专利名称：一种制备CdTe多晶薄膜的方法
技术领域：
本发明涉及太阳能电池CdTe多晶薄膜的制备方法。
背景技术：
光伏半导体材料有多种，包含单晶硅、多晶硅、非晶硅、GaAs, GaAlAs, InP, CdS,CdTe等。CdTe半导体材料是ー种很好的光伏吸收材料，为直接带隙半导体，带隙宽度为
I.45eV，与太阳光谱非常匹配。CdTe吸收系数大于5 X 105/cm，因此，只需要I y m就可以吸收99%以上的可见光(波长小于826nm)。CdTe薄膜太阳能电池的理论效率可以达到29%，实验室小面积CdTe薄膜太阳能电池的效率为17. 3%。因此，CdTe薄膜太阳能电池在降低·成本、提高转化效率具有很大的潜力。磁控溅射是制备CdTe薄膜的ー种常用的方法，已经在250°C的低温制备出14%的高效电池。用磁控溅射生长CdTe多晶薄膜中，可以调节的技术參数多，例如气体的流量、生长气压、基底温度、等离子体浓度、靶基距、磁场分布等，这些均可用于改善CdTe多晶薄膜的质量、从而提高CdTe太阳能电池的转化效率。而且，这种方法设备通用、稳定、制备温度低、薄膜厚度可控性好，因此，磁控溅射是一种制备CdTe多晶薄膜理想的方法。然而，就目前磁控溅射技术而言，通过改变流量、压力、靶基距、基底的温度通常能改变CdTe晶粒的大小、薄膜的均匀性，但是这些參数很难改变CdTe晶粒尺寸不均一、形状不一致，晶粒与晶粒之间的空隙，由于晶粒尺寸不均一、形状不一致，晶粒与晶粒之间的空隙増加了晶界的面积，从而增加了缺陷密度，很难提高CdTe太阳能电池的转化效率。而且，单纯调节这些生长參数很难得到多种形貌的CdTe薄膜，这对于研究CdTe多晶薄膜太阳能电池是很不利的方面。
发明内容
本发明的目的是克服现有的磁控溅射制备CdTe多晶薄膜的缺点，提出一种新的制备方法。本发明通过对基底施加偏压，使晶粒之间结合更加紧密，降低晶界的面积，降低多晶薄膜的表面粗糙度，改善磁控溅射制备CdTe薄膜的结晶质量，获得不同形貌CdTe多晶薄膜，从而有效地提高电池的转化效率。本发明方法エ艺步骤顺序如下I、在磁控溅射炉放置基底的位置上放上具有透明导电薄膜的基底，通过导电的固定基底的探针，使基底透明导电薄膜和外加电压设备相连。关闭磁控溅射真空室，对腔室内抽真空，使基底保持在室温下或者对基底进行加热；2、当背底真空至少到达10_3Pa以下，基底温度到达设定的温度25°C -1100°C，开始在具有透明导电薄膜的基底上溅射CdS多晶薄膜；当CdS厚度到达设定的厚度时，停止CdS的生长，然后把基底转向正对CdTe靶的位置，启动射频电源开始溅射CdTe薄膜，同时打开外接的施加电压的设备对基底施加偏压，直到CdTe的厚度达到预设的厚度；关掉外接施加高压的设备电源，停止对基底施加偏压，同时关闭射频电源，停止CdTe薄膜的生长，停止对基底加热。使生长了 CdS和CdTe薄膜的基底随炉冷却。然后取出生长了 CdS和CdTe薄膜的基底；3、对制备的CdTe薄膜进行CdCl2退火处理；4、在CdCl2处理后的CdTe薄膜上蒸镀导电背电极；导电材料为本专业领域技术人员熟知的材料，如Au、Ni、Mo等等。蒸镀导电材料的方法为本专业领域技术人员熟知的方法，比如热蒸发、电子束等等。所述步骤I中，在磁控溅射炉放置基底的位置上放上具有透明导电薄膜的基底，通过导电的固定基底的探针，使基底透明导电薄膜和外加电压设备相连。用万用表測量外加设备与基底导电薄膜之间的导电性，以确保二者能导通；关闭磁控溅射真空室，对腔室内抽真空，同时对基底进行加热。