专利名称：用于从基片边缘去除副产物组的装置和方法
技术领域：
本发明总体上涉及基片制造技术，尤其涉及用于从基片边缘去 除副产物组的装置和方法。
背景技术：
在基片(例如，半导体基片或如在平板显示器制造中所使用的 平板玻璃)的处理过程中，经常用到等离子。例如，作为基片处理
过程的一部分，该基片^皮分为多个才莫片(dies)，或者矩形区域， 其中的每一个都将会成为 一个集成电路。然后在一 系列的步骤中处 理基片，在这些步骤中，材料被有选择性地去除(蚀刻)或沉积。 在几个纳米级别上控制晶体管门关键尺寸(CD)是至关重要的，因 为对目标门长度的每个纳米偏离均可直接影响到这些器件的运行 速度和/或这些器件的可4喿作性。
在第一个示例性的等离子处理中，基片于蚀刻之前就被涂敷以 薄的硬化乳胶(例如，光刻胶掩模)。然后，硬化的乳胶区域被有 选择地去除，从而使得下层的部分暴露在外。然后，将基片置于基 片支撑结构上的等离子处理室中，该支撑结构包括单极或双极电 极，称为卡盘。然后，合适的蚀刻剂气体组就流入该室中并且被激 发(strike)而形成蚀刻该基片暴露区域的等离子。
在蚀刻处理过程中，在基片边》彖的顶部和底部形成聚合物副产 物(由碳(C)、氧(O)、氮(N)、氟(F)等组成)并非罕见。就
是说，在基片环形周界上不存在模片的表面区域。但是，当因多种 不同蚀刻处理的纟彖故而导致^妄连不断的聚合物层沉积时，通常强力 和有粘性的有机粘结剂就将最终变弱并且脱落或剥落，该粘结剂在 运输中经常会掉到另一个基片上。例如，基片通常经由大体干净的 容器(常称为基片匣)成组地在多个等离子处理系统之间移动。当 较高位置的基片重新置于该容器中时，副产物颗粒就可能落到存在 有模片的较低的基片上，从而潜在影响了器件产量。
综上所述，需要用于从基片边缘去除副产物组的装置和方法。
发明内容
在一个实施方式中，本发明涉及一种等离子处理系统，其包括 用于处理基片的等离子室。该装置包括卡盘，其被配置为支撑所述 基片的第一表面。该装置还包括抗等离子阻挡层，其以相关于所述 基片的第二表面空间隔开的方式进行布置，该第二表面与所述第一 表面相对，该抗等离子阻挡层大体上防护该基片的中间部分，并使 得所述基片的所述表面的环形周缘区域基本上不受该抗等离子阻 挡层防护。该装置进一步包4舌至少一个通电电才及，该通电电才及与该 抗等离子阻挡层配合运行以由等离子气体产生受限的等离子，该受 限的等离子基本上受限于该基片的该环形周缘部分并远离该基片
的i亥中间部分。
在一个实施方式中，本发明涉及一种用于从基片去除副产物组 的方法。该方法包括配置卡盘以用于支撑该基片的第一表面。该方 法还包^"以相关于该基片的第二表面空间隔开的方式来布置抗等 离子阻挡层，该第二表面与该第一表面相对，该抗等离子阻挡层大 体上防护该基片的中间部分，并使得该基片的第二表面的环形周*彖 区i或基本上不受该抗等离子阻挡层防护。该方法进一 步包括配置至
少一个通电电极，该通电电极与该抗等离子阻挡层配合运行由等离 子气体产生等离子，其中该受限的等离子大体上受限于该基片的所 述环形周乡彖部分并远离所述基片的所述中间部分。该方法还包括配 置惰性气体传输装置，以将惰性气体引入到由该基片的中间部分和 该抗等离子阻挡层所限定的间隙中，其中，当该受限等离子被产生 时，该副产物组基本上就一皮去除。
在一个实施方式中，本发明涉及用于在等离子室内从基片去除
副产物ia的方法。该方法包4舌配置至少一个通电电才及，以由等离子 气体激发等离子，其中，当等离子被激发时，该通电电极就被电连 *接到该卡盘。该方法还包括以相关于该基片空间隔开的方式来布置 抗等离子阻挡层，其中，该抗等离子阻挡层被配置为基本上将该等 离子限制在该基片的环形周缘部分并远离该基片的该中间部分，并 且其中，该抗等离子阻挡层和该基片限定间隙。该方法进一步包括
配置惰性气体传输装置，以将惰性气体引入到该间隙；其中当该等
离子^皮激发时，该副产物组/人该基片的环形周》彖部分^皮去除。
