专利名称：等离子体显示面板的制作方法
技术领域：
本发明涉及等离子体显示面板，特别涉及覆盖在电介质层上的保护层。
背景技术：
近年来，在计算机、电视等中使用的显示装置中，等离子体显示面板(以下称为“PDP”)作为可实现大型、薄型轻量化的显示装置一直被关注。
该PDP是通过由气体放电所产生的紫外线激励荧光体发光并进行图像显示的气体放电面板。根据其放电的形成方法PDP可分为AC型(交流型)和DC型(直流型)，其中，特别是AC型在亮度、发光效率以及寿命上比DC型更优良，成为目前的PDP的主流。
例如，在后述的专利文献1中公开了该AC型PDP的一般结构。
更具体地说，AC型PDP具有如下结构前面板与背面板对置，由密封玻璃密封其外周。
对于所述前面板来说，在前面玻璃衬底的表面上形成条纹状的显示电极，并且，在其上形成电介质层。
此外，对于所述背面板来说，在背面玻璃衬底的表面上形成条纹状的地址电极，在其上形成电介质层，并且，在其上形成保护层，此外，在相邻的地址电极相互之间形成阻隔壁，在所形成的相邻的阻隔壁间形成荧光体层。
所述背面板和所述前面板以双方的电极正交的方式对置配置，背面板或者前面板的外缘被密封，在内部形成的密封空间中填充放电气体。
并且，所述显示电极以2条构成1对，将其中一个叫做X电极，将另一个叫做Y电极。
所述一对显示电极和1条地址电极夹持放电空间立体地交叉的区域成为对图像显示有贡献的单元。
此处，为保护电介质层不受放电时的离子碰撞，形成覆盖前面侧的面板玻璃的电介质层的保护层，并且，作为与放电空间连接的阴极电极而起作用，所以，可知其膜质对放电特性有较大的影响。
在所述气体放电时，首先从保护层放出电子，以此为契机开始气体放电。
在所述文献中示出如下内容作为保护层的材料通常所使用的MgO溅射耐性高，所以，是适于作为保护层并且二次电子放出系数大的材料，所以通过使用这些，可降低放电开始电压Vf。
由MgO构成的保护层通常通过真空蒸镀法以0.5μm～1μm左右的膜厚来成膜。
但是，近年来，与目前的电视相比增加扫描线的数目并提高图像质量的称为所谓的HDTV(High definition television高清晰度电视)的高品质电视正在普及。
与目前在日本、北美普及的NTSC方式的扫描线为是525条不同，该高品质电视中扫描线为1125条或1250条。
为了在PDP中也实现如上所述的高清晰度的图像显示，期待出现更高亮度、更高效率的方法。
这样，作为谋求PDP的高亮度化以及高效率化的方法，例如，在如下所示的非专利文献1中示出增加放电气体的Xe分压来实现高亮度化以及高效率化的最有效的方法。
其理由是，若增加放电气体的Xe分压，可更多地获得从Xe的激发态返回基态时释放出的紫外线的量。
专利文献1特开平9-92133号公报非专利文献1SID‘03 Digest P.28 High Efficacy PDP发明内容但是，若增加放电气体的Xe分压，结果是，因为对从MgO放出2次电子有很大贡献的Ne离子减少，所以2次电子的放出量减少，放电开始电压Vf变高。
由于该放电开始电压Vf上升，驱动电路集成电路中需要更高耐压的晶体管，所以存在等离子体显示器的成本上升的问题。
本发明是鉴于所述问题而进行的，其目的在于提供一种即使在放电气体中的Ne分压减小的情况下也不使放电开始电压Vf上升很大的保护层。
为达到所述目的，本发明的PDP是在放电单元中覆盖了电极的电介质层由保护层覆盖并且该保护层面临充满放电气体的放电空间的PDP，其特征在于所述放电气体包含Xe以及Kr的至少一种，所述保护层在能带的禁带内形成电子能带，该电子能带至少包含距离真空能级的深度为4eV以内的能级的电子。
