曝光方法及组件制造方法、以及基板及其制造方法

专利名称：曝光方法及组件制造方法、以及基板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种通过液体将基板曝光的曝光方法及组件制造方法。
背景技术：
半导体组件或液晶显示组件，是利用将形成于光罩上的图案转印于感光性 基板上的微影方法来制造。在此微影步骤所使用的曝光装置具有用以支持光 罩的光罩栽台、与用以支持1^反的基板载台，边逐次移动光罩栽台及M栽台， 边通过投影光学系统将光罩的图案转印于基板上。近年来，为了对应组件图案 的更高集积化，而期望投影光学系统的更高分辨率化。投影光学系统的分辨率， 随着所使用的曝光波长越短、投影光学系统的数值孔径越大，则变越高。因此， 膝光装置所使用的曝光波长逐年短波长化，投影光学系统的数值孔径也增大。 又，现在主流的曝光波长是KrF准分子激光的248nm,但更短波长的ArF准分 子激光的193nm也实用化。又，进行曝光时，与分辨率同样，焦点深度(D0F) 亦极为重要。分辨率R及焦点深度5分别用以下公式来表示。
R-k!x入/NA ... (1)
5 = ±k2xX/NA2 …(2)
在此，入是曝光波长，NA是投影光学系统的数值孔径，t、 k2是处理系数。 由式(l)、式(2)可知，为了提高分辨率R,若缩短曝光波长入，增大数值孔 径M，则焦点深度5就会变小。
若焦点深度5变太小，则相对于投影光学系统的像面，不易对准M表面， 曝光动作时的聚焦程度会有不足之处。因此，就实质缩短曝光波长，且扩大焦 点深度的方法而言，例如下述专利文献1所揭示的液浸法。该液浸法是以水或 有机溶剂等液体填满投影光学系统的下面与基板表面之间来形成液浸区，利用 液体中的曝光用光波长成为空气中的1/n (n是液体的折射率，通常为1.2-1.6 左右)来提高分辨率，并且将焦点深度扩大至约n倍。 (专利文献l)国际公开第99/49504号文本
然而，上述感光性基板，例如将感光材料被覆于半导体晶片等基材上。在 液浸法中，虽形成浸液区域的液体与基板接触，但基板的周缘部会有未被感光 材料被覆的情形。当液体接触未被此感光材料被覆的区域，则构成该区域的基 材表面(底层)的物质可能会溶解于液体中。溶解于液体中的物质是产生杂质 的作用，由于含有该杂质的液体，会使构成基板或曝光装置的各种机器、构件 受到污染，可能会影响到待形成的组件性能或曝光装置的曝光精度。
又，在使用液浸法的曝光装置中，以跨越基板边缘方式来形成液浸区的情 形，液体可能会从形成于基板周围的间隙渗入，使得基板背面或保持基板的构 件受到污染。

发明内容
有鉴于此，本发明目的在于提供一种曝光方法，能将液体维持在期望状态， 而进行良好地将基板曝光；及组件制造方法，使用该曝光方法，能制造可发挥 期望性能的组件。
本发明的另一目的在于提供一种曝光方法，能防止液体从形成于M周围 的至少一部分之间隙渗入；及组件制造方法，使用该曝光方法，能制造可发挥 期望性能的组件。
为了解决上述问题，本发明中的曝光方法是通过液体将曝光用光照射于基 板上，以将该基板曝光，其特征在于在构成该基板的基材表面，具有以感光 材料#:覆的有效区域；为避免该有效区域外侧的该基材表面与该液体接触，将 该有效区域外侧的该基材表面的至少 一部分以既定材料被覆。
所迷有效区域外侧包含该基材的周缘部。
所述有效区域外侧包含该基材的侧面。
所迷基材表面包含第l面与第2面，所述第l面包含以该感光材料祐產的 有效区域，所迷第2面与所述第1面对向；该有效区域外侧包含该基材的第2 面的至少一部分。
所述既定材料包含用来被覆该有效区域的感光材料。
所迷既定材料亦被覆该感光材料。
所述既定材料对该液体具有拨液性。
为了防止构成该基材表面的物质溶解于该液体中，而将该有效区域外侧的 该基材表面以既定材料^皮覆。
所述基材表面包含硅基板表面。 所述基材表面包含氧化膜层。 所述基材表面包含金属层。 所述基材表面包含绝缘膜层。
所述有效区域外侧是通过边缘清洗处理来去除感光材料。 本发明中的曝光方法，通过液体将曝光用光照射于被保持在基板保持装置 的基板上，以将该基板曝光，其特征在于
该基板保持装置是在该基板周围具有平坦部；
在该基板的周缘部形成HMDS (六甲基二硅氨烷)层，以防止液体泄漏到被 保持于该基板保持装置的基板与该平坦部的间隙。 该HMDS层形成于该基板的上面。 该HMDS层形成于该基板的侧面。 该服DS层形成于该基板的下面。
该HMDS层形成于该皿周缘部被施以边缘清洗处理的部分。
该HMDS层是于该边缘清洗处理之后形成。 该HMDS层是于该边缘清洗处理之前形成。 该HMDS层是于将感光材料膜形成于该基板上之前形成。 本发明还提供一种基板，是透过液体而曝光，具备形成有感光材料膜的 区域、与被施以边缘清洗处理的区域；该边缘清洗处理后的区域具有拔液性。 一种基板制造方法，用以制造透过液体而曝光的基板，其特征在于 在构成该J4l的基材上形成感光材料膜；及 对该感光材料膜的至少 一部分施以边乡彖清洗处理； 该边缘清洗处理后的区域具有拨液性。
本发明是在基材表面之中，以既定材料来被覆被感光材料被覆的有效区域 外侧的既定区域，在有效区域外侧，因使基材与液体不接触，故能防止构成基 材表面的物质溶解于液体中。又，就既定材料而言，使用对液体影响少的材料， 藉此能将液体維持在期望状态，而能良好地将基板曝光。
在此，所谓"有效区域"是指以感光材料被覆的可曝光区域，即能形成期
望精度的图案的区域。
另，本发明通过在基板的周缘部形成HMDS层，故在基板周缘部，能防止基 板的一部分(HMDS层的底层)的物质被液体溶解。
本发明因能将液体维持在期望状态而将基板曝光，故能提供具有期望性能 的组件


图1是本发明第1实施例中曝光处理对象的基fe的结构示意图2是本发明中一曝光装置的结构示意图3是本发明用于保持基板的基板载台的截面示意图4是本发明中第2实施例的基板的结构示意图5是本发明中第3实施例的基板的结构示意图6是本发明中第4实施例的基板的结构示意图7是本发明中第5实施例的基板的结构示意图8是本发明中笫6实施例的基板的结构示意图9是本发明中第7实施例的基板的结构示意图IO是本发明中第8实施例的基板的结构示意图ll是本发明中用来说明进行HMDS处理的装置的示意图12是本发明中用来说明第8实施例的曝光方法的流程图13A是用来说明第8实施例的曝光方法第SA10步骤的示意图
图13B是用来说明第8实施例的啄光方法第SA20步骤的示意图
图13C是用来说明第8实施例的曝光方法第SA30步骤的示意图
图14是本发明中第9实施例的基板的结构示意图15是用来说明第9实施例的曝光方法的流程图16A是用来说明第9实施例的曝光方法第SA10步骤的示意图
图16B是用来说明第9实施例的曝光方法第SA20步骤的示意图
图16C是用来说明第9实施例的曝光方法第SA30步骤的示意图
图16D是用来说明第9实施例的膝光方法第SA32步骤的示意图
图16E是用来说明第9实施例的曝光方法第SA33步骤的示意图
图17是本发明中第10实施例的基板的结构示意图18是本发明中第11实施例的基板的结构示意图19是本发明中第12实施例的基板的结构示意图20是本发明中微组件工艺之一的流程图。
具体实施例方式
下面将结合附图对本发明中的具体实施例作进一步详细说明，但本发明的 保护范围并不限于此。 第1实施例
如图1所示，本实施例中基板P具有基材1和感光材料2，感光材料2被 覆于基材l上面1A的一部分。在本实施例中，基材1包含半导体晶片(硅晶片)， 基板P根据液浸法来曝光。
感光材料2，例如以200nm左右的厚度被覆于基材1上面1A的一部分上， 构成基板P的基材1表面具有被覆感光材料2的有效区域4、有效区域4外侧 的非有效区域5。有效区域4外侧的非有效区域5包含基材1上面U的周缘部 lAs、基材1的侧面1C、及与上面1A对向的下面1B。又，在本实施例中，在有 效区域4外侧的非有效区域5并未被覆感光材料2。即，在基材1上面1A的周 缘部lAs、基材1的侧面1C、及基材1的下面1B未被覆感光材料2。
基材1上面U的周缘部1As (上面U的非有效区域5 )例如具有3咖左右 之宽，有效区域4设置于非有效区域5内侧，占有基材l的上面1A的大致所有 区域。即，感光材料2在基材1的上面1A之中，除了其上面1A的周缘部1As 外，大致全域^L覆。
感光材料2，例如以旋涂法等既定涂布方法涂布于基材1上，《旦当以旋涂 法等既定涂布方法将感光材料2的膜形成于基材1上的情形，有效区域4外侧 的非有效区域5,例如基材1的周缘部Us与侧面1C也涂布有感光材料2。若 此部分与搬送系统(用以搬送基板P)的搬送臂或供事先保管基板P的载体架 等支持部接触，则感光材料2会有剥离。当感光材料2剥离，就会变成异物， 不仅污染搬送臂或载体，并且由于该异物与清净的基板P再接触，污染可能扩 大。又，在基材l的周缘部，会有发生感光材料2的膜较中央部厚的现象。该 基材l的周缘部的感光材料2容易剥离，剥离后的感光材料2变成异物，当该 异物附着在基&P上时，就会使图案转印精度受到影响。在此，在基材l上以 既定的涂布方法设置感光材料2后，进行例如使用溶剂等来去除周缘部1As或 侧面1C等的感光材料2的处理(边缘清洗处理)。藉此，在基材1 (基板P)的 周缘部1As等的感光材料2被去除。在本实施例中，基材l表面的非有效区域 5包含通过边缘清洗处理来去除感光材料2的区域。