基底的温度为25°C到1100°C。所述步骤2的操作方法是当磁控溅射室腔室的背底真空到达10_3Pa以下，开始溅射CdS多晶薄膜。CdS的溅射条件为基底温度25°C -1100°c，通入高纯Ar气，气体流速5sccm-100sccm，腔室压强0. IPa-IOPa ;当基底上所溅射的CdS厚度为20nm_500nm时，停止·CdS薄膜的制备。把基底转向正对CdTe靶的位置，开始溅射CdTe薄膜。CdTe溅射条件为基底温度25 V -1100°C，通入高纯Ar气，气体流速5sccm-100sccm，腔室压强0. IPa-IOPa ；基底偏压为+10疒-200V。当基底上所溅射的CdTe厚度达到设定的厚度，0. 5 u m-10 y m吋，停止CdTe薄膜的制备，同时停止对基底加热，待基底温度降低到室温时，取出沉积了 CdS和CdTe薄膜的基底。所述步骤3中对制备的CdS和CdTe薄膜进行CdCl2退火处理。其操作步骤如下在 CdCl2 气氛中，在 350°C _450°C对 CdTe 进行处理 5min_120min。所述步骤4中在经CdCl2处理后的CdTe薄膜上蒸镀导电背电极。导电材料为本专业领域技术人员熟知的，如Au、Ni、Mo等等。蒸镀导电材料的方法为本专业领域技术人员熟知的方法，比如热蒸发、电子束等等。本发明通过在磁控溅射中，对基底施加一定的偏压，偏压范围为+1(T-200V之间，可以获得不同形貌的CdTe多晶薄膜，改善晶粒尺寸和晶体的结晶质量。通过基底施加偏压，可以得到CdCl2退火处理前后均没有内应カ的薄膜，CdCl2退火处理后，晶粒尺寸的大小得到了优化，明显提高了 CdTe多晶太阳能电池的转化效率。本发明提供了磁控溅射生长CdTe多晶薄膜时，一种通过通过对基片施加偏压，制备不同形貌、不同相组成的CdTe多晶薄膜的ー种方法。
图Ia和b分别为本发明实施例I所制备的CdTe和CdCl2处理后CdTe多晶薄膜的扫描电镜图；图2为本发明实施例I所制备的CdTe和CdCl2处理后CdTe多晶薄膜的X射线衍射图谱；图3虚线和实线为本发明实施例I和4所制备的CdTe多晶太阳能电池的J-V曲线；图4a和b分别为本发明实施例4所制备的CdTe和CdCl2处理后CdTe多晶薄膜的扫描电镜图；图5为本发明实施例4所制备的CdTe和CdCl2处理后CdTe多晶薄膜的X射线衍射图谱；图6为本发明实施例5所制备的CdTe多晶薄膜的扫描电镜图；图7为本发明实施例7所制备的CdTe多晶薄膜的扫描电镜图；图8为本发明实施例8所制备的CdTe多晶薄膜的扫描电镜图。
具体实施例方式以下结合附图和具体实施方式
对本发明作进ー步说明。实施例I在磁控溅射炉放置基底的位置上，放上具有ニ氧化锡透明导电薄膜的TEC15玻璃，基底导电薄膜和外加电压设备通过导电的固定基底的探针相连，用万用表測量外加设·备与基底之间的导电性，以确保二者能导通。盖上磁控溅射炉的盖子，对腔室内抽真空，同时对基底加热到250°C，当背底真空到达I X 10_4Pa，开始在具有导电薄膜的基底上溅射CdS多晶薄膜。CdS溅射条件为基底温度25°C，气体流速40SCCm，腔室压强3Pa，基片偏压为+3V。当CdS厚度为IOOnm时，停止CdS薄膜的制备。把基底的位置转向正对CdTe靶的位置，开始溅射CdTe薄膜，CdTe溅射条件为基底温度25°C，气体流速40sCCm，腔室压强3Pa，基片偏压为+3V。