啉，一边搅拌一边升温至150℃。接着，一边将反应系统中产生的蒸汽蒸馏除去，同时升温至215℃，保持215℃的反应温度的同时，进一步搅拌反应两小时。
反应结束后，冷却至150℃，之后将反应混合物从烧瓶中取出，利用玻璃过滤器进行过滤处理得到固体。接着，依次使用N，N-二甲基甲酰胺和甲醇洗涤所得到的固体，然后进行真空干燥，得到24g蓝紫色固体。
接着，对10g所得到的蓝紫色固体实施与制造所述TiOPc-A的前处理工序相同的处理，得到9.83g钛氧基酞菁化合物的粗晶体。
接着，将5g所得到的钛氧基酞菁的粗晶体加入到100毫升浓硫酸中溶解。然后，将该溶液滴入冰冷的水中，之后在室温下搅拌15分钟，进而在23±1℃附近静置30分钟进行重结晶。接着，通过玻璃过滤器对所述液体进行过滤处理，并用水洗过滤得到的固体直至洗涤液变成中性，之后不进行干燥，在存在水的状态下，分散到200毫升氯苯中并加热到50℃搅拌10小时。接着，用玻璃过滤器对液体进行过滤处理，在50℃下对所得到的固体真空干燥5小时，得到4.1g式(2)所表示的无取代的钛氧基酞菁晶体(青色粉末)。
TiOPc-D的制造除了省略前处理工序之外，按照与制造所述TiOPc-A同样的方法，得到4.2g钛氧基酞菁的晶体。
氧代钛氧基酞菁晶体的示差扫描热量分析(DSC)的测定氧代钛氧基酞菁晶体的DSC使用示差扫描热量计(理学电机株式会社制造的TAS-200型、DSC 8230D)进行。测定条件如下所述。
样品盘铝制升温速度20℃/分钟TiOPc-A的示差扫描热量分析图如图5所示、TiOPc-B的示差扫描热量分析图如图7所示。另外，所得到的氧代钛氧基酞菁晶体的DSC特性如下表1所示。
在四氢呋喃中浸渍24小时后测定CuKα特征x射线衍射光谱通过所述方法在四氢呋喃中浸渍24小时，然后测定的CuKα特征x射线衍射光谱的信号峰特性如下表1所示。
表1
实施例1通过使用球磨机将3重量份氧代钛氧基酞菁的Y型晶体TiOPc-A、30重量份所述通式(9)所表示的还原电位为-0.90V的电子输送剂(ETM-A)、45重量份通式(3)所表示的空穴输送剂(HTM-A)、100重量份作为粘合树脂的粘度平均分子量20,000的通式(15)所表示的Z型聚碳酸酯(树脂-A)(帝人化成株式会社制造，TS2020)、以及800重量份的四氢呋喃混合、分散50小时，制造感光层用涂布液。
接着，通过浸渍涂布法将所得到的感光层用涂布液涂布在直径30mm、全长254mm的铝制鼓状导电性基体表面上。然后，在100℃下，通过40分钟的热风干燥，制造具有膜厚2.5×10-5m的单层型感光层的电子照相感光体。
通过如下评价方法对所得到的电子照相感光体进行评价。评价结果如表2所示。
评价方法(1)A·C-1·d-1的评价使用色差计(美能达株式会社制造，色差计CM1000)测定形成于导电性基体表面上的感光体10对波长700nm的光的反射吸光度(A1)。并且，通过相同方法测定未形成感光层的导电性基体对波长700nm的光的反射吸光度(A2)。
下面，参照图6A及图6B，对反射吸光度A的测定原理进行说明。图6A表示在导电性基体12表面形成了感光层14的感光体10，图6B表示仅有导电性基体12的状态。
图6A和图6B中的I0为入射光，I1及I2为反射光。感光体10的反射吸光度通过A1＝-Log(I1/I0)求得，导电性基体12的反射吸光度通过A2＝-Log(I2/I0)求得。
在感光体10的反射吸光度A1中，同时存在感光层14的反射吸光度A与导电性基体12的反射吸光度A2，感光层14本身的反射吸光度A由A1-A2求得。感光层的反射吸光度A越大，表示感光层所吸收的光越多，也表示感光层的氧代钛氧基酞菁的晶体的分散性越高。实施例1的感光层的反射吸光度A为0.810。
另外，实施例1的浓度C是通过相对于3重量份TiOPc-A、30重量份电子输送剂(ETM-A)、45重量份空穴输送剂(HTM-A)、以及100重量份粘合树脂的总计178.0重量份计算得到TiOPc-A的比例。即，从(3/178.0)×100＝1.69计算得到C＝1.69重量％。
并且，由所述A＝0.810、C＝1.69、d＝2.5×10-5，求得A·C-1·d-1＝0.810/{1.69(重量％)×2.5×10-5(m)}＝1.92×104。