本发明的PDP是在放电单元中覆盖了电极的电介质层由保护层覆盖并且该保护层面临充满放电气体的放电空间的等离子体显示面板，其特征在于所述放电气体包含Xe以及Kr的至少一种，所述保护层在能带的禁带内形成电子能带，该电子能带至少包含距离真空能级的深度为4eV以内的能级的电子。
现有技术的等离子体显示面板的保护层通常由溅射耐性高的氧化镁构成，但是，通常，氧化镁的禁带中没有电子可存在的区域，对放出2次电子有贡献的电子为存在于价带的电子。
由于在本发明的PDP的所述保护层中在禁带内形成了电子能带，该电子能带至少包含距离真空能级的深度为4eV以内的能级的电子，所以，更容易放出2次电子。
其理由是，位于距离真空能级的能级深度比价带浅的能级之电子能带中存在的电子，与价带中存在的电子相比，放出2次电子时所需要的能量为4eV左右，比现有技术的8.8eV小。
并且，放电气体至少包含Xe以及Kr的至少一种，由此，容易获得放出2次电子时需要的能量，更容易放出2次电子。
其理由是，Xe的亚稳态是距离真空能级的深度为4eV的能级，所以，所述电子能带中存在的电子容易跃迁到Xe的亚稳态，此外，Xe的基态是距离真空能级的深度为12.1eV的能级，所以，通过所述电子从Xe的亚稳态跃迁到Xe的基态，从而放出8.1eV左右的能量。
此外，Kr的亚稳态也是距离真空能级的深度为4eV的能级，故所述电子能带中存在的电子容易跃迁到Kr的亚稳态，此外，Kr的基态是距离真空能级的深度为14eV的能级，所以，所述电子从Kr的亚稳态跃迁到Kr的基态，由此，放出10eV左右的能量。
在现有技术的PDP中，使用Ne和Xe或者Xe和Kr等的混合气体作为放电气体，其中Ne对所述的2次电子放出贡献很大。
因此，Ne的分压减少的同时，2次电子的放出量降低。
但是，本发明的MgO中，即使在Ne的分压减少的情况下，代替所减少的该Ne而填充的Xe或者Kr可对2次电子的放出有贡献，所以可提供不使放电开始电压Vf上升较大的保护层。
所述保护层可以利用通过光而得到的4ev或4ev以下的能量而产生光电子放出。
由此，可通过光对电子提供放出2次电子所需要的能量。
此种情况下的光不限于通常的光，而是指包含X射线的广义的光。
此外，所述保护层可作成以氧化镁为主要成分的层。
氧化镁是作为现有技术的等离子体显示面板的保护层而被使用的具有实际效果的材料，容易得到并适于实用。
此外，优选在所述氧化镁中添加III族、IV族、VII族元素中至少1种元素。
由此，氧化镁晶体内产生的晶格缺陷中容易存在电子，容易在禁带内形成所述电子能带。
此外，也可在所述氧化镁中添加Ge或者Sn。
由此，电子容易存在于氧化镁晶体内产生的晶格缺陷中，容易在禁带内形成所述电子能带。
此外，所述氧化镁也可以具有氧欠缺。
通过产生所述氧欠缺，容易在禁带内形成所述电子能带。
此外，为到达所述目的，本发明的PDP是在放电单元中覆盖了电极的电介质层由保护层覆盖并且该保护层面临充满放电气体的放电空间的等离子体显示面板，其特征在于所述放电气体至少包含Kr，所述保护层在能带的禁带内形成电子能带，该电子能带至少包含距离真空能级的深度为5eV以内的能级的电子。
所述保护层中在禁带内形成电子能带，所以更容易放出2次电子，该电子能带至少包含距离真空能级的深度为5eV以内的能级的电子。
其理由是，位于距离真空能级的能级深度比价带浅的能级之电子能带中存在的电子，与价带中存在的电子相比，放出2次电子时所需要的能量为5eV左右，比现有技术的8.8eV小。