在以下的说明中，形成于基材l (l^P)上的既定材料膜中，去除该基材 (基板)周缘部的材料膜的处理称为边缘清洗处理。又，例如，在基材l上积
复^1:材料膜的情形，在边缘清洗处理中，包含去除复数材料膜的至少一部分的 周缘部的处理。
以感光材料2被覆的有效区域4是指可曝光的区域，能形成期望精度图案 的区域。即，设置于有效区域4的感光材料2，是以既定的被覆条件[包含#^ 时的环境(温度、湿度)条件、成膜条件、材料组成、及膜厚条件等]来进行被 覆，能形成期望精度的图案。
感光材料2被与此感光材料2不同的第l材料3覆盖。在本实施例中，第 1材料3是在感光材料2之上形成顶涂层(top coat)膜(保护膜)。此顶涂层 膜是针对液体来保护感光材料2的膜。形成顶涂层膜的第1材料3被覆有效区 域4、及有效区域4外侧的非有效区域5。具体而言，第1材料3被覆基材1的 上面1A的周缘部lAs、基材1的侧面1C、及基材1的下面1B的周缘部lBs。 又，在图1中所示，第1材料3的膜是以与感光材料2大致相同的厚度来表示， 但实际上是20-40nm左右的厚度，较感光材料2薄。
在本实施例中，感光材料2可以使用东京应化工业股份有限公司制造的 P6111，第1材料3可以使用东京应化工业股份有限公司制造的TSP-3A。这些 感光材料2及第1材料3在进行液浸曝光时，对形成液浸区的液体具有拨液性。 如后述，在本实施例中，就形成液浸区的液体而言，因使用纯水，故就感光材 料2及第1材料3而言，使用具有拨水性的材料。例如，液体(纯水)LQ对感 光材料2的接触角为60-85度，液体(纯水)LQ对第1材料3的接触角为90 度以上。这些感光材料2及第1材料3对液体LQ是非溶解性，且对液体LQ的 影响少的材料。
又，上述顶涂层膜大多是为防止浸液区域的液体渗透于感光材料而设置的， ^f旦有时也形成用来防止M P上液体的残留。又，例如，在顶涂层膜上附着液 体，该液体被气化后，即使在顶涂层膜上形成附着痕迹(水痕)，液浸曝光后去
除此顶涂层膜，藉此能与顶涂层膜一起去除水痕。又，与顶涂层膜一起去除水 痕后，能进行显影处理等既定的加工处理。
就第1材料3而言，如上述，能使用东京应化工业股份有限公司制造的P6111 等氟系的树脂材料，但亦能使用与显影液亲和性高，强碱性的高分子为主成分 的树脂材料。因此，使用与显影液亲和性高，强碱性的高分子为主成分的树脂 材料的情形，能将顶涂层膜与显影液一起洗去，如使用氟系树脂材料的顶涂层 膜，不必专用的洗净步骤。又，就第1材料3而言，也可使用半导体工艺所使 用的HMDS (hexamethyldisilazane:六曱基二^圭氨步克)。
如上述，基材1包含半导体晶片，基材1表面包含硅基板表面。
筒单说明形成图1所示的基板P的步骤，首先，在半导体晶片等基材1上 涂布感光材料2。涂布感光材料2后，进行边缘清洗处理以去除基材1的周缘 部Us的感光材料2。边缘清洗处理后，由氟系的树脂材料或HMDS等第1材料 3构成顶涂膜(层)以覆盖感光材料2的方式来形成。由第1材料3所构成的 膜(层)，形成于被施以基材1的周缘部lAs的边缘清洗处理的部分。又，在基 板P施以预烘烤处理等既定处理后，进行曝光处理。
其次，针对根据液浸法来啄光上述基板P的曝光装置EX加以说明，如图2 所示。
曝光装置EX具备光罩载台MST(以能移动的方式来支持光罩M)、基板栽 台PST (具有用来保持基板P的^1保持器PH,以能移动的方式来保持基板P )、 照明光学系统IL (以曝光用光EL来照明被支持于光罩载台MST的光罩M)、投 影光学系统PL (将经曝光用光EL照明的光罩M的图案像投影于被支持于基板 载台PST的M P )、及控制装置C0NT (综合控制曝光装置EX全体的动作)。在 此所谓的"光罩"包含标线片(形成有缩小投影于基板P上的组件图案)。
照明光学系统IL,以曝光用光EL来照明支持于光罩载台MST的光罩M，其 具有曝光用光源、光学积分器(将由曝光用光源所射出的光束的照度均匀化)、 聚光透镜(将来自光学积分器的曝光用光EL聚光)、中继透镜系统、及^见野光
圈(藉由曝光用光EL设定光罩M的照明区域)。光罩M上的既定照明区域是通 过照明光学系统IL以均匀照度分布的曝光用光EL来照明。就从照明光学系统 IL射出的曝光用光EL而言，可以使用从7JC银灯射出的光线(g线、h线、i线) 及KrF准分子激光(波长248nm)等远紫外光(DUV光)、或ArF准分子激光(波 长193nm)及Fr激光(波长157nm)等真空紫外光(VUV光)等。
光罩载台MST以能移动方式来支持光罩M，在与投影光学系统PL的光轴AX 垂直的平面内(即XY平面内)，能二维移动及朝6Z方向微旋转。在光罩栽台 MST上，设置有用以测量光罩载台MST的激光干涉计41用的移动镜40。光罩栽 台MST上的光罩M的二维方向的位置及;5走转角通过激光干涉计41以实时方式来 测量，控制装置CONT根据激光千涉计41的测量结果，来驱动包含线性马达等 光罩栽台驱动机构，藉此来对;故支持于光罩载台的光罩M进行定位。
投影光学系统PL，以既定的^L影倍率将光罩M的图案投影曝光至基^反P， 其由包舍没置于基板P侧前端部的光学组件(透镜)LS的复数个光学组件所构 成，这些光学組件被镜筒PK支持。在本实施例中，投影光学系统PL的投影倍 率P，可以是1/4、 1/5或1/8的缩小系统。又，投影光学系统PL也可以是等 倍系统;5^史大系统中的任一种。又，投影光学系统PL还可是不含反射组件的折 射系统，亦可含折射组件与反射组件的反射折射系统中的任一系统。前端部的 光学组件LS从镜筒PK露出。
M栽台PST具备Z载台(通过基板保持器PH来保持基板P ) 52与XY载 台53 (用来支持Z栽台52)。 XY载台53被支持于基座54上。Z栽台52是将被 支持于基板保持器PH的基板P能朝Z轴方向、及6 X、 6 Y方向(倾斜方向) 移动。XY栽台53通过Z载台52,将被保持于基板保持器PH的基板P能朝XY 方向(与投影光学系统PL的像面实质平行的方向)及6Z方向移动。又，当然 可将Z载台与XY载台一体设置。
在基;^反栽台PST (Z载台52)上，设置有用以测量此基板栽台PST位置的 激光干涉计43用的移动镜42。基板载台PST上的M P的二维方向位置及旋
转角通过激光干涉计43以实时方式来测量。控制装置CONT才艮据激光干涉计43 的测量结果，在激光干涉计43所规定的二维坐标系统内，通过包含线性马达等 基板载台驱动机构来驱动XY载台53,藉此来进行被支持于基板载台PST的基 板P的X轴方向及Y轴方向的定位。
曝光装置EX具备聚焦检测系统，例如在日本特开平8-37149号公报中公开 的基板P的上面，从斜方向投射检测光，藉此检测出基昧P上面的位置信息。 聚焦检测系统能求出相对于投影光学系统PL的像面的基板P上面的Z轴方向位 置(聚焦位置)、及基fe P上面的倾斜。控制装置CONT通过基板栽台驱动机构 来驱动差4反载台PST的Z载台52，藉此来控制保持于Z栽台52的基& P的Z 轴方向位置(聚焦位置)及6X、 6Y方向的位置，将基板P的上面(曝光面) 对准通过投影光学系统PL及液体LQ所形成的像面。
本实施例中的曝光装置EX，用来实质缩短曝光波长，提高分辨率，并且实 质扩大焦点深度，适用液浸法的液浸咏光装置，其具备液浸机构100,能形成 液体LQ的液浸区AR2于基板P上，如图3所示。液浸机构100具备环状嘴构件， 如图2所示，设置于基板P (基板载台PST)的上方，以围住投影光学系统PL 前端的光学组件PL的方式设置；液体供应机构10,通过设置于嘴构件70的液 体供应口 12，将液体LQ供应至基板P上；及液体回收机构20，通过设置于嘴 构件70的液体回收口 22,回收J41P上的液体LQ。液体供应机构10，用来将 既定的液体LQ供应至投影光学系统PL的像面侧，其具备能送出液体LQ的液体 供应部11与供应管13 (连接其一端部至液体供应部11 )。供应管13的另一端 部连接于嘴构件70。液体供应部ll具备收容液体LQ的储存槽、加压泵、及过 滤单元等。又，液体回收机构20，用来回收投影光学系统PL的像面侧的液体 LQ，具备能回收液体LQ的液体回收部21与回收管23 (连接其一端部至液体回 收部21)。回收管23的另一端连接于嘴构件70。液体回收部21具备例如真空 泵等真空系统(吸引装置)、气液分离器(用以分离所回收的液体LQ与气体)、 及储存槽(用以收容所回收的液体LQ)等。
嘴构件70设置于KP (基板载台PST)的上方，嘴构件70的下面70A与 基板P的上面对向。液体供应口 12设置于嘴构件70的下面70A。又，在嘴构 件70的内部，设置有用来连接供应管13与液体供应口 12的内部流路。又，液 体回收口 22设置于嘴构件70的下面70A，投影光学系统PL (光学组件LS)的 光轴AX,设置于较液体供应口 12为外側。又，在嘴构件70的内部，设置有用 来连接回收管23与液体回收口 22的内部流路。