在以下本发明的详细说明中，将结合附图对本发明的这些和其 它特点进4于更详细的描述。
的参考标号表示类似的元件，其中
图1A说明了根据本发明一个实施方式的电感耦合等离子处理 系统的简化示意图，其带有用于边缘副产物去除的周边电感线圈；
图1B "i兌明了才艮据本发明一个实施方式的电感耦合等离子处理 系统的简化示意图，其带有用于边缘副产物去除的顶部电感线圈；
图2说明了根据本发明一个实施方式，用于边缘副产物去除的 电容耦合等离子处理系统的简化示意图3说明了才艮据本发明的一个实施方式，示出用于图1A-2中 所示的等离子处理系统的气体配置的简4b示意图4说明了4艮据本发明的一个实施方式，用于边纟彖副产物去除 的等离子处理系统的简化示意图，其中，惰性阻挡层利用底部连接 支撑结构而被支撑；
图5说明了4艮据本发明的一个实施方式，用于边纟彖副产物去除 的等离子处理系统的简化示意图，其中，惰性阻挡层利用横向连接 支撑结构而被支撑；以及
图6说明了根据本发明的一个实施方式，用于从基片边缘去除
副产物ia的简4匕的方法。
具体实施例方式
以下将根据如附图中说明的几个优选的实施方式详细描述本 发明。在下面的描述中，阐述许多具体的细节以提供对本发明实施 方式的彻底理解。然而，对于本领域4支术人员来说，显然，本发明 可不利用这些具体细节的某些或全部来实施。在有的情况下，公知 的工艺步骤和/或结构将不会详细描述，以免不必要地混淆本发明。
现参考图1A,示出了根据本发明一个实施方式的电感耦合等 离子处理系统的简化示意图，其带有用于边缘副产物去除的周边电 感线圈(通电电极)。以有利的方式，惰性阻挡层被放在基片上方， 与从基片中央朝向基片环形周缘流动的惰性气体相结合，并定位于 基片上方，该阻挡层基本上可将等离子隔离在基片环形周缘，从而
允许快速去除副产物，而同时使得对基片表面(中间区域)上暴露 的电气结构的潜在破坏最小化。
通常，带有边缘副产物组的基片利用静电卡盘(卡盘)116上
的边缘环115而定位于等离子室中。即，该卡盘可#:配置为支撑该
基片的第一 (底部)表面。周边电感线圏104通常^皮配置为通过在 为去除副产物优化的等离子气体组124 (例如，02、 CF4、 C2F6、 Ar等)中引起的随时间变化的电流而激发等离子110。在一个实施 方式中，周边电感线圈104^皮配置为环状或环状物，其具有至少与 基片114的直径一样大的内径(沿4黄轴)。
进一步被连接到周边电感线圈104的一般为匹配网络132,其 可进一步^皮连接到RF发生器134。匹配网络132试图匹配RF发生 器134与等离子110的阻抗，RF发生器134通常运行在从约2MHz 到约27MHz的频率范围并且阻抗为约50欧姆。另外，第二RF能 量源138也可通过匹配网络136而^皮连4妄到基片114，以利用等离 子产生偏置，并将引导等离子远离该等离子处理系统内的结构并朝 向基片。
另夕卜，为了基本上将受限等离子110隔离或限制在基片边缘(环 形周缘)的表面区域，抗等离子阻挡层113 (例如，石英、蓝宝石 等)可以'1"合好在基片114第二 (顶部)表面上方^f旦并未触及该表面 的间隙距离被放置。即，基片114定位于抗等离子阻挡层113和卡 盘116之间。在一个实施方式中，抗等离子阻挡层113^皮配置为具 有小于基片直径(沿横轴)的直径(沿横轴)。在一个实施方式中， 抗等离子阻挡层113被连接到等离子室102的顶部表面。另夕卜，也 可利用惰性气体传输装置在抗等离子阻挡层113和基片114之间引 入(channel)第二惰性气体126 (中间惰性)流，从而产生从基片 中央到基片114环形周缘的正向压力，并基本上隔离等离子IIO远 离基片表面暴露部分上的电气结构。例如，该惰性气体传输装置可包括一组喷嘴、管道、阀门、质量流量控制器、泵等。当副产物从
基片114去除时，它们通过泵110/人等离子室102排出。
