真空镀膜装置的制作方法

文档序号:3409092阅读:271来源:国知局
专利名称:真空镀膜装置的制作方法
技术领域
本实用新型涉及蒸镀技术,特别涉及真空镀膜装置。
背景技术
有机发光显示器(OrganicLight Emitting Diode Displays,简称 OLED),是自 20世纪中期发展起来的一种新型显示技术,其原理是通过正负载流子注入有机半导体薄膜 后复合产生发光,其结构通常包括电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注 入层等多层薄膜,而各层膜的厚度、均一性及膜层附着力等对有机发光显示器的质量有重 大的影响,根据材料的不同,OLED显示器可以分为两大类聚合物器件(Polymer 0LED,简 称PLED)和小分子器件(Small molecular OLED),与聚合物材料相比,小分子材料的结构确 定,易于合成和纯化,因此市场上的产品大多采用真空蒸镀的方法制备小分子器件,真空蒸 镀包括以下3个基本过程1.加热蒸发过程,包括由凝聚相转变为气相(固相或液相-气 相)的相变过程;2.飞行过程,气化原子或分子在蒸发源与基片之间的运输,即这些粒子在 环境气氛中的飞行过程,飞行过程中与真空室内残余气体分子发生碰撞的次数,取决于蒸 发原子的平均自由程,以及蒸发源到基片的距离,常称源-基距;3.蒸发原子或分子在基 片表面上的沉积过程,即是蒸发、凝聚、成核、核生长、形成连续薄膜。上述过程都必须在空 气非常稀薄的真空环境中进行,否则蒸发物原子或分子将与大量空气分子碰撞,会使膜层 受到严重的污染,甚至形成氧化物,或者由于空气分子的碰撞阻挡,难以形成均勻连续的薄 膜,在真空蒸镀过程中,为了减少有机原子或分子真空室内残余气体分子发生的碰撞,蒸发 腔压强必须低于3 X 10_3Pa,现有技术中真空蒸镀装置的结构示意图如图1,该装置1包括一 个真空腔11、一个支架12、一个掩模板13、一个活动挡板14、加热蒸发装置及一个基板17, 所述加热蒸发装置包括一个加热源15及一个有机物蒸发舟16,所述加热源15设置在有机 物蒸发舟16周围,真空腔11设置在水平面上,有机物蒸发舟16上方开口并与真空腔11下 方连接,且与真空腔11组成一个密闭空间,所述支架12设置在真空腔11中,基板17设置在 支架12的下方与有机物蒸发舟16的上方开口相对应,掩膜板13设置在基板17与有机物蒸 发舟16相对应的表面,活动挡板14设置在掩膜板13及有机物蒸发舟16的上方开口之间, 其中,真空腔11是一个可提供真空条件的腔体,其自身具有的抽真空装置,能够持续工作, 且能够维持该腔室的真空度为1. OX 10_5Pa。该支架12位置固定,用于承载掩模板13和基 板17,并且具有对位功能,该掩模板13用于将设计好的图案通过蒸镀转移到基板17上,活 动挡板14在有机材料加热温度未达到要求时,处于关闭状态,当有机材料加热温度达到要 求时,活动挡板14自动打开,有机材料通过掩模板13蒸镀于基板17上,该装置的蒸镀过程 为1.玻璃基板17放在掩模板13上,对腔室进行一次抽气;2.加热源15开始加热,预热有 机物蒸发舟16,当达到蒸发温度时,活动挡板14打开,有机物通过掩模板13蒸镀到玻璃基 板17上,腔内真空度为1.0X10_5Pa,然而,其蒸镀出来的有机薄膜厚度不均、均一性差、工 艺时间长、有机物浪费十分严重,为了得到性能良好的有机物薄膜,必须要减少蒸发原子与 残余气体发生碰撞的次数,首先要减小蒸发原子的平均自由程,其次就是缩短源-基距离,现有技术真空蒸镀装置的真空度已达1. OX 10_5Pa,但在如此高的真空度下,由于有机物蒸 发舟16距离玻璃基板17较远,即源-基距较大,因此薄膜性能不是很好。