当CdTe厚度为2 u m时，停止CdTe薄膜的制备，同时停止对基底加热。待基底温度降低到室温时，取出沉积了 CdS和CdTe薄膜的基底，进行扫描电子显微镜观察和X射线衍射分析。把CdCl2饱和的甲醇溶液均匀滴在CdTe多晶薄膜上，在400°C对CdTe进行CdCl2处理45min。然后用电子束在CdCl2处理后的CdTe薄膜上蒸镀25nm厚的导电背电极。图Ia所示为本实施例得到的CdTe多晶薄膜的扫描电子显微镜的照片，其晶粒大小不均勻，最大晶粒尺寸可以达到800多纳米，最小的为100多纳米，晶粒之间的晶界缝隙很大，由于晶粒大小不均匀、表面粗糙度也很大。图Ib所示为本实施例得到CdCl2处理后的CdTe多晶薄膜的扫描电子显微镜的照片，其晶粒之间变得致密，晶粒之间的缝隙被小尺寸的晶粒填充，晶粒尺寸变大，原来大晶粒之间细碎的小晶粒尺寸变大，逐渐结合成ー个晶粒。退火后没有针孔等缺陷存在。图2中的图谱a和b分别为本发明实施例I所制备的CdTe和CdCl2处理后CdTe多晶薄膜的X射线衍射图谱。生长的CdTe和CdCl2处理后的CdTe多晶薄膜的X射线衍射峰角度都没有发生偏移，说明没有内应カ存在。转化效率如图3虚线所示，为12%。实施例2在磁控溅射炉放置基底的位置上放上具有ニ氧化锡透明导电薄膜的不锈钢基底，基底导电薄膜和外加电压设备通过导电的固定基底的探针相连，用万用表測量外加设备与基底之间的导电性，以确保二者能导通。盖上磁控溅射炉的盖子，对腔室内抽真空，使基底温度保持在室温1100°C，当背底真空到达lX10_4Pa，开始在具有导电薄膜的基底上溅射CdS多晶薄膜。CdS溅射条件为基底温度1100°C，气体流速lOOsccm，腔室压强lOPa。当CdS厚度为20nm时，停止CdS薄膜的制备。把基底转向正对CdTe靶的位置，同时打开外接施加电压设备，对基底施加OV电压，开始溅射CdTe薄膜，CdTe溅射条件为基底温度1100°C，气体流速lOOsccm，腔室压强lOPa。当CdTe厚度为0. 5 y m时，停止CdTe薄膜的制备，同时停止对基底加热。待基底温度降低到室温时，取出沉积了 CdS和CdTe薄膜的基底。
把CdCl2饱和的甲醇溶液均匀滴在CdTe多晶薄膜上，在350°C对CdTe进行处理120min。然后用热蒸发在CdCl2处理后的CdTe薄膜上蒸镀5nm厚的导电背电极。实施例3在磁控溅射炉放置基底的位置上放上具有透明导电薄膜的云母基底，基底导电薄膜和外加电压设备通过导电的固定基底的探针相连，用万用表測量外加设备与基底之间的导电性，以确保二者能导通。盖上磁控溅射炉的盖子，对腔室内抽真空同时对基底进行加热，加热设定温度为250°C，当背底真空到达5X 10_4Pa，开始在具有导电薄膜的基底上溅射CdS多晶薄膜。CdS溅射条件为基底温度250°C，气体流速5SCCm，腔室压强0. IPa0当CdS厚度为500nm时，停止CdS薄膜的制备。把基底转向CdTe靶的位置，同时打开外接施加电压设备，对基底施加-IOV电压，开始溅射CdTe薄膜，CdTe溅射条件为基底温度250°C，气体流速5SCCm，腔室压强0. IPa。当CdTe厚度为IOiim时，停止CdTe薄膜的制备。同时停止对基底加热。待基底温度降到室温时，取出沉积了 CdS和CdTe薄膜的基底。把CdCl2饱和的甲醇溶液均匀滴在CdTe多晶薄膜上，在450°C对CdTe进行处理·5min。然后在CdCl2处理后的CdTe薄膜上蒸镀200nm厚的导电背电极。