在一个实施方式中，该等离子是低压等离子。例如，在电感耦 合等离子处理系统中，其功率i殳置为乂人约100W到约500W，压力 为约5mTorr到约1 Torr，并具有等离子气体(02、 CF4、 C2F6、 Ar 等)和惰性气体(例如，He、 Ar、 N2等)，小于约0.5mm的间隙距 离可足以隔离在基片环形周缘的等离子110,并由此使得对基片表 面暴露部分上的电气结构的任何潜在破坏都最小化。在一个实施方 式中，间隙3巨离优选地在约0.lmm到约0.5mm之间。在一个实施 方式中，间隙距离更优选地在约0.2mm到约0.4mm之间。在一个 实施方式中，间隙距离最优选地约为0.3mm。
在一个实施方式中，等离子为大气压或高压等离子。例如，在 电感耦合等离子处理系统中，其功率i殳置为乂人约IOOW到约500W， 压力为环境压力，并具有等离子气体(02、 CF4、 C2F6、 He等)和 惰性气体(例如，He、 Ar、 N2等)，小于约O.lmm的间隙距离可足 以隔离在基片环形周^彖的等离子110，并由此使得任何潜在的对基 片表面暴露部分上的电气结构的破坏都最小化。在一个实施方式 中，间隙距离优选地在约0.04mm到约O.lmm之间。在一个实施方 式中，间隙距离更优选地在约0.05mm到约0.09mm之间。在一个 实施方式中，间隙距离最优选地约为0.07mm。本发明的优点包括 可从基片边缘去除副产物组，而基本不会破坏在基片表面暴露部分 上的电气结构。
现参考图1B,示出了才艮据本发明一个实施方式的电感耦合等 离子处理系统的简化示意图，带有用于边缘副产物去除的顶部电感 线圈(通电电极)。通常，带有边缘副产物组的基片利用静电卡盘 (卡盘)116上的边缘环115定位于等离子室中。即，该卡盘可#皮 配置为支撑该基片的第一 (底部)表面。顶部电感线圏144通过惰
性抗等离子阻挡层145 (例如，陶梵、石英等)物理与等离子110 分开，其通常;f皮配置为通过在为副产物去除优化的等离子气体组 124(例如，02、 CF4、 C2F6、 Ar等)中引起随时间变4匕的电^fu而;敫 发等离子110。在一个实施方式中，顶部电感线圈104 #1配置为环 组。在一个实施方式中，至少一个环具有至少与基片114的直径一 样大的内径(沿横轴)。
进一步#1连4妄到顶部电感线圈144的通常为匹配网*各132，其 可进一步被连接到RF发生器134。匹配网络132试图匹配RF发生 器134和等离子110的阻抗，RF发生器134通常运行在从约2MHz 到约27MHz的频率范围并且阻抗约为50欧姆。另夕卜，第二 RF能 量源138也可通过匹配网络136耦合到基片114,以利用等离子产 生偏置，并引导等离子远离等离子处理系统内的结构并朝向基片。
另外，为了基本上将等离子110隔离或限制在基片边缘(环形 周缘)的表面区域，抗等离子阻挡层113 (例如，石英、蓝宝石等) 可以设在恰好在基片114第二 (顶部)表面上方但并未触及该表面 的间隙距离。在一个实施方式中，抗等离子阻挡层113^皮配置为具 有小于基片直径(沿横轴)的直径(沿横轴)。即，基片114定位 于抗等离子阻挡层113和卡盘116之间。在一个实施方式中，抗等 离子阻挡层113被连接到等离子室102的顶部表面。另外，也可利 用惰性气体传输装置在抗等离子阻挡层113和基片114之间引入第 二惰性气体126 (惰性气体)流，从而产生从基片中央到基片114 环形周缘的正向压力，并基本上隔离等离子110远离基片表面暴露 部分上的电气结构。当副产物乂人基片114去除时，它们由泵110乂人 等离子室102 4非出。
在一个实施方式中，该等离子是低压等离子。例如，在电感耦 合等离子处理系统中，其功率设置为从约100 W到约500 W，压力 为从约5 mTorr到约1 Torr，并具有等离子气体(02、 CF4、 C2F6、
Ar，等)和惰性气体(例如，He、 Ar、 N2,等)，小于约0.5mm的 间隙距离可足以隔离在基片环形周缘的等离子110,并由此使得任 何潜在的对基片表面暴露部分上的电气结构的破坏都最小化。在一 个实施方式中，间隙3巨离优选地在约0.lmm到约0.5mm之间。在 一个实施方式中，间隙距离更优选地在约0.2mm到约0.4mm之间。 在一个实施方式中，间隙距离最优选地约为0.3mm。