(2)电子照相感光体的曝光记忆电位的评价所得到的电子照相感光体的曝光记忆电位通过下述方法测定。
将所得到的电子照相感光体安装到没有装载电荷消除灯的打印机(京瓷美达株式会社制造，Antico40)中，测定未曝光部分(对应于所形成图像的白纸部分)的表面电位、及曝光部分(对应于所形成图像的全黑色部分)实施带电工序之后的表面电位，以其差作为曝光记忆电位，并按照下述基准进行评价。
◎记忆电位为小于70(V)的值。
○记忆电位为70～小于80(V)的值。
△记忆电位为80～小于90(V)的值。
×记忆电位为90(V)以上的值。
(3)灵敏度测定所得到的感光体的灵敏度通过如下方法评价。
使用鼓灵敏度试验机(GENTEC株式会社制)，在使感光体的表面电位为+850V的状态下，使用带通滤波器从卤素灯的白色光中取出的波长780nm的单色光(半幅值20nm、光强度1.5μJ/m2)对感光体表面照射50毫秒。接着，测定从开始曝光到经过0.35秒时的表面电位作为灵敏度。并按照下述标准评价所得到的测定结果。
◎灵敏度的值小于100(V)。
○灵敏度的值大于等于100(V)、小于150(V)。
×灵敏度的值大于等于150(V)。
(4)综合评价按照下述基准，实施综合所述曝光记忆电位、及灵敏度的评价的综合评价。
◎全部项目均为◎。
○在全部项目中，除◎之外，有一个○的评价。
×在全部项目中，○、△或×的评价至少有一个以上。
实施例2～9除了分别使用表2所示的Y型氧代钛氧基酞菁晶体TiOPc-A～C、及式(9)～(14)所表示的电子输送剂ETM-A～F代替Y型氧代钛氧基酞菁晶体TiOPc-A、及式(9)所表示的电子输送剂ETM-A之外，按照与实施例1相同的方法进行感光体的制造、评价。结果如表2所示。
比较例1～2除了分别使用表2所示的Y型氧代钛氧基酞菁晶体TiOPc-D、及式(9)～(10)所表示的电子输送剂ETM-A～B代替实施例1所使用的Y型氧代钛氧基酞菁晶体TiOPc-A及式(9)所表示的电子输送剂ETM-A之外，分别按照与实施例1相同的方法进行感光体的制造、评价。所得到的结果如表2所示。
比较例3除了使用下式(16)所表示的电子输送剂ETM-G代替实施例1所使用的式(9)所表示的电子输送剂ETM-A之外，按照与实施例1相同的方法进行感光体的制造、评价。所得到的结果如表2所示。
比较例4除了使用下式(17)所表示的电子输送剂ETM-H代替实施例1所使用的式(9)所表示的电子输送剂ETM-A之外，按照与实施例1相同的方法进行感光体的制造、评价。所得到的结果如表2所示。
比较例5～6除了分别使用表2所示的Y型氧代钛氧基酞菁晶体TiOPc-E、及式(9)～(10)所表示的电子输送剂ETM-A～B代替实施例1所使用的Y型氧代钛氧基酞菁晶体TiOPc-A、及式(9)所表示的电子输送剂ETM-A之外，分别按照与实施例1相同的方法进行感光体的制造、评价。所得到的结果如表2所示。
比较例7除了使用x型无金属酞菁晶体x-H2Pc代替实施例1所使用的Y型氧代钛氧基酞菁晶体TiOPc-A之外，按照与实施例1相同的方法进行感光体的制造、评价。所得到的结果如表2所示。
比较例8除了使用下式(18)所表示的电子输送剂ETM-I代替式(9)所表示的电子输送剂ETM-A之外，按照与实施例1相同的方法进行感光体的制造、评价。所得到的结果如表2所示。
表2
由表2的结果可知，包含电子输送剂的还原电位在-0.97～-0.83V范围内的电子输送剂、且满足所述数学式(1)的实施例1～9的电子照相感光体的综合评价均为◎或○。与此相对，比较例1、2、5及6的电子照相感光体，A·C-1·d-1的数值较小，曝光记忆电位都很高，综合评价为×。使用了x型无金属酞菁晶体的比较例7的电子照相感光体，曝光记忆电位高，综合评价为×。还有，电子输送剂的还原电位低的比较例3和4、及还原电位高的比较例8的各电子照相感光体，曝光记忆电位都高，综合评价为×。
