00 转/分的高转速转动，将杂质、残留的显影液及去离子水甩去，然后再用新的显影液4毫升 反应，如此重复3次。
[0036] 实施例6 :
[0037] 本实施例中添加显影液2毫升，显影时间9秒，一边显影一边以55转/分钟速度 转动蓝宝石片以保障显影液与胶反应更完全更均一，显影后蓝宝石片以2800转/分的高转 速转动，将显影液甩去，然后转速回到50转/分钟并用去离子水清洗9秒，之后再以2800 转/分的高转速转动，将杂质、残留的显影液及去离子水甩去，然后再用新的显影液2毫升 反应，如此重复3次。
[0038] 实施例7 :
[0039] 本实施例中添加显影液2毫升，显影时间10秒，一边显影一边以60转/分钟速度 转动蓝宝石片以保障显影液与胶反应更完全更均一，显影后蓝宝石片以3000转/分的高转 速转动，将显影液甩去，然后转速回到50转/分钟并用去离子水清洗10秒，之后再以3000 转/分的高转速转动，将杂质、残留的显影液及去离子水甩去，然后再用新的显影液2毫升 反应，如此重复3次。
[0040] 实施例8 :
[0041] 本实施例中添加显影液3毫升，显影时间6秒，一边显影一边以35转/分钟速度 转动蓝宝石片以保障显影液与胶反应更完全更均一，显影后蓝宝石片以1800转/分的高转 速转动，将显影液甩去，然后转速回到35转/分钟并用去离子水清洗7秒，之后再以1800 转/分的高转速转动，将杂质、残留的显影液及去离子水甩去，然后再用新的显影液3毫升 反应，如此重复3次。
[0042] 实施例9 :
[0043] 本实施例中添加显影液4毫升，显影时间8秒，一边显影一边以50转/分钟速度 转动蓝宝石片以保障显影液与胶反应更完全更均一，显影后蓝宝石片以2800转/分的高转 速转动，将显影液甩去，然后转速回到50转/分钟并用去离子水清洗9秒，之后再以2800 转/分的高转速转动，将杂质、残留的显影液及去离子水甩去，然后再用新的显影液4毫升 反应，如此重复3次。
[0044] 实施例10 :
[0045] 本实施例中添加显影液2毫升，显影时间10秒，一边显影一边以60转/分钟速度 转动蓝宝石片以保障显影液与胶反应更完全更均一，显影后蓝宝石片以3000转/分的高转 速转动，将显影液甩去，然后转速回到60转/分钟并用去离子水清洗10秒，之后再以3000 转/分的高转速转动，将杂质、残留的显影液及去离子水甩去，然后再用新的显影液2毫升， 反应，如此重复4次。
[0046] 实施例11 :
[0047] 本实施例中添加显影液4毫升，显影时间10秒，一边显影一边以60转/分钟速度 转动蓝宝石片以保障显影液与胶反应更完全更均一，显影后蓝宝石片以3000转/分的高转 速转动，将显影液甩去，然后转速回到60转/分钟并用去离子水清洗10秒，之后再以3000 转/分的高转速转动，将杂质、残留的显影液及去离子水甩去，然后再用新的显影液4毫升 反应，如此重复2次。
[0048] 实施例12 :
[0049] 本实施例中添加显影液3毫升，显影时间9秒，一边显影一边以50转/分钟速度 转动蓝宝石片以保障显影液与胶反应更完全更均一，显影后蓝宝石片以1500转/分的高转 速转动，将显影液甩去，然后转速回到50转/分钟并用去离子水清洗8秒，之后再以1500 转/分的高转速转动，将杂质、残留的显影液及去离子水甩去，然后再用新的显影液3毫升 反应，如此重复2次。
[0050] 对比实验：
[0051] 选取12片相同厂家、相同批次的蓝宝石片，一半采用现有技术的一步显影作业， 一半采用实施例4的三步显影方法作业。
[0052] 一步显影的时间为35秒，三步显影每次显影时间为7秒，显影过程蓝宝石片以40 转/分钟转动以保障显影液与胶反应更完全更均一，显影后蓝宝石片以2000转/分的高转 速转动，将显影液甩去，然后转速回到40转/分钟并用去离子水清洗10秒，之后再以2000 转/分的高转速转动，将杂质、残留的显影液及去离子水甩去，然后再用新的显影液反应， 如此重复三次。
[0053] PSS制作后，接着在蓝宝石衬底上通过MOCVD生长外延层。选取波长、电压、PeakI 值（外延光致发光值）的一步显影外延片和三步显影外延片各三片，确保这六片外延片在 芯片制作前的光电参数一致，整个芯片制作过程也都同步，制作成10milX30mil尺寸的芯 片。最后从六片芯片中各选出10颗主产出样品，即一步显影法制作的样品共30颗，三步显 影法制作的样品也是30颗。在相同封装条件下对这两种样品进行白光对比封装，比较两 种样品的平均数据，封装条件如下：DX-20C绝缘胶、EMC2835支架、道康宁6636硅胶、宏大 00902荧光粉、0. 8mil金线、100长烤4小时，对比结果如表一所示。