并且，放电气体至少包含Kr，由此，容易获得放出2次电子时需要的能量，更容易放出2次电子。
其理由是，Kr的基态是距离真空能级的深度为14eV的能级，所以，通过电子能带的电子跃迁到Kr的基态，放出9eV左右的能量。
在现有技术的PDP中，有使用Ne与Kr、Ne与Xe以及Kr等的混合气体作为放电气体的情况，如上所述，其中的Ne对放出2次电子贡献很大。
即，即使在Ne的分压减少的情况下，代替所减少的该Ne而填充的Kr可对2次电子的放出有贡献，所以，可提供不使放电开始电压Vf上升较大的保护层。
此外，所述保护层可以制作成通过光能量小于等于5eV的光放出光电子的层。
由此，可通过光对电子提供放出2次电子所需要的能量。
此外，优选所述保护层制作成以氧化镁为主要成分的层。
氧化镁是作为现有技术的等离子体显示面板的保护层而被使用的具有实际效果的材料，容易得到并适于实用。
此外，优选在所述氧化镁中添加III族、IV族、VII族元素中至少1种元素。
由此，电子容易存在于氧化镁晶体内产生的晶格缺陷中，容易在禁带内形成所述电子能带。
此外，优选可在氧化镁中添加Ge或者Sn。
由此，电子容易存在于氧化镁晶体内产生的晶格缺陷中，容易在禁带内形成所述电子能带。
此外，所述氧化镁也可以具有氧欠缺。
通过产生所述氧欠缺，容易在禁带内形成所述电子能带。
图1是表示本发明实施方式1的PDP的一例的概要展开图。
图2是对本实施方式1的PDP的保护层以及伴随封入放电单元的气体间能量交换的电子状态跃迁路径进行说明的图。
图3是对现有技术的PDP的保护层以及伴随封入放电单元的气体间能量交换的电子状态跃迁路径进行说明的图。
图4是测定时保护层MgO膜进行光照射时从MgO膜放出的电子的量的结果。
图5是表示PDP的放电单元放电开始电压Vf和放电气体中的某1成分气体的分压之间的关系的图。
图6是表示阴极发光评价的结果的图。
图7是对本实施方式2的PDP的保护层以及伴随封入放电单元的气体间能量交换的电子状态跃迁路径进行说明的图。
具体实施例方式
以下，参照附图对本发明的PDP进行说明。
(实施方式1)图1是表示本发明实施方式1的PDP之一例的概要展开图。
PDP100由使相互主面对置设置的前面板90以及背面板91构成。
前面板90包括前面玻璃衬底101、显示电极102、电介质层106、保护层107。
前面玻璃衬底101是作为前面板90的基底材料的材料，在其表面形成显示电极102。该显示电极102包括透明电极103、黑色电极膜104、总线(Bus)电极105。
黑色电极膜104起到如下作用通过使主要成分的氧化钌呈黑色，从而防止从玻璃里面侧观察时的外部光的反射。
此外，总线电极105将具有较高导电性的银作为主要成分，所以，起到降低整体电阻值的效果。
作为与驱动电路连接用的接口，总线电极105在长度方向的一端具有电极宽度局部扩大的矩形形状的端子部108。
并且，显示电极102以及前面玻璃衬底101由电介质层106以及保护层107覆盖。该保护层107包括氧化镁(MgO)。
保护层107是厚度大于等于0.5μm而小于等于1.5μm的MgO薄膜，在能带中的导带和价带所夹持的禁带内形成电子能带，该电子能带至少包含距离真空能级的深度为4eV以内的能级的电子。
更具体地说，电子能带的上限能级的位置在将真空能级作为基准的大于等于3.0eV而小于等于4.0eV的深度范围，电子能带的下限能级的位置在将真空能级作为基准的大于等于4.0eV而小于等于5.0eV的深度范围。