在一个实施方式中，等离子为大气压或高压等离子。例如，在 电感耦合等离子处理系统中，其功率设置为乂人约IOOW到约500W, 压力为环境压力，并具有等离子气体(02、 CF4、 C2F6、 He，等) 和惰性气体(例如，He、 Ar、 N2,等)，小于约O.lmm的间隙距离 可足以隔离在基片环形周乡彖的等离子110，并由此使得任何潜在的 对基片表面暴露部分上的电气结构的破坏都最d、化。
在一个实施方式中，间隙距离优选地在约0.04mm到约O.lmm 之间。在一个实施方式中，间隙距离更优选地在约0.05mm到约 0.09mm之间。在一个实施方式中，间隙距离最优选地为约0.07mm。 本发明的优点包括可从基片边缘去除副产物组，而基本不会破坏在 基片表面暴露部分上的电气结构。
现参考图2，示出了才艮据本发明一个实施方式，用于边缘副产 物去除的电容耦合等离子处理系统的简化示意图，其带有通电电 极。通常，带有边缘副产物组的基片利用在接地静电卡盘(卡盘) 216上的边乡彖环215而定位于等离子室中。即，该卡盘可^皮配置为 支撑该基片的第一 (底部)表面。通电电极204通常被配置为通过 在为副产物去除优化的等离子气体组224 (例如，02、 CF4、 C2F6、 Ar等)中引起随时间变化的电流而激发等离子210。
进一步被连接到通电电极204的通常为匹配网络232，其可进 一步连4姿到RF发生器234。匹配网络232试图匹配RF发生器234
和等离子210的阻抗，RF发生器234通常运行在从约2MHz到约 27MHz的频率范围并且阻抗为约50欧姆。另外，为了基本上将等 离子210隔离或限制在基片边缘(环形周缘)的表面区域，惰性阻 挡层213 (例如，石英、蓝宝石等)可以恰好在基片214第二 (顶 部)表面上方但未触及该表面的间隙距离而被放置。
在一个实施方式中，惰性阻挡层213 ^^皮配置为具有小于基片直 径(沿横轴)的直径(沿横轴)。即基片214定位于抗等离子阻挡 层213和卡盘216之间。在一个实施方式中，惰性阻挡层213添加 物，为了基本上将等离子(图未示)隔离在基片308边缘(环形周 缘)的表面区域，可通过惰性气体孔组304引入第二惰性气体(惰 性气体)流，从而产生从基片308的基片中央到基片环形周缘的正 向压力，并基本上隔离等离子(图未示)远离基片表面暴露部分上 的电气结构。在一个实施方式中，等离子气体孔组306定位于靠近 基片308边缘(环形周缘)的位置。在一个实施方式中，等离子气 体孔组306定位于离开基片308边缘(环形周缘)的位置。在一个 实施方式中，等离子气体孔组306定位于惰性阻挡层(图未示)上 方。在一个实施方式中，等离子气体孔组306定位于通电电极中(图 未示)。
现参考图4，其示出了根据本发明的一个实施方式，用于边缘 副产物去除的等离子处理系统(电容耦合、电感耦合、大气压等) 的简化示意图，其中，惰性阻挡层利用底部连接支撑结构而被支撑。 以有利的方式，底部连接支撑结构可允许边缘副产物去除功能更容 易地加入现有的等离子处理系统，因为现有等离子室电极(例如， 电感线圈、通电电极、接地电极等)不需要为了固定惰性阻挡层403 而一皮重新定位。该底部连4妄支撑结构通常可包括-纟从向支撑元件组 425和一黄向支撑元件组426，其可以在基片414上的合适间隙距离
正确地定位惰性阻挡层413，从而仅基片边缘420基本上可暴露于 等离子424。
通常，通过将等离子气体组(图未示)(如02、 CF4、 C2F6、 Ar等)流入等离子室402中而产生等离子404，在该室中等离子404 净皮激发，以从利用卡盘416上的边》彖环415而^皮定位的基片414来 去除边缘副产物组。在一个实施方式中，横向支撑元件和纵向支撑 元件包括惰性材料(例如，石英，蓝宝石等)。在一个实施方式中， 纵向支撑元件组425和橫向支撑元件组426包括单独制造的单元。 在一个实施方式中，冲黄向支撑元件426 ^皮配置为允许基片边缘428 暴露于等离子404的主要部分。在一个实施方式中，纵向支撑元件 组425被连接到卡盘416。
