低温真空镀膜装置的制作方法

文档序号:3255300阅读:265来源:国知局
专利名称:低温真空镀膜装置的制作方法
技术领域
本发明涉及真空电镀领域,特别涉及一种低温真空镀膜装置。
背景技术
常见的真空电镀,被镀的产品一般都是金属制品,因为在真空电镀条件下,温度都比较高,传统的溅射镀膜也必须在高温条件下形成较密的膜层,塑料制品等不能耐受高温,否则将引起产品变形。

发明内容
为解决前述存在的问题,本发明提供一种低温真空镀膜装置,该装置一真空镀膜腔体与过滤阴极离子真空镀膜源连接,真空镀膜腔体设有分子真空泵,并在真空镀膜腔体设有离子束清洗源,清洗被镀工件,真空镀膜腔体温度低于SOtlC,被镀工件放置于真空镀膜腔体内,用过滤阴极离子真空镀膜源对其镀膜,膜源的粒子方向是可调整的,可从不同的角度对被镀工件进行镀膜。被镀工件是金属制品、或是非金属制品、或是塑料制品、或是橡胶制品。本发明的优点是,被镀工件即使在小于SOtlC温度条件下,仍有足够的镀层厚度,而且耐磨、耐腐蚀,并且能够镀制小型、细薄的塑料制品而不使产品变形,特别适用于某些精细加工行业。


附图1是本发明主视图; 附图2是附图1的侧视图。
具体实施例方式请参阅附图1、2所示,本发明是一真空镀膜腔体3与过滤阴极离子真空镀膜源1 连接,真空镀膜腔体3设有分子真空泵4,并在真空镀膜腔体3设有离子束清洗源,清洗被镀工件,真空镀膜腔体3温度低于80 ,被镀工件塑料制品,或橡胶制品放置于真空镀膜腔体 3内,用过滤阴极离子真空镀膜源1对其镀膜,膜源1经过滤器2后的粒子方向能够调整,可以从不同的角度对被镀工件进行镀膜。本发明的过滤阴极离子真空镀膜源1是申请人的专利,属现有技术。
权利要求
1.一种低温真空镀膜装置,其特征在于,一真空镀膜腔体与过滤阴极离子真空镀膜源连接,真空镀膜腔体设有分子真空泵,并在真空镀膜腔体设有离子束清洗源,清洗被镀工件,真空镀膜腔体温度低于SOtlC,被镀工件放置于真空镀膜腔体内,用过滤阴极离子真空镀膜源从不同的角度对被镀工件进行镀膜。
2.按权利1所述低温真空镀膜装置,其特征在于,所述被镀工件是金属制品、或是非金属制品、或是塑料制品、或是橡胶制品。
全文摘要
本发明公开一种低温真空镀膜装置,该装置一真空镀膜腔体与过滤阴极离子真空镀膜源连接,真空镀膜腔体设有分子真空泵,并在真空镀膜腔体设有离子束清洗源,清洗被镀工件,真空镀膜腔体温度低于800C,被镀工件塑料制品,或橡胶制品放置于真空镀膜腔体内,用过滤阴极离子真空镀膜源对其镀膜,膜源的粒子方向能调整,可从不同角度对准被镀工件进行镀膜。本发明的优点是,被镀工件即使在小于800C温度条件下,仍有足够的镀层厚度,而且耐磨、耐腐蚀,并且能够镀制小型、细薄的塑料制品而不使产品变形,特别适用于某些精细加工行业。
文档编号C23C14/02GK102534506SQ20121001819
公开日2012年7月4日 申请日期2012年1月20日 优先权日2012年1月20日
发明者史旭 申请人:纳峰真空镀膜(上海)有限公司
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