阵列基板及显示面板的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术：

随着显示技术的发展，显示面板被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、笔记本电脑等各种消费性电子产品中，成为显示装置中的主流。液晶显示面板的结构是由一彩色滤光片基板、一薄膜晶体管阵列基板以及一配置于两基板间的液晶层所形成。

在显示面板的生产过程中，存在因设备搬运、制程工艺等引起的金属图形之间、例如阵列基板的栅极线间的静电放电(electro-staticdischarge，esd)击穿不良，而造成显示面板良率下降。现有技术中，一般在阵列基板上设有防护结构。参照图1所示，在栅极线80上连接有静电保护开关81，当栅极线80上出现大电流时，通过静电保护开关81，从而将电流释放到静电防护走线82上，以起到防止esd击穿不良的目的。其中，静电保护开关采用膜层设计，与阵列基板中的薄膜晶体管同时形成。

然而，上述现有防护方案中，在阵列基板上各膜层没有完全形成之前、即薄膜晶体管膜层结构未成型之前，静电保护开关也无法起作用，因此无法在阵列基板的制造过程中进行静电防护，因而防护效果较差。

技术实现要素：

本实用新型提供一种阵列基板及显示面板，在阵列基板的制造过程中就可以起到静电防护的效果，因此防护效果较佳。

本实用新型第一方面提供一种阵列基板，包括：衬底基板、形成在衬底基板上的至少两条扫描线，以及与扫描线同层并与扫描线绝缘的静电释放图形，静电释放图形包括第一配线和释放凸起，扫描线的至少一侧端部的侧方具有第一配线，释放凸起的一端与第一配线电连接，释放凸起的另一端朝向扫描线的端部所在的区域伸出。

通过释放凸起对扫描线端部的电荷进行诱导，使扫描线上的大电流流入到第一配线上，以释放扫描线上的大电流。

在一种可能的实现方式中，至少部分释放凸起的另一端朝向相邻扫描线的端部之间的区域延伸。

相邻扫描线端部由于焊盘等的设置，局部尺寸较大，因而相邻扫描线端部的距离较小，容易出现esd，属于esd的高发区，将释放凸起设置在于该区域对应的位置处时，利于扫描线上的电荷更好地释放。

在一种可能的实现方式中，释放凸起包括第一释放凸起，第一释放凸起的一端直接与第一配线连接。

这样使第一释放凸起和第一配线的距离较短。

在一种可能的实现方式中，静电释放图形还包括第二配线，两个相邻扫描线定义出一行子像素行，与同一行子像素行对应的第一释放凸起通过第二配线连接起来。

第二配线可以将承受较多电荷的释放凸起上的电荷迅速传递至与其相邻的释放凸起上。

在一种可能的实现方式中，释放凸起还包括第二释放凸起，第二释放凸起的一端与第二配线直接连接，第二释放凸起的另一端朝向扫描线的端部所在的区域伸出。

通过在第二配线上设置第二释放凸起，使扫描线上的电荷更容易通过第二释放凸起释放。

在一种可能的实现方式中，朝向扫描线的端部所在的区域伸出的释放凸起为主释放凸起，与同一条第二配线连接的所有释放凸起中，主释放凸起的端部距离相邻扫描线的端部连线的距离最短。

在一种可能的实现方式中，第一配线沿与扫描线垂直的方向延伸。

这样，第一配线距离各扫描线的端部的距离大致相等。

在一种可能的实现方式中，扫描线的两侧端部均设有静电释放图形。

这样可以对扫描线上的大电流进行充分释放。

在一种可能的实现方式中，扫描线端部与释放凸起的另一端对应的位置处设有释放尖端。

扫描线上设置释放尖端，则扫描线上的电荷更容易通过释放尖端而释放到释放凸起上。

本实用新型第二方面提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。

本实施例提供一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括：衬底基板、形成在衬底基板上的至少两条扫描线，以及与扫描线同层并与扫描线绝缘的静电释放图形，静电释放图形包括第一配线和释放凸起，扫描线的至少一侧端部的侧方具有第一配线，释放凸起的一端与第一配线电连接，释放凸起的另一端朝向扫描线的端部所在的区域伸出。通过将静电释放图形和扫描线在同一层中形成，因此在阵列基板中薄膜晶体管的栅极和扫描线制作完毕后，静电释放图形就可以起到防护作用，换言之，薄膜晶体管的部分膜层形成后就可以起到防护作用，不用等到整个薄膜晶体管完全成型之后，因此防护效果较佳。并且无需像现有技术那样采用具有多个膜层的静电防护开关，结构简单且制作容易。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术的esd防护结构的示意图；