另外，也可利用惰性气体传输装置(图未示)在惰性阻挡层413 和基片414之间引入第二惰性气体流(图未示)，从而产生从基片 中央到基片环形周^彖的正向压力，其^皮连4妄到等离子室202的顶部 表面。另外，也可利用惰性气体传输装置在惰性阻挡层213和基片 214之间引入第二惰性气体流226 (惰性气体)，从而产生从该基片 114的基片中央到基片环形周缘的正向压力，并基本上隔离等离子 210远离基片表面暴露部分上的电气结构。例如，该惰性气体传输 装置可包括一组喷嘴、管道、阀门、质量流量控制器、泵等。当副 产物/人基片214^皮去除时，它们由泵210乂人等离子室202排出。
在一个实施方式中，该等离子是低压等离子。例如，在电感耦 合等离子处理系统中，其功率i殳置为乂人约100 W到约500 W,压力 为,人约5 mTorr到约1 Torr，并带有等离子气体(02、 CF4、 C2F6、 Ar,等)和惰性气体(例如，He、 Ar、 N2，等)，小于约0.5mm的 间隙距离可足以隔离在基片环形周缘的等离子110，并由此使得任 何潜在的对基片表面暴露部分上的电气结构的破坏都最小化。在一 个实施方式中，间隙距离优选地在约O,lmm到约0.5mm之间。在
一个实施方式中，间隙距离更优选地在约0.2mm到约0.4mm之间。 在一个实施方式中，间隙距离最优选地约为0.3mm。
在一个实施方式中，等离子为大气压或高压等离子。例如，在 电感耦合等离子处理系统中，其功率设置为从约100 W到约500 W， 压力为环境压力，并带有等离子气体(02、 CF4、 C2F6、 He，等) 和惰性气体(例如，He、 Ar、 N2，等)，小于约0.1mm的间隙距离 可足以隔离在基片环形周缘的等离子110，并由此使得任何潜在的 对基片表面暴露部分上的电气结构的破坏都最小化。
在一个实施方式中，间隙距离优选地在约0.04mm到约0.1mm 之间。在一个实施方式中，间隙距离更优选地在约0.05mm到约 0.09mm之间。在一个实施方式中，间隙距离最优选地约为0.07mm。 本发明的优点包括可从基片边缘去除副产物组，而基本不会破坏在 基片表面暴露部分上的电气结构。
现参考图3,示出了根据本发明的一个实施方式，图1A-2中所 示的等离子处理系统的气体配置的简化示意图。如前所述，等离子 气体组(例如，02、 CF4、 C2F6、 Ar等)可通过等离子气体孔组306 流入等离子室302,以激发等离子(图未示)，从而从基片308去除 边缘副产物组。在基片414中，并且基本上隔离等离子404远离基 片表面暴露部分上的电气结构。
现参考图5，示出了根据本发明的一个实施方式，用于边缘副 产物去除的等离子处理系统(电容耦合、电感耦合、大气压，等) 的简化示意图，其中，惰性阻挡层利用横向连接支撑结构而被支撑。 以有利的方式，横向连接支撑结构可允许边缘副产物去除功能更容 易地被加入到现有的等离子处理系统，因为现有等离子室电极(例 如，电感线圈、通电电才及、4妄地电4及等)并不需要为了固定惰性阻 挡层413而^皮重新定位。该;湊向连4妄支撑结构通常可包括"镜向支撑
元件组526,其可以在基片414上的合适间隙距离正确地放置惰性 阻挡层413,从而仅基片边缘420暴露于等离子424。
通常，通过将等离子气体组(图未示)(如02、 CF4、 C2F6、 Ar等)流入等离子室402中而产生等离子404,在此点处，等离子 404 ^皮;敫发，以乂人利用在卡盘416上的边乡彖环415所定位的基片414 来去除边缘副产物组。在一个实施方式中，横向支撑元件包括惰性 材料(例如，石英，蓝宝石等)。在一个实施方式中，横向支撑元 件426被配置为允许基片边缘428暴露于等离子404的基本部分。 在一个实施方式中，横向支撑元件组425被连接到等离子室壁。另 外，也可在惰性阻挡层413和基片414之间引入第二惰性气体流(图 未示)，从而产生从基片414的基片中央到基片环形周缘的正向压 力，并基本上隔离等离子404使其远离基片表面暴露部分上的电气 结构。