如上所述，本发明的一个方面涉及一种电子照相感光体，包括导电性基体和在该导电性基体上的单层型感光层，所述单层型感光层包含电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂、及粘合树脂，所述电荷产生剂包含氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体，所述电子输送剂包含还原电位的值在-0.97～-0.83V范围内的电子输送剂，且对于波长700nm的光，所述感光层的反射吸光度A、所述感光层的膜厚d(m)、所述感光层中的所述晶体的浓度C(重量％)满足下述数学式(1)的关系A·C-1·d-1＞1.75×104(重量％-1·m-1) (1)。
当电子照相感光体的感光层满足所述数学式(1)时，感光层中的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体的分散性良好，因此能够有效抑制曝光记忆的产生。并且，当电子输送剂的还原电位为所述范围内的值时，能够有效输送由电荷产生剂所产生的电子，因此能够更有效地抑制曝光记忆的产生。并且，通过抑制曝光记忆的产生，电荷在感光层中有效地移动，因此提高曝光时的灵敏度。
另外，当所述晶体为Y型晶体结构时，容易满足数学式(1)，因此更难以产生曝光记忆，能够得到灵敏度良好的电子照相感光体。
另外，当所述氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体在示差扫描热量分析中，除了由于吸附水的气化所产生的信号峰之外，在50～400℃的范围内没有信号峰时，感光层用涂布液中的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体的经时稳定性和分散性可以变得更优良。
另外，当所述氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体在示差扫描热量分析中，除了由于吸附水的气化所产生的信号峰之外，在大于等于50℃且小于200℃的范围内没有信号峰，在大于等于200℃且小于等于400℃的范围内有一个信号峰时，感光层用涂布液中的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体的经时稳定性和分散性可以变得更优良。
另外，在所述氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体在有机溶剂中浸渍24小时之后的CuKα特征x射线衍射光谱中，在布拉格角2θ±0.2°＝27.2°处具有最大信号峰，并且在26.2°没有信号峰的情形中，感光层用涂布液中的氧代钛氧基酞菁晶体的经时稳定性和分散性可以变得更优良。
另外，在所述单层型感光层中的氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体的浓度C为0.6～3.0重量％的情形中，容易满足数学式(1)，因此能够容易地制造氧代钛氧基酞菁晶体的分散性和灵敏度良好、且具有均匀厚度的感光层。
另外，本发明的一个方面涉及电子照相感光体的制造方法，在导电性基体表面上形成单层的感光层，所述感光层包含含有氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体的电荷产生剂、空穴输送剂、还原电位值在-0.97～-0.83V范围内的电子输送剂、及粘合树脂，求出所形成的感光层对于波长700nm的光的反射吸光度A、膜厚d(m)、及所述感光层中的所述晶体的浓度C(重量％)，并选择满足下述数学式(1)的电子照相感光体，A·C-1·d-1＞1.75×104(重量％-1·m-1) (1)。
根据这种制造方法，能够得到产生曝光记忆少的电子照相感光体。
另外，本发明的一个方面涉及具备所述电子照相感光体的图像形成装置。采用具备所述电子照相感光体的图像形成装置，能够得到有效抑制曝光记忆、且曝光时的灵敏度高的图像形成装置。因此，能够得到可以高速印刷曝光记忆得到抑制的高画质图像的打印机或复印机等图像形成装置。
另外，本发明的图像形成装置优选不具备电荷去除装置。通过采用不具备电荷去除装置的、所谓无电荷去除型的结构，能够实现图像形成装置的小型化、和结构简单化，另一方面，也能够充分地抑制曝光记忆。
权利要求