实用新型内容本实用新型的目的是克服目前真空镀膜装置的有机蒸发舟距离玻璃基 板较远而 造成薄膜性能不是很好的缺点,提供一种真空镀膜装置。本实用新型解决其技术问题,采用的技术方案是,真空镀膜装置,包括真空腔、支 架、掩模板、活动挡板、加热蒸发装置及基板,所述加热蒸发装置包括加热源及有机物蒸发 舟,其特征在于,所述加热蒸发装置设置在真空腔内,并固定在真空腔内部下表面,所述加 热蒸发装置中的有机物蒸发舟的上方开口与基板相对应。具体的,所述加热蒸发装置为两个。本实用新型的有益效果是,通过上述真空镀膜装置,由于将加热蒸发装置设置在 真空腔中,缩短了源-基距,因此在相同真空度的腔室内,有机分子与空气分子的碰撞几率 减少了,也就是降低了有机分子的污染,干净的有机分子可以快速的飞行到基板上,形成连 续而均勻的薄膜,增加一个加热蒸发装置可以提高生产效率。

图1为现有技术中真空镀膜装置的结构示意图;图2为实施例的真空镀膜装置的结构示意图;其中,11为真空腔,12为支架,13为掩模板,14为活动挡板,15为加热源,16为有 机物蒸发舟。
具体实施方式
以下结合附图及实施例,详细描述本实用新型的技术方案。本实用新型所述真空镀膜装置的加热蒸发装置设置在真空腔11内,并固定在真 空腔11内部下表面,加热蒸发装置中的有机物蒸发舟16的上方开口与基板17相对应,由 于将加热蒸发装置设置在真空腔中,缩短了源-基距,因此在相同真空度的腔室内,有机分 子与空气分子的碰撞几率减少了,也就是降低了有机分子的污染,干净的有机分子可以快 速的飞行到基板上,形成连续而均勻的薄膜。实施例本例的加热蒸发装置为两个,其结构示意图如图2。将真空镀膜装置的两个加热蒸发装置设置在真空腔11内,并固定在真空腔11内 部下表面,两个加热蒸发装置中的有机物蒸发舟16的上方开口都与基板17相对应,由于将 加热蒸发装置设置在真空腔中,缩短了加热蒸发装置到基板之间的距离,即缩短了源-基 距,因此在相同真空度的腔室内,有机分子与空气分子的碰撞几率减少了,也就是降低了有 机分子的污染,干净的有机分子可以快速的飞行到基板上,形成连续而均勻的薄膜,且由于 在高真空环境中稀薄的有机材料的气体是均勻的飘散在整个真空腔室内,因此增加一个加 热蒸发装置就是增加有机分子蒸发的速率,提高生产效率,由于气体分子在高真空的环境 中是均勻分散的,所以增加一个加热蒸发装置并不会产生膜厚不均的现象。
权利要求1.真空镀膜装置,包括真空腔、支架、掩模板、活动挡板、加热蒸发装置及基板,所述加 热蒸发装置包括加热源及有机物蒸发舟,其特征在于,所述加热蒸发装置设置在真空腔内, 并固定在真空腔内部下表面,所述加热蒸发装置中的有机物蒸发舟的上方开口与基板相对应。
2.根据权利要求1所述真空镀膜装置,其特征在于,所述加热蒸发装置为两个。
专利摘要本实用新型涉及蒸镀技术。本实用新型解决了现有真空镀膜装置的有机蒸发舟距离玻璃基板较远而造成薄膜性能不是很好的问题,提供了一种真空镀膜装置,其技术方案为真空镀膜装置,包括真空腔、支架、掩模板、活动挡板、加热蒸发装置及基板,所述加热蒸发装置包括加热源及有机物蒸发舟,其特征在于,所述加热蒸发装置设置在真空腔内,并固定在真空腔内部下表面,所述加热蒸发装置中的有机物蒸发舟的上方开口与基板相对应。本实用新型的有益效果是,薄膜性能较好,适用于真空镀膜。
文档编号C23C14/12GK201873745SQ201020634820
公开日2011年6月22日 申请日期2010年11月30日 优先权日2010年11月30日
发明者任海, 赵芳, 魏锋 申请人:四川虹视显示技术有限公司
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