一种显示基板的制备方法及显示基板与流程

文档序号:17738001发布日期:2019-05-22 03:24阅读:169来源:国知局
一种显示基板的制备方法及显示基板与流程

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板的制备方法及显示基板。



背景技术:

反射液晶显示装置(r-lcd),是利用外部光源反射进行显示的lcd面板,相比于由背光源的透射lcd装置,r-lcd没有背光源,功耗降低,而且采用自然反射显示,有利于视觉保护。r-lcd的结构主要包括:彩膜基板、液晶层、阵列基板和反射层。

目前,只是在阵列基板上通过烘干方式制备反射层,但是这种方式树脂材料在烘干过程中具有流动性,难以得到需要的形状。



技术实现要素:

本发明提供一种显示基板的制备方法,以解决现有反射显示基板的制备方法无法制备到需要的形状的问题。

本发明一方面提供了一种的制备方法,包括:

提供基板,并在所述基板上依次形成树脂层和硬化层;所述树脂层设置在所述基板和所述硬化层之间;

在面向所述硬化层的一侧放置挡板;所述挡板上设置有多个镂空结构;其中,所述镂空结构在平行于所述挡板的第一方向上的宽度不同;

使所述挡板或所述基板沿所述第一方向往复移动;

在所述挡板背离所述基板的一侧使用等离子装置对所述硬化层和树脂层进行等离子刻蚀,获得具有楔形结构的树脂层;

在所述树脂层上沉积反光层,得到所述显示基板。

可选的,在在所述挡板背离所述基板的一侧使用等离子装置对所述硬化层和树脂层进行等离子刻蚀,获得具有楔形结构的树脂层,包括:

在所述挡板背离所述基板的一侧使用等离子装置进行等离子刻蚀,直到所述硬化层刻蚀出楔形结构;

移除所述挡板,继续进行等离子刻蚀,直到获得具有所述楔形结构的树脂层。

可选的,所述镂空结构包括等腰三角形;其中,所述等腰三角形的底边所在的方向为所述第一方向。

可选的,所述硬化层的材料包括:二氧化硅或氮化硅。

本发明另一方面提供一种显示基板,包括:基板和反射层;

其中,反射层设置在所述基板上;所述反射层包括多个楔形结构。

可选的,所述楔形结构的斜面为平面或者曲面,且与所述基板呈预设夹角。

可选的,所述预设夹角包括:7°-12°。

可选的,所述楔形结构的高度包括:1μm-3μm。

可选的,所述反射层包括:树脂层和反光层;所述树脂层设置在所述基板和所述反光层之间。

可选的,所述反光层的材料为a1或ag。

一方面,本发明实施例提供的一种显示基板的制备方法,包括:提供基板,并在所述基板上依次形成树脂层和硬化层;所述树脂层设置在所述基板和所述硬化层之间;在面向所述硬化层的一侧放置挡板;所述挡板上设置有多个镂空结构;其中,所述镂空结构在平行于所述挡板的第一方向上的宽度不同;使所述挡板或所述基板沿所述第一方向往复移动;在所述挡板背离所述基板的一侧使用等离子装置对所述硬化层和树脂层进行等离子刻蚀,获得具有楔形结构的树脂层;在所述树脂层上沉积反光层,得到所述显示基板。本发明实施例提供的制备方法,制备成本较低,并且能够使树脂层反射面平整,增大有效反射面,进而提高光的利用率。

另一方面,本发明实施例提供的一种显示基板,包括:基板和反射层;其中,反射层设置在所述基板上;所述反射层包括多个楔形结构。本发明实施例提供的楔形结构能够增加反射层的反射面,提高光的利用率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图;

图2是本发明实施例提供的一种显示基板制备方法的步骤流程图;

图3是本发明实施例提供的一种显示基板制备方法的流程示意图;

图4是本发明实施例提供的一种挡板移动过程的流程示意图;

图5是本发明实施例提供的一种镂空结构的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

实施例一

参照图1,本发明一方面提供了一种显示基板,包括:基板10和反射层20;其中,反射层20设置在所述基板10上;所述反射层包括多个楔形结构。

在本发明实施例中,基板包括阵列基板。

在本发明实施例中,所述楔形结构的斜面为平面或者曲面,且与所述基板呈预设夹角α。

在本发明实施例中,所述预设夹角α包括:7°-12°。优选的,预设夹角α为9°。

在本发明实施例中,所述楔形结构的高度h包括:1μm-3μm。

在本发明实施例中,所述反射层20包括:树脂层21和反光层22;所述树脂层21设置在所述基板10和所述反光层22之间。

在本发明实施例中,树脂层的材料为亚克力树脂;所述反光层22的材料为a1或ag。

综上所述,本发明实施例提供的一种显示基板,包括:基板和反射层;其中,反射层设置在所述基板上;所述反射层包括多个楔形结构。本发明实施例提供的楔形结构能够增加反射层的反射面,提高光的利用率。

