电子照相感光体及制造方法，电子照相装置和处理盒的制作方法

专利名称：电子照相感光体及制造方法，电子照相装置和处理盒的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种电子照相感光体(electrophotographic photoreceptor)和制造该感光体的方法，以及使用电子照相感光体的电子照相装置和处理盒(process cartridge)。更特别地，本发明涉及一种用于电子照相装置如复印机、传真机、激光打印机以及直接数字制版机的电子照相感光体，和制造该感光体的方法，以及使用电子照相感光体的电子照相装置和处理盒。
背景技术：
用于电子照相装置如复印机和激光打印机用的感光体中的光敏材料已经由无机光敏材料如硒、氧化锌和硫化镉转变为有机光敏材料。这是因为有机光敏材料对环境友好，生产成本低；并且设计适应性好。
有机感光体可以大致分为以下三种类型(1)均匀的单层感光体，其中例如在导电基材(conductive substrate)上形成光电导树脂如聚乙烯咔唑(PVK)或电荷迁移络合物如PVK-TNF(2，4，7-三硝基芴酮)；(2)分散型单层感光体，其中在导电基材上形成树脂层，其包含分散在树脂中的颜料如酞菁和苝。
(3)功能独立的多层感光体，其中在导电基材上重叠(overlay)包括电荷产生材料(以下简称为CGM)的电荷产生层(以下简称为CGL)和包括电荷传输材料(以下简称为CTM)的电荷传输层(以下简称为CTL)。
功能独立的多层感光体的典型结构是CTL形成在CGL上。有时称具有相反结构的、功能独立的多层感光体为相反层(reverse-layered)感光体。
特别地，功能独立的多层感光体具有感光性和在设计具有高感光性和优良耐久性的感光体中适应性好的优点。因此，近来，功能独立的多层感光体已经广泛用于电子照相装置。
近年来，越来越需要可以高速生产优质图像(image)的小型电子照相装置。此外，现在倾向于选择球形和小直径(也就是不大于6μm)的聚合调色剂用于显影。
为了用所需的高速度生产优质图像，电子照相装置形成高密度的图像。这就引起了图像劣化问题，该问题在许多情况下称为“残留图像”或“重影”。因此事实上没有所需的能够以高速生产优质图像的完美的电子照相装置。
现在描述残留图像现象。
当形成具有仅有特定光的图像部分和黑图像部分的图像，然后形成如在图9中所示的半色调(half-tone)图像时，有时候在半色调图像中可以观察到图像的残留图像(正或负像)。这些图像称为“正残留图像”或“正重影图像”(如图10所示)和“负残留图像”或“负重影图像”(如图11所示)。特别是必须防止在优质的彩色电子照相装置中形成这种残留图像。
形成残留图像的机理认为是如公开未审的日本专利申请No.(以下称JOP)11-133825中所述的由感光体表面电势的波动引起的。参照图12解释在潜像形成、显影和转印的各个过程中感光体表面电势的波动。
图12A示出了当感光体充电至均匀地具有-700V的电势，然后用成像光曝光时，感光体的表面电势(即，在感光体上形成的静电潜像的表面电势)。在这种情况下，曝光部分的表面电势大约是0V。图12B示出由于显影电势和感光体表面之间的电势差，当使用调色剂显影潜像时感光体的表面电势(即，其上具有调色剂图像的感光体表面电势)。图12C示出将反向偏压施加于接收纸上时调色剂图像转印到接收纸后，感光体的表面电势。在这种情况下，曝光部分具有特定的正电势(例如图17C中的+10V)。
当在这些成像过程重复之后，感光体被充电时，前面图像部分的表面电势(例如-690V)比另一部分的表面电势(即，-700V)低。如果半色调图像在包括前面图像部分和前面非图像部分的区域形成时，前面图像部分和非照射部分的电势差就比前面非图像部分和非照射部分的电势差大，从而在前面图像部分上形成密度大的图像(正像)。
如JOP2002-123067中所述，残余图像问题也出现在数字图像形成方法中，其中如同广泛用于墨喷式打印方法一样，形成了由数字点像组成的半色调图像。
特别地，以光斑(beam spot)形式形成于感光体上以形成潜点像(latent dotimage)的光照度不均匀，并且在从中心到光斑的外围的方向上具有一定分布。当光斑在前面的图像部分形成时，所得潜点像部分的面积就比其它的潜点像部分大，这是因为例如+10V使潜点像部分的电势偏移。因此，所得点调色剂图像的直径比其它部分点图像的直径大，从而观察到扩展的点像部分密集，导致形成残留正像。在高清晰成像中，这种现象就更显著，例如使用1200dpi分辨率成像比使用600dpi分辨率成像更明显。
如JOP 10-177261中所述，认为表面电势的波动主要是由感光体内部的空间电荷的储存引起的。为了防止储存空间电荷，公开了下列方法。
(1)改进感光体的最外层JOP 10-115946公开了一种最外层包括多芳基化合物树脂且介电常数至少为2.3的感光体。
JOP 11-184135公开了一种具有包括偶氮颜料的感光层和包括多芳基化合物树脂的最外层的感光体。根据公开的内容，多芳基化合物树脂具有高结晶度，因此在一定程度上可以对包括在其中的CTM进行取向。其认为对CTM取向和使用特殊的偶氮颜料可以减少电荷注入的势垒，从而使感光体的图象记忆性能变小。
JOP 10-177263公开了将感光体用于具有中间转印介质的电子照相装置，其中该感光体具有包括酞菁化合物的CGL和包括双酚类聚碳酸酯的最外层。据认为该效果是因这些特殊化合物的结合而产生的。
JOP 10-177264公开了将感光体用于具有中间层转印介质的电子照相装置，其中该感光体具有包括酞菁化合物的CGL和包括电荷传输聚合物的最外层。据认为该效果是因这些特殊化合物的结合而产生的。
JOP 10-177269公开了将感光体用于具有中间层转印介质的电子照相装置，其中该感光体具有包括酞菁化合物的CGL和包括至少一种电阻控制剂的绝缘最外层或者半导电最外层。据认为该效果是因这些特殊化合物的结合而产生的。
JOP 2000-147803公开了一种感光体，其中从双酚A和具有特定亚芳基的单体获得的聚碳酸酯共聚物用于其最外层，如CTL。在公开内容中论述了可以防止具有相反极性的电荷从最外层注入。
JOP 2001-235889公开了一种最外层包括表面处理的金属氧化物微粒、醇溶性树脂和醇溶性CTM的感光体。在公开的内容中论述了热塑性树脂不能用作最外层的粘合剂树脂，这是因为该树脂的机械强度不足，并且用于溶解树脂的溶剂也溶解感光层。其认为使用醇溶性的CTM可防止形成残留图像。
JOP 2002-6528公开了一种具有感光层和包括至少一种碱金属元素和碱土金属元素的保护层的感光体。其中描述了通过在保护层中包括这样的元素，可以将离子导电性能赋予该保护层，从而可以提供具有优良耐久性和不储存残留电荷的感光体。其中也描述了通过在保护层中包括CTM，可以减少残留电荷，但是保护层的抗磨损性很弱。
(2)改进感光层JOP 2000-75521公开了一种包括至少一种氯镓酞菁化合物和羟基镓酞菁化合物作为CGM和具有腙骨架的CTM的感光体。在公开的内容中描述了结合特定的CGM和CTM可以降低感光体的转移记忆性能和图像记忆性能。
JOP 2000-105478公开了一种包括偶氮颜料感光层的感光体，它用于使用以380nm-500nm的较短波长的激光二极管辉光作为图像写入光(imagewriting light)的电子照相装置。其认为与α-钛氧基酞菁相比，用于其中的偶氮颜料具有较弱的图像记忆性能。
JOP 2001-305762公开了一种包括CGM和CTM的感光体，其中CTM包括极化度大于70和通过结构优化计算得出偶极矩小于1.8D的第一化合物和在大于第一化合物的波长上具有透射比为50％的第二化合物，其中极化度是采用半经验分子轨道计算使用PM3参数通过结构优化计算得出的。其中描述了第二化合物吸收照射至感光体的过量光，从而可以使感光体的图像记忆性能减弱。
(3)改进CTLJOP 7-92701公开了一种多层感光体，其中CGL包括氧钛酞菁，和CTL包括至少两种CTM，其中该至少两种CTM之间的氧化电势的差值不大于0.04V。其认为通过使用具有几乎相同能级的CTM，很容易出现CTM之间电荷载流子的跳跃，并且由CTM捕俘电荷载流子的机会可以减少，从而减少了用转印装置进行反向充电激发的电子数量，结果防止出现残留图像问题。
JOP 08-152721公开了一种用于背光照射(back-lighting)型高速电子照相装置的感光体，其中曝光显影的间隔是10-150毫秒，其中在2×106V/cm的电场，感光体CTL的电荷迁移率不少于1×10-6cm2/V.sec。其中描述了，当感光体具有低的动态光敏性时，在显影操作开始之前不能完全形成潜像，从而在重复使用后前面图像部分的电势增加；但是通过使用上述技术，可以改进动态光敏性，从而可以解决残留图像的问题。
JOP10-177262公开了一种用于具有中间转印介质的电子照相装置的感光体，该感光体具有包括酞菁化合物的CGL和包括选自三苯胺化合物和N，N，N’，N’-四苯基联苯胺化合物的CTL。据认为该效果是因这些特殊化合物的结合而产生的。
(4)改进CGLJOP 06-313972公开了一种感光体，其中将CGL的厚度增加到至少25μm或者将CGM在CGL中的含量增加到至少50％重量，使得大量的电荷载流子在CGL中被捕获，以使所得的重影不明显。
JOP 10-69104公开了一种具有包括二甲苯基的三芳基胺化合物的CGL的多层感光体。在公开的内容中描述了在CGL和CTL之间的接触面形成了载流子传输的屏障，从而将电荷载流子捕获。由于捕获的载流子减少了CGL中的空间电场，半色调图像部分的电势并不减少，因此在该部分形成残留图像。通过包括CTM(即，具有二甲苯基的三芳基胺)，将产生的载流子快速注入CTL并且进行传输，从而可以防止捕获的载流子积聚(即，出现残留图像问题)。
JOP 10-186696公开了一种具有导电基材、和依次位于覆盖基材上的至少一层感光层和至少一层保护层的感光体，其中该感光层包括氧钛酞菁染料，它的CuKαX射线衍射谱在布拉格(2θ)角9.5度、24.1度和27.3度观察到了强峰。据认为该效果是由特定的化合物产生的。