背面板91包括背面玻璃衬底111、地址电极112、电介质层113、阻隔壁114、以及形成在相邻的阻隔壁114之间的间隙(以下称为“阻隔壁槽”)的壁面上的荧光体层115。
如图1所示，前面板90以及背面板91以重叠的状态密封，在内部形成放电空间116。
并且，在本图中，以背面板91的y轴方向的端部开放的方式进行描述，但是，这是为容易说明结构而方便地表示，实际上外周缘部以密封玻璃粘合、密封。
放电空间116中以66.7kPa(500Torr)左右的压力填充氖(Ne)和氙(Xe)的混合气体作为放电气体。
此处，Xe分压为20％左右，通常的PDP中所填充的放电气体中的Xe分压为7～10％左右，设定为比该值高的值。
相邻的一对显示电极102和1条地址电极112夹持放电空间116，交叉的区域成为对像素显示有贡献的单元。
如上所述，横穿1个单元的显示电极有2个，将其一个叫做X电极，另一个叫做Y电极，这些电极相互并列。
在该等离子体显示装置100中，对横穿要点亮的单元的X电极和地址电极112间施加电压，进行地址放电之后，对横穿所述单元的X电极以及Y电极施加脉冲电压，由此，进行维持放电。
在放电空间116中，通过该维持放电产生紫外线，所产生的紫外线照射荧光体层115，由此，该紫外线转换为可见光，单元被点亮，并显示图像。
所速电介质层106具有AC型等离子体显示器特有的电流限制功能，成为与DC型相比具有较长寿命的因素。
所述阻隔壁114将相邻的放电单元隔开，起到防止x方向的误放电、光学串扰的作用。
(保护层的详细情况)图2是对本实施方式1的PDP100的保护层107以及伴随封入放电空间116的气体间能量交换的电子状态跃迁路径进行说明的图。
以下，为方便起见，在能带中将真空能级和某一状态的能级之差作为能级深度。
发明人关注Xe的亚稳态的能级深度约为4eV，在专心研究之后发现在MgO膜的能带的导带和价带所夹持的禁带中，若将能级深度为4eV的位置作为基准的能级(以下称为“第1基准能级”)，在比该第1基准能级接近真空能级侧并且在该第1基准能级的附近设定电子可占据的区域，即，电子能带223，则Xe离子对2次电子放出有贡献。
由此，若放电空间内产生的Xe离子接近到可在MgO的表面相互作用的地方，则通过以下的2种状态跃迁放出2次电子。
1)1个状态跃迁的路径是电子能带223中存在的MgO侧的电子跃迁到能级深度为4.0eV的Xe的亚稳态(图2的201a)后，跃迁到该亚稳态的电子跃迁到能级深度为12.1eV的基态(图2的202a)，由此，MgO的电子能带223中存在的电子通过俄歇效应得到约8.1eV的能量，越过到达真空能级的约为4eV的能带间隙，在放电空间放出2次电子(图2的203a)。
2)另1个状态跃迁的路径是MgO的电子能带223中存在的电子跃迁到Xe的亚稳态(图2的201a)后，MgO的电子能带223中存在的电子跃迁到基态(图2的201b)，由此，Xe亚稳态的别的电子通过俄歇效应得到约8.1eV的能量，越过到达真空能级的约为4eV的能带间隙，在放电空间放出2次电子(图2的203b)。
通常，在放电气体中不仅包含Xe，还包含Ne，所以，与现有技术相同，也可通过Ne和MgO的相互作用，放出2次电子。
与此相对，现有技术的等离子体显示器，即，构成保护层的MgO中未设定电子能带223的显示器中，如图3所示，Xe离子从放电空间接近到可与MgO相互作用的距离的情况下，能级深度为大于等于8.8eV的价带224中存在的电子也跃迁到能级深度为12.1eV的Xe的基态(图3的271)，跃迁前后的能级深度小到3.3eV，所以，提供给价带224中存在的其它电子的能量未达到越过价带和真空能级间的约8.8eV的能带间隙的量，停留于在MgO中耗费能量。即，不能放出2次电子。