实施例二

参照图2和图3本发明实施例提供了一种显示基板的制备方法,包括:

步骤201,提供基板10,并在所述基板10上依次形成树脂层21和硬化层30;所述树脂层21设置在所述基板10和所述硬化层30之间。

在本发明实施例中,参照图3中的(a),在基板10上涂覆树脂层21,在树脂层21上沉积硬化层,硬化层30的材料包括:二氧化硅或氮化硅,优选二氧化硅。

步骤202,在面向所述硬化层30的一侧放置挡板40;所述挡板40上设置有多个镂空结构41;其中,所述镂空结构41在平行于所述挡板40的第一方向上的宽度不同。

在本发明实施例中,参照图3中的(b),挡板40可以和硬化层30之间有一定距离。

在本发明实施例中,参照图4,多个镂空结构41平行设置,并且镂空结构从一端到另一端的宽度逐渐增大。步骤203,使所述挡板40或所述基板10沿所述第一方向往复移动。

在本发明实施例中,参照图4,挡板40或基板30沿镂空结构的第一方向往复移动。

步骤204,在所述挡板40背离所述基板10的一侧使用等离子装置对所述硬化层30和树脂层21进行等离子刻蚀,获得具有楔形结构的树脂层21。

在本发明实施例中,参照图4,在挡板40或基板10沿第一方向往复移动时,在镂空结构较宽的地方,对应的硬化层的区域,等离子刻蚀的速率较大。

在本发明实施例中,等离子刻蚀是利用气压为10~1000帕的特定气体或混合气体(如氩气)的辉光放电,产生能与树脂层和硬化层发生离子化学反应的分子或分子基团,生成的反应产物是挥发性的。它在低气压的真空室中被抽走,从而实现刻蚀。

在本发明实施例中,步骤204,包括:在所述挡板40背离所述基板10的一侧使用等离子装置进行等离子刻蚀,直到所述硬化层30刻蚀出楔形结构;移除所述挡板40,继续进行等离子刻蚀,直到获得具有所述楔形结构的树脂层21。

在本发明实施例中,参照图3中的(c),在等离子刻蚀过程中,硬化层30先形成楔形结构,然后移除挡板40,再对硬化层进行等离子刻蚀,当硬化层,因硬化层的楔形结构的高度从一端到另一端是逐渐降低的,因此,硬化层30在均匀的等离子刻蚀下,高度低的区域逐渐降低至开始刻蚀树脂层,直到硬化层刻蚀完成时,树脂层21形成楔形结构。

在本发明实施例中,由于树脂层在等离子刻蚀下,无法保证规则的形状,因此,需要在树脂层上加一层硬化层,来保证最后得到的树脂层为规则的楔形结构。

在本发明实施例中,参照图4,所述镂空结构41包括等腰三角形;其中,所述等腰三角形的底边所在的方向为所述第一方向。

在本发明实施例中,镂空结构41也可以是直角三角形,且各直角三角形有一边长互相平行。

在本发明实施例中,参照图5,镂空结构41可以为其他多种形状。其中,图(a)中,镂空结构41对应的树脂层的楔形结构的横截面如211,楔形结构的表面为下凹的曲面。图(b)中,镂空结构41对应的树脂层的楔形结构的横截面如212,楔形结构的表面为上凸的曲面。

步骤205,在所述树脂层21上沉积反光层22,得到所述显示基板。

在本发明实施例中,参照图3中的(d),在树脂层21上沉积反光层22得到如图1的显示基板。

在本发明实施例中,所述硬化层的材料包括:二氧化硅或氮化硅。

综上所述,本发明实施例提供的一种显示基板的制备方法,包括:提供基板,并在所述基板上依次形成树脂层和硬化层;所述树脂层设置在所述基板和所述硬化层之间;在面向所述硬化层的一侧放置挡板;所述挡板上设置有多个镂空结构;其中,所述镂空结构在平行于所述挡板的第一方向上的宽度不同;使所述挡板或所述基板沿所述第一方向往复移动;在所述挡板背离所述基板的一侧使用等离子装置对所述硬化层和树脂层进行等离子刻蚀,获得具有楔形结构的树脂层;在所述树脂层上沉积反光层,得到所述显示基板。本发明实施例提供的制备方法,制备成本较低,并且能够使树脂层反射面平整,增大有效反射面,进而提高光的利用率。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到,为描述的方便和简洁,上述描述的基板的工作过程,可以参考前述方法实施例中的对应过程,在此不再赘述。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

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