实施例4在磁控溅射炉放置基底的位置上放上具有ニ氧化锡透明导电薄膜的TEC15玻璃，基底导电薄膜和外加电压设备通过导电的固定基底的探针相连，用万用表測量外加设备与基底之间的导电性，以确保二者能导通。盖上磁控溅射炉的盖子，对腔室内抽真空，使基底温度保持在室温250°C，当背底真空到达3 X 10_4Pa，开始在具有导电薄膜的基底上溅射CdS多晶薄膜。CdS溅射条件为基底温度250°C，气体流速40SCCm，腔室压强4Pa。当CdS厚度为IOOnm时，停止CdS薄膜的制备。把基底转向正对CdTe靶的位置，同时打开外接施加电压设备的电源，对基底施加-20V电压，开始溅射CdTe薄膜，CdTe溅射条件为基底温度250°C，气体流速40sccm，腔室压强4Pa。当CdTe厚度为2 y m时，停止CdTe薄膜的制备。停止对基底加热，待基底温度降低到室温时，取出沉积了 CdS和CdTe薄膜的基底。把CdCl2饱和的甲醇溶液均匀滴在CdTe多晶薄膜上，在400°C对CdTe进行处理30min。然后在CdCl2处理后的CdTe薄膜上蒸镀25nm厚的导电背电极。图4a所示为本实施例得到的CdTe多晶薄膜的扫描电子显微镜的照片，其晶粒与本发明中实施例I所得到的CdTe相比，晶粒变小、形核率变大、表面粗糙度降低，晶粒由柱状变为平面状结构。图4b所示为本实施例得到CdCl2处理后的CdTe多晶薄膜的扫描电子显微镜的照片，其晶粒与本发明中实施例I所得到的CdCl2处理后的CdTe相比，晶粒尺寸明显变大、退火后没有针孔等缺陷存在。图5中的图谱a和b分别为本发明实施例4所制备的CdTe和CdCl2处理后CdTe多晶薄膜的X射线衍射图谱。生长的CdTe和CdCl2处理后的CdTe多晶薄膜的X射线衍射峰的角度都没有发生偏移，说明均没有内应カ存在。转化效率如图3实线所示，为12. 68%。实施例5在磁控溅射炉放置基底的位置上放上具有ニ氧化锡透明透明导电薄膜的TEC15玻璃，基底透明导电薄膜和外加电压设备通过导电的固定基底的探针相连，用万用表測量外加设备与基底之间的导电性，以确保二者能导通。盖上磁控溅射炉的盖子，对腔室内抽真空，同时对基底加热到250°C，当背底真空到达9X 10_4Pa，开始在具有导电薄膜的基底上溅射CdS多晶薄膜。CdS溅射条件为基底温度250°C，气体流速40SCCm，腔室压强3Pa。当CdS厚度为IOOnm时，停止CdS薄膜的制备。把基底转向正对CdTe靶的位置，同时打开外接施加电压设备，对基底施加-30V电压，开始溅射CdTe薄膜，CdTe溅射条件为基底温度250°C，气体流速40sccm，腔室压强2Pa。当CdTe厚度为2 y m时，停止CdTe薄膜的制备。停止对基底加热，待基底温度降低到室温时，取出沉积了 CdS和CdTe薄膜的基底。在CdCl2蒸气气氛中，在400°C对CdTe进行处理40min。然后在CdCl2处理后的CdTe薄膜上蒸镀25nm厚的导电背电极。图6所示为本实施例得到的CdTe多晶薄膜的扫描电子显微镜的照片，大的晶粒基本为金字塔形状，大晶粒之间被小尺寸的晶粒填充，晶粒之间紧密排列，没有晶界缝隙，薄膜生长的很致密。实施例6在磁控溅射炉放置基底的位置上放上具有氟掺杂的ニ氧化锡透明导电薄膜的云·母基底，基底导电薄膜和外加电压设备通过导电的固定基底的探针相连，用万用表測量外加设备与基底之间的导电性，以确保二者能导通。