图2为本实用新型实施例一提供的阵列基板的结构示意图；

图3为本实用新型实施例一提供的阵列基板的局部结构的示意图；

图4为图3的a-a方向剖视图；

图5为本实用新型实施例一提供的阵列基板的另一种结构的示意图；

图6为本实用新型实施例一提供的阵列基板的再一种结构的示意图。

附图标记：

100-阵列基板；

1-衬底基板；

2-扫描线；

21-扫描线的端部；

3-静电释放图形；

31-第一配线；

32-释放凸起；

331-第一释放凸起；

332-第二释放凸起；

35-第二配线；

36-主释放凸起；

5-数据线；

51-子像素区域；

52-子像素行；

53-释放尖端；

54-焊盘；

80-栅极线；

81-静电保护开关；

82-静电防护走线。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型中的附图，对本实用新型中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例一

图2为本实用新型实施例一提供的阵列基板的结构示意图，图3为本实用新型实施例一提供的阵列基板的局部结构的示意图，图4为图3的a-a方向的剖视图。

参照图2、图3、图4所示，本实施例提供一种阵列基板100，为了便于说明，图2、图3、图4的附图中省略了栅极以及栅极以上的各层，并以虚框线限定出数据线5所在的位置。

可以理解的是，虽然并未图示出，但本实施例的阵列基板100上会包含多个由扫描线2和数据线5定义出的子像素区域51，每个子像素区域51中均设有一个薄膜晶体管器件。

可以理解的是，本申请中的阵列基板100包括多个子像素区域51，因此，在本申请的阵列基板100的制作过程中，所提到的在衬底基板1上形成栅极、扫描线2具体是指在阵列基板100的和每个子像素区域51对应的区域中均形成栅极，在整个阵列基板100的范围内均形成扫描线2。对于源极、漏极、以及半导体图形的情况与此类似，此处不再赘述。

本申请实施例中，如图2、图3所示，阵列基板100包括：衬底基板1、形成在衬底基板1上的至少两条扫描线2，以及与扫描线2同层并与扫描线2绝缘的静电释放图形3，静电释放图形3可以包括彼此电连接的第一配线31和释放凸起32，具体的，扫描线2的至少一侧端部的侧方具有第一配线31，例如，第一配线31可以位于扫描线2的左侧端部的侧方，释放凸起32的一端与第一配线31电连接，释放凸起32的另一端朝向扫描线的端部21所在的区域伸出，但并未接触扫描线的端部21。

可以理解的是，通过将静电释放图形3和扫描线2在同一层中形成，因此在阵列基板100中薄膜晶体管的栅极和扫描线2制作完毕后，同时形成的静电释放图形3就可以起到防护作用，也就是说，本申请的结构在薄膜晶体管的一部分结构制作完毕时即可起到防护作用，因此相比现有技术的静电防护开关还需要在阵列基板制作完毕后才起效相比，防护效果较佳。

其中，衬底基板1可以为玻璃基板或石英基板，或者在栅极金属中含有cu元素等的情况下，可以在玻璃基板或石英基板上先沉积一层附着层，以用于增加栅极金属和玻璃基板或者石英基板的附着力。由于栅极金属和玻璃基板或者石英基板之间的附着力增加，也可以在一定程度上防止栅极金属剥落。

其中，扫描线2也可以称作栅极走线，与栅极在同一个制程中同时形成，在图2中，扫描线2沿与衬底基板1的上表面平行的第一方向f延伸，且各个扫描线2一般彼此平行形成，数据线5沿与衬底基板1的上表面平行、且与第一方向f垂直的第二方向s延伸，这样扫描线2和数据线5彼此交叉可以形成子像素区域51，而位于相邻两条扫描线2之间的子像素区域51可以称为一行子像素行52。

本申请实施例中，静电释放图形3与扫描线2同层并与扫描线2绝缘，具体是指，静电释放图形3也直接形成在衬底基板1上，并与扫描线2同层，因此，若静电释放图形3与栅极金属采用相同材料形成，则静电释放图形3可以与栅极、扫描线2同时形成。

具体的，可以在衬底基板1上沉积一层栅极金属层，然后对栅极金属层进行一次普通的光刻工艺，通过适当地设置光刻掩膜的图形，就可以在刻蚀过程中，同时形成栅极、扫描线2以及静电释放图形3。这样在栅极和扫描线形成后，阵列基板100上的静电释放图形3就可以起到防护作用，尤其在后续薄膜晶体管的半导体层、源极和漏极的形成过程中，直至显示面板的制作过程中，都可以对扫描线2起到esd防护作用。因此，防护效果较佳。

另外，现有技术中采用静电保护开关的情况中，需要沉积静电保护开关的源极、漏极、半导体层等膜层，因此制作较为复杂，而本申请的阵列基板中无需这些复杂的膜层，不仅结构简单，而且制作过程也较为简单。