JOP 2002-107972公开了一种具有CGL的感光体，该CGL包括羟基镓酞菁化合物和用作粘合剂树脂，并具有乙缩醛基、乙酰基和羟基的丁醛树脂，其中该丁醛树脂的丁醛化程度至少为62％摩尔，重均分子量(Mw)至少为2.0×105，数均分子量至少为5.0×104。其认为通过特定的聚乙烯醇缩丁醛可以减少图像载体的数量，从而可以防止出现残留图像问题。
(5)通过CGL和CTL的配合进行改进JOP 07-43920公开了一种多层感光体，其中特定的偶氮颜料用于CGL和具有芴骨架的CTM用于CTL。其认为加入特定的化合物可以防止感光体遭受光疲劳(light fatigue)。据认为该效果是由特定化合物产生的。
JOP 09-211876公开了一种具有高γ性的负极性型感光体，其中CGL包括酞菁化合物，p型CTL包括选自由无机P型半导体和微粒t-硒和电荷传输聚合物组成的材料。其中描述了p型CTL以包括没有空穴的传输材料为特征，从而可以防止正的空穴传输材料扩散到CGL中。因此，可以防止由酞菁颜料引起的捕获，从而可以防止残留图像的问题。
(6)改进底涂层(undercoat layer)JOP 08-22136公开了具有包括硅烷偶联剂和无机填料底涂层的感光体。其中描述了通过形成该底涂层，流向基材的电荷可以平稳地流向基材，从而可以防止残留图像问题。
此外，JOP 11-184127公开了一种感光体，其底涂层包括具有特定的聚酰胺酸或聚酰胺酸酯结构，或聚酰亚胺结构的树脂，和具有氰乙基的树脂。其认为通过使用这种树脂，可以防止感光体遭受光疲劳。
JOP 2000-112162公开了一种感光体，其底涂层包括即使当环境的湿度改变时，电阻几乎不改变的交联树脂。其中描述了JOP 08-146639公开了包括多环醌、苝等的底涂层；JOP 10-73942公开了包括金属茂化合物、电子接受化合物和三聚氰胺树脂的底涂层；JOP 08-22136公开了包括金属氧化物微粒和硅烷偶联剂的底涂层；和JOP 09-258469公开了包括具有由硅烷偶联剂表面处理的金属氧化物微粒的底涂层。
其中描述了在CGL中包括氧钛酞菁的高灵敏度感光体中激发了大量分子和载流子，因此存在大量没有发生电荷分离的分子，另外在重复充电和光照的电子照相过程中大量的电子和空穴倾向于保留在感光体中。
为了解决这个问题，JOP 2000-112162建议将聚酰胺树脂和锆化合物结合使用，或者将聚酰胺树脂、烷氧基锆和二酮化合物如乙酰丙酮结合使用作为底涂层。此外，JOP 2001-51438建议结合纤维素树脂、锆化合物、烷氧基锆和二酮化合物使用用作底涂层。
JOP 2001-305763公开了一种具有底涂层、并包括CGM和CTM的感光体，其中CTM包括具有极化度大于70和通过结构优化计算得出的偶极矩小于1.8D的材料以及特定的芳胺化合物，其中极化度通过用PM3参数采用半经验分子轨道计算结构优化计算得出的，其中底涂层包括用有机硅化合物处理的二氧化钛微粒和具有特定的二元胺组分作为成分的聚酰胺。在此公开中认为通过形成这种底涂层，可以容易地传输保留在感光层中的载流子。
JOP 2002-107983公开了一种体系，其中感光体底涂层的体积平均电阻率为1010-1012Ω.cm，其CTL的厚度不大于18μm，和电子照相装置不包括猝灭剂。其认为不使用猝灭剂可以防止感光体遭受光疲劳，以及由于底涂层具有适当的电阻，可以抑制电荷从基材注入到感光层，因此可以防止空间电荷在感光体中的积聚。
(7)加入添加剂JOP 10-177261公开了用于具有中间转印介质的电子照相装置的感光体，其中该感光体具有包括酞菁化合物的CGL和包括具有受阻酚结构材料的最外层。认为该效果是由特定化合物产生的。
JOP 2000-292946公开了一种具有包括酞菁颜料和二硫代苯甲基化合物的CGL的感光体。其中描述了通过使用这种材料，可以减小感光体的图像记忆性能，从而可以防止出现正重影问题。
(8)改进电子照相工艺JOP 07-13374提出了一种技术，即有时给所使用的感光体反相充电，使得其具有相反的(正)电荷，然后使其稳定。
在具有高灵敏度CTL的感光体中，可以通过光照射诱导得到大量的电荷载流子。在这种情况下，形成了与注入CTL的空穴相同数目的电子。如果没有将电子释放到基材上，那么电子就保持在CGL中，从而倾向于出现残留图像问题。当将该感光体反相(即，正地)充电时，从基材注射电子，并且在CGL中形成电子陷阱。当在这种感光体上进行光照射时，光照部分和未曝光部分之间电子陷阱的数目差异很小，从而重影变得不明显。
JOP 07-44065公开了一种技术，即将与交流电压叠加的直流电压施加于感光体的基材。通过给基材施加反向偏压，可以从其中释放CGL中捕获的电子。通过叠加交流电压，可以提高电流，从而可以加速相反电荷的偏置效应。
JOP 10-123802公开了一种技术，即在具有包括酞菁化合物的CGL的多层感光体上进行充电(不是主充电)，然后在其上面进行光放电，其中如果感光体的预定部分到达主充电部分，则在其上进行主充电。其中描述了通过进行这种成像方法，在感光体中的空间电荷从中释放出来后，给感光体充电，从而可以防止出现残留图像问题。
JOP 10-123855公开了一种技术，即给电子照相装置中提供控制剂，其控制从转印装置流至所用多层感光体的传输电流，其中感光体具有包括酞菁化合物的CGL。其中描述了传输电流越大，形成的负残留图像也越显著。考虑其原因如下。当图像转印时，空穴注入感光体的非光照部分，并且空穴在CGL的界面或在基材面上的CTL被捕获。捕获的空穴在下一个充电过程中被释放，从而暗衰减(dark decay)(即，明显的敏化作用)增强，导致形成负残留图像。因此，通过控制传输电流，还可以控制注入感光体的电荷载流子的数目，防止出现残留图像问题。
JOP 2000-231246提出一种技术，即在充电至感光体的光敏化之前，根据光记忆性能的比例，确定图像写入光和放电光的波长。
JOP 10-123856提出一种技术，即为了防止出现残留图像的问题，在转印过程之前对具有包括酞菁化合物的CGL的感光体进行光照射，以使未曝光部分的电势降低到电势的1/3。其认为通过进行这种照射，降低曝光部分和未曝光部分之间的电势差，从而使得残留图像变成不明显。
JOP 10-246997公开了一种技术，即在使用具有感光层和包括光固化丙烯酸类树脂保护层的感光体的电子照相装置中，在感光体的附近提供一个湿度传感器，根据湿度来改变由充电器提供的电压交流部分的电流。其中描述了通过使用这种技术，可以降低形成模糊图像的机会。此外，其中还描述了使用该技术，感光体的图像记忆性能减弱，但是其中没有描述其机理。
JOP 2001-117244公开了一种技术，即当使用S-形的感光体时为了防止形成重影，控制光照射下感光体电势的半衰期，使其至多为在光照射过程和下述显影过程之间的曝光-显影时间间隔的1/10，其中使用静电印刷飞行时间(TOF)法测定该半衰期。
如上面的第(6)段中所述，JOP 2002-107983公开了一种技术，即不使用猝灭剂，防止感光体遭受光疲劳。
JOP 2002-123067公开了一种技术，即控制感光体和充电条件使其满足下述关系|(V1-V2)/VH|＜0.020，其中VH表示充电的感光体的电势；V1表示10T时间暗衰减后感光体的电势，其中T表示充电曝光间隔；和V2表示10T时间暗衰减后感光体的电势，其中充电和之后的光照射一轮完成后，再次对感光体进行充电。特别是，其中该技术描述了将充电速度提高以具有短的暗衰减时间，或给感光体充电使其具有相对低的电势。
虽然上面描述的技术用于防止出现残留图像，人们发现这些技术并不足以获得具有优良的耐久性和高速生产优质图像的电子照相装置。因此，残留图像问题没有完全解决。
由于这些原因，需要一种电子照相装置，它可以高速生产优质图像并具有优良的耐久性、优良的可清洁性和优良的可转印性同时避免了残留图像的问题。

发明内容
因此，本发明的一个目的是提供能够高速生产优质图像的电子照相感光体，它能获得优良的耐久性、良好的可清洁性和优良的可转印性，并避免残留图像的问题。
本发明的另一个目的是提供制造该感光体的方法。
本发明的又一个目的是提供图像形成的装置和处理盒，其可以高速生产优质图像而不引起残留图像问题，并且不用频繁更换感光体。
简而言之，本可以通过电子照相感光体来实现的发明的这些和其它目的在下面将变得更加清晰可见，该电子照相感光体包括导电基材，覆盖(overlying)在导电基材上的底涂层，覆盖在底涂层上的感光层(photosensitivelayer)。感光层包含覆盖在底涂层上的电荷产生层(charge generation layer)和覆盖在电荷产生层上的电荷传输层(charge transport layer)。此外，底涂层和电荷产生层形成并覆盖在导电基材上之后，当使用360nm-740nm范围内对电荷产生层具有最高反射率的光照射电荷产生层时，电荷产生层的反射率为15-21％。
优选上述的电子照相感光体中，电荷产生层包含由下式(I)表示的双偶氮颜料(disazo pigment)。
其中，A和B代表下式(II)至(VIII)的偶合剂残基(coupler remaininggroups)；
其中，X1表示-OH、-NHCOCH3和-NHSO2CH3，Y1表示-CON(R2)(R3)、-CONHN＝C(R6)(R7)、-CONHN(R8)(R9)、-CONHCONH(R12)、氢原子、COOH、-COOCH3、COOC6H5和苯并咪唑基，其中R2和R3独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环基，或者当R2和R3结合在一起(take together)时可与和它们键连的氮原子形成环，R6和R7独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的苯乙烯基以及取代或未取代的杂环基，或者当R6和R7结合在一起时可与和它们键连的氮原子形成环，R8和R9独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的苯乙烯基、取代或未取代的杂环基，或者当R8和R9结合在一起时可与和它们键连的碳原子形成任选具有稠合芳香环的五元或六元环，R12表示取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基以及取代或未取代的杂环基，以及Z表示与苯环稠合形成多环的芳香环结构或杂环结构的残基，该芳香环结构或杂环结构选自萘环、蒽环、咔唑环、苯并咔唑环、二苯并咔唑环、二苯并呋喃环、苯并萘酚呋喃(benzonaphthofuran)环、硫芴环，它们中的每一个可以具有至少一个取代基； 其中R4表示氢原子、取代或未取代的烷基以及取代或未取代的芳基；