1.一种电子照相感光体，其特征在于，包括导电性基体和在该导电性基体上的单层型感光层，所述单层型感光层包含电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂、及粘合树脂，所述电荷产生剂包含氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体，所述电子输送剂包含还原电位值在-0.97～-0.83V范围内的电子输送剂，且对于波长700nm的光，所述感光层的反射吸光度A、所述感光层的膜厚d(m)、所述感光层中的所述晶体的浓度C(重量％)满足下述数学式(1)的关系A·C-1·d-1＞1.75×104(重量％-1·m-1)(1)。
2.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其特征在于，所述晶体的结构为Y型晶体结构。
3.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其特征在于，所述氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体在示差扫描热量分析中，除了由于吸附水的气化所产生的信号峰之外，在50～400℃的范围内没有信号峰。
4.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其特征在于，所述氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体在示差扫描热量分析中，除了由于吸附水的气化所产生的信号峰之外，在大于等于50℃且小于200℃的范围内没有信号峰，在大于等于200℃且小于等于400℃的范围内有一个信号峰。
5.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其特征在于，所述氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体在有机溶剂中浸渍24小时之后的CuKα特征x射线衍射光谱中，在布拉格角2θ±0.2°＝27.2°处有最大信号峰，并且在26.2°处没有信号峰。
6.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其特征在于，所述单层型感光层中氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体的浓度C为0.6～3.0重量％。
7.一种电子照相感光体的制造方法，其特征在于，在导电性基体表面上形成单层的感光层，所述感光层包含含有氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体的电荷产生剂、空穴输送剂、还原电位值在-0.97～-0.83V范围内的电子输送剂、及粘合树脂，求出所形成的感光层对于波长700nm的光的反射吸光度A、膜厚d(m)、及所述感光层中的所述晶体的浓度C(重量％)，并选择满足下述数学式(1)的电子照相感光体，A·C-1·d-1＞1.75×104(重量％-1·m-1)(1)。
8.一种图像形成装置，具备权利要求1-6所述的电子照相感光体。
9.根据权利要求8所述的图像形成装置，其特征在于，在所述图像形成装置中，不具备电荷去除装置。
全文摘要
本发明提供一种电子照相感光体以及使用该感光体的图像形成装置。电子照相感光体包括导电性基体和在其上的单层型感光层，单层型感光层包含电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂、及粘合树脂，电荷产生剂包含氧代钛氧基酞菁系化合物的晶体，电子输送剂包含还原电位值在－0.97～－0.83V范围内的电子输送剂，且对于波长700nm的光，感光层的反射吸光度A、感光层的膜厚d(m)、感光层中的晶体的浓度C(重量％)满足下述数学式(1)的关系A·C
文档编号G03G15/00GK101038450SQ20071008742
公开日2007年9月19日 申请日期2007年3月16日 优先权日2006年3月17日
发明者窪嶋大辅, 浜崎一也, 岩下裕子 申请人:京瓷美达株式会社