液体供应部11的动作通过控制装置CONT来控制。当把液体LQ供应至J4！ P上时，控制装置CONT从液体供应部11送出液体LQ,通过供应管13、及嘴 构件70的内部流路，从设置于基板P上方的液体供应口 12将液体LQ供应至基 板P上。又，液体回收部21的液体回收动作通过控制装置CONT来控制。控制 装置CONT通过液体回收部21能控制每单位时间的液体回收量。从液体回收口 22 (设置于基板P上方)所回收的基板P上的液体LQ通过嘴构件70的内部流 路及回收管23，回收于液体回收部21。
控制装置CONT,在至少将光罩M的图案像转印至基板P上期间，通过从液 体供应机构10所供应的液体LQ，在包含投影光学系统PL的投影区AR1的基板 P上的至少一部分，局部形成4支投影区AR1大且H&板P小的液浸区AR2。具体 而言，曝光装置EX是在投影光学系统PL的像面侧前端部的光学组件LS与基板 P之间，填满液体LQ来形成液浸区AR2,通过此投影光学系统PL与基板P间的 液体LQ及投影光学系统PL，将光罩M的图案像投影至基板P上，藉此将基板P 曝光。
在本实施例中，就形成液浸区AR2的液体LQ而言，使用纯水。即使曝光用 光EL是ArF准分子激光，纯水也能使其通过。又，纯水也能使光线(g线、h 线、i线)及KrF准分子激光(波长M8nm)等远紫外光(DUV光)通过。
^4殳影光学系统PL的光学组件LS的下面LSA及嘴构件7 0的下面7 OA是平 坦面，故这些投影光学系统PL的光学组件LS的下面LSA及嘴构件70的下面 70A的面大致成为一致。又，在基板载台PST (Z载台52)上设置有凹部50，
基板保持器PH配置于凹部50。又，在^1栽台PST中，凹部50以外的上面成 为与保持于基板保持器PH的^P的上面大致相同高度的平坦面。藉此，在嘴 构件70的下面70A及光学组件LS的下面LSA,与基板P(基&载台PST)之间， 能良好地形成液浸区AR2。又，藉由设置上面51，就算在对基板P的周缘部进 行液浸曝光时，亦能将液体LQ保持于投影光学系统PL的像面侧，良好地形成 液浸区AR2。
又，在光学组件LS表面上，与液浸区AR2的液体LQ接触的液体接触面(包 含下面LSA)对液体LQ具有亲液性。又，在嘴构件70中，与液浸区AR2的液 体LQ接触的液体接触面(包含下面70A)也对液体LQ具有亲液性。为了使上 述光学组件LS或嘴构件"的液体接触面形成亲液性，在本实施例中，例如施 以亲液化处理(将MgF,、 A1203、 Si02等亲液性材料被覆于该液体接触面)。另一 方面，基板载台PST的上面51对液体LQ具有拨液性。为了将基板载台PST的 上面51形成拨液性，例如施以拨液化处理(将氟系树脂材料或丙烯系树脂材料 等的拨液性材料被覆于基板载台PST的上面51)。在此，就光学组件LS、嘴构 件70、设置于基板载台PST等的材料而言，使用对液体LQ非溶解性的材料。 又，如上述，就被覆于构成基板P的基材1上的材料而言，因被覆对液体LQ具 有拨液性的材料，故基板P的上面亦对液体LQ具有拨液性。将基板P的上面或 基板栽台PST的上面51形成具拨液性，藉此能良好维持液浸区AR2,并且，在 基板P的上面或M栽台PST的上面51能防止液体LQ残留的不良情况。
又，在本实施例中，所谓基板P的上面是指^皮覆在基材1的上面1A上的材 料膜中最上层的材料膜表面。例如，图1中所示，基板P的上面通过第1材料 3所形成的膜表面，在第1材料3未被覆感光材料2上的形态下，基板P的上 面包含藉由感光材料2所形成的膜表面。
如图3所示，基板保持器PH具备基座构件35，具有与构成基板P的基 材1的下面1B仅离既定距离对向的底面35B;周壁部33，具有形成于基座构件 35上且与基材1的下面1B对向的上面33A;及支持部34,形成于周壁部33内
侧的底面35B上。周壁部33按照基feP的形状而形成大致圆环状。周壁部33 的上面33A以与基材1的下面1B的周缘部IBs对向。又，周壁部33的上面33A 呈平坦面。
基板保持器PH的支持部34在周壁部33的内侧一样地设置多个。在本实施 例中，基板保持器PH的支持部34包含多个支持销，基板保持器PH构成所谓销 夹头(pin chuck)机构。此销夹头机构具备吸引机构(具备吸引口 41,以将 ^R141保持器PH的基座构件35与周壁部33与基板P围住的空间31形成负压)， 将空间31形成负压，藉此，以支持部34来吸附保持基板P。图3中所示，吸 引口 41在基座构件35的底面35B上一样地设置多个。
在通过Z载台52 (基;f反栽台PST)的凹部50所形成的内侧面50T与周壁部 33外侧面33S之间，设置具有既定距离的间隙C。又，在保持于基板保持器PH 的基板P的边缘部与设置于该基板P周围的Z栽台52 (^i^反栽台PST)的上面 之间，形成具有0. 1-1. Omm左右距离的间隙A。在本实施例中，间隙A是0. 3mm 左右。周壁部33的外径较基板P的外径小，间隙C较间隙A大，例如是1.5mm 左右。
在本实施例中，周壁部33的上面33A呈平坦面，其上面33A^皮覆氟系树脂 材料等拨液性材料而具有拨液性。进而，在本实施例中，基板保持器PH中，周 壁部33外侧面33S及Z载台52的内侧面50T也净皮覆上述拨液性材料而具有拨 液性。进而，支持部34表面或包含底面35B的基座构件35表面也具有拨液性。 其次，针对采用具有上述构成的曝光装置EX来曝光基板P的方法加以说明。 在本实施例中，适用液浸法，其通过投影光学系统PL及液体LQ，将曝光 用光EL照射基板P上，以将基板P曝光。当把光罩M的图案像投影至基板P上 时，在基板P上的有效区域4投影光罩M的图案像。如上述，为了在有效区域 4能形成期望精度的图案，设置有以既定被覆条件^皮覆的感光材料2。因此，在 此有效区域4投影光罩M的图案像，藉此能在此有效区域4的基材上形成期望 精度的组件图案。
又，当在有效区域4的周缘部投影光罩M的图案像时，或将液浸区AR2移 动至基板栽台PST的上面51上时，如图3所示，浸液区域AR2能配置于间隙A 上。在本实施例中，间隙A设定于上述既定值(0. 1-l.Omm左右)，并且，因各 形成间隙A的Z载台52的内侧面50T及与其内侧面50T对向的J41P的侧面(被 覆于基材1的側面1C的第1材料3 )具有拨液性，故确实能防止从间隙渗入液 体LQ。
又，在图3中所示状态中，虽液浸区AR2的液体LQ与差41P上面的周缘部 接触，但在基材1的上面1A中，在有效区域4外侧周缘部lAs，基材1的上面 U的周缘部1As为避免与液体LQ接触而被覆第1材料3，故液体LQ与基材1 未接触。又，即使液体LQ从间隙A渗入，在基材1的有效区域4外侧的側面 1C，其侧面1C为避免与液体LQ接触而被覆第1材料3,故液体LQ与基材1未 接触。进而，即使发生通过间隙A所渗入的液体LQ渗入基昧P的下面侧的状况， 因在基材1的下面1B的一部分(周缘部IBs )祐濃第1材料3，故液体LQ与基 材1未接触。
又，通过间隙A所渗入的液体LQ可能通过在周壁部33的上面33A与基材 1的下面1B之间所形成的间隙B流入第1空间31。如图3所示，虽第1材料3 被覆于下面1B的周缘部IBs,但在基材1的下面IB中与基板保持器PH的周壁 部33的上面33A对向的区域，第1材料3未被被覆。在此，在基材1的下面 1B中与M保持器PH的周壁部33的上面33A对向的区域亦^皮覆第1材料3而 形成拨液性，藉此能防止液体LQ通过在周壁部33的上面33A与基材1的下面 1B之间所形成的间隙B渗入。当然，在基材1的下面1B的全域亦能被覆第1 材料3。又，如图3所示，在基材1的下面1B中与基板保持器PH的周壁部33 的上面33A对向的区域，即使第1材料3未被被覆，亦能调整间隙B，藉此能 防止液体LQ通过间隙B渗入第1空间31。
如以上说明，在基材1表面上，是以第1材料3来被覆以感光材料2所被 覆的有效区域4外侧既定区域，在有效区域4外侧，包含各上面1A、侧面1C、下面IB的基材1表面未与液体LQ接触，故能防止构成J4！ 1表面的物质溶解 于液体LQ中。在本实施例中，当该基材1表面与液体LQ接触，在液体LQ中， 形成硅基板的物质(Si )有可能被溶解。因溶解于液体LQ中的该物质会当作杂 质而发生作用，例如当包含该杂质的波体LQ渗透在基材1中，就会影响用来形 成先前设置于基材1上的组件的功能层，所产生的组件性能劣化，或含杂质的 液体LQ在设置于基f反载台PST上的未图标的光测量部上残留气化，在其光测量 部上会产生形成水痕等不良情况。本实施例，为避免接触基材1与液体LQ的接 触，在基材1中，在涂布感光材料2的有效区域外侧被覆第1材料3,故液体 LQ与基材1未接触。因此，能防止上述不良情况发生。又，就与液体LQ接触 的第1材料3而言，使用对液体LQ影响少的材料，藉此能将液浸区AR2的液体 LQ维持于期望状态，而良好地啄光J^反P。
又，在上述实施例中，为了简化说明，在硅J41上形成感光材料2的膜的 状态下，即针对有效区域4外侧的基材1表面是娃基板表面的情形加以说明， 但基材l表面(底层)亦有Si02等氧化膜的情形。又，有效区域4外侧的基材 1表面(底层)，在前处理前所生成的Si02等氧化膜、Si02或SiNx等绝缘膜、 Cu或A1-Si等金属导电膜、非结晶硅等半导体膜的情形或该等混在一起的情形。 任一情形，当与形成液浸区AR2的液体LQ接触，金属(例如硅)等物质可能溶 解于液体LQ中而成为杂质，但如上述实施例，以第l材料3 4皮覆有效区域4外 侧，藉此能防止该杂质的溶解。