[0054] 表一对比封装数据
[0056] 由表一中可以看出，在相同的外延和芯片制作前提下，色坐标、半波宽、显色指数 相近或相同的前提下，制作成10milX30mil的芯片，60mA下测试数据。实施例4中的三步 显影法与现有技术的一步显影法相比VF无差异，但是白光亮度提高了 1.6%。
[0057] 与现有技术相比，本发明所述的改进的图形化衬底显影方法，达到了如下效果：
[0058] (1)现有技术中的一次显影的时间为30秒-40秒，虽然显影过程蓝宝石片以一定 速度转动以保障显影液与胶反应更完全更均一，但到了显影末段，显影液里面已经增加了 很多显影产生的杂质，显影液本身也已部分被消耗，显影能力下降，还是会造成底部的胶显 影不完全。本发明所述的改进的图形化衬底显影方法显影更完全，解决了现有技术在显影 过程中PSS图形不规则的问题。
[0059] (2)与现有技术相比，经过本申请提高了 PSS的反射效果和光的提取效率，白光亮 度提高1.6%。
[0060] 上述说明示出并描述了本发明的若干优选实施例，但如前所述，应当理解本发明 并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、 修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识 进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发 明所附权利要求的保护范围内。
【主权项】
1. 一种改进的图形化衬底显影方法，其特征在于，包括步骤： 添加显影液至少2毫升，显影时间5-10秒，一边显影一边以30-60转/分钟速度转动 蓝宝石片，显影后以1500-3000转/分钟的速度转动所述蓝宝石片，将剩余在所述蓝宝石片 上的显影液甩去，然后所述蓝宝石片的转速将低到30-60转/分钟并用去离子水清洗5-10 秒，之后再以1500-3000转/分钟的转速转动所述蓝宝石片，将杂质、残留的显影液及去离 子水甩去； 再添加显影液至少2毫升，重复上述步骤2至4次。2. 根据权利要求1所述的图形化衬底显影方法，其特征在于，进一步地显影时间6-8 秒，一边显影一边以35-50转/分钟速度转动蓝宝石片，显影后以1800-2800转/分钟的速 度转动所述蓝宝石片，将剩余在所述蓝宝石片上的显影液甩去，然后所述蓝宝石片的转速 将低到35-50转/分钟并用去离子水清洗5-10秒，之后再以1800-2800转/分钟的转速转 动所述蓝宝石片，将杂质、残留的显影液及去离子水甩去； 再添加显影液2-4毫升，重复上述步骤2至4次。3. 根据权利要求2所述的图形化衬底显影方法，其特征在于，进一步地显影时间7秒， 一边显影一边以40转/分钟速度转动蓝宝石片，显影后以2000转/分钟的速度转动所述 蓝宝石片，将剩余在所述蓝宝石片上的显影液甩去，然后所述蓝宝石片的转速将低到40-50 转/分钟并用去离子水清洗10秒，之后再以2000转/分钟的转速转动所述蓝宝石片，将杂 质、残留的显影液及去离子水甩去； 再添加显影液3毫升，重复上述步骤3次。
【专利摘要】本申请公开了一种改进的图形化衬底显影方法，其特征在于，包括步骤：添加显影液至少2毫升，显影时间5-10秒，一边显影一边以30-60转/分钟速度转动蓝宝石片，显影后以1500-3000转/分钟的速度转动所述蓝宝石片，将剩余在所述蓝宝石片上的显影液甩去，然后所述蓝宝石片的转速将低到30-60转/分钟并用去离子水清洗5-10秒，之后再以1500-3000转/分钟的转速转动所述蓝宝石片，将杂质、残留的显影液及去离子水甩去；再添加显影液至少2毫升，重复上述步骤2至4次。本发明所述的改进的图形化衬底显影方法显影更完全，解决了现有技术在显影过程中PSS图形不规则的问题。
【IPC分类】G03F7/32, G03F7/00
【公开号】CN104932209
【申请号】CN201510362488
【发明人】胡弃疾, 汪延明, 苗振林
【申请人】湘能华磊光电股份有限公司
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2015年6月26日