蓝相液晶阵列基板的制造方法与流程

本发明属于蓝相液晶显示技术领域，尤其涉及一种蓝相液晶阵列基板的制造方法。

技术背景

目前面板技术的两个发展趋势：低功耗和高透过率，低功耗和高透过率均与液晶的响应时间密切相关。现有各向异性液晶的响应时间随着近些年的发展已趋于饱和，很难得到更大的提高，蓝相液晶则呈现出传统液晶所没有的优点：

第一：具有亚毫秒的响应时间，使液晶显示器有可能实现场序彩色显示模式，还可以大大降低动态伪像，而场序彩色显示模式显示器的分辨率和光学效率是常规的3倍；

第二：不需要定向层，可以大大简化制管工艺过程；

第三：暗场时光学上是各向同性的，所以视角大，并且非常对称；

第四：只要液晶盒的厚度大于一定值，其透明度对液晶盒的厚度不敏感，所以特别适于制作大显示屏。

蓝相液晶的广泛应用也存在一些问题，一是温度范围较窄，二是粘度系数较高，不利于液晶的注入。

为了解决这两个问题，在实际应用中，需要对蓝相液晶进行聚合物UV稳定化处理，对相态进行稳定，并通过对液晶加热的方式降低其粘度，以利于液晶的注入。以下为蓝相液晶的成盒过程：

第一步：在第一基板(如阵列基板)上采用封框胶形成框形区域，并进行UV预固化；

第二：在框形区域内滴下聚合物蓝相液晶，滴下温度控制在50℃以上；

第三：第二基板(如彩膜基板)真空贴合；

第四：控制液晶在蓝相温度为38℃-42℃，采用UV光照射，聚合物稳定。

由于蓝相液晶的最大驱动电压和初始透光率均与温度有关，而蓝相液晶的温度范围非常小，所以在聚合物UV稳定化处理过程中，需要有非常精确的温度控制设备。液晶层两侧玻璃热传导系数低，现有的温度控制设备，很难精确的控制液晶层的温度，导致良品率低。

因此，急需一种可以精确控制蓝相液晶温度的方法。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种保证温度均匀性、提高产品良率的蓝相液晶阵列基板的制造方法。

本发明提供一种蓝相液晶阵列基板的制造方法，其包括如下步骤：

第一步：在玻璃基板上形成栅线、与该栅线连接的栅电极、共通电极线、以及温控线；

第二步：在上述第一步的基础上，首先形成第一栅极绝缘层，再在栅电极上形成半导体层；

第三步：在上述第二步的基础上，形成数据线、与数据线连接的源电极、以及漏电极；

第四步，在上述第三步的基础上，形成漏电极接触孔和多个共通电极线接触孔；

第五步：在上述第四步的基础上，首先覆盖第二绝缘层，再形成交替设置的像素电极和共通电极；

第六步：在上述第五步的基础上，形成位于共通电极线上的第一温控材料接触孔和位于温控线上的第二温控材料接触孔；

第七步：在上述第六步的基础上，形成温控材料区域，温控材料区域位于共通电极线和温控线上方，温控材料区域通过第一温控材料接触孔与共通电极线连接，温控材料区域通过第二温控材料接触孔与温控线连接。

优选地，所述温控线设置于栅线和共通电极线之间。

优选地，所述共通电极线和温控线相邻设置。

优选地，所述栅线、栅电极、共通电极线、以及温控线的材料均为钛、铝，钼、铬或者其合金。

优选地，所述半导体层的材料为非晶硅、多晶硅、或金属氧化物。

优选地，所述数据线、源电极、以及漏电极的材料为钛、铝、钼、铬或者其合金。

优选地，所述漏电极接触孔位于漏电极上，共通电极线接触孔位于共通电极线上。

优选地，所述像素电极通过漏电极接触孔与漏电极连接；所述共通电极通过共通电极线接触孔与共通电极线连接。

优选地，所述像素电极和共通电极的材料均为ITO。

优选地，所述温控材料区域的材料为镁、铝、钼、铬、镍、钨或者合金。

本发明制作温控线和温控材料区域，在UV照射期间，通过给温控线输入电信号，使温控线与共通电极线之间形成电压差从而产生电流，高电阻的温控材料产生的热量有效地传导到液晶层中，保证温度均匀性，使蓝相液晶保持稳定，提高产品良率；另外由于温控材料直接集成于液晶基板上，不需要额外的温控设备，可以节省成本。

