1.一种蓝相液晶阵列基板的制造方法，其特征在于，其包括如下步骤：
第一步：在玻璃基板上形成栅线、与该栅线连接的栅电极、共通电极线、以及温控线；
第二步：在上述第一步的基础上，首先形成第一栅极绝缘层，再在栅电极上形成半导体层；
第三步：在上述第二步的基础上，形成数据线、与数据线连接的源电极、以及漏电极；
第四步，在上述第三步的基础上，形成漏电极接触孔和多个共通电极线接触孔；
第五步：在上述第四步的基础上，首先覆盖第二绝缘层，再形成交替设置的像素电极和共通电极；
第六步：在上述第五步的基础上，形成位于共通电极线上的第一温控材料接触孔和位于温控线上的第二温控材料接触孔；
第七步：在上述第六步的基础上，形成温控材料区域，温控材料区域位于共通电极线和温控线上方，温控材料区域通过第一温控材料接触孔与共通电极线连接，温控材料区域通过第二温控材料接触孔与温控线连接。
2.根据权利要求1所述的蓝相液晶阵列基板的制造方法，其特征在于：所述温控线设置于栅线和共通电极线之间。
3.根据权利要求1所述的蓝相液晶阵列基板的制造方法，其特征在于：所述共通电极线和温控线相邻设置。
4.根据权利要求1所述的蓝相液晶阵列基板的制造方法，其特征在于：所述栅线、栅电极、共通电极线、以及温控线的材料均为钛、铝，钼、铬或者其合金。
5.根据权利要求1所述的蓝相液晶阵列基板的制造方法，其特征在于：所述半导体层的材料为非晶硅、多晶硅、或金属氧化物。
6.根据权利要求1所述的蓝相液晶阵列基板的制造方法，其特征在于：所述数据线、源电极、以及漏电极的材料为钛、铝、钼、铬或者其合金。
7.根据权利要求1所述的蓝相液晶阵列基板的制造方法，其特征在于：所述漏电极接触孔位于漏电极上，共通电极线接触孔位于共通电极线上。
8.根据权利要求1所述的蓝相液晶阵列基板的制造方法，其特征在于：所述像素电极通过漏电极接触孔与漏电极连接；所述共通电极通过共通电极线接触孔与共通电极线连接。
9.根据权利要求1所述的蓝相液晶阵列基板的制造方法，其特征在于：所述像素电极和共通电极的材料均为ITO。
10.根据权利要求1所述的蓝相液晶阵列基板的制造方法，其特征在于：所述温控材料区域的材料为镁、铝、钼、铬、镍、钨或者合金。