其中R5表示氢原子、取代或未取代的烷基以及取代或未取代的芳基； 其中Y表示二价芳烃基或者其中Y与和其键连的N原子一起形成杂环基； 其中Y表示二价芳烃基或者其中Y与和其键连的N原子形成杂环基； 其中R10表示氢原子、烷基、羧基以及羧酯基(carboxyester group)，Ar1是取代或未取代的芳烃基；和 其中R11表示氢原子、烷基、羧基以及羧酯基，Ar2是取代或未取代的芳烃基。
进一步优选上述电子照相感光体，电荷产生层包含由下述通式(1)表示的双偶氮颜料。
进一步优选在上述的电子照相感光体中，电荷产生层的反射率为17-19％。
本发明的另一个方面是提供一种电子照相装置，其包含上述的电子照相感光体，用于对感光体表面均匀充电而布置的充电器，用于用光照射均匀充电的电子照相感光体以在其上形成静电潜像(latent electrostatic image)而布置的图像照射器(image irradiator)，用于使用调色剂使静电潜像显影而布置的显影装置，用于将显影图像转印到接收材料而布置的转印装置和用于清除残余在感光体上的任何调色剂而布置的清洁器(cleaner)。在电子照相装置中，电子照相感光体还满足下述关系12(V/μm)≤电场强度(V/D)≤35(V/μm)，其中D(μm)表示电子照相感光体电荷传输层的厚度，V(V)表示由于充电电子照相感光体表面的绝对电势。
或者，电子照相装置包含电子照相感光体，该感光体具有包括双偶氮颜料(I)的电荷产生层，且对于在电子照相感光体上形成静电潜像的光的透光率(light transmittance)为35-65％。
优选在上述的电子照相装置中，电子照相感光体满足下列关系15(V/μm)≤电场强度(V/D)≤32(V/μm)。
进一步优选上述电子照相装置中，用于使静电潜像显影的调色剂为球形。
进一步优选上述的电子照相装置还包含中间转印装置，其中，在第一步将在电子照相感光体上用独立的彩色调色剂(separate color toner)显影的多个独立的彩色调色剂图像转印到该中间转印装置以在其上形成重叠的彩色调色剂图像，同时在其上叠加独立的彩色图像，然后将彩色调色剂图像从中间转印装置转印至接收材料。
进一步优选在可选择的电子照相装置中，电荷产生层包括由下式(1)表示的双偶氮颜料。
本发明的另一方面，提供了一种处理盒，它包括上述的电子照相感光体，用于用光照射均匀充电的电子照相感光体以在其上形成静电潜像的任选的图像照射器，和以下的至少一种，优选所有用于对电子照相感光体的表面均匀充电而布置的充电器；用于用调色剂使静电潜像显影而布置的显影设备；用于将显影的图像转印到接收材料而布置的转印装置；用于清洁残留在电子照相感光体上的任何调色剂而布置的清洁器；以及用于使电子照相感光体表面放电而布置的猝灭剂(器)(quencher)。
本发明的另一个方面提供了制造上述感光体的方法，它包括以下步骤形成导电基材，覆盖导电基材的底涂层，形成覆盖底涂层的电荷产生层和覆盖电荷产生层的电荷传输层。
考虑与附图结合的本发明的下列优选实施方式的描述，本发明的这些和其它目的、特征和优点将变得清晰可见。


当与附图一起考虑时，可以从详细描述中更加全面了解并更加容易理解本发明的各种其它目的、特征和伴随的优点，整个附图中相同的标记代表相同的对应部分，并且其中图1-6是本发明电子照相装置实施方式的示意图。
图7和8是本发明感光体实施方式的横截面示意图；图9-11是解释残留图像问题的示意图；和图12A-12C是解释成像过程中感光体电势变化的示意图。
具体实施例方式
本发明的发明人发现高速生产高密度图像的电子照相装置经常产生残留图像问题，但是通过使用一种电子照相感光体，其在该感光体的照射光波段(wavelength band)中具有特定的反射率或特定透光率和特定范围的电场强度(V/D)，并且由具有特定结构的双偶氮颜料制成，可以有效地抑制残留图像的出现，其中D(μm)是感光体的CTL的厚度，V(V)是由于充电导致感光体表面的绝对电压。
通常，多层结构的电子照相感光体具有负面影响如灵敏度(sensitivity)变差，以及当CGL对具有最高反射率的光的反射率上升或者CGL对具有图像照射光源波长的光的透光率降低时(即CGL的厚度变薄)，曝光部分的电压上升。使用具有最高反射率的波长的原因是因为其易于确定和掌握。然而，本发明的发明人发现双偶氮颜料可以有效地抑制这些负面影响。
通常将芳族重氮盐和偶合组分(偶合剂)在盐的存在下反应制备偶氮颜料。
在多种类型的组合中，通常使用具有至少两个偶氮基的偶氮颜料例如双偶氮颜料或三偶氮颜料作为CGM。这些偶氮颜料的结构对静电特性例如灵敏度的影响很大。
对于这些偶氮颜料，根据灵敏度十分优选萘酚类偶合剂。然而，灵敏度的改变取决于用作电子照相感光体的CGM的偶氮颜料微粒的状态。
由于偶合剂残留基的氢键，由通式(I)表示的用于本发明的双偶氮颜料(即由通式(II)-(VIII)表示的具有偶合剂残留基的双偶氮颜料)具有稳定的分子间结合形态(intermolecular associate forming state)。此外，当在电子照相感光体上形成双偶氮颜料层时，所得的双偶氮颜料的微粒状态非常稳定。由于这些因素，由这些双偶氮颜料制成的感光体具有优异的初始灵敏度，优异的维护性能和优异的耐光性。因此，可以通过改进对具有最高反射率光的反射率或者在感光体照射光波段中的透光率来抑制负面效果如灵敏度下降和曝光部分的电压升高。

在式(II)至(VIII)中的残基X1、Y1、R1至R12、Y、Z、Ar1、Ar2如上定义。在式(II)中偶合剂和偶氮基之间的键对于X1或Y1可为任意位置，但优选在X1的邻位。
取代或未取代的烷基优选为包含1至20个碳原子、更优选1至10个碳原子、最优选1至4个碳原子的烷基。合适的例子是甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、乙烯基、烯丙基、环己基、环庚基、2-乙基己基等。
取代或未取代的芳基优选为包含6至18个碳原子、更优选6至14个碳原子、最优选6至10个碳原子的芳基。合适的例子是苯、萘、蒽、菲、芴，等。
取代或未取代的芳烷基优选在芳基中包含6至18个碳原子并在亚烷基中包含1至10个碳原子，更优选在芳基中包含6至10个碳原子并在亚烷基中包含1至4个碳原子。合适的例子是苯甲基和二苯基甲基。
取代或未取代的杂环基优选包含2至20个碳原子、更优选2至10个碳原子；和1至3个，并优选1个选自氮、硫和氧的杂原子。优选杂原子是氮或氧。合适的例子是呋喃、噻吩、吡咯啉、噁唑、噻唑、吡唑、异噁唑、咪唑、苯并呋喃、吲哚、苯并噁唑、苯并噻唑、苯并咪唑、咔唑、吗啉、吡啶、喹啉、吖啶、嘧啶、吡嗪、吡喃、α-苯并吡喃和呫吨。
取代或未取代的芳烃基团Ar1和Ar2优选具有大约6至30个碳原子，更优选6至14个碳原子，最优选6至10个碳原子。其可以是上述列出的芳基和芳烷基中的任一个。优选Ar1和Ar2是苯基和苯甲基。
上述烷基、芳烷基、芳基、芳烃基和杂环基各自可具有一个或多个取代基。这些取代基优选选自-OH、-SH、＝O、-NR13R14，其中R13和R14独立地为H或C1-4烷基、C6-10芳基、C1-4烷氧基、C1-4烷基硫(alkylthio)、-C6-10芳氧基、卤素(Cl、F、Br、I)、羧基、羧基C1-4酯、硝基、亚硫酰基和磺酰基。优选取代基是甲基、乙基、甲氧基、二甲基氨基、-OH、-Cl、-F、＝O和羧基中的一个或多个。
也就是说，为了抑制出现残留图像，通过使用用于具有电子产生层感光体的具有特定结构的双偶氮颜料，可以获得能够以高速生产优质图像的电子照相装置。其中该电子产生层具有对具有最高反射率波长的光的特定反射率或者在照射光波段中具有特定的透光率，并具有特定范围的电场强度(V/D)。关于反射率，在形成底涂层和CGL之后通过使用分光光度计的比色计在360nm-740nm的范围内测量确定CGL的反射率，不论覆盖在CGL上CTL的规格如种类和厚度，可以得到稳定的值。此外，在涂覆作为最外层的CTL之前，可以确定附着的CGL的量，从而通过涂覆工艺的反馈可以控制CGL的涂覆条件。
当对在CGL上显示最高反射率波长的光的反射率太低时或者当在照射光波段中CGL的透光率太低时(即，CGL的厚度足够厚至使透光率降低)，光学特性如光学衰退，即光敏性在大多数情况下是优异，但是充电稳定性倾向于变差并在暗处重复使用时会劣化。此外，该感光体在转印部分易于受反向偏压的影响。从而当感光体进行再充电时，在用照射器照射部分和未照射部分之间出现电势差。所以，在具有密集写入的半色调部分得到了残留图像。
因此，在CGL对具有最高反射率的光具有高反射率的感光体是优良的，或者具有薄的CGL(即，在照射光波段中光的发射(light emittance)高)的感光体是优良的。然而，当反射率或者透光率过高时，光学衰减特性变差以及曝光部分的电势上升。另外，当反射率或者透光率高时，以及当电场强度大时，重复使用感光体，感光层上的静电应力增加，导致光疲劳的累积。因此在这种情况下倾向于出现残留图像。重要的是控制电场强度在低的范围内。
然而，当电场强度低时，获得的静电反差(electrostatic contrast)倾向于不足。因此，重要的是在照射后的光学衰减之后，电子照相感光体的电势充分下降。然而，当没有使用合适的材料时，感光体的光学响应优良，但是静电反差变得不足，这就导致了图像形成问题。对多种类型化合物深入细致研究的结果发现由下列通式(I)表示的双偶氮颜料满足上述的特性。
借此完成了本发明。此外，制得了处理盒和电子照相装置，该装置能够使用这一生产优质图像的电子照相机理来生产全色(full color)图像而没有残留图像。