第2实施例
在上述实施例1中，第1材料3是被覆在各基材1的上面1A、下面1B、及 側面1C，如图4所示，亦可不设置于下面1B,而仅被覆于基材1的上面1A及 侧面1C。
在本实施例中，也通过边缘清洗处理而将基板P的周缘部的感光材料2去 除，边缘清洗处理后，由第1材料3所形成的膜(层)形成于被施以该边缘清 洗处理的部分。
第3实施例
如图5所示，也可不在基材1的下面1B及侧面1C设置第1材料3，而仅 被覆在包含基材1的周缘部lAs的上面1A。
在本实施例中，也通过边缘清洗处理来去除基4反P的周缘部的感光材料2， 边缘清洗处理后，由第1材料3所构成的膜(层)形成于被施以该边缘清洗处 理的部分。
第4实施例
在上述实施例中，第1材料3被覆于在有效区域4被覆的感光材料2,但 如图6所示，亦可未被覆感光材料2，在基材1的上面1A,仅在有效区域4外 侧周缘部1As被覆第1材料3。又，就与液体LQ接触的感光材料2而言，是使 用对液体LQ影响少的材料，藉此能将液浸区AR2的液体LQ维持在期望状态， 而能良好地曝光基板P。又，在此情形下，在基材1的上面1A中，亦可不仅在 有效区域4外侧周缘部lAs,而且在侧面1C与下面1B的至少一方被覆。
在本实施例中，也通过边缘清洗处理来去除基板P周缘部的感光材料2， 边缘清洗处理后，由第1材料3所构成的膜(层)形成于^支施以该边缘清洗处 理的部分。
第5实施例
就寻皮覆基材1表面的既定材料而言，第1材料3能用不同于第1材料的第 2材料3，被覆，如图7所示。例如，把第l材料3及第2材料3，的一方当作氟 系的树脂材料，将另一方当作HMDS。当然，就被覆于有效区域4外侧的非有效 区域5的材料而言，不限于第l、第2材料3、 3'这2种类，能将任意的多种材 料被覆于非有效区域5。
在本实施例中，也通过边缘清洗处理来去除基板P周缘部的感光材料2， 边缘清洗处理后，由第1材料3或第2材料3，所构成的膜(层)形成于被施以 该边缘清洗处理的部分。
第6实施例
就祐覆于有效区域4外侧的材料而言，亦可使用被覆有效区域4的感光材 料2，例如图8所示，在包含^ 1的上面1A的周缘部1As的全域净t霞感光材 料2。在图8中，当在各有效区域4与该有效区域4外侧的非有效区域5 (周缘 部1As ) ^皮覆感光材料2时，亦可以同一步骤，在各有效区域4与该有效区域4 外侧的非有效区域5，大致同时被覆感光材料2，为了在有效区域4及非有效区 域5中的一方被覆感光材料后，在另一方被覆感光材料2，亦可分别在各步骤 被覆感光材料2。除了有效区域4之外，在非有效区域5亦被覆感光材料2时， 亦可把对有效区域4被覆感光材料2时的上述被覆条件与对非有效区域5被覆 感光材料2时的上述被覆条件设为彼此不同的条件。
第7实施例
如图9所示，亦可将感光材料2-t霞于基材1的侧面1C。进而，亦可将感 光材料2 ^皮覆于基材1的下面1B。 第8实施例
如上述第1-第5实施例所说明，将包含氟系的树脂材料或HMDS等的膜(层) 形成于基板P的周缘部(包含上面的周缘部及侧面)，藉此参照图3等的说明， 当以基板栽台PST的基板保持器PH保持该基板P时，基材1的物质于液体LQ 中的溶解不仅被防止，而且能防止液体LQ泄漏至M P与设置于该基板周围的 基板栽台PST的上面之间隙A。又，因防止液体LQ通过基板P与^栽台PST 间的间隙A来渗入基板P的下面侧，故能防止在基板保持器PH无法良好地保持 基板P的不良情形，或使用既定的搬送系统从基板保持器PH搬出基板P时，肯& 防止保持被润湿的基板P下面的搬送系统无法良好地保持该基板P等不良情况 的发生。
特别是HMDS较便宜，为了提高半导体晶片等基材1与感光材料2的密合性， 而在半导体制造步骤中使用，能有效利用现有的设备。又，因HMDS具有拨液性 (拨水性)，故将由HMDS所构成的层(以下称为HMDS层)形成于J41P的上面， 藉此能将液浸区AR2良好地形成于基板P上。将HMDS层形成于基板P的上面，
藉此亦能防止基板P上残留液体LQ而形成附着痕迹(水痕)等不良情况的发生。 又， 一般而言，在HMDS处理中，因进行HMDS的蒸气化，故在基材1 (基板P) 的侧面或背面亦能较容易形成HMDS层。将HMDS层形成于基敗P的侧面或下面 (背面)，藉此，能防止液体LQ泄漏至保持于J4l保持器PH的基板P与基板栽 台PST的上面51间的间隙A，或渗入基板P的下面侧液体LQ等不良情况的发 生
又，在上述第l-第5实施例中，在基材1上形成感光材料2的膜，进行边 缘清洗处理后，在包含施以该边缘清洗处理的部分的基材1 (基板P)上形成 HMDS层，但边缘清洗处理之前，及在基材1上形成感光材料2的膜之前，在基 材1的上面、侧面、及下面至少一部分能形成HMDS。
如图10所示，基板P具备基材l,以及形成于该基材1的上面1A 、下面 1B、及侧面1C的HMDS层7。又，在基材1的上面1A中，在除了周缘部lAs以 外的大部分区域形成感光材料2的膜。又，在基材1的上面1A的周缘部Us 、 基材1的侧面1C、及基材1的下面IB未形成感光材料2的膜。
在本实施例中，所谓基板P的上面是指被覆于基材1的上面1A的材料膜中 最上层的材料膜表面(露出面)。因此，在图IO所示中，皿P的上面包含藉 由感光材料2所形成的膜的表面、与设置于其周围的HMDS层7表面。又，在本 实施例中，所谓基板P的下面是指被覆于基材1的下面IB的材料膜中最表层的 材料膜表面(露出面)。因此，在图IO中所示，J41P的下面是HMDS层7表面。 又，在本实施例中，所谓基板P的侧面是指被覆于基材1的侧面1C的材料膜中 最表层的材料膜表面(露出面)。因此，在图IO所示，^S41P的側面是HMDS层 7表面。
图11是表示将HMDS层形成于基材1上的膜形成装置80的示意图。如图 11所示，曝光装置EX连接于涂布显影装置C/D。涂布显影装置具备涂布装置(用 来将感光材料涂布于基材1上)、与显影装置(用来显影曝光处理后的基板P)。 膜形成装置80设置于涂布显影装置C/D。膜形成装置80具有密闭室81、保
持装置82 (设置于密闭室81内部，用来保持基材l)、及气体供应装置83 (将 气体状的HMDS供应给密闭室81内部)。保持装置82能将所保持的基材1加热。 膜形成装置80在将保持装置82所保持的基材1状态下，从气体供应装置83将 气体状的HMDS供应至密闭室81内部。藉此，基材1表面与气体状的HMDS接触， 在基材1表面形成眼DS层7。如图11所示，在本实施例中，保持装置82以在 基材l的背面侧形成既定空间的方式来保持基材，不仅在基材1的上面1A、侧 面1C,并且在基材l的背面1B大致全面形成HMDS层。在以下说明中，在基材 1上形成HMDS层7的处理称为HMDS处理。
其次，针对用来形成图10中所示的基板P的处理步骤，如图12及图13A-图13C所示:
首先，藉由图11中所说明的膜形成装置80，在各基材1的上面1A、下面 1B、及侧面1C形成HMDS层7 (步骤SA10 )。基材1表面与气体状的HMDS接触， 藉此，因在基材1上形成HMDS层7，故在各基材1的上面1A、下面1B、及側 面1C能圆滑地形成HMDS层7。图13A是表示施以HMDS处理后的基材1。
其次，在基材1的HMDS层7上进行涂布感光材料2的处理(步骤SA20 )。 藉由涂布显影装置C/D,例如采用旋涂法等既定的涂布方法，在基材1的HMDS 层7上形成感光材料2的膜。图13B表示涂布感光材料2后的基板P。
其次，进行去除周缘部1As或侧面1C的感光材料2的边缘清洗处理(步骤 SA30)。藉此，在基材l (基板P)的周缘部1As去除感光材料2。图13C是表 示施以边缘清洗处理后的基板P。
又，在基板P上施以预烘烤处理等既定处理(步骤SA40)。然后，基净反P 藉由既定的搬运系统朝曝光装置EX搬送，进行曝光处理(步骤SA50)。
即使进行边缘清洗处理或预烘烤处理后，基板P的周缘部施以边缘清洗处 理的部分亦被HMDS层7覆盖。即，即使进行边缘清洗处理或预烘烤处理，亦不 能去除形成于基材l上的HMDS层7。因此，即使施以其边缘清洗处理后，亦能 维持基板P上面的周缘区的拨液性。同样地，即使进行边缘清洗处理或预烘烤
处理后，基板P的侧面或下面亦被鹿DS层7覆盖，维持拔液性。 第9实施例
如图14所示，MP亦具备基材l、以及形成于该基材l的上面1A、下 面1B、及側面1C的HMDS层7。在基材1的上面IA，在除了周缘部1As以外的 大部分区域形成感光材料2的膜。在基材1的上面1A的周缘部lAs、基材1的 侧面1C、瓦基材1的下面1B，未形成感光材料2的膜。又，以被覆感光材料2 的方式形成第1材料3的膜(顶涂层膜)。在本实施例中，第1材料3的膜是以 被覆感光材料2及周缘部1As —部分的方式来形成。因此，在周缘部1As的一 部分露出HMDS层7。在基材1的侧面1C、及基材1的下面1B未形成第1材料 3的膜。
其次，针对用来形成图14中所示基板P的处理步骤加以说明，请参照图 15及图16A-图16E所示:
首先，藉由图11中所示的膜形成装置80,在各基材1的上面1A、下面1B、 及侧面1C形成HMDS层7 (步骤SA10 )。图16A表示施以HMDS处理后的基材1。