本申请实施例中的防护结构尤其适合应用在基于氧化物半导体薄膜晶体管的阵列基板中。这是由于，氧化物半导体层需要在特定的工艺状态下才能呈现场效应晶体管的特性，若像现有技术那样，在薄膜晶体管结构未成型之前，未起到保护作用，此时氧化物半导体的特性倾向于导体性质，如过大电流直接流过该氧化物半导体，电流应力将导致该氧化物半导体内部氧空位全部被电子占据，导致氧化物薄膜晶体管器件在未形成前就彻底失效。

而本申请实施例在形成氧化物半导体之前就已经形成了静电释放图形3作为保护结构，因此后续氧化物薄膜晶体管的制作过程中，即使遇到大电流，也大大减小了器件失效的风险。

本申请实施例中，如图2、图3所示，静电释放图形3可以包括第一配线31和释放凸起32，第一配线31位于扫描线2的一侧端部、例如左侧端部的侧方，例如在各扫描线2彼此平行地沿第一方向f排列的情况下，第一配线31可以位于所有扫描线2的左侧端部一侧。

进一步的，第一配线31位于扫描线2的一侧端部、例如右侧端部的侧方，例如在各扫描线2彼此平行地沿第一方向f排列的情况下，第一配线31可以位于所有扫描线2的右侧端部一侧。

或者，在扫描线2的左侧端部的侧方可以具有第一配线31，同时在扫描线2的右侧端部的侧方也可以具有第一配线21。可以理解的是位于左侧的第一配线21和位于右侧的第一配线21彼此绝缘。

进一步的，第一配线31可以沿第二方向s延伸，即与扫描线2垂直的方向延伸，这是由于扫描线2的一侧端部，例如左端部沿第二方向s延伸，为了使第一配线31上的各部分距离各扫描线的端部的距离相等，使第一配线31沿第二方向延伸。此外，第一配线31的延伸方向包括但不限于为上述第二方向s，也可以是局部向左侧凸起或者凹陷的结构，或者也可以为曲线。

本申请实施例中，第一配线31的延伸长度可大致与数据线5的长度相等，即延伸至对应于所有的扫描线2的端部，也可以是对应于局部的扫描线2，或者在第二方向上设有至少两个第一配线31，第一配线31之间具有间隔的结构。可以理解是，在图2中，示出了扫描线2的左端部和右端部均设有静电释放图形3(第一配线31)的结构，这样对扫描线2的保护效果更佳，实际中，可以根据需要仅仅在扫描线2的一侧端部设置静电释放图形3。

本申请实施例中，释放凸起32的一端与第一配线31电连接，释放凸起32的另一端朝向扫描线的端部21所在的区域伸出。这样在某条扫描线2上有大电流通过时，该扫描线2端部附近有大量电荷，该过量电荷可以通过释放凸起32的另一端释放到第一配线31上，即释放凸起32可以对电荷实施诱导，将电流释放至第一配线31上，第一配线31采用浮置结构，即不与任何走线连接，第一配线31上的电荷慢慢散开至周围环境中，这样可以将扫描线2上的过量电荷释放掉。

当扫描线2上出现大电流时，释放凸起32可以对电荷实施诱导，将电流释放至第一配线31上。

本申请实施例中，在一种可能的实现方式中，至少部分释放凸起32的另一端朝向相邻扫描线的端部21之间的区域延伸。这里朝向相邻扫描线2端部之间的区域延伸，具体是指释放凸起32的另一端的延伸朝向，并不指释放凸起32的另一端要延伸到相邻扫描线2之间，实际上，释放凸起32的另一端可以距扫描线2的端部一定的距离，以免释放凸起32和扫描线2发生短路。

可以理解的是，当至少部分释放凸起32的另一端朝向相邻扫描线2端部之间的区域延伸时，对电荷的释放效果较好，这是由于，如图3所示，在扫描线2的端部往往局部设置焊盘54，即等效于扫描线2端部的区域宽度宽于扫描线2在像素区域内的正常宽度，这会直接导致扫描线2端部的地方更容易释放电荷，是esd的高发区，因此，若将释放凸起32的另一端朝向相邻扫描线2端部之间的区域延伸，则可以时静电释放图形3的防护效果较好。其中，这里的焊盘54用于扫描线2与阵列基板100上的数据线5、像素电极等走线电连接。

本申请实施例中，释放凸起32可以包括第一释放凸起331，第一释放凸起331的一端直接与第一配线31连接。这样使第一配线31和第一释放凸起331之间的走线距离较短，以利于电荷的快速传递。