参照附图详细描述用于本发明的电子照相感光体。
首先，参照附图描述电子照相装置。
图1是是本发明电子照相装置的实施方式的示意图，并且在后面描述的改变也在本发明的范围之内。
图1中，感光体1是满足本发明需求的电子照相感光体。
感光体1是转筒形(drum)的，但是也可以使用具有如片形和环带形(endless belt-form)的感光体。
围绕感光体1，与感光体1接触或靠近设置着减少残留在感光体1上的电荷的放电灯10，布置用来给感光体1充电的充电器2，使用成像光照射感光体1以在感光体1上形成静电潜像的成像光照射器3，用调色剂5显影潜像以在感光体1上形成调色剂图像的图像显影设备4，和清洁感光体1表面的包括清洁刀片的清洁器7。通过转印装置6将形成在感光体1上的调色剂图像转印到接收材料8(如接收纸)。通过定影器(fixer)9将接收材料8上的调色剂图像在其上定影。
可以使用任意已知的充电器如电晕器、电晕管充电器(scorotrons)、固态充电器和滚筒充电器作为充电器2。在这些充电器中，根据功率消耗优选使用接触充电器和短程(short range)充电器。特别是，更优选使用短程充电器，其在充电器和感光体表面之间形成适当的缝隙同时对感光体充电。
可以使用上述已知的充电器作为转印装置6，其中，优选结合使用转印充电器和分离的充电器。
用于成像光照射器3和放电灯10的合适的光源包括荧光灯、钨灯、卤素灯、汞灯、钠灯、发光二极管(LEDs)、激光二极管(LDs)、使用电致发光(EL)的光源等。此外，为了得到所需波长范围的光，可以使用滤波器如锐截止滤波器、带通滤波器、近红外线隔断滤波器、分色滤波器、干扰滤波器、色温转换滤波器等。
当通过图像显影设备4将在感光体1上形成的调色剂图像转印到接收纸8时，并不是所有的调色剂图像都转印到接收纸8上，调色剂微粒残留在感光体1的表面。通过清洁器7从感光体1上除去残余调色剂。适合用作清洁器7的清洁器包括由橡胶、毛刷和大毛刷(mag-fur)制成的清洁刀片。
当将预先正(或负)充电的感光体1曝光于成像光时，在感光体1上形成具有正(或负)电荷的静电潜像。当使用具有负(或正)电荷的调色剂使正(或负)电荷潜像显影时，可以获得正像。相反，当使用具有正(或负)电荷调色剂使正(或负)电荷潜像显影时，可以获得负像(即，倒像(reversed image))。可以使用已知的显影方法作为显影方法。此外，也可以使用已知的放电方法作为放电方法。
图2是本发明的电子照相方法的另一个实施方式的示意图。感光体11是满足本发明要求的电子照相感光体，并且为带形。通过滚筒R1和R2使带形感光体11转动。感光体11用充电器12充电，然后用光照射器13发射的可成像光进行曝光从而在感光体11上形成静电潜像。使用图像显影设备14使潜像显影使得在感光体11上形成调色剂图像。使用转印装置16将调色剂图像转印到接收纸(未示出)上。在调色剂图像转印过程后，使用预清洁的光照射器18进行预清洁光照射操作之后使用清洁毛刷17清理感光体11的表面。然后，使用由放电光源19发射的光使感光体11曝光，以减少其上残留的电荷。在预清洁光照射过程中，光从基材面照射感光体11。在这种情况下，基材必须是透光的。
用于本发明的电子照相方法不局限于如图1和2所示的方法。例如，在图2中可以从感光体11的感光层面进行预清洁光照射操作。此外，在成像光照射过程和放电过程中可以从感光体11的基材面进行光照射。
另外，可以进行在转印调色剂图像之前进行的预转印光照射操作；在可成像光照射之前进行的初步光照射操作；以及其它的光照射操作。
可以将上述的成像单元(image forming unit)固定安装于电子照相装置如复印机、传真机和印刷机。然而，可以将成像单元作为处理盒安装于其中。处理盒是指下述成像单元，它包括感光体和以下的至少一个或多个或全部充电器，成像光照射器，图像显影设备，转印设备，清洁器和猝灭剂(器)。
可以将多种类型的处理盒用于本发明。图3示出了本发明处理盒的一个图3中，处理盒包括本发明的感光体21，布置用于给感光体21充电的充电器22，使用调色剂将通过成像光照射器23在感光体上形成的静电潜像进行显影以形成调色剂图像的图像显影设备(显影滚筒)24，将调色剂图像转印到接收材料28的转印装置26，和清洁感光体21表面的清洁刀片27。图标29和30分别表示定影器和猝灭剂。感光体21是转筒形，但是也可以使用如片形和环带形的感光体。
图4示出了本发明电子照相装置的另一个实施方式。参考图4，电子照相装置的感光体31是本发明的感光体。在感光体31的周围，设置着充电器32、成像光照射器33、具有黑色图像显影设备34BK、青色(cyan)图像显影设备34C、品红色图像显影设备34M和黄色图像显影设备34Y的图像显影单元34，作为中间转印介质的中间转印带40和清洁器37。
图像显影设备34Bk、34C、34M和34Y可以独立地进行控制，在需要时每个图像显影设备可以独立运转。通过第一转印装置36将形成在感光体31上的调色剂图像转印到中间转印带40。只有当感光体31上的调色剂图像转印到其上时，通过第一转印装置36，中间转印带40开始与感光体31接触。通过第二转印装置46将叠加在中间转印带40上的调色剂图像转印到接收材料38，然后通过定影器39将调色剂图像固定到接收材料38。只有当进行转印操作时，第二转印装置46才与中间转印带40接触。
在具有转筒形转印设备的电子照相形成装置中，将彩色调色剂图像转印到静电粘附于转印转筒的接收材料上。因此，不能在厚纸上形成图像。然而，在如图4所示的电子照相装置中，在中间转印带上形成每个调色剂图像，然后将重叠的调色剂图像转印到接收材料。因此，可以在任何种类的接收材料上形成图像。使用中间转印介质的成像方法可以用于如图1至3和5所示的电子照相装置，也可以用于图4和6所示的电子照相装置中。
图5示出了本发明电子照相装置的另一个实施方式。
电子照相装置具有四种色彩成像段(image forming section)，也就是黄色、品红色、青色和黑色成像段。成像段分别包括感光体51Y、51M、51C和51BK。用于电子照相装置的感光体51满足本发明的要求。
在每个感光体(51Y、51M、51C或51BK)的周围，设置着充电器(52Y、52M、52C或52BK)，成像光照射器(53Y、53M、53C或53BK)，图像显影设备(54Y、54M、54C或54BK)和清洁器(57Y、57M、57C或57BK)。此外，设置在成像段下面的输入/转印带60通过滚筒R3和R4紧紧地拉伸。通过转印装置56Y、56M、56C和56BK将输入/转印带60与感光体51连接或者分开，以将调色剂图像从感光体51转印到接收材料58。通过定影器59将所得的彩色调色剂图像固定。
如图5中所示的串联类型(tandem-type)的电子照相装置具有用于形成四色图像的多个感光体51，并且将可平行形成的彩色调色剂图像转印到接收材料58上。因此，该电子照相装置可以以比如图4所示的电子照相装置更高的速度形成全色图像。
图6示出了本发明电子照相装置的另一个实施方式，它是具有中间转印介质的串联式彩色电子照相装置。
该电子照相装置具有四色成像段，即黄色、品红色、青色和黑色成像段。成像段分别包括感光体71Y、71M、71C和71Bk。用于电子照相装置的感光体71满足本发明的要求。
在每个感光体(71Y、71M、71C或71BK)周围，设置充电器(72Y、72M、72C或72Bk)，成像光照射器(73Y、73M、73C或73Bk)，图像显影设备(74Y、74M、74C或74BK)和清洁器(77Y、77M、77C或77BK)。此外，设置在成像段下的中间转印带80被滚筒R5和R6以及其它滚筒紧紧拉伸。通过转印装置76Y、76M、76C和76BK将中间转印带80与感光体连接或者分开，使得从感光体上接受调色剂图像。通过转印装置86将在中间转印带80上形成的彩色调色剂图像立刻转印到接收材料78。然后通过定影器79将彩色调色剂图像定影。
接下来，将参照附图详细说明本发明的有机感光体。
图7示出了本发明具有层状结构的感光体的一个实施方式的截面示意图。感光体具有导电性基材101、电荷产生层(CGL)102和电荷传输层(CTL)103。
图8示出了本发明具有层状结构的感光体的另一个实施方式的截面示意图。感光体具有在如图7所示的基材101和CGL 102之间形成了底涂层104的结构。
适合用作导电性基材101的材料包括体积电阻率不大于为1010Ω.cm的材料。这种材料的具体例子包括塑料或纸的圆筒或膜片，通过如汽相沉积和溅射的方法在其表面上形成金属例如铝、镍、铬、镍铬合金、铜、金、银、铂、铁等，或金属氧化物例如氧化锡、氧化铟等。此外，可以使用例如铝、铝合金、镍和不锈钢的金属板。也可以使用金属圆筒作为基材101，它是通过用例如拉伸、冲击模塑、挤出模塑、挤出拉伸或切割，然后对管的表面进行切割、超精加工、抛光等处理方法，将金属例如铝、铝合金、镍和不锈钢做成管形而制备的。
本发明的感光层是多层感光层，它在导电性基材101上有CGL102以及叠加在CGL102上的CTL103。现在描述多层感光层每层的结构。
(CGL)CGL102包括作为主要成分的CGM，任选包括粘合剂树脂。作为用于本发明的CGM，考虑到上述特性，至少一种主要组分是由前述式(I)代表的双偶氮颜料。该双偶氮颜料的具体例子包括在其每个末端具有邻位氯的苯环取代基的化合物，例如(2，7-双(3-(2-氯苯基)氨甲酰基-2-羟基-1-萘基偶氮]-9-芴酮，由式(I)代表的化合物中特别适合的优选例子是具有由下式(1)表示的结构的双偶氮颜料。
这些CGM可以单独使用或者结合使用。
任选包括在CGL中的合适的粘合剂树脂包括聚酰胺、聚氨酯、环氧树脂、聚酮、聚碳酸酯、多芳基化合物、硅氧烷树脂、丙烯酸类树脂、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯醇缩甲醛、聚乙烯基酮、聚苯乙烯、聚N-乙烯基咔唑、聚丙烯酰胺等树脂。
这些树脂可以单独使用或者结合使用。
此外，电荷传输聚合物可以作为CGL的粘合剂树脂。另外，如果需要可以将低分子量的CTM加入CGL。
将CTM分为正空穴传输材料和电子传输材料，还分为低分子量CTM和电荷传输聚合物。