其次，在基材1的HMDS层7上，进行涂布感光材料2的处理(步骤SA20 ) 藉由涂布显影装置C/D，例如采用旋涂法等既定的涂布方法，在基材1的HMDS 层7上涂布感光材料2。图16B表示涂布感光材料2后的基板P。
其次，进行去除周缘部lAs或侧面1C的感光材料2的边缘清洗处理(步骤 SA30)。藉此，在基材1 (基板P)的周缘部lAs去除感光材料2。图16C表示 施以边缘清洗处理后的基板P。
又，在基f反P施以预烘烤处理等既定的处理(步骤SA31 )。
其次，进行涂布第1材料3 (在基材1的感光材料2的膜上，用以形成顶 涂层膜)的处理(步骤SA32)。藉由涂布显影装置C/D,例如采用旋涂法等既定 涂布方法，在基材1的感光材料2的膜上涂布第1材料3。图16D表示涂布第1 材料3后的基板P。
其次，进行去除周缘部Us或侧面1C的第1材料3的边缘清洗处理(步骤SA33 )。藉此，在基材1 (基板P )的周缘部lAs去除第1材料3。图16E表示 施以边缘清洗处理后的J41P。
又，在M P施以预烘烤处理等既定的处理(步骤SA40)。然后，基;fe P 藉由既定的搬送系统朝曝光装置EX搬送，进行曝光处理(步骤SA50)。
即使进行边缘清洗处理或预烘烤处理后，基板P的周缘部施以边缘清洗处 理的部分亦被HMDS层7被覆。即，即使进行边缘清洗处理或预烘烤处理，亦不 能去除形成于基材1上的HMDS层7。因此，即使施以其边缘清洗处理后，亦能 维持基板P上面的周缘区的拨液性。同样地，即使进行边缘清洗处理或预烘烤 处理后，基板P的侧面或下面亦被HMDS层7被覆而维持拨液性。
因此，在基材1上形成HMDS层7后，形成感光材料2的膜及顶涂层膜3的 情形，即使施以边缘清洗处理后，亦将基板P表面的期望区(在图14中所示， 基板P表面的大致全面)形成拨液性。
笫10实施例
如图17所示，在基材1的下面1B的所有区域，未设置HMDS层7，仅设置 于一部分的区域。图17中所示，HMDS层7是以被覆基材1下面IB的周缘部IBs 的方式来形成。形成未施以HMDS处理的非形成区域lBn的情形，较佳系例如以 盖(罩)被覆对应基材1下面IB的非形成区域IBn的状态下，在膜形成装置 80的密闭室81内部配置基材1，将气体状的HMDS供应于密闭室81内部。
第11实施例
如图18所示，是在基材1的下面IB未设置HMDS层7,仅设置于侧面1C 及上面1A。此种情形，亦在以盖(罩)被覆不想施以HMDS处理的区域的状态 下，使基材1与气体状的HMDS接触。
第12实施例
如图19所示，亦可在基材l的下面1B及侧面1C未设置HMDS层7，而仅 将其设置于上面1A。
如以上所述，在第l-第12实施例中，因在基材1形成HMDS层，故形成感
光材料2及/或顶涂层膜后，即使施以边缘清洗处理，亦可在基板P的周缘部的 期望区域维持HMDS层7，能维持基板P周缘部的期望区域的拨液性(较佳是对 液体LQ的静态接触角为60度以上)，把形成HMDS层7的基板P当作膝光对象， 藉此能防止来自间隙A (形成于保持于基板保持器PH的^ P周围)的液体LQ 的渗入。又，亦能防止来自形成HMDS层7的基材1 (底层)物质的溶解。
又，在第8-第12实施例中，亦可在形成于基材1的HMDS层未具有提高感 光材料2的密合性的功能。即，为了在基板P的上面周缘区域仅具有拨液性， 亦可在基板1的上面形成HMDS层。
又，在第8-第12实施例中，形成HMDS层的基材1表面不限定于硅基板表 面，亦有Si02等氧化膜的情形，亦有在前处理前所生成的Si02等氧化膜、SiO, 或SiNx等绝缘膜Cu、或Al-Si等金属导体膜、非结晶Si等半导体膜的情形， 亦有这些混在一起的情形。
又，在第1-第12实施例中，当液浸区AR2能形成期望状态，基板载台PST 的上面51亦可与保持于基板载台PST的基板P表面一致。
又，在第1-第12实施例的基fel载台PST上，周壁部33的上面33A、外侧 面33S、 Z载台52的内側面50T、及包舍支持部34表面及底面35B的基座构件 35表面具有拨液性，但亦可未具有拨液性，亦可仅这些一部分具有拨液性。
如上述，本实施例的液体LQ由纯水构成。纯水在半导体制造工厂等能容易 大量取得，并且对基板P上的感光材料或光学组件(透镜)等有无不良影响的 优点。又，纯水对环境无不良影响，并且杂质的含有量极低，故亦能期待洗净 基板P的上面及设置于投影光学系统PL的前端面的光学組件表面的作用。又， 从工厂等所供应的纯水的纯度低的情形，曝光装置亦可具有超纯水制造器。
又，纯水(水)对波长193nm左右的曝光用光EL的折射率n大致为1. 44, 就曝光用光EL的光源而言，使用ArF准分子激光(波长193nm)的情形，在基 板P上，被短波长化为1/n,即，约134nm,能获得高分辨率。进而，焦点深度 与空气中相较约为n倍，即约被放大1.44倍，故当最佳能确保与空气中所使用
的情形同程度的焦点深度的情形，能更增加投影光学系统PL的数值孔径，此点 亦能提高分辨率。
又，如上述使用液浸法的情形，投影光学系统的数值孔径NA亦为0. 9-1. 6。 因此，投影光学系统的数值孔径NA变大的情形，而传统当作曝光用光所使用的 随机偏光用光，因偏光效应而会造成成像性能会恶化，故较佳是使用偏光照明。 此种情形，配合光罩(标线片)的等间隔线图案的线图案之长边方向进行直线 偏光照明，亦可从光罩(标线片)的图案，大量射出S偏光成分(TE偏光成分)， 即沿着线图案的长边方向的偏光方向成分之绕射光。投影光学系统PL与涂布于 基板P (基材1)的上面的感光材料之间被液体填满情形，与投影光学系统PL 与涂布于基板P (基材1 )上面的感光材料之间被空气(气体)填满的情形相较， 因有助于提高对比的S偏光成分(TE偏光成分)的绕射光的感光材料表面的通 过率变高，故即使投影光学系统的数值孔径NA超过l.O,亦能获得高成像性能。 又，适当组合移相光罩或配合揭示于日本特开平6-188169号公报的线图案的长 边方向之斜入射照明法(特别系双极照明法)等则更有效。特别系直线偏光照 明法与双才及照明法的组合，等间隔线图案的周期方向不限于既定一方向的情形， 或沿既定一方向，孔图案密集的情形亦极具效果。例如同时使用直线偏光照明 法与双才及照明法来照明通过率6%的半色调型移相光罩(半间距45nm左右的图 案)情形，在照明系统的瞳面上，假设以形成双极的二光束之外切圆所规定的 照明a为0.95，其瞳面的各光束的半径为0.125(7，投影光学系统PL的数值孔 径为NA-l. 2,则与其使用随机偏光更能使焦点深度(DOF)增加150ntn左右。
又，例如把ArF准分子激光当作曝光用光，使用1/4左右的缩小倍率的投 影光学系统PL,将微细的等间隔线图案(例如25-50nm左右的等间隔线)曝 光于基板P上的情形，藉由光罩M的构造(例如图案的微细度或铬的厚度)，由 于导波(wave guide)效应，把光罩M当作偏光板作用，S偏光成分(TE偏光 成分)的绕射光较使对比降低的P偏光成分(TM偏光成分)的绕射光为多从光 罩M射出。此种情形，较佳是使用上述的直线偏光照明，但即使以随机偏光用
光照明光罩M,投影光学系统PL的数值孔径NA如0. 9-1. 6般大的情形，亦能 获得高解析性能。
又，将光罩M上的微细的等间隔线图案曝光于基板P上的情形，由于线栅 (Wire Grid)效应，P偏光成分(TM偏光成分)亦可能较S偏光成分(TE偏 光成分)大，但例如把ArF准分子激光当作曝光用光，使用1/4左右的缩小倍 率的投影光学系统PL，将较25nm大的等间隔线图案曝光于基板P上的情形， 因S偏光成分(TE偏光成分)的绕射光较P偏光成分(TM偏光成分)的绕射光 多从光罩M射出，故即使投影光学系统PL的数值孔径NA如0. 9-1. 6大的情形， 亦能获得高解析性能。
进而，不仅配合光罩(标线片)的线图案的长边方向的直线偏光照明(S 偏光照明)，如日本特开平6-53120号公报中公开，在以光轴为中心的圆的切线 (周)方向，组合直线偏光的偏光照明法与斜入射照明法的组合亦有效果。特 别是光罩(标线片)的图案不仅延伸至既定一方向的线图案，并且延伸至多个 不同方向的线图案混在一起(周期方向不同的等间隔线图案混在一起)的情形， 同样地，如特开平6-53120号公报中公开的，在以光轴为中心的圆的切线(周) 方向，同时使用直线偏光的偏光照明法与环带照明法，藉此，即使投影光学系 统的数值孔径NA大的情形，亦能获得高的成像性能。例如，当在以光轴为中心 的圆的切线(周)方向，同时使用直线偏光的偏光照明法与环带照明法(环带 比3/4 )来照明通过率6%的半色调型的移相光罩(半间距63nm左右之图案)的 情形，*支设照明a为0. 95，投影光学系统PL的数值孔径NA-l. 00,则较使用随 机偏光用光，能使焦点深度(DOF)增加250nm左右，而以半间距55nm左右的 图案，投影光学系统的数值孔径NA-1.2，能使焦点深度增加100nm左右。
又，亦能进一步适用例如日本特开平4-277612号公报或日本特开 2001-345245号公^R中公开的累进焦点曝光法。
在本发明中，在投影光学系统PL的前端安装光学组件LS，藉由此透镜， 能进4亍投影光学系统PL的光学特性例如像差(球面像差、彗形像差等)的调整。.