现参考图6，示出了根据本发明的一个实施方式，用于从基片 边纟彖去除副产物组的简化的方法。开始，在602步，卡盘4皮配置为 支撑基片。*接下来，在604步，以相关于该基片隔开的方式定位抗 等离子阻挡层。接下来，在606步，至少一个通电电极被配置为与 抗等离子阻挡层配合运行以由等离子气体组产生等离子。在一个实 施方式中，等离子气体组包括02、 CF4、 CzF6和Ar之中的至少一 种。最后，在608步，惰性气体传输装置被配置为将惰性气体引入 到由基片的中间部分和抗等离子阻挡层所限定的间隙中。例如，该 惰性气体传输装置可包括一组喷嘴、管道、阀门、质量流量控制器、 泵等。在一个实施方式中，惰性气体包括He、 Ar和lSb之中的至少 一种。
尽管本发明已根据多个优选的实施方式进行了描述，但是存在 有落入本发明范围内的变化、置换和等同方式。例如，尽管本发明 结合Lam Research等离子处理系统(例如，ExelanTM、 ExelanTMHP、
ExelanTMHPT、 2300 、 Versys Star等)进行描述，但也可使用其 它的等离子处理系统。本发明也可用于多种直径的基片(例如， 200mm、 300mm、 LCD,等)。另外，这里所4吏用的词i吾"组，，包 4舌一个或多个该组中的指定元件。例如，"X"组指一个或多个"X"。
本发明的优点包括从基片表面快速和安全地去除边缘副产物。 其它的优点包括能够容易地将本发明加入现有的等离子处理系统。
虽然已经披露了示例性的实施方式和最佳模式，但可在由后附 权利要求限定的本发明的主题和精神内，对已披露的实施方式进行 修改和变化。
权利要求
1.一种等离子处理系统，包括用于处理基片的等离子室，包括卡盘，其被配置为支撑所述基片的第一表面；抗等离子阻挡层，其以相关于所述基片的第二表面空间隔开的方式而被布置，所述第二表面与所述第一表面相对，所述抗等离子阻挡层基本上防护所述基片的中间部分并使得所述基片的所述第二表面的环形周缘区域基本上不受所述抗等离子阻挡层防护；以及至少一个通电电极，所述通电电极与所述抗等离子阻挡层配合运行以由等离子气体产生等离子，所述等离子基本上受限于所述基片的所述环形周缘区域并且远离所述基片的所述中间部分。
2. 根据权利要求1所述的等离子处理系统，其中，所述通电电极 具有环状，其净皮布置在所述基片的所述环形周^彖区域外部，所述通电电才及的内部直径至少与所述基片的直径一才羊大。
3. 根据权利要求1所述的等离子处理系统，其中，所述通电电极 代表#1布置在所述基片上方的顶部电感线圈。
4. 根据权利要求1所述的等离子处理系统，其中，所述通电电极 代表被布置在所述基片上方的电容板。
5. 根据权利要求1所述的等离子处理系统，进一步包括惰性气体 传输装置，其被配置为将惰性气体？ 1入到由所述基片的所述中 间部分和所述抗等离子阻挡层限定的间隙中。
6. 根据权利要求1所述的装置，其中，所述抗等离子阻挡层是陶 瓷和石英中的一种。
7. 根据权利要求1所述的装置，其中，所述抗等离子阻挡层利用 底部连接支撑结构而被连接到所述等离子室。
8. 根据权利要求1所述的装置，其中，所述抗等离子阻挡层利用 横向连接支撑结构而被连接到所述等离子室。
9. 根据权利要求1所述的装置，其中，所述等离子包括02、 CF4、 C2F6和Ar中的至少一种。
10. 根据权利要求1所述的装置，其中，所述惰性气体包括He、 Ar和N2中的至少一种。
11. 根据权利要求1所述的装置，其中，所述等离子是低压等离子。
12. 根据权利要求11所述的装置，其中，所述间隙距离在约0.1 mm 到约0.5 mm之间。
13. 根据权利要求11所述的装置，其中，所述间隙距离在约0.2 mm 到约0.4 mm之间。