电子传输材料的具体例子包括电子接收材料例如氯醌、四溴代苯醌、四氰基乙烯、四氰基醌二甲烷、2，4，7-三硝基-9-芴酮，2，4，5，7-四硝基-9-芴酮、2，4，5，7-四硝基呫吨酮，2，4，8-三硝基噻吨酮、2，6，8-三硝基-4H-茚并(1，2-b)噻吩-4-酮、1，3，7-三硝基二苯并噻吩-5，5-二氧化物等。
可以单独使用或者结合使用这些电子传输材料。
正空穴传输材料的具体例子包括噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、三苯基胺衍生物、9-(对二乙基氨基苯乙烯基蒽)、1，1-双-(4-二苄基氨基苯基)丙烷，苯乙烯基蒽，苯乙烯基二氢化吡唑，苯基腙，α-苯基芪衍生物、噻唑衍生物、三唑衍生物、吩嗪衍生物、吖啶衍生物、苯并呋喃衍生物、苯并咪唑衍生物、噻吩衍生物等。
可以单独或者结合使用正空穴传输材料。
用于形成CGL的适当的优选方法包括从溶液分散系统的流延(casting)方法。
形成CGL的流延方法通常包括下列步骤(1)通过将溶剂例如四氢呋喃、环己酮、二噁烷、二氯乙烷、丁酮等与上述的CGM混合，任选与粘合剂树脂和添加剂混合制备涂布液体，然后用球磨机、磨碎机、砂磨机等将其分散以制备CGL涂覆液体；(2)必要时将该CGL涂覆液体稀释，使用例如浸渍涂覆、喷涂、珠涂(bead coating)和环涂等方法，将其涂覆到基材上；和(3)干燥涂覆的液体形成CGL上述形成的CGL的厚度满足以下条件在形成底涂层和CGL之后，当使用分光光度计的比色计在360nm-740nm测量时，CGL对具有最高的反射率的光的反射率为15-21％，优选17-19％；和/或CGL对具有用于图像照射的波长的光的透光率是35-65％和优选40-55％。当透光率太低时(即CGL形成的厚度足以降低透光率)，在大多数情况下其特征如光学衰减，即光敏性优异，但是充电稳定性倾向于变坏，从而在暗处重复使用会劣化。此外，在转印部分该感光体倾向于易受反向偏压的影响。从而当感光体进行再充电时，在通过照射器照射的部分和没有照射部分之间出现电势差。所以，在密集写入的半色调部分得到残留图像。
因此，降低所粘附的CGL的含量，即具有底涂层和在CGL上对显示出最高反射率的波长的光具有有高反射率的CGL，和/或具有薄的CGL(即在照射光的波段中透光率高)是有利的。然而，当反射率和/或者透光率过高时，光学衰减特性变差以及曝光部分的电势上升。
(CTL)接下来，现在描述CTL103。
通常通过下述方法制备CTL103，即制备CTL涂覆液体，其中CTM和粘合剂树脂或电荷传输聚合物材料的混合物溶解或分散到溶剂中，然后涂覆该涂覆液体，接着进行干燥。
用作CTL粘合剂树脂的聚合物的具体例子包括热塑性树脂和热固性树脂例如聚苯乙烯、苯乙烯/丙烯腈共聚物、苯乙烯/丁二烯共聚物、苯乙烯/马来酸酐共聚物、聚酯、聚氯乙烯、氯乙烯/醋酸乙烯酯共聚物、聚醋酸乙烯酯、聚偏二氯乙烯、多芳基化合物、聚碳酸酯、醋酸纤维素树脂、乙基纤维素树脂、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯醇缩甲醛、聚乙烯基甲苯、丙烯酸类树脂、硅氧烷树脂、含氟树脂、环氧树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂和醇酸树脂，但并不限于此。
这些聚合物材料可以单独使用或者结合使用。另外，也可以使用上述聚合物材料单体的共聚物。此外，也可以使用单体和CTM的共聚物。
当为了使所得的感光体具有承受环境条件的优良的稳定性而用电惰性的聚合物时，可以优选使用树脂诸如聚酯、聚碳酸酯、丙烯酸树脂、聚苯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、含氟树脂、聚丙烯腈、丙烯腈/苯乙烯/丁二烯共聚物、丙烯腈/苯乙烯共聚物和乙烯/醋酸乙烯酯共聚物。电惰性的电荷传输聚合物材料是指不具有光电导性能的结构，如三芳胺结构的聚合物。
当将这些树脂作为添加剂与粘合剂树脂一起使用时，考虑到所得感光体的光敏性，其含量优选为不大于粘合剂和添加剂的总量的50％重量。
用于CTL中的CTM的具体例子包括上述的低分子量的电子传输材料、低分子量的正空穴传输材料和电荷传输聚合物材料。
当使用低分子量的CTM时，对于每100重量份包含在其中的树脂组分，其含量为40-200重量份，优选70-150重量份。当使用电荷传输聚合物时，对于每100重量份的包含在其中的电荷传输组分，其含量为0-500重量份，优选0-150重量份。
当CTL包含两种或者多种CTM时，两种或多种CTM之间的电离电势的差要尽可能的小，具体地该差值优选不大于0.15ev。在这种情况下，防止了其中的CTM之一作为其它CTM的阱(trap)。
为了给予感光体高光敏性，CTM在CTL中的含量优选为CTL中每100重量份的树脂组分不小于70重量份。
用于CTL涂覆液体的合适的溶剂包括酮例如甲基乙基酮、丙酮、甲基异丁基酮和环己酮；醚例如二噁烷、四氢呋喃和乙基溶纤剂；芳族溶剂例如甲苯和二甲苯；含卤素溶剂例如氯苯和二氯甲烷；酯例如乙酸乙酯和醋酸丁酯；等等。这些溶剂可以单独使用或者结合使用。
如果需要，CTL可以包括一种或者多种添加剂例如抗氧化剂、增塑剂、润滑剂和紫外线吸收剂。以下提及其具体的例子。对于每100重量份其中的树脂组分，加入0.1-50重量份含量的这些添加剂到CTL中，优选加入0.1-20重量份。对于每100重量份其中的树脂组分，加入0.001-5重量份含量的均化剂(leveling agent)。
用于涂覆CTL涂覆液体的合适的涂覆方法包括浸涂法、喷涂法、环涂(ring coating)法、辊涂(roll coating)法、凹版(gravure coating)涂覆法、管口涂覆(nozzle coating)法和丝网涂覆(screen coating)法等。在这些方法中，优选喷涂法，因为它易于防止填料聚集。
CTL的厚度通常为15-40μm，优选15-30μm。当希望形成具有优良分辨率的图像时，CTL的厚度优选不大于25μm。也必须考虑到电子照相装置的电场强度。电场强度的值V/D为如上所述的12(V/μm)-35(V/μm)，优选15-32(V/μm)，其中D(μm)表示感光体CTL的厚度，V(V)表示由于充电导致的感光体表面的绝对电势。
另外，当电场强度高时，感光层上的静电应力增加，导致光疲劳增大。因此当电场强度低时，获得的静电反差倾向于不足。因此，重要的是具有适用于所用CGL厚度的电势。
(底涂层)在本发明的感光体中，可以在基材101和CGL102之间形成底涂层104以改进基材和感光层之间的粘合力，防止形成moiré条纹，改进覆盖层的涂覆性能，减小残留电势和防止电荷从基材注入感光层中。
底涂层通常包括树脂作为主要组分。由于通常通过涂覆包含有机溶剂的液体在底涂层上形成感光层，底涂层中的树脂优选对于普通有机溶剂具有优良的抵抗力。
这种树脂的具体例子包括水溶性树脂例如聚乙烯醇树脂、酪蛋白和聚丙烯酸钠盐；醇溶性树脂例如尼龙共聚物和甲氧基甲基化的尼龙树脂和能够形成三维网状的热固性树脂例如聚氨酯树脂、三聚氰胺树脂、醇酸-三聚氰酰胺树脂、环氧树脂等。
底涂层可以包括细的金属氧化物如二氧化钛、二氧化硅、矾土、氧化锆、氧化锡和氧化铟的粉末。
也可以通过使用适当的溶剂和上述用于感光层的适当的涂覆方法涂覆涂覆液体，形成底涂层。
此外，也可以将通过使用硅烷偶联剂、钛偶联剂或铬偶联剂的溶胶-凝胶法形成的金属氧化物层用作底涂层。
另外，通过阳极氧化的方法形成的氧化铝层和通过真空蒸发方法形成的有机化合物如聚对苯二甲撑或无机化合物如SiO2、SnO2、TiO2、ITO或CeO2的层，也优选用作底涂层。
底涂层的厚度优选为0.1-10μm，优选为1-5μm。
在本发明的感光体中，可以在感光层的一层或多层，即CGL、CTL和底涂层中采用一种或多种添加剂如抗氧化剂、增塑剂、紫外线吸收剂、低分子量电荷传输材料和均化剂，以改进感光体最外层的阻气性及其抵抗环境条件的稳定性。
下面是这些化合物的典型材料。
(抗氧化剂)用于感光体的层的合适的抗氧化剂包括下列化合物，但并不仅限于此。
(a)酚类化合物2，6-二-叔丁基-对甲酚、2，4，6-三-叔丁基酚(phenol)、正-十八烷基-3-(4′-羟基-3′，5′-二-叔丁基酚)丙酸酯、苯乙烯化的酚、4-羟甲基-2，6-二-叔丁基酚、2，5-二-叔-丁基氢醌、环己基酚、丁基羟基苯甲醚、2，2′-亚甲基-双-(4-乙基-6-叔丁基酚)、4，4′-亚异丙基双酚、1，1-双(4-羟基苯)环己烷、4，4′-亚甲基-双(2，6-二-叔丁基酚)、2，6-双(2′-羟基-3′-叔丁基-5′-甲基苯甲基)-4-甲基酚、1，1，3-三(2-甲基-4-羟基-5-叔丁基苯基)丁烷、1，3，5-三甲基-2，4，6-三(3，5-二-叔丁基-4-羟基苯甲基)苯、四(亚甲基-3-(3′，5′-二叔丁基-4-羟苯基)丙酸酯)甲烷、三(3，5-二-叔丁基-4-羟基苯基)异氰酸酯、三[β-(3，5-二-叔丁基-4-羟基苯基)丙酰基-氧乙基(oxyethyl)]异氰酸酯、4，4′-硫代双(4-甲基-6-叔丁基酚)、4，4’-硫代双(4-甲基-6-叔丁基酚)等。
(b)胺化合物苯基-α-萘胺、苯基-β-萘胺、N，N′-二苯基-对苯二胺、N，N′-二-β-萘基-对苯二胺、N-环己基-N′-苯基-对苯二胺、N-亚苯基-N′-异丙基-对苯二胺、羟醛(aldol)-α-萘胺、6-乙氧基-2，2，4-三甲基-1，2-二氢化喹啉等。
(c)含硫化合物硫代双(β-萘酚)、硫代双(N-苯基-β-萘胺)、2-巯基(mercapto)苯并噻唑、2-巯基苯并咪唑、十二烷硫醇、一硫化四甲基秋兰姆(tetramethylthirammonosulfide)、二硫化四甲基秋兰姆、二丁基硫氨基甲酸镍、黄原酸异丙酯、硫代二丙酸二月桂酯、硫代二丙酸二硬脂酯等。
(d)含磷化合物亚磷酸三苯酯、二苯基癸基亚磷酸酯、苯基异癸基亚磷酸酯、亚磷酸三(壬基苯基)酯、4，4′-亚丁基-双(3-甲基-6-叔丁基苯基-二(十三烷基)亚磷酸酯)、二亚磷酸二硬脂季戊四醇酯、三硫代亚磷酸三月桂基酯等。
(增塑剂)用于感光体层中的合适的增塑剂包括下列化合物，但并不仅限于此。