又，就安装于投影光学系统PL前端的光学组件而言，亦是可使用于投影光学系 统PL的光学特性的调整的光学板。或是亦可能使曝光用光EL通过的平行平面 板。
又，当由于液体LQ的流动而产生的投影光学系统PL前端的光学組件与基 板P间的压力大的情形，虽不能交换该光学組件，但能藉由该压力牢固地固定 防止光学组件移动。
又，在本发明中，投影光学系统PL与基板P的上面之间是以液体LQ来填 满的构成，但亦可例如在基板P的上面，在安装由平行平面板所构成的玻璃盖 的状态下，填满液体LQ的构成。
又，本发明中投影光学系统是以液体来填满前端的光学组件的像面侧的光 路，但如国际公开第2004/019128号中公开，亦能采用前端的光学组件的物体 面侧的光路空间亦以液体来填满的投影光学系统。
又，本发朋中的液体LQ是水，亦可是水以外的液体，例如，曝光用光EL 的光源EL是F2激光的情形，此Fr激光无法通过水，故就液体LQ而言，亦可是 能使F2激光通过，例如全氟聚醚(PFPE)或氟系油等氟系流体。此种情形，在 与液体LQ接触的部分，例如以含氟的极性小的分子构造的物质来形成薄膜，藉 以进行亲液化处理。又，就液体LQ而言，除此之外，亦能使用对曝光用光EL 具有通过性，折射率尽量高，对涂布于投影光学系统PL或基板P (基材l)的 上面的感光材料稳定物(例如洋杉油)。此种情形，表面处理亦按照所使用的液 体LQ的极性来进行。
又，就液体LQ而言，亦可使用折射率为1. 6-1.8左右的。进而，亦能以折 射率较石英或萤石高(例如1.6以上)的材料来形成光学组件LS1。
又，就上述各实施例的基板P而言，不仅适用半导体组件制造用的半导体 晶片，并且适用显示组件用的玻璃基板、薄膜》兹头、薄膜》兹头用的陶瓷晶片、 或曝光装置所使用的光罩或标线片的原版(合成石英、硅晶圆)等。
就曝光装置EX而言，除了适用同步移动光罩M与基板P，将光罩M的图案
扫描曝光的步进扫描方式的扫描型曝光装置(扫描步进机)之外，亦能适用在
使光罩M与基板P静止的状态下，将光罩M的图案整批曝光，依序使基板P步 进移动的步进重复方式的投影曝光装置(步进机)。
又，就曝光装置EX而言亦能适用，在Y吏第1案与基板P大致静止的状态下， 使用投影光学系统(例如，以1/8缩小倍率未含反射组件的折射型投影光学系 统)，将第1图案的缩小像整批曝光于基4反P上的方式的曝光装置。此种情形， 进而，其后亦能适用，在使第2图案与基板P大致静止的状态下，使用该投影 光学系统，将第2图案的缩小像整批曝光于基板P上的接合方式的整批曝光装 置。又，就接合方式的曝光装置而言亦能适用，在基板P上至少将2个图案局 部重叠后转印，使基板P依序移动的步进接合方式的曝光装置。
又，本发明亦适用于日本特开平10-163099号乂/^艮，日本特开平10-214783 号公报，日本特表2000-505958号公报中公开的双载台型的曝光装置。
进而，曰本特开平11-135400号公报或日本特开2000-164504号^>报中公 开的，具备M载台(用以保持基板)与测量载台(用以搭载形成基准标记的 基准构件或各种光电传感器)的曝光装置亦能适用本发明。
又，在上述实施例中，虽采用在投影光学系统PL与基板P之间局部填满液 体的曝光装置，但本发明亦能适用于以液体被覆曝光对象的基板表面全体的液 浸曝光装置。以液体被覆曝光对象的基板表面全体的液浸曝光装置的构造及曝 光动作，例如日本特开平6-124873号公才艮、日本特开平10-303114号/>报、及 美国专利第5， 825, 043号中公开的。
就曝光装置EX的种类而言，不限于将半导体组件图案曝光于基板P上的半 导体制造用的曝光装置，亦能广泛适用于液晶显示组件制造用或显示制造用的 曝光装置，或用以制造薄膜磁头、摄影组件(CCD)或标线片或光罩等的曝光装 置等。
又，在上述实施例中，虽使用将既定的遮光图案(或移相图案、减光图案) 形成于透光性基板上的光通过型光罩，但亦可取代此光罩，而使用例如美国专
利第6，778，257号公开的，根椐待曝光的图案的电子资料，形成通过图案、反 射图案、或发光图案的电子光罩。
又，本发明亦能适用于，如国际公开第2001/035168号公开的，将干涉条纹形成于基板P上，藉以将等间隔线图案曝光于MP上的膝光装置(微影系 统)。
在基板载台PST或光罩栽台MST使用线性马达的情形(参照USP5， 623， 853 或USP5，528，118)，亦可使用空气轴承的气浮型及使用洛伦兹(Lorentz)力或 磁阻力的磁浮型的任一种，又，各载台PST、 MST亦可是沿着导件移动的型式， 亦可是未设导件的无导件型。
就各载台PST、 MST的驱动机构而言，亦可使用平面马达，其是使,兹铁单元 (二维配置磁铁)与电枢单元(二維配置线圏)对向，藉由电磁力来驱动各载 台PST、 MST。此种情形，亦可将磁铁单元与电枢单元的任一方连接于载台PST、 MST,将磁铁单元与电枢单元的另一方设置于连接于载台PST、 MST的移动面侧。
为避免基板反载台PST的移动所产生的反作用力传导至投影光学系统PL，亦 可如日本特开平8-166475号公报(美国专利5, 528, 118)所记载，使用框构件 将反作用力机械性地传导至地面(大地)。
为避免光罩载台MST的移动所产生的反作用力传导至投影光学系统PL，亦 可如日本特开平8-330224号公报(美国专利5, 874, 820 )所记载，使用框构件 将反作用力机械性地传导至大地。
如以上所述，本实施例的曝光装置EX是将包含本案专利申请范围所列举的 各构成要件的各种子系统保持既定的机械精度、电气精度、光学精度而组装来 制造。为了确保该等各种精度，在该组装前后，针对各种光学系统进行用以达 成光学精度的调整，针对各种机械系统进行用以达成冲几械精度的调整，针对各 种电气系统进行用以达成电气精度的调整。从各种子系统对曝光装置的组装步 骤系包含各种子系统彼此的机械连接、电气电路之配线连接、气压回路的配管 连接等。从各种子系统对曝光装置之组装步骤前，当然有各子系统的各个组装
步骤。各种子系统对啄光装置的组装步骤完成后，进行综合调整，以确^呆膝光 装置全体之各种精度。又，较佳是曝光装置的制造在温度及洁净度等受到管理 的洁净室来进行。
如图20所示，半导体组件是经由下列步骤来制造，该步骤包括进行纟數组件 的功能与性能设计的步骤201、根据此设计步骤来制作光罩(标线片)的步骤 202、制造组件基材(基板)的步骤203、采用前述实施例有曝光装置EX将光 罩有图案曝光于基板有基板处理步骤204、组件组装步骤(包含切割步骤、接 合步骤、封装步骤)205、及检查步骤等206。
权利要求
1.一种曝光方法，通过液体将曝光用光照射于被保持在基板保持装置的基板上，以将该基板曝光，其特征在于:该基板保持装置是在该基板周围具有平坦部；在该基板的周缘部形成HMDS(六甲基二硅氨烷)层，以防止液体泄漏到被保持于该基板保持装置的基板与该平坦部的间隙。
2、 如权利要求1中所述的曝光方法，其特征在于该HMDS层形成于该基 板的上面。
3、 如权利要求1或2中所述的曝光方法，其特征在于该HMDS层形成于 该^S^反的侧面。
4、 如权利要求1或2中所述的曝光方法，其特征在于该HMDS层形成于 该基板的下面。
5、 如权利要求1或2中所述的曝光方法，其特征在于该HMDS层形成于 该基板周缘部被施以边缘清洗处理的部分。
6、 如权利要求5中所述的曝光方法，其特征在于该HMDS层是于该边缘 清洗处理之后形成。
7、 如权利要求5中所述的曝光方法，其特征在于该HMDS层是于该边缘 清洗处理之前形成。
8、 如权利要求7中所述的曝光方法，其特征在于该HMDS层是于将感光 材料膜形成于该基板上之前形成。
9、 一种组件制造方法，其特征在于，该组件是使用权利要求1至8项中任 意一项的曝光方法来制造。
10、 一种基板，是透过液体而曝光，其特征在于，具备形成有感光材料 膜的区域、与被施以边缘清洗处理的区域；该边缘清洗处理后的区域具有拨液 性。
11、 如权利要求10所述的基板，其特征在于，该边缘清洗处理后的区域， 是藉由形成既定材料的膜而具有该拨液性
12、 一种组件制造方法，其特征在于，该组件是使用权利要求10项的J4！ 来制造。
13、 一种曝光方法，是透过液体将g曝光，其特征在于 在构成该基板的基材上形成感光材料膜； 对该感光材料膜的至少一部分施以边缘清洗处理；及 于该边缘清洗处理后，透过液体将曝光用光照射于该感光材料膜的至少一部分；该边缘清洗处理后的区域具有拨液性。
14、 如权利要求13所述的曝光方法，其特征在于，于该边缘清洗处理后的 区域形成有既定材料的膜。
15、 如权利要求14所述的曝光方法，其特征在于，该既定材料的膜是于该 边缘清洗处理之前形成。
16、 如权利要求14所述的曝光方法，其特征在于，该既定材料的膜是于该 边缘清洗处理之后形成。
17、 如权利要求16所述的曝光方法，其特征在于，以该既定材料的膜覆盖 该感光材料膜。
18、 如权利要求14所述的膝光方法，其特征在于，该既定材料的膜为HMDS层。
19、 如权利要求14所述的曝光方法，其特征在于，该既定材料的膜为与该 感光材料相同材料的膜。
20、 如权利要求14所述的曝光方法，其特征在于，该既定材料的膜包含复 数种材料的膜。