另外，可以使至少部分第一释放凸起331的另一端朝向相邻扫描线2端部之间的区域延伸。

进一步的，静电释放图形3还包括第二配线35，两个相邻扫描线2定义出一行子像素区域51，与同一行子像素区域51对应的第一释放凸起331通过第二配线35连接起来。这样可以使静电防护图形3的防护效果更好。第二配线35的材质可以与扫描线2相同，这样可以与扫描线2在同一个制程中形成。

可以理解的是，在阵列基板100的制作生产线中，衬底基板1上的各膜层的制作需要将衬底基板1放置在运送辊上进行搬运，在搬运过程中，衬底基板1和运送辊彼此摩擦会在扫描线2中产生脉冲电流，该脉冲电流会通过释放凸起32、例如其中一个第一释放凸起331而释放，在释放的过程中，该一个第一释放凸起331的电位会逐渐增大，考虑到需要使该一个第一释放凸起331和扫描线2之间的电位差尽可能地大，可以设置第二配线35，将该一个第一释放凸起331上的电荷释放到同一行像素电极对应的不同的第一释放凸起331上，以利于释放凸起32上的电位的降低，从而使静电释放图形3的防护效果更好。

本申请实施例中，第二配线35的延伸方向可以沿着上述的第二方向s，或者相对于第二方向s倾斜，或者也可以为其它延伸形式。需要注意的是，相邻的第二配线35之间需要绝缘。或者，第二配线35的延伸长度可以和第一配线31相同，位于整个扫描线2的范围内。

本申请实施例中，可选的，释放凸起还包括第二释放凸起332，第二释放凸起332的一端与第二配线35直接连接，第二释放凸起332的另一端朝向扫描线的端部21所在的区域伸出。这样便于承受了较多电荷的第二释放凸起332上的电荷更容易分散至其附近的释放凸起上。

图6为本实用新型实施例一提供的阵列基板的再一种结构的示意图，参照图6所示，作为一种可选的实施方式，可以由至少部分第二释放凸起332的另一端朝向相邻扫描线2端部之间的区域延伸。与上述同样的，扫描线的端部21的部位由于与相邻扫描线的端部较近，更容易积聚并释放电荷，是esd的高发区，因此，若将第二释放凸起332的另一端朝向相邻扫描线的端部21之间的区域延伸，重点使该esd的高发区进行电荷释放，则可以使静电释放图形的防护效果较好。

在本申请实施例中，与相邻扫描线2之间的区域对应的释放凸起32为主释放凸起36，即，朝向扫描线的端部21所在的区域伸出的释放凸起32为主释放凸起36，例如参照图3所示，与一个子像素行52对应的3个第一释放凸起331中，与两个扫描线2之间的间隔对应的第一释放凸起311为主释放凸起36，与同一条第二配线35连接的所有第一释放凸起331中，主释放凸起36的端部距离相邻扫描线的端部连线的距离最短，由主释放凸起36进行的电荷释放效果最好。这样使esd高发区的电荷能够通过主释放凸起36得到更好地释放。

在本申请实施例中，参照图5所示，扫描线的端部21与释放凸起32的另一端，例如第二释放凸起332端部对应的位置处设有释放尖端53。这样，扫描线2上的电荷能够通过释放尖端53更好地释放至第二释放凸起332上。

可选的，如图5所示，释放尖端53尤其适合设置在扫描线2端部靠近相邻扫描线2的位置处。当然，释放凸起32的端部要和释放尖端53相对设置。此外，对于释放尖端53的数量和设置位置，可以根据实际需要选择。

本实施例提供一种阵列基板100，阵列基板100包括：衬底基板1、形成在衬底基板1上的至少两条扫描线2，以及与扫描线2同层并与扫描线2绝缘的静电释放图形3，静电释放图形3包括第一配线31和释放凸起32，扫描线2的至少一侧端部的侧方具有第一配线31，释放凸起32的一端与第一配线31电连接，释放凸起32的另一端朝向扫描线2的端部所在的区域伸出。通过将静电释放图形3和扫描线2在同一层中形成，因此在阵列基板100中薄膜晶体管的栅极和扫描线2制作完毕后，静电释放图形3就可以起到防护作用，因此防护效果较佳。并且无需像现有技术那样采用具有多个膜层的静电防护开关，结构简单且制作容易。

实施例二

本实施例提供一种显示面板，包括实施例一中的阵列基板100，其中，阵列基板100及其上设置的防护结构的具体内容以及功能均已在前述实施例一中进行了详细说明，因而此处不再赘述。

显示面板可以为液晶显示面板，此时，显示面板包括彩膜基板、液晶层和实施例一所述的阵列基板100，液晶层可以夹设在彩膜基板和阵列基板100之间。

显示面板也可以为有机发光二极管显示面板，此时，显示面板包括实施例一所述的阵列基板100、封装层和有机层，其中有机层夹设在阵列基板100和封装层之间。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，本文中使用的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成为一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以使两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。