(a)磷酸酯磷酸三苯酯、磷酸三甲苯酯、磷酸三辛酯、磷酸辛基二苯酯、磷酸三氯乙酯、磷酸甲苯基二苯酯、磷酸三丁酯、磷酸三(2-乙基己基)酯、磷酸三苯酯等。
(b)邻苯二甲酸酯邻苯二甲酸二甲酯、邻苯二甲酸二乙酯、邻苯二甲酸二异丁酯、邻苯二甲酸二丁酯、邻苯二甲酸二庚酯、二-2乙基己基邻苯二甲酸酯、邻苯二甲酸二异辛酯、邻苯二甲酸二正辛酯、邻苯二甲酸二壬酯、邻苯二甲酸二异壬酯、邻苯二甲酸二异癸酯、邻苯二甲酸双十一酯、邻苯二甲酸双十三烷基酯、邻苯二甲酸二环己酯、丁基苯甲基邻苯二甲酸酯、丁基十二烷基邻苯二甲酸酯、甲基油基邻苯二甲酸酯、辛基癸基邻苯二甲酸酯、富马酸二丁酯、富马酸二辛酯等。
(c)芳族羧酸酯偏苯三酸三辛酯、偏苯三酸三-正辛基酯、辛氧基苯甲酸酯等。
(d)二元脂肪酸酯己二酸二丁酯、己二酸二正己酯、己二酸二-2-乙基己基酯、己二酸二正辛酯、正辛基正癸基己二酸酯、己二酸二异癸酯、己二酸二辛酯、壬二酸二-2-乙基己基酯、癸二酸二甲酯、癸二酸二乙酯、癸二酸二丁酯、癸二酸二正辛酯、癸二酸二(2-乙基己基)酯、癸二酸二-2-乙氧基乙基酯、琥珀酸二辛酯、琥珀酸二异癸酯、四氢邻苯二甲酸二辛酯、四氢邻苯二甲酸二正辛酯等。
(e)脂肪酸酯衍生物油酸丁酯、丙三醇一油酸酯、乙酰基蓖麻油酸甲酯、季戊四醇酯、二季戊四醇六酯、甘油三乙酸酯、甘油三丁酸酯等。
(f)含氧酸酯乙酰基蓖麻油酸甲酯、乙酰基蓖麻油酸丁酯、甘醇酸丁基邻苯二甲酰基丁酯、乙酰柠檬酸三丁酯等。
(g)环氧化合物环氧化豆油、环氧化亚麻子油、环氧硬脂酸丁酯、环氧硬脂酸癸酯、环氧硬脂酸辛酯、环氧硬脂酸苯甲酯、环氧六氢邻苯二甲酸二辛酯、环氧六氢邻苯二甲酸二癸酯等。
(h)二元醇酯二苯甲酸二甘醇酯、三甘醇二-2-乙基丁酸酯等。
(i)含氯化合物氯化石蜡、氯化联苯、氯化脂肪酸的甲酯、甲氧基氯化脂肪酸的甲酯等。
(j)聚酯化合物聚己二酸亚丙酯、聚癸二酸亚丙酯、乙酰化聚酯等。
(k)磺酸衍生物对甲苯磺酰胺、邻甲苯磺酰胺、对甲苯基砜乙基酰胺(sulfoneethylamide)、邻甲苯基砜乙基酰胺、甲苯砜-N-乙基酰胺、对甲苯砜-N-环己基酰胺等。
(l)柠檬酸衍生物柠檬酸三乙酯、乙酰柠檬酸三乙酯、柠檬酸三丁酯、乙酰柠檬酸三丁酯、三-2-乙基己基乙酰柠檬酸酯、正辛基癸基乙酰柠檬酸酯等。
(m)其它化合物三联苯、部分水合的三联苯、樟脑、2-硝基联苯、二壬基萘、松香酸甲酯等。
(紫外线吸收剂)用于感光体的层的合适的紫外线吸收剂包括下列化合物，但并不仅限于此。
(a)二苯甲酮化合物2-羟基二苯甲酮、2，4-二羟基二苯酮、2，2′，4-三羟基二苯甲酮、2，2′，4，4′-四羟基二苯甲酮、2，2′-二羟基-4-甲氧基二苯甲酮等。
(b)水杨酸酯化合物水杨酸苯酯、2，4-二-叔丁基苯基-1-3，5-二-叔丁基-4-羟基苯甲酸酯等。
(c)苯并三唑化合物(2′-羟苯基)苯并三唑、(2′-羟基-5′-甲苯基)苯并三唑、(2′-羟基-3′-叔丁基-5′-甲基苯基)-5-氯苯并三唑等。
(d)氰基丙烯酸酯化合物乙基-2-氰基-3，3-联苯丙烯酸酯、甲基-2-甲酯基-3-(对甲氧基)丙烯酸酯等。
(e)猝灭剂(金属络合物)(2，2′-硫代双(4-叔辛基)苯酚化)-正丁胺镍、二丁基二硫代氨基甲酸镍、二环己基二硫代磷酸钴等。
(f)HALS(位阻胺)双(2，2，6，6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、双(1，2，2，6，6-五甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、1-[2-{3-(3，5-二-叔丁基-4-羟苯基)丙酸基}乙基]-4-{3-(3，5-二叔丁基-4-羟苯基)丙酸基}2，2，6，6-四甲基吡啶、8-苯甲基-7，7，9，9-四甲基-3-辛基-1，3，8-三氮杂螺[4，5]十一烷-2，4-二酮、4-苯甲酸基-2，2，6，6-四甲基哌啶等。
上述提到的用于CGL102的低分子量CTM还可以用于本发明的感光体的每一层中。
实施例实施例1<形成感光体>
制备具有下述组成的底涂层涂覆液体、CGL涂覆液体和CTL涂覆液体。
底涂层涂覆液体醇酸树脂 9份(购自Dainippon Ink & Chemicals，Inc.的BEKKOZOL M-6301-45)三聚氰胺树脂 7份(购自Dainippon Ink & Chemicals，Inc.的SUPER BEKKAMIN G-821-60)二氧化钛 40份(购自Ishihara sangyo Kaisha Ltd.的CR-EL)甲基乙基酮 150份CGL涂覆液体具有下式(M)的双偶氮颜料5.2份 聚乙烯醇缩丁醛 0.25份(购自Union Carbide Corp.的XYHL)环己酮 200份甲基乙基酮 80份CTL涂覆液体具有下列通式的CTM 7份 Z-形聚碳酸酯树酯 10份
(粘均分子量为52，000，购自Teijin Chemicals Ltd.)四氢呋喃 85份1％硅油四氢呋喃溶液 1份(硅油KF50-100CS，购自Shin-Etsu Chemical Industry Co.，Ltd.)在直径为30mm的铝制圆筒上涂覆上述的底涂层涂覆液体，CGL涂覆液体和CTL涂覆液体，并通过浸渍涂覆法在其上形成，然后干燥。
控制上升速度使得形成底涂层的厚度为4.5μm，形成CGL使得底涂层和CGL对波长720nm的反射率为17.5％，及形成的CTL的厚度为31μm，其中，720nm是当用分光光度计的比色计(由KONICA Minolta Holdings Inc.制造的分光光度计CM-2500D)测量时在360nm-740nm范围内对于底涂层和电荷产生层的反射率最高的波长。
<评估>
将由此制备的感光体整饰(finish)用于实际应用，然后将其装入基于具有655nm LD写入波长的IPSIO COLOR 8100(由Rlcoh Co.，Ltd制造)而改造的电子照相装置中，进行操作试验，其中以5％的图像面积比产生30,000份含有矩形实心(solid)图像和字符的图像的复制件。如此进行实施例1-4和对比实施例1-4。
所用的调色剂的平均粒径为5.9μm。
用于电子照相装置的充电器是感光体的短程充电辊。
充电条件如下交流部分的的电压1.9kV(峰值到峰值的电压)交流部分的的频率1.35KHz直流分量的电压控制直流电压使得在操作试验进行中，充电的感光体的电势保持在-500V。没有给该电子照相设备提供猝灭剂。
此外，其它条件如下显影偏压-350V环境条件24℃，54％RH当完成该操作试验时，对残留图像及其它的图像质量进行评估。
目测观察所产生的图像确定其是否有残留图像。对图像进行如下分级。
等级5观察不到残留图像 优等级4观察到极少的残留图像 几乎优等级3观察到少量的残留图像 几乎良等级2观察到一些残留图像 几乎没问题等级1观察到相当多的残留图像并且难以辨认 差评估的其它图像品质为背景污染、图像密度等。
评估结果示于表1。
实施例2除了形成的CTL厚度为20μm，使用与实施例1相同的方法制备实施例2的电子照相感光体。
使用与实施例1相同的方式评估如此制备的电子照相感光体。
评估结果示于表1。
实施例3除了形成的CTL厚度为33μm，使用与实施例1相同的方法制备实施例3的电子照相感光体。
使用与实施例1相同的方式评估如此制备的电子照相感光体。
评估结果示于表1。
实施例4除了形成的CTL厚度为16μm，使用与实施例1相同的方法制备实施例4的电子照相感光体。
使用与实施例1相同的方式评估如此制备的电子照相感光体。
评估结果示于表1。
实施例5除了使用分光光度计的比色计测定在720nm波长时底涂层和CGL的反射率为18.5％之外，使用与实施例1相同的方法制备实施例5的电子照相感光体。
评估结果示于表1实施例6除了使用分光光度计的比色计测定在720nm波长时底涂层和CGL的反射率为16.7％之外，使用与实施例1相同的方法制备实施例6的电子照相感光体。
评估结果示于表1实施例7
除了使用分光光度计的比色计测定在720nm波长时底涂层和CGL的反射率为19.4％之外，使用与实施例1相同的方法制备实施例7的电子照相感光体。
实施例8除了使用分光光度计的比色计测定在720nm波长时底涂层和CGL的反射率为20.5％之外，使用与实施例1相同的方法制备实施例6的电子照相感光体。
对比实施例1除了使用4重量份Y形钛氧基酞菁代替双偶氮颜料用于制备实施例1中的CGL涂覆液体之外，使用与实施例1相同的方法制备对比实施例1的电子照相感光体。
使用与实施例1相同的方式评估如此制备的电子照相感光体。
评估结果示于表1。
对比实施例2除了形成底涂层和CGL后，由分光光度计的比色计测量在720nm波长时的反射率为13.4％之外，使用与实施例1相同的方法制备对比实施例2的电子照相感光体。
使用与实施例1相同的方式评估如此制备的电子照相感光体。
评估结果示于表1。
对比实施例3除了形成底涂层和CGL后，由分光光度计的比色计测量在波长720nm的反射率为22.8％之外，使用与实施例1相同的方法制备对比实施例3的电子照相感光体。
使用与实施例1相同的方式评估如此制备的电子照相感光体。
评估结果示于表1。
对比实施例4除了形成的CTL厚度为13μm，使用与实施例1相同的方法制备对比实施例4的电子照相感光体。
使用与实施例1相同的方式评估如此制备的电子照相感光体。
评估结果示于表1。
对比实施例5
除了使用分光光度计的比色计测定波长为720nm时底涂层和CGL的反射率为14.6％之外，使用与实施例1相同的方法制备对比实施例5的电子照相感光体。
评估结果示于表1。
对比实施例6除了使用分光光度计的比色计测定波长为720nm时底涂层和CGL的反射率为21.4％之外，使用与实施例1相同的方法制备对比实施例6的电子照相感光体。
评估结果示于表1。
表1

如表1所示，在满足本发明要求的实施例中获得了没有残留和反常图像的优质图像。相反，在每个没有满足本发明要求的对比实施例中，观察到反常的图像例如残留图像和图象密度减小的图像。
实施例9