21、 如权利要求13所述的曝光方法，其特征在于，是利用该拨液性，防止 构成该基材表面的物质溶解于该液体中。
22、 如权利要求21所述的曝光方法，其特征在于，该基材表面包含硅M 表面。
23、 如权利要求21所述的曝光方法，其特征在于，该基材表面包含氧化膜层。
24、 如权利要求21所迷的曝光方法，其特征在于，该基材表面包舍金属层。
25、 如权利要求21所述的曝光方法，其特征在于，该基材表面包含绝缘膜层。
26、 如权利要求13所述的曝光方法，其特征在于，该形成有感光材料膜的 区域与该边缘清洗处理后的区域，是包含于该基板的上面。
27、 如权利要求26所述的曝光方法，其特征在于，该既定材料的膜形成于 该基4反的上面。
28、 如权利要求27所述的曝光方法，其特征在于，该既定材料的膜形成于 该基板的上面、及与该上面不同的面。
29、 如权利要求26所述的曝光方法，其特征在于，该既定材料的膜形成于 该基板的侧面。
30、 如权利要求26所述的曝光方法，其特征在于，该既定材料的膜形成于 i亥基K的下面。
31、 如权利要求26所述的啄光方法，其特征在于，于该上面形成该既定材 料的膜后，形成该感光材料膜，再施以该边缘清洗处理，进而，在该感光材料 膜上形成与该既定材料不同的第2材料的膜，然后对该第2材料的至少一部分 施以边缘清洗处理。
32、 如权利要求13所述的曝光方法，其特征在于，对该边缘清洗处理后的 区域进一步施以预烘烤处理。
33、 如权利要求13所述的曝光方法，其特征在于，藉由该边缘清洗处理来 去除该感光材料膜的至少一部分。
34、 如权利要求33所述的曝光方法，其特征在于，藉由该边缘清洗处理来 去除该感光材料膜的至少一部分、及该既定材料的膜的至少一部分。
35、 如权利要求34所述的曝光方法，其特征在于，该边缘清洗处理，是个 别进行去除该感光材料膜的至少一部分、及该既定材料的膜的至少一部分。
36、 一种组件制造方法，其特征在于，该组件是使用权利要求13项的曝光 方法来制造。
37、 一种基板制造方法，用以制造透过液体而曝光的基板，其特征在于 在构成该M的基材上形成感光材料膜；及 对该感光材料膜的至少一部分施以边缘清洗处理； 该边缘清洗处理后的区域具有拨液性。
38、 如权利要求37所述的基板制造方法，其特征在于，于该边缘清洗处理 后的区域形成具有拨液性的既定材料的膜。
39、 如权利要求38所述的基板制造方法，其特征在于，该既定材料的膜是于该边缘清洗处理之前形成。
40、 如权利要求38所述的基板制造方法，其特征在于，该既定材料的膜是于该边缘清洗处理之后形成。
41、 如权利要求40所述的基板制造方法，其特征在于，以该既定材料的膜覆盖该感光材料膜。
42、 如权利要求38所述的J4l制造方法，其特征在于，该既定材料的膜为 ,S层。
43、 如权利要求38所述的基板制造方法，其特征在于，该既定材料的膜为 与该感光材料相同材料的膜。
44、 如权利要求38所述的基板制造方法，其特征在于，该既定材料的膜包 含复数种材料的膜，
45、 如权利要求37所述的基板制造方法，其特征在于，利用该拨液性，以 防止构成该基材表面的物质溶解于该液体中。
46、 如权利要求45所述的基板制造方法，其特征在于，该基材表面包含硅 基板表面。
47、 如权利要求45所述的基板制造方法，其特征在于，该基材表面包含氧 化膜层。
48、 如权利要求45所述的基板制造方法，其特征在于，该基材表面包含金 属层。
49、 如权利要求45所述的基板制造方法，其特征在于，该基材表面包含绝 缘膜层。 '
50、 如权利要求37所述的基板制造方法，其特征在于，该形成有感光材料 膜的区域与该边缘清洗处理后的区域是包含于该M的上面。
51、 如权利要求50所述的基板制造方法，其特征在于，该既定材料的膜形成于i亥14l的上面。
52、 如权利要求51所述的基板制造方法，其特征在于，该既定材料的膜形成于该基4反的上面、及与该上面不同的面。
53、 如权利要求50所述的基板制造方法，其特征在于，该既定材料的膜形 威于该基才反的侧面。
54、 如权利要求50所述的基板制造方法，其特征在于，该既定材料的膜形成于该基昧的下面。
55、 如权利要求50所述的1^1制造方法，其特征在于，于该上面形成该既 定材料的膜后，形成该感光材料膜，再施以该边缘清洗处理，进而，在该感光 材料膜上形成与该既定材料不同的第2材料的膜，然后对该第2材料的至少一 部分施以边缘清洗处理。
56、 如权利要求37所述的基板制造方法，其特征在于，对该边缘清洗处理 后的区域进一步施以预烘烤处理。
57、 如权利要求37所述的基板制造方法，其特征在于，藉由该边缘清洗处 理来去除该感光材料膜的至少一部分。
58、 如权利要求57所迷的基板制造方法，其特征在于，藉由该边缘清洗处 理来去除该感光材料膜的至少一部分、及该既定材料的膜的至少一部分。
59、 如权利要求58所述的基板制造方法，其特征在于，该边缘清洗处理， 是个别进行去除该感光材料膜的至少一部分、及该既定材料的膜的至少一部分。
60、 一种曝光方法，其特征在于对藉由权利要求37项的基板制造方法制 成的基板的该感光材料膜的至少一部分，透过液体照射曝光用光。
61、 一种组件制造方法，其特征在于，该组件使用权利要求60项的曝光方 法来制造。
62、 一种曝光方法，透过液体将曝光用光照射于基板上，以将该基板曝光， 其特征在于该基板具有以感光材料被覆的第1区域；及该基板的第1区域外侧是藉由边缘清洗处理来去除该感光材料，进而，该 基材表面的至少一部分包含对该液体具有拨液性的既定材料的膜的表面。
63、 如权利要求62所述的曝光方法，其特征在于，该第l区域外側包含该 基板的周缘部。
64、 如权利要求63所述的曝光方法，其特征在于，该第1区域外侧包含该 基板的侧面。
65、 如权利要求62所述的曝光方法，其特征在于，该基板表面包含第l 面，其包含以该感光材^N皮覆的该第1区域；及第2面，位于该笫1面相反侧； 该第1区域外侧包含该第2面的至少一部分。
66、 如权利要求62所述的曝光方法，其特征在于，该既定材料包含用来被 覆该第1区域的感光材料。
67、 如权利要求62所述的啄光方法，其特征在于，该既定材料也被覆该感 光材料。
68、 如权利要求62所述的啄光方法，其特征在于，为了防止构成该基板的 基材表面的物质溶解于该液体中，而将该第1区域外侧的该基材表面以既定材 料被覆。
69、 如权利要求68所述的曝光方法，其特征在于，该基材表面包含硅M 表面。
70、 如权利要求68所述的膝光方法，其特征在于，该基材表面包含氧化膜层。
71、 如权利要求68所述的膝光方法，其特征在于，该基材表面包含金属层。
72、 如权利要求68所述的曝光方法，其特征在于，该基材表面包含绝缘膜层。
73、 如权利要求68所述的曝光方法，其特征在于，该既定材料的被覆是于该边缘清洗处理之前进行。
74、 如权利要求68所述的曝光方法，其特征在于，该既定材料的被覆是于 该边缘清洗处理之后进行。
75、 如权利要求62所述的曝光方法，其特征在于，该既定材料的膜为HMDS层。
76、 如权利要求62所述的啄光方法，其特征在于，该既定材料的膜包含复 数种材料的膜。
77、 如权利要求68所述的咏光方法，其特征在于，利用该拨液性，以防止 构成该基材表面的物质溶解于该液体中。
78、 如权利要求62所述的曝光方法，其特征在于，于第l面被覆该既定材 料后，形成以该感光材料纟皮覆的该第1区域，再施以该边缘清洗处理，、进而， 在该感光材料的被覆上进行与该既定材料不同的第2材料的被覆，然后对该第 2材料的至少一部分施以边缘清洗处理。
79、 如权利要求62所述的曝光方法，其特征在于，对该边缘清洗处理后的 区域进一步施以预烘烤处理。
80、 如权利要求68所述的曝光方法，其特征在于，藉由该边缘清洗处理来 去除该既定材料的#1覆的至少一部分。
81、 如权利要求80所述的曝光方法，其特征在于，该边缘清洗处理，是个 別进行去除该感光材料的至少一部分、及该既定材料的被覆的至少一部分。
82、 一种组件制造方法，其特征在于，该组件是《吏用权利要求62项的曝光 方法来制造。
83、 一种曝光方法，透过液体将曝光用光照射于基板上，以将该基板曝光， 其特征在于在构成该基板的基材上形成对该液体具有拨液性的第1膜，在该第1膜与 该基板之间的至少一部分形成对该液体具有拨液性的第2膜。 ，
84、 如权利要求83所述的曝光方法，其特征在于，该第2膜为HMDS层。
85、 如权利要求84所述的曝光方法，其特征在于，该第1膜为感光材4+膜。
86、 如权利要求85所述的曝光方法，其特征在于，于该HMDS层上形成该 感光材料膜。
87、 如权利要求84所述的曝光方法，其特征在于，该第l膜为保护膜。
88、 如权利要求87所述的曝光方法，其特征在于，将该保护膜形成于该 HMDS层上。
89、 如权利要求87所述的曝光方法，其特征在于，于该HMDS层上形成感 光材料，于该感光材料上形成该保护膜。
90、 如权利要求83所述的曝光方法，其特征在于，该基材表面具有第1面， 于该第1面全体形成该第2膜。
91、 如权利要求90所述的曝光方法，其特征在于，将该第2膜形成于该基 材全表面。
92、 如权利要求83所述的曝光方法，其特征在于，该基材表面具有第1面， 形成该第1膜的区域小于该第1面。