另一方面，Ne离子从放电空间接近到可与MgO相互作用的距离的情况下，价带224中存在的电子跃迁到能级深度为21.6eV的Ne的基态时(图3的281)，MgO的价带224中存在的电子通过俄歇效应得到约12.8eV的能量，可越过到达真空能级的约为8.8eV的能带间隙，在放电空间放出2次电子(图3的282)。
在现有技术的PDP中，2次电子的放出只依赖于Ne，若提高Xe分压、降低Ne分压，则与此相伴，2次电子的放出量也降低。
如上所述，在本实施方式1的PDP中，在构成保护膜的MgO膜中设置电子能带223，由此，以往在与保护层107中的MgO膜之间使对2次电子放出没有贡献的Xe离子对2次电子放出有贡献。
(确认实验)图4是测定对包括MgO膜的保护层107进行光照射时从保护层107放出的电子的量的结果。
图4中的301表示现有技术的保护层的测定结果，图4中的302表示本实施方式1的保护层107的测定结果。
由图可知，通过4eV或者4eV以上的光照射，本实施方式1的保护层107可观测到充分的电子放出，但是，现有技术的保护层中几乎观察不到小于4eV的光照射引起的电子放出。
这与图2所示的保护层107的MgO膜中从真空能级降低4eV的能级位置存在电子、图3所示的现有技术的保护模MgO膜中从真空能级降低4eV的能级位置未充分存在电子相对应。
图5是表示PDP的放电单元放电开始电压Vf和放电气体中的某1种成分的分压之间的关系的图。
更具体地说，图5的351是使用现有技术的由MgO膜构成的保护层时的结果，图5的352是在PDP中应用本实施方式1的保护层107时的结果。
如本图所示，可知在Xe分压较高的区域，现有技术的保护层和本实施方式1的保护层107的差异显著。
即，在应用了本实施方式1的保护层107的PDP中，即使Xe分压为50％的情况下，放电开始电压Vf也不超过300V，但是，在现有技术的PDP中，放电开始电压Vf超过400V。
如上所述，对将Ne以及Xe的混合气体作为放电气体的情况进行了叙述，但是，由这2种气体的组合以外的组合构成放电气体，与本实施方式1的包括MgO膜的保护层一起应用在PDP中，也有效。
例如，在从Kr、Kr激态原子的激发态的缓和得到紫外线照射的情况下，可知Kr的亚稳态的能级在真空能级之下稍微超过4eV左右的地方，所以，作为放电气体在包含Kr的系列中也很有效。
更具体地说，通过放电空间中存在的主要气体为Ne与Xe、Ne与Kr、Kr与Xe、Ne与Xe以及Kr的组合的任意一种或者只有Kr、只有Xe的任意一种的组合和本实施方式1的包括MgO膜的保护层107的组合使放电开始电极Vf降低。
此外，可知在PDP中通过放电侵蚀包括MgO的保护层，但是，如现有技术的那样，不是将Ne以及Xe的混合气体作为放电气体，而是一部分Ne被置换为Kr后的含有Ne、Xe以及Kr的混合气体的放电气体在缓和侵蚀程度这点是有利的。
如上所述，通过将Ne的一部分置换为Kr，从而保护层的侵蚀被缓和的理由是在比较质量的情况下，因为Kr比Ne大，所以，在较强的电场中加速的情况下，Kr离子比Ne离子加速难，碰撞MgO表面的速度被缓和。
(在构成保护层的MgO中设定电子能带的方法)构成保护层107的MgO膜的成膜是通过电子束蒸镀或者溅射蒸镀来形成的，以下示出其具体方法的一例。
并且，后述的任意一种蒸镀中使用烧结MgO或者粉末MgO。
衬底温度为200～300℃左右。