将实施例1的感光体整饰用于实际应用，然后装入基于IMAGIO NEO270(由Ricoh Co.Ltd.制造)改造的电子照相装置进行操作试验，改造该装置使得用于图像照射的光源的波长为655nm并除去起猝灭剂作用的LED照射装置，其中以5％的图像面积比产生20,000份含矩形实心图像和字符的图像的复制件。这样进行实施例9。
使用的调色剂和显影设备是IMAGIO NEO 270专用的调色剂和显影设备。
用于电子照相装置的充电器是感光体的短程充电辊。
使用外部电源的充电情况如下交流部分的的电压1.9kV(峰值到峰值的电压)交流部分的的频率1.35KHz直流分量的电压控制直流电压使得操作试验中充电的感光体的电势保持在-700V。
此外，其它条件如下显影偏压-500V环境条件24℃ 54％RH当完成操作试验时，对残留图像和其它的图像质量进行评估。
评估结果示于表2。
实施例10用与实施例9相同的方法对实施例2的电子照相感光体进行试验。如此进行实施例10。评估结果示于表2。
实施例11至15用与实施例9相同的方法对实施例3、5至8的电子照相感光体进行试验。如此进行实施例11至15。评估结果示于表2。
对比实施例7至12用与实施例9相同的方法对对比实施例1至6的电子照相感光体进行试验。如此进行对比实施例7至12。评估结果示于表2。
表2

如表2所示，在满足本发明要求的实施例中获得了没有残留和反常图像的优质图像。相反地，在每个没有满足本发明要求的对比实施例中，观察到反常的图像例如残留图像、背景污染和图象密度减小的图像。
实施例16<形成感光体>
制备具有下列组成的底涂层涂覆液体、CGL涂覆液体和CTL涂覆液体。
底涂层涂覆液体醇酸树脂 9份(BEKKOZOL 1307-60-EL购自Dainippon Ink & Chemicals，Inc.)三聚氰胺树脂 7份(SUPER BEKKAMIN G-821-60，购自Dainippon Ink & Chemicals，Inc.)二氧化钛 40份(CR-EL，购自Ishihara Sangyo Kaisha Ltd.)
甲基乙基酮150份CGL涂覆液体具有下列通式(M)的双偶氮颜料 4份 聚乙烯醇缩丁醛0.25份(XYHL，购自Union Carbide Corp.)环己酮200份甲基乙基酮80份CTL涂覆液体具有下式的CTM 7份 Z-形聚碳酸酯树酯 10份(粘均分子量为50,000，购自Teijin Chemicals Ltd.)四氢呋喃 85份1％硅油四氢呋喃溶液 1份(硅油KF50-100CS，购自Shin-Etsu Chemical Industry Co.Ltd.)在直径为30mm的铝制圆筒上涂覆上述的底涂层涂覆液体、CGL涂覆液体和CTL涂覆液体并通过浸渍涂覆法形成然后干燥。
控制上升速度使得形成的底涂层厚度为4.5μm，形成CGL使得在波长为655nm的光源下透光率T(％)为45％，以及形成的CTL厚度为31μm。
<评估>
将由此制备的感光体如实施例1进行整饰用于实际应用并进行评估。
评估结果示于表3。
实施例17
除了形成的CTL厚度为20μm，使用与实施例16相同的方法制备实施例17的电子照相感光体。
使用与实施例16相同的方式评估如此制备的电子照相感光体。
评估结果示于表3。
实施例18除了形成的CTL厚度为33μm，使用与实施例16相同的方法制备实施例18的电子照相感光体。
使用与实施例16相同的方式评估如此制备的电子照相感光体。
评估结果示于表3。
实施例19除了形成的CTL厚度为16μm，使用与实施例16相同的方法制备实施例19的电子照相感光体。
使用与实施例16相同的方式评估如此制备的电子照相感光体。
评估结果示于表3。
实施例20除了对于波长为655nm的光源，CGL的透光率T(％)为36％，使用与实施例16相同的方法制备实施例20的电子照相感光体。
使用与实施例16相同的方式评估这样制备的电子照相感光体。
评估结果示于表3。
实施例21除了对于波长为655nm的光源，CGL的透光率T(％)为39.2％，使用与实施例16相同的方法制备实施例21的电子照相感光体。
使用与实施例16相同的方式评估这样制备的电子照相感光体。
评估结果示于表3。
实施例22除了对于波长为655nm的光源，CGL的透光率T(％)为41％，使用与实施例16相同的方法制备实施例22的电子照相感光体。
使用与实施例16相同的方式评估这样制备的电子照相感光体。
评估结果示于表3。
实施例23除了对于波长为655nm的光源，CGL的透光率T(％)为54.1％，使用与实施例16相同的方法制备实施例23的电子照相感光体。
使用与实施例16相同的方式评估这样制备的电子照相感光体。
评估结果示于表3。
实施例24除了对于波长为655nm的光源，CGL的透光率T(％)为55.6％，使用与实施例16相同的方法制备实施例24的电子照相感光体。
使用与实施例16相同的方式评估这样制备的电子照相感光体。
评估结果示于表3。
实施例25使用与实施例16相同的方法制备实施例25的电子照相感光体，除了对于波长为655nm的光源，CGL的透光率T(％)为64.3％。
使用与实施例16相同的方式评估这样制备的电子照相感光体。
评估结果示于表3。
对比实施例13除了使用4重量份的Y形钛氧基酞菁代替用于制备实施例16中CGL涂覆液体的双偶氮颜料，使用与实施例16相同的方法制备对比实施例13的电子照相感光体。
使用与实施例16相同的方式评估如此制备的电子照相感光体。
评估结果示于表3。
对比实施例14除了对于波长为655nm的光源，CGL的透光率T(％)为28％，使用与实施例16相同的方法制备对比实施例14的电子照相感光体。
使用与实施例16相同的方式评估如此制备的电子照相感光体。
评估结果示于表3。
对比实施例15除了对于波长为655nm的光源，CGL的透光率T(％)为70％，使用与实施例16相同的方法制备对比实施例15的电子照相感光体。
使用与实施例16相同的方式评估如此制备的电子照相感光体。
评估结果示于表3。
对比实施例16除了形成的CTL厚度为13μm，使用与实施例16相同的方法制备对比实施例16的电子照相感光体。
使用与实施例16相同的方式评估如此制备的电子照相感光体。
评估结果示于表3。
对比实施例17除了对于波长为655nm光源，CGL的透光率T(％)为34.5％，使用与实施例16相同的方法制备对比实施例17的电子照相感光体。
使用与实施例16相同的方式评估如此制备的电子照相感光体。
评估结果示于表3。
对比实施例18除了对于波长为655nm光源，CGL的透光率T(％)为66％，使用与实施例16相同的方法制备对比实施例18的电子照相感光体。
使用与实施例16相同的方式评估如此制备的电子照相感光体。
评估结果示于表3。
表3

如表3所示，在满足本发明要求的实施例中获得了没有残留和反常图像的优质图像。相反地，在每个没有满足本发明要求的对比实施例中，观察到反常的图像例如残留图像和图象密度减小的图像。
实施例26将实施例16的感光体整饰用于实际应用，然后和实施例9一样进行评估。如此进行实施例26。
评估结果示于表4。
实施例27至34用与实施例26相同的方法对实施例17、18和20至25的电子照相感光体进行试验。如此进行实施例27至34。表4显示结果。
对比实施例19-24用与实施例26相同的方法对对比实施例13-18的电子照相感光体进行试验。如此实施对比实施例19-24。评估结果示于表4。
表4

如表4所示，在满足本发明要求的实施例中获得了没有残留和反常图像的优质图像。相反地，在每个没有满足本发明要求的对比实施例中，观察到反常的图像例如残留图像、背景污染和图象密度减小的图像。
如上所述，由于本发明的电子照相装置可以生产没有反常图像问题如残留图像、背景污染和图象密度减小的优质图像，本发明的电子照相装置具有用于影印机、传真机、激光打印机、直接数字制版机等的实际价值。
本申请要求优先权，并且包含与在2003年9月17日和2003年11月20日分别提交的日本专利申请No.2003-324986和2003-391070的内容，其在此处引入作为参考。
现在已经全面地描述了本发明，对于本领域的普通技术人员来说是显而易见的，即在没有脱离本发明实施方式的实质和范围下可以进行许多改变和改进。
权利要求
1.一种电子照相感光体，其包含导电基材；覆盖在导电基材上的底涂层；覆盖在底涂层上的感光层并包含覆盖在底涂层上的电荷产生层；和覆盖在电荷产生层上的电荷传输层，其中，在底涂层和电荷产生层形成并覆盖在导电基材上之后，当使用在360nm-740nm范围内对电荷产生层具有最大反射率的光照射电荷产生层时，该电荷产生层的反射率为15-21％。
2.权利要求1所述的电子照相感光体，其中所述电荷产生层包含由下式(I)表示的双偶氮颜料 其中，A和B表示由下式(II)至(VIII)表示的偶合剂残留基团； 其中，X1表示-OH、-NHCOCH3和-NHSO2CH3，Y1表示-CON(R2)(R3)、-CONHN＝C(R6)(R7)、-CONHN(R8)(R9)、-CONHCONH(R12)、氢原子、COOH、-COOCH3、COOC6H5和苯并咪唑基，其中R2和R3独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环基，或者当R2和R3结合在一起时可与和它们键连的氮原子形成环，R6和R7独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的苯乙烯基以及取代或未取代的杂环基，或者当R6和R7结合在一起时可与和它们键连的氮原子形成环，R8和R9独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的苯乙烯基、取代或未取代的杂环基，或者当R8和R9结合在一起时可与和它们键连的碳原子形成任选具有稠合芳香环的五元或六元环，R12表示取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基以及取代或未取代的杂环基，以及Z表示与苯环稠合以形成多环的芳香环结构或杂环结构的残留基，该芳香环结构或杂环结构选自萘环、蒽环、咔唑环、苯并咔唑环、二苯并咔唑环、二苯并呋喃环、苯并萘酚呋喃环、硫芴环，它们中的每一个可以具有至少一个取代基； 其中R4表示氢原子、取代或未取代的烷基以及取代或未取代的芳基； 其中R5表示氢原子、取代或未取代的烷基以及取代或未取代的芳基； 其中Y表示二价芳烃基或者其中Y与和其键连的N原子形成杂环基； 其中Y表示二价芳烃基或者其中Y与和其键连的N原子形成杂环基； 其中R10表示氢原子、烷基、羧基以及羧酯基，Ar1是取代或未取代的芳烃基；和 其中R11表示氢原子、烷基、羧基以及羧酯基，Ar2是取代或未取代的芳烃基。