93、 如权利要求92所述的瀑光方法，其特征在于，对该第l膜施以边缘清 洗处理而将该第1膜的一部分去除，藉此使形成该笫1膜的区域小于该第1面。
94、 如权利要求93所述的曝光方法，其特征在于，形成该第l膜的区域与 ^皮施以该边缘清洗处理的区域是包含于该基板的上面。
95、 如权利要求83所述的曝光方法，其特征在于，利用该拨液性，以防止 构成该基材表面的物质溶解于该液体中。
96、 如权利要求83所述的曝光方法，其特征在于，该基材表面包含硅141 表面。
97、 如权利要求83所述的膝光方法，其特征在于，该基材表面包含氧化膜层。
98、 如权利要求83所述的曝光方法，其特征在于，该基材表面包含金属层。
99、 如权利要求83所述的曝光方法，其特征在于，该基材表面包含绝缘膜层。
100、 如权利要求83所述的啄光方法，其特征在于，该第1膜与第2膜形 成于该J41的上面。
101、 如权利要求100所述的曝光方法，其特征在于，该第2膜形成于该基 板的上面、及与该上面不同的面。
102、 如权利要求101所述的曝光方法，其特征在于，该第2膜形成于该基 ^反的侧面。
103、 如权利要求101所述的曝光方法，其特征在于，该第2膜形成于该基 板的下面。
104、 如权利要求83所述的膝光方法，其特征在于，该基材表面具有第1 面，于该第1面形成该第2膜后再形成感光材料，进而，对该感光材料施以边 缘清洗处理后，在该感光材料膜上形成该第1膜。
105、 如权利要求104所述的曝光方法，其特征在于，对该边缘清洗处理后 的区域进一步施以预烘烤处理。
106、 如权利要求104所述的曝光方法，其特征在于，对该第l膜也施以边 缘清洗处理。
107、 如权利要求106所述的膝光方法，其特征在于，藉由该边缘清洗处理 来去除该感光材料的至少一部分、及该第l膜的至少一部分。
108、 如权利要求1Q7所述的曝光方法，其特征在于，该边缘清洗处理，是 个别进行去除该感光材料的至少一部分、及该第l膜的至少一部分。
109、 一种组件制造方法，其特征在于，该组件是使用权利要求83 ,的曝 光方法来制造。
110、 一种曝光方法，透过液体将曝光用光照射于基板的感光材料，以将该 感光材料膝光，其特征在于该基净反表面包含对该液体具有拨液性的第1膜、及对该液体具有拨液性且 与该第l膜不同材料的第2膜。
111、 如权利要求110所述的膝光方法，其特征在于，该第2膜为HMDS层。
112、 如权利要求lll所述的曝光方法，其特征在于，该第l膜为感光材料膜。
113、 如权利要求1U所述的曝光方法，其特征在于，于该HMDS层上形成 该感光材料膜。
114、 如权利要求lll所述的曝光方法，其特征在于，该第l膜为保护膜。
115、 如权利要求114所述的曝光方法，其特征在于，该保护膜形成于该 HMDS层上。
116、 如权利要求114所述的曝光方法，其特征在于，于该HMDS层上形成 感光材料，于该感光材料上形成该保护膜。
117、 如权利要求110所述的曝光方法，其特征在于，该基材表面具有第1 面，于该第1面全体形成该第2膜。
118、 如权利要求117所述的曝光方法，其特征在于，于该基材全表面形成 有该第2膜。
119、 如权利要求110所述的曝光方法，其特征在于，该基材表面具有第1 面，形成该第l膜的区域小于该第1面。
120、 如权利要求119所述的曝光方法，其特征在于，于该第l面未形成该 第1膜的区域形成有该第2膜。
121、 如权利要求119所述的曝光方法，其特征在于，对该第l膜施以边缘 清洗处理而将该第l膜的一部分去除，藉此使形成该第l膜的区域小于该第1 面。
122、 如权利要求121所述的曝光方法，其特征在于，形成该第l膜的区域 与被施以该边缘清洗处理的区域是包含于该基板的上面。
123、 如权利要求117所述的曝光方法，其特征在于，利用该拨液性，以防 止构成该基材表面的物质溶解于该液体中。
124、 如权利要求117所述的啄光方法，其特征在于，该基材表面包含珪基 板表面。
125、 如权利要求117所述的曝光方法，其特征在于，该基材表面包含氧化 膜层。
126、 如权利要求117所述的曝光方法，其特征在于，该基材表面包含金属层。
127、 如权利要求117所述的曝光方法，其特征在于，该基材表面包含绝缘 膜层。
128、 如权利要求110所述的曝光方法，其特征在于，该第1膜与第2膜形 成于该1^反的上面。
129、 如权利要求128所述的曝光方法，其特征在于，该第2膜形成于该基 板的上面、及与该上面不同的面。
130、 如权利要求129所述的曝光方法，其特征在于，该第2膜形成于该基 板的侧面
131、 如权利要求129所述的曝光方法，其特征在于，该第2膜形成于该基 板的下面。
132、 如权利要求110所述的曝光方法，其特征在于，构成该基板的基材表 面具有第1面，于该第1面形成该第2膜后再形成感光材料，进而，对该感光 材料施以边缘清洗处理后，在该感光材料膜上形成该第l膜。
133、如权利要求132所述的曝光方法，其特征在于，对该边缘清洗处理后 的区域进一步施以预烘烤处理。
134、 如权利要求132所述的曝光方法，其特征在于，对该第l膜也施以边 缘清洗处理。
135、 如权利要求134所述的曝光方法，其特征在于，藉由该边缘清洗处理 来去除该感光材料的至少一部分、及该第l膜的至少一部分。
136、 如权利要求135所述的曝光方法，其特征在于，该边缘清洗处理，是 个别进行去除该感光材料的至少一部分、及该第l膜的至少一部分。
137、 一种组件制造方法，其特征在于，该组件是使用权利要求110项的曝 光方法来制造。
138、 一种曝光方法，是将形成于基板的感光材料曝光，其特征在于 准备构成该基板的基材；于该基材形成感光材料膜；对该感光材料膜的至少 一部分施以边缘清洗处理；于该边缘清洗处理前待除去该感光材料膜的区域、或该边缘清洗处理后除 去该感光材料膜后的区域，形成拨液性膜；及将曝光用光照射于该感光材料膜的至少一部分。
139、 如权利要求138所述的曝光方法，其特征在于，该拨液性膜为HMDS层。
140、 如权利要求138所述的曝光方法，其特征在于，该拨液性膜是以覆盖 该感光材料膜的方式来形成。
141、 如权利要求138所述的曝光方法，其特征在于，该拨液性膜为与该感 光材料相同材料的膜。
142、 如权利要求138所述的曝光方法，其特征在于，该拨液性膜包含复数 种材料的膜。
143、 如权利要求138所述的曝光方法，其特征在于，利用该拨液性，以防 止构成该基材表面的物质溶解于液体中。
144、 如权利要求143所述的曝光方法，其特征在于，该基材表面包含硅基 板表面。
145、 如权利要求143声斤述的啄光方法，其特征在于，该基材表面包含氧化 膜层。
146、 如权利要求143所述的曝光方法，其特征在于，该基材表面包含金属层。
147、 如权利要求143所述的曝光方法，其特征在于，该基材表面包含绝缘 膜层。
148、 如权利要求138所述的曝光方法，其特征在于，该形成有感光材料膜 的区域与该边缘清洗处理后的区域包含于该基板的上面。
149、 如权利要求148所述的曝光方法，其特征在于，该拨液性膜形成于该 ^i^i的上面。
150、 如权利要求149所述的曝光方法，其特征在于，该拨液性膜形成于该 基板的上面、及与该上面不同的面。
151、 如权利要求150所述的曝光方法，其特征在于，该拨液性膜形成于该 基t反的侧面。
152、 如权利要求150所述的曝光方法，其特征在于，该拨液性膜形成于该 基板的下面。
153、 如权利要求148所述的膝光方法，其特征在于，于该上面形成该拨液 性的第l膜后，形成该感光材料膜，再施以该边缘清洗处理，进而，在该感光 材料膜上形成与该第1膜不同材料的拨液性的第2膜，然后对该第2膜的至少 一部分施以边缘清洗处理。
154、 如权利要求138所述的曝光方法，其特征在于，于该边缘清洗处理后 进一步施以预烘烤处理。
155、 如权利要求138所述的曝光方法，其特征在于，藉由该边缘清洗处理 来去除该感光材料膜的至少一部分、及该拨液性膜的至少一部分。
156、 如权利要求138所述的曝光方法，其特征在于，该边缘清洗处理，是个别进行去除该感光材料膜的至少一部分、及该拨液性膜的至少一部分。
157、 一种组件制造方法，其特征在于，该组件是使用权利要求138项的曝 光方法来制造。
全文摘要
本发明公开了一种曝光方法及组件制造方法、以及基板及其制造方法。其中曝光方法能将液体维持在期望状态下进行良好地曝光基板。在构成通过液体加以曝光的基板的基材的上面具有以感光材料被覆的有效区域，为避免在有效区域外侧的基材表面与液体接触，在有效区域外侧的基材表面的至少一部分以既定材料被覆。本发明提供的一种基板，是透过液体而曝光，具备形成有感光材料膜的区域、与被施以边缘清洗处理的区域；该边缘清洗处理后的区域具有拨液性。本发明提供的一种基板制造方法，用以制造透过液体而曝光的基板，包括在构成该基板的基材上形成感光材料膜；及对该感光材料膜的至少一部分施以边缘清洗处理；该边缘清洗处理后的区域具有拨液性。
文档编号G03F7/20GK101373337SQ20081021243
公开日2009年2月25日 申请日期2005年7月20日 优先权日2004年7月21日
发明者藤原朋春, 长坂博之 申请人:尼康股份有限公司