附图说明

图1为本发明蓝相液晶阵列基板的制造方法步骤一的示意图；

图2为本发明蓝相液晶阵列基板的制造方法步骤二的示意图；

图3为本发明蓝相液晶阵列基板的制造方法步骤三的示意图；

图4为本发明蓝相液晶阵列基板的制造方法步骤四的示意图；

图5为本发明蓝相液晶阵列基板的制造方法步骤五的示意图；

图6为本发明蓝相液晶阵列基板的制造方法步骤六的示意图；

图7为本发明蓝相液晶阵列基板的制造方法步骤七的示意图。

具体实施方式

本发明属于蓝相液晶显示领域，具体涉及一种可自主加热的蓝相液晶阵列基板的制造方法。

本发明蓝相液晶阵列基板的制造方法，其包括如下步骤：

第一步：如图1所示，在玻璃基板(图未示)上形成栅线10、与该栅线10连接的栅电极11、共通电极线20、以及温控线30，温控线30设置于栅线10和共通电极线20之间。

共通电极线20和温控线30相邻设置。

栅线10、栅电极11、共通电极线20、以及温控线30的材料均为钛、铝，钼、铬或者其合金。

第二步：如图2所示，在上述第一步的基础上，首先形成第一栅极绝缘层(图未示)，再在栅电极11上形成半导体层40。

半导体层40的材料可以为非晶硅、多晶硅、或金属氧化物。

第三步：如图3所示，在上述第二步的基础上，形成数据线50、与数据线50连接的源电极51、以及漏电极52。

数据线50、源电极51、以及漏电极52的材料为钛、铝、钼、铬或者其合金。

第四步，如图4所示，在上述第三步的基础上，形成漏电极接触孔61和多个共通电极线接触孔62。

漏电极接触孔61位于漏电极52上，共通电极线接触孔62位于共通电极线20上。

第五步：如图5所示，在上述第四步的基础上，首先覆盖第二绝缘层(图未示)，再形成交替设置的像素电极71和共通电极72。

像素电极71通过漏电极接触孔61与漏电极52连接；共通电极72通过共通电极线接触孔62与共通电极线20连接；像素电极71和共通电极72的材料均为ITO。

第六步：如图6所示，在上述第五步的基础上，形成位于共通电极线20上的第一温控材料接触孔81和位于温控线30上的第二温控材料接触孔82。

第一温控材料接触孔81和第二温控材料接触孔82相对设置。

第七步：如图7所示，在上述第六步的基础上，形成温控材料区域90，温控材料区域90位于共通电极线20和温控线30上方，温控材料区域90通过第一温控材料接触孔81与共通电极线20连接，温控材料区域90通过第二温控材料接触孔82与温控线30连接。

温控材料区域90的材料为镁、铝、钼、铬、镍、钨或者合金。

本发明还揭示一种蓝相液晶阵列基板，其包括纵横交错的栅线10和数据线50、由栅线和数据线交叉限定的若干个像素区域、与栅线10平行设置的共通电极线20和温控线30、交错设置的像素电极71和共通电极72、以及均与共通电极线20和温控线30连接的温控材料区域90。

每个像素区域包括TFT，其中TFT包含半导体层40、源电极52、漏电极51和栅电极11。

栅线10、共通电极线20和温控线30位于同一层；像素电极71和共通电极72位于同一层，像素电极71通过漏电极接触孔61与漏电极52连接，共通电极72通过共通电极线接触孔62与共通电极线20连接；温控材料区域90位于上层，温控材料区域90通过第一温控材料接触孔81与共通电极线20连接，温控材料区域90通过第二温控材料接触孔82与温控线30连接。

蓝相液晶阵列基板还包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层覆盖栅线10、共通电极线20和温控线30，第二绝缘层覆盖数据线50、源电极51和漏电极52。

本发明制作温控线和温控材料区域，在UV照射期间，通过给温控线输入电信号，使温控线与共通电极线之间形成电压差从而产生电流，高电阻的温控材料产生的热量有效地传导到液晶层中，保证温度均匀性，使蓝相液晶保持稳定，提高产品良率；另外由于温控材料直接集成于液晶基板上，不需要额外的温控设备，可以节省成本。

以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种等同变换，这些等同变换均属于本发明的保护范围。