预先在适量MgO的烧结体或者粉末中分别以各自的氧化物的状态混合外部杂质例如Ge、Sn等，并作为蒸镀源、溅射靶。
在蒸镀时，优选适当调节蒸镀中引入的氧量，控制本征缺陷(nativevacancy)，特别是氧欠缺。
图6所示为表示利用由电子束照射从样品中产生的阴极发光进行微小区域中的物理性质评价、缺陷·杂质等的评价之阴极发光评价的结果。
现有技术的MgO其组成与化学计量比大致相同，在阴极发光评价中，如图6的401所示，在3.5eV左右的能级位置存在发光峰。
作为在形成本实施方式1的保护层的MgO中设定所述电子能带的方法，以下示出一例。
1)通过MgO成膜时的氧引入量、残留气体成分的调节，将氧化还原的程度设定在与化学计量比稍微在还原侧，由此，图6的402所示的阴极发光的发光波长在3eV左右的能量位置可得到发光峰。
预先求出可得到如上所述的发光峰的MgO膜的成膜条件，可进行再现之后，进一步通过实施后述的2种方法的任意一种或者二者，从而可在MgO中设定电子能带。
2)-1在MgO膜中适量添加外部杂质。
此处，所述外部杂质是III族、IV族、VII族元素中的至少1种元素。
更具体地说，通过实验可知Al、C、Si、Ge、Sn、Cl、F等是有效的，特别优选C、Si、Ge、Sn等IV族元素，更优选离子半径比镁大的Ge、Sn。因为Ge、Sn比MgO原子半径大，所以，大量添加时，会对氧化镁薄膜的结晶性产生不良影响，所以，优选为0.01％或者0.01％以下。
如上所述，即使在MgO膜中引入杂质的情况下，在所述的阴极发光评价中发光峰也几乎不移动。
2)-2在MgO膜中形成氧欠缺由此，在MgO的禁带的中间位置形成能级，即，费米能级整体被提高，可在该能级上存在电子。
此外，作为在构成保护层的MgO中设定电子能级的方法，并不限于上述方法。
例如，即使通过MgO膜的成膜工艺，可制作如下的膜如上所述的MgO膜内在从真空能级降低4eV的能级位置上存在电子。
此外，在本实施方式1中，作为保护层的构成材料，举出了MgO，但是，并不限于此，只要是在从真空能级降低4eV的能级位置存在电子的透明且具有绝缘性的保护层，则也可以是MgO以外的材料。
(实施方式2)以下，对本发明实施方式2的PDP的保护层以及放电气体进行说明。
实施方式2的PDP与实施方式1的PDP相同，即使在放电气体中的Ne的分压降低的情况下，也具有从保护层放出2次电子的量难以降低的特性，在结构上，只有保护层的电子能带的设定位置与放电气体的组成与实施方式1不同。
以下，对与实施方式1的不同点的保护层和放电气体进行详细说明，对于其它的部件省略其说明。
填充到放电空间中的放电气体含有包含Kr的混合气体。
更具体地说，放电气体使用Ne与Kr、Kr与Xe、Ne与Xe以及Kr的组合的任意一种或者只有Kr，但是，更优选与现行的荧光体的紫外线吸收波长整个范围一致，以产生尽量包罗该紫外线吸收波长整个范围的紫外线为目的，优选Ne、Xe、Kr的混合气体。
保护层包含厚度为大于等于0.5μm而小于等于1.5μm的MgO膜，在能带中的导带和价带所夹持的禁带内，形成电子能带，该电子能带至少包含距离真空能级的深度为5eV以内的能级的电子。
更具体地说，电子能带的上限能级的位置在将真空能级作为基准的大于等于4.0eV而小于等于5.0eV的深度范围，电子能带的下限能级的位置在将真空能级作为基准的大于等于5.0eV而小于等于6.0eV的深度范围。
(保护层的详细情况)图7是对本实施方式2的PDP的保护层以及伴随封入放电空间116的气体间能量交换的电子状态跃迁路径进行说明的图。