14. 根据权利要求11所述的装置，其中，所述间隙距离约为0.3 mm。
15. 根据权利要求1所述的装置，其中，所述等离子是大气等离子。
16. 根据权利要求15所述的装置，其中，所述间隙距离在约0.04 mm 5'J约0,1 mm之间。
17. 根据权利要求13所述的装置，其中，所述间隙距离在约0.05 mm到约0.09 mm之间。
18. 根据权利要求15所述的装置，其中，所述间隙距离约为0.07 mm。
19. 在包括等离子室的等离子处理系统中， 一种用于从基片去除副 产物组的方法，包4舌配置卡盘以支撑所述基片的第一表面；以相关于所述基片的第二表面空间隔开的方式来布置抗 等离子阻挡层，所述第二表面与所述第一表面相对，所述抗等的所述第二表面的环形周缘区域基本上不受所述抗等离子阻 挡层防护；以及配置至少一个通电电才及来与所述抗等离子阻挡层配合运 行以由等离子气体产生等离子，所述等离子基本上受限于所述 基片的所述环形周缘部分并远离所述基片的所述中间部分；配置惰性气体传输装置，以将惰性气体引入到由所述基 片的所述中间部分和所述抗等离子阻挡层限定的间隙中；其中，当所述等离子被产生时，所述副产物组基本上就 被去除。
20. 才艮据权利要求19所述的方法，其中，所述通电电极具有环状， 其被布置在所述基片的所述环形周缘区域外部，所述通电电极 的内部直径至少与所述基片的直径一才羊大。
21. 根据权利要求19所述的方法，其中，所述通电电极包括周边 电感线圈、顶部电感线圏和电容才反中的一种。
22. 根据权利要求19所述的方法，其中，所述抗等离子阻挡层是 陶瓷和石英中的一种。
23. 根据权利要求19所述的方法，其中，所述抗等离子阻挡层利 用底部连接支撑结构和横向连接支撑结构之中的 一种而被连 接到所述等离子室。
24. 根据权利要求19所述的方法，其中，所述等离子包括02、CF4、 C2F6和Ar中的至少一种。
25. 根据权利要求19所述的方法，其中，所述惰性气体包括He、 Ar和N2中的至少一种。
26. 根据权利要求19所述的方法，其中，所述等离子是低压等离 子。
27. 根据权利要求26所述的方法，其中，所述间隙距离在约0.1 mm 到约0.5 mm之间。
28. 根据权利要求19所述的方法，其中，所述等离子是大气等离 子。
29. 根据权利要求28所述的方法，其中，所述间隙距离在约0.04 mm 5'j乡勺0.1 mm之间。
30. —种用于在等离子室中从基片去除副产物组的方法，所述基 片，包括将基片支撑在卡盘上； 配置至少一个通电电才及，以由等离子气体-敫发等离子， 其中，当所述等离子被激发时，所述通电电极就^皮电耦合到所述卡盘；以相关于所述基片空间隔开的方式定位抗等离子阻挡 层，其中，所述抗等离子阻挡层被配置为基本上将所述等离子 限制在所述基片的环形周缘部分并远离所述基片的所述中间 部分，以及其中，所述抗等离子阻挡层的底部表面和所述基片 的顶部表面限定间隙；配置惰性气体传输装置，以将惰性气体引入到所述间隙；其中，当所述等离子被激发时，所述副产物组就从所述 基片的所述环形周缘部分中被去除。
全文摘要
本发明披露了一种等离子处理系统，其包括用于处理基片的等离子室。该装置包括卡盘，其被配置为支撑该基片的第一表面。该装置还包括抗等离子阻挡层，其以相关于该基片的第二表面空间隔开的方式进行布置，该第二表面与第一表面相对，该抗等离子阻挡层大体上防护该基片的中间部分，并使得该基片的第二表面的环形周缘区域基本上不受该抗等离子阻挡层防护。该装置进一步包括至少一个通电电极，该通电电极与该抗等离子阻挡层配合运行以由等离子气体产生受限的等离子，该受限的等离子基本上受限于该基片的环形周缘部分并远离该基片的中间部分。
文档编号C23F1/00GK101370965SQ200680035652
公开日2009年2月18日 申请日期2006年9月26日 优先权日2005年9月27日
发明者安德鲁·D·贝利三世, 衡石·亚历山大·尹, 金允尚 申请人:朗姆研究公司