3.权利要求1或者2所述的电子照相感光体，其中所述电荷产生层包括由下列通式(1)表示的双偶氮颜料
4.权利要求1至3中任一项所述的电子照相感光体，其中所述电荷产生层的反射率为17-19％。
5.一种电子照相装置，其包括权利要求1-4中任一项所述的电子照相感光体；用于给感光体表面均匀充电而布置的充电器；用于用光照射均匀充电的电子照相感光体以在其上形成静电潜像而布置的图像照射器；用于使用调色剂使静电潜像显影而布置的显影设备；用于将显影图像转印到接收材料而布置的转印装置；和用于清除残留在感光体上任何调色剂而布置的清洁器，其中该电子照相感光体满足下列关系12(V/μm)≤电场强度(V/D)≤35(V/μm)，其中D(μm)表示该电子照相感光体的电荷传输层的厚度，V(V)表示由于充电，该电子照相感光体表面的绝对电势。
6.权利要求5所述的电子照相装置，其中所述电子照相感光体满足下列关系15(V/μm)≤电场强度(V/D)≤32(V/μm)。
7.权利要求5或6所述的电子照相装置，其中所述用于使静电潜像显影的调色剂为球形。
8.权利要求5至7中任一项所述的电子照相装置，还包含中间转印装置，其中在第一步将在电子照相感光体上用独立的彩色调色剂显影的多个独立的彩色调色剂图像转印到该中间转印装置以在其上形成重叠的彩色调色剂图像，同时在其上叠加独立的彩色图像，并且在第二步将重叠的彩色调色剂图像从中间转印装置转印至接收材料。
9.一种处理盒，其包含权利要求1-4中任一项所述的电子照相感光体；和以下的至少一种用于使电子照相感光体的表面均匀充电而布置的充电器；用于使用光照射均匀充电的电子照相感光体以在其上形成静电潜像而布置的图像照射器；用于使用调色剂使得静电潜像显影而布置的显影设备；用于将显影的图像转印到接收材料而布置的转印装置；用于清洁残留在电子照相感光体上的任何调色剂而布置的清洁器；和用于使电子照相感光体表面放电而布置的猝灭剂。
10.一种电子照相装置，其包含电子照相感光体，包括导电基材；覆盖在导电基材上的底涂层；覆盖在底涂层上的感光层，并且包括电荷产生层，其包含双偶氮颜料并且对用以在电子照相感光体上形成静电潜像的光的透光率为35-65％；和覆盖在电荷产生层上的电荷传输层；用于使电子照相感光体的表面均匀充电而布置的充电器；用于使用光照射均匀充电的电子照相感光体以在其上形成静电潜像而布置的图像照射器；用于使用调色剂使得静电潜像显影而布置的显影设备；用于将显影的图像转印到接收材料而布置的转印装置；和用于清洁残留在电子照相感光体上的任何调色剂而布置的清洁器；其中，所述电子照相感光体满足下列关系12(V/μm)≤电场强度(V/D)≤35(V/μm)，其中D(μm)表示该电子照相感光体的电荷传输层厚度，V(V)表示由于充电，该电子照相感光体表面的绝对电势；以及其中所述双偶氮颜料由下式(I)表示 其中，A和B表示由下式(II)至(VIII)表示的偶合剂残留基团； 其中，X1表示-OH、-NHCOCH3和-NHSO2CH3，Y1表示-CON(R2)(R3)、-CONHN＝C(R6)(R7)、-CONHN(R8)(R9)、-CONHCONH(R12)、氢原子、COOH、-COOCH3、COOC6H5和苯并咪唑基，其中R2和R3独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环基，或者当R2和R3结合在一起时可与和它们键连的氮原子形成环，R6和R7独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的苯乙烯基以及取代或未取代的杂环基，或者当R6和R7结合在一起时可与和它们键连的氮原子形成环，R8和R9独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的苯乙烯基、取代或未取代的杂环基，或者当R8和R9结合在一起时可与和它们键连的碳原子形成任选具有稠合芳香环的五元或六元环，R12表示取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基以及取代或未取代的杂环基，以及Z表示与苯环稠合以形成多环的芳香环结构或杂环结构的残留基，该芳香环结构或杂环结构选自萘环、蒽环、咔唑环、苯并咔唑环、二苯并咔唑环、二苯并呋喃环、苯并萘酚呋喃环、硫芴环，它们中的每一个可以具有至少一个取代基； 其中R4表示氢原子、取代或未取代的烷基以及取代或未取代的芳基； 其中R5表示氢原子、取代或未取代的烷基以及取代或未取代的芳基； 其中Y表示二价芳烃基或者其中Y与和其键连的N原子形成杂环基； 其中Y表示二价芳烃或者其中Y与和其键连的N原子形成杂环基； 其中R10表示氢原子、烷基、羧基以及羧酯基，Ar1是取代或未取代的芳烃基；和 其中R11表示氢原子、烷基、羧基以及羧酯基，Ar2是取代或未取代的芳烃基。
11.权利要求10所述的电子照相装置，其中所述电荷产生层包括由下式(1)表示的双偶氮颜料
12.权利要求10或11所述的电子照相装置，其中所述电荷产生层的透光率为40-55％。
13.权利要求10-12中任一项所述的电子照相装置，其中所述电子照相感光体满足下列关系15(V/μm)≤电场强度(V/D)≤32(V/μm)。
14.权利要求10-13中任一项所述的电子照相装置，其中所述用于使静电潜像显影的调色剂为球形。
15.权利要求10-14中任一项所述的电子照相装置，还包含中间转印装置，第一步将在电子照相感光体上用独立的彩色调色剂显影的多个独立的彩色调色剂图像转印到该中间转印装置以在其上形成重叠的彩色调色剂图像，同时在其上叠加独立的彩色图像，并且在第二步将重叠的彩色调色剂图像从中间转印装置转印至接收材料。
16.一种处理盒，它包括电子照相感光体，其包括导电基材；覆盖在导电基材上的底涂层；覆盖在底涂层上的感光层，并包括覆盖在底涂层上的电荷产生层，它包含双偶氮颜料并且对用以在电子照相感光体上形成静电潜像的光的透光率为35-65％；和覆盖在电荷产生层上的电荷传输层；使用光照射均匀充电的电子照相感光体以在其上形成静电潜像而布置的图像照射器；以及以下的至少一种用于使电子照相感光体的表面均匀充电而布置的充电器；用于使用调色剂使得静电潜像显影而布置的显影设备；用于将显影的图像转印到接收材料而布置的转印装置；用于清洁残留在电子照相感光体上的任何调色剂而布置的清洁器；和用于使电子照相感光体表面放电而布置的猝灭剂；其中所述电子照相感光体满足下列关系12(V/μm)≤电场强度(V/D)≤35(V/μm)，其中D(μm)表示该电子照相感光体的电荷传输层厚度，V(V)表示由于充电该电子照相感光体表面的绝对电势；以及其中双偶氮颜料由下式(I)表示 其中，A和B表示由下式(II)至(VIII)表示的偶合剂残留基团； 其中，X1表示-OH、-NHCOCH3和-NHSO2CH3，Y1表示-CON(R2)(R3)、-CONHN＝C(R6)(R7)、-CONHN(R8)(R9)、-CONHCONH(R12)、氢原子、COOH、-COOCH3、COOC6H5和苯并咪唑基，其中R2和R3独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环，或者当R2和R3结合在一起时可与和它们键连的氮原子形成环，R6和R7独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的苯乙烯基以及取代或未取代的杂环基，或者当R6和R7结合在一起时可与和它们键连的氮原子形成环，R8和R9独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的苯乙烯基、取代或未取代的杂环基，或者当R8和R9结合在一起时可与和它们键连的碳原子形成任选具有稠合芳香环的五元或六元环，R12表示取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基以及取代或未取代的杂环基，以及Z表示与苯环稠合以形成多环的芳香环结构或杂环结构的残留基，该芳香环结构或杂环结构选自萘环、蒽环、咔唑环、苯并咔唑环、二苯并咔唑环、二苯并呋喃环、苯并萘酚呋喃环、硫芴环，它们中的每一个可以具有至少一个取代基； 其中R4表示氢原子、取代或未取代的烷基以及取代或未取代的芳基； 其中R5表示氢原子、取代或未取代的烷基以及取代或未取代的芳基； 其中Y表示二价芳烃基或者其中Y与和其键连的N原子形成杂环基； 其中Y表示二价芳烃或者其中Y与和其键连的N原子形成杂环基； 其中R10表示氢原子、烷基、羧基以及羧酯基，Ar1是取代或未取代的芳烃基；和 其中R11表示氢原子、烷基、羧基以及羧酯基，Ar2是取代或未取代的芳烃基。
17.一种生产电子照相感光体的方法，其包括形成导电基材；形成覆盖在导电基材上的底涂层；形成覆盖在底涂层上的电荷产生层；和形成覆盖在电荷产生层上的电荷传输层，其中在底涂层和电荷产生层形成并覆盖在导电基材上后，当使用360nm-740nm范围内对电荷产生层具有最大反射率的光照射电荷产生层时，电荷产生层的反射率为15-21％。
全文摘要
一种电子照相感光体，包含导电基材、位于覆盖在导电基材上的底涂层、位于覆盖在底涂层上的感光层。该感光层具有位于覆盖在底涂层上的电荷产生层和位于覆盖在电荷产生层上的电荷传输层。此外，在底涂层和电荷产生层覆盖在导电基材上形成后，当使用360nm－740nm范围内对电荷产生层具有最大反射率的光照射电荷产生层时，电荷产生层的反射率为15－21％。
文档编号G03G5/06GK1655066SQ20041010232
公开日2005年8月17日 申请日期2004年9月17日 优先权日2003年9月17日
发明者栗本锐司, 山下康之 申请人:株式会社理光