发明人关注Kr的基态的能级深度约为14eV，在专心研究之后发现在MgO膜的能带的导带和价带所夹持的禁带中，若将能级深度为5eV的位置作为基准的能级(以下称为“第2基准能级”)，在比该第2基准能级接近真空能级侧并且在该第2基准能级的附近设定电子可占据的区域，即，电子能带323，则Kr离子对2次电子放出有贡献。
此种情况下，可从Kr、Kr激态原子的激发态的缓和得到主要依赖于Xe的紫外线照射。
由此，若放电空间内产生的Kr离子接近可在MgO的表面相互作用的地方，则通过以下的2种状态跃迁，从而放出2次电子。
1)1个状态跃迁的路径是电子能带323中存在的MgO侧的电子跃迁到能级深度为14eV的Kr的基态(图7的301)，由此，MgO的电子能带323中存在的电子通过俄歇效应得到约9eV的能量，越过到达真空能级的约为5eV的能带间隙，在放电空间放出2次电子(图7的302a)。
2)另1个状态跃迁的路径是MgO的电子能带323中存在的电子跃迁到Kr的基态(图7的301)，由此，MgO侧的价带224中存在的电子通过俄歇效应得到约9eV的能量，越过到达真空能级的约为8.8eV的能带间隙，在放电空间放出2次电子(图7的302b)。
与此相对，现有技术的等离子体显示器，即，在构成保护层的MgO中未设定电子能带323的显示器中，Kr离子从放电空间接近到可与MgO相互作用的距离的情况下，能级深度为8.8eV或者8.8eV以上的价带224中存在的电子即使跃迁到能级深度为14eV的Kr的基态，跃迁前后的能级深度也小到5.2eV左右，所以，提供给价带224中存在的其它电子的能量未达到越过价带和真空能级间的约8.8eV的能带间隙的量，而停留于在MgO中耗费能量。即，不能放出2次电子。
如上所述，在本实施方式2的PDP中，在构成保护膜的MgO膜中设置电子能带323，由此，使以往几乎对从MgO膜放出2次电子没有贡献的Kr离子对2次电子的放出有贡献。
(确认实验)再回到图4进行说明。
图4是测定如上所述对MgO膜进行光照射时从MgO膜放出的电子的量的结果。
图4中的301表示现有技术的保护层的测定结果，图4中的303表示本实施方式2的保护层的测定结果。
由图可知，通过5eV或者5eV以上的光照射，本实施方式2的保护层可观测到充分的电子放出，但是，现有技术的保护层中几乎观察不到小于5eV的光照射所引起的电子放出。
这与图7所示的保护层MgO膜中从真空能级降低5eV的能级位置存在电子、图3所示的现有技术的保护膜MgO膜中从真空能级降低5eV的能级位置未充分存在电子相对应。
图5是表示PDP的放电单元放电开始电压Vf和放电气体中的某1种成分的分压之间的关系的图。
图5的351是如上所述在Ne-Xe系放电气体中使用现有技术的MgO膜时的结果，图5的353是在Ne-Kr系放电气体中在PDP中应用了本实施方式2的包括MgO的保护层时的结果。
如本图所示，可知在Kr分压较高的区域，现有技术的保护层和本实施方式1的保护层的差异较为显著。
即，在应用了本实施方式2的保护层的PDP中，即使Kr分压为50％的情况下，放电开始电压Vf也不超过280V，但是，在现有技术的PDP中，放电开始电压超过400V。
(在构成保护层的MgO中设定电子能带的方法)在构成保护层的MgO中设定所述的电子能带的方法与实施方式1大致相同，可通过在保护层的材料中适量添加外部杂质或在MgO膜中形成氧欠缺来实现，以下，只记载与实施方式1的不同点。
作为在形成本实施方式2的保护层的MgO中设定所述电子能带323的方法，以下示出一例。
1)通过MgO成膜时的氧引入量、残留气体成分的调节，将氧化还原的程度设定在与化学计量比稍微在还原侧，由此，图6的402所示的阴极发光的发光波长在3eV左右的能量位置可得到发光峰。
预先求出MgO膜的成膜条件，并且，与实施方式1相同，若适量添加所需要的外部杂质，可得到作为本实施方式2的目的的MgO膜。
此时，调节杂质量以使引入杂质后的MgO膜的阴极发光的发光峰向高能量侧移动0.5eV左右，与图6的403的发光峰位置即3.3eV一致。
此外，与实施方式1相同，在MgO膜中适量添加外部杂质或者在保护层的MgO膜中形成氧欠缺，由此，也可得到作为本实施方式2目的的MgO膜。
此外，在本实施方式2中，作为保护层的构成材料，举出了MgO，但是，并不限于此，只要是在从真空能级降低5eV的能级位置存在电子的透明且具有绝缘性的保护层，则可以是MgO以外的材料。
产业实用性本发明可应用在电视以及计算机用监视器等中使用的高清晰度显示装置中。
权利要求
1.一种等离子体显示面板，在放电单元中，覆盖了电极的电介质层由保护层覆盖，并且，该保护层面临充满放电气体的放电空间，其特征在于所述放电气体包含Xe以及Kr的至少一种，所述保护层在能带的禁带内形成电子能带，该电子能带至少包含距离真空能级的深度为4eV以内的能级的电子。
2.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于所述保护层利用通过光而得到的4eV或者4eV以下的能量而产生光电子放出。
3.如权利要求2所述的等离子体显示面板，其特征在于所述保护层包含将氧化镁作为主要成分的。
4.如权利要求2所述的等离子体显示面板，其特征在于在所述氧化镁中添加了III族、IV族、VII族元素中的至少1种元素。
5.如权利要求3所述的等离子体显示面板，其特征在于5.在所述氧化镁中添加了Ge或者Sn。
6.如权利要求3、4、5的任意一项中所述的等离子体显示面板，其特征在于所述氧化镁具有氧欠缺。
7.一种等离子体显示面板，在放电单元中，覆盖了电极的电介质层由保护层覆盖，并且，该保护层面临充满放电气体的放电空间，其特征在于所述放电气体至少包含Kr，所述保护层在能带的禁带内形成电子能带，该电子能带至少包含距离真空能级的深度为5eV以内的能级的电子。
8.如权利要求7所述的等离子体显示面板，其特征在于所述保护层通过光能量为5eV或者5eV以下的光放出光电子。
9.如权利要求8所述的等离子体显示面板，其特征在于所述保护层包含将氧化镁作为主要成分的。
10.如权利要求9所述的等离子体显示面板，其特征在于在所述氧化镁中添加了III族、IV族、VII族元素中至少1种元素。
11.如权利要求9所述的等离子体显示面板，其特征在于在所述氧化镁中添加了Ge或者Sn。
12.如权利要求10或11中所述的等离子体显示面板，其特征在于所述氧化镁具有氧缺陷。
全文摘要
本发明的等离子体显示面板是在放电单元中覆盖了电极的电介质层由保护层覆盖并且该保护层面临充满放电气体的放电空间的等离子体显示面板，其特征在于所述放电气体包含Xe以及Kr的至少一种，所述保护层在能带的禁带内形成电子能带，该电子能带至少包含距离真空能级的深度为4eV以内的能级的电子。
文档编号H01J11/12GK1875449SQ20048003220
公开日2006年12月6日 申请日期2004年10月29日 优先权日2003年10月30日
发明者西谷干彦, 寺内正治, 森田幸弘, 山本伸一, 北川雅俊 申请人:松下电器产业株式会社