盖上磁控溅射炉的盖子，对腔室内抽真空，对基底进行加热，加热到500°C，当背底真空到达9X10_3Pa，开始在具有导电薄膜的基底上溅射CdS多晶薄膜。CdS溅射条件为基底温度500°C，气体流速60SCCm，腔室压强5Pa。当CdS厚度为200nm时，停止CdS薄膜的制备。把基底转向正对CdTe靶的位置，同时打开外接施加电压设备，对基底施加-40V电压，开始溅射CdTe薄膜，CdTe溅射条件为基底温度500°C，气体流速60SCCm，腔室压强5Pa。当CdTe厚度为6 y m时，停止CdTe薄膜的制备。停止对基底加热，待基底温度降低到室温时，取出沉积了 CdS和CdTe薄膜的基底。把CdCl2饱和的甲醇溶液均匀滴在CdTe多晶薄膜上，在420°C对CdTe进行处理30min。然后在CdCl2处理后的CdTe薄膜上蒸镀50nm厚的导电背电极。实施例7在磁控溅射炉放置基底的位置上放上具有ニ氧化锡透明导电薄膜的TEC7玻璃，基底透明导电薄膜和外加电压设备通过导电的固定基底的探针相连，用万用表測量外加设备与基底之间的导电性，以确保二者能导通。盖上磁控溅射炉的盖子，对腔室内抽真空，同时对基底加热到250°C，当背底真空到达8X 10_4Pa，开始在具有导电薄膜的基底上溅射CdS多晶薄膜。CdS溅射条件为基底温度250°C，气体流速40SCCm，腔室压强0. 5Pa。当CdS厚度为IOOnm时，停止CdS薄膜的制备。把基底转向正对CdTe靶的位置，同时打开外接施加电压设备的电源，对基底施加-50V电压，开始溅射CdTe薄膜，CdTe溅射条件为基底温度250°C，气体流速40sccm，腔室压强0. 5Pa。当CdTe厚度为2 y m时，停止CdTe薄膜的制备。停止对基底加热，待基底温度降低到室温时，取出沉积了 CdS和CdTe薄膜的基底。把CdCl2饱和的甲醇溶液均匀滴在CdTe多晶薄膜上，在400°C对CdTe进行处理50min。然后在CdCl2处理后的CdTe薄膜上蒸镀25nm厚的导电背电极。图7所示为本实施例得到的CdTe多晶薄膜的扫描电子显微镜的照片，与图6相比，大晶粒金字塔形状基本不见，晶粒呈现为平面状形态，晶粒之间紧密排列，晶粒之间排列更加紧密，没有晶界缝隙。实施例8在磁控溅射炉放置基底的位置上放上具有ニ氧化锡透明导电薄膜的TEC15玻璃，基底导电薄膜和外加电压设备通过导电的固定基底的探针相连，用万用表測量外加设备与基底之间的导电性，以确保二者能导通。盖上磁控溅射炉的盖子，对腔室内抽真空，同时对基底加热到250°C，当背底真空到达9 X 10_4Pa，开始在具有导电薄膜的基底上溅射CdS多晶薄膜。CdS溅射条件为基底温度250°C，气体流速40SCCm，腔室压强3Pa。当CdS厚度为IOOnm时，停止CdS薄膜的制备。把基底转向正对于CdTe靶的位置，同时打开外接施加电压设备，对基底施加-100V电压，开始溅射CdTe薄膜，CdTe溅射条件为基底温度250°C，气体流速40SCCm，腔室压强2Pa。当CdTe厚度为2 y m时，停止CdTe薄膜的制备。停止对基底加热，待基底温度降低到室温时，取出沉积了 CdS和CdTe薄膜的基底。把CdCl2饱和的甲醇溶液均匀滴在CdTe多晶薄膜上，在400°C对CdTe进行处理43min。然后在CdCl2处理后的CdTe薄膜上蒸镀25nm厚的导电背电极。图8所示为本实施例得到的CdTe多晶薄膜的扫描电子显微镜的照片，与图7相比，晶粒的形状几乎没有变化，但是晶粒的尺寸明显变大，晶粒之间排列更加紧密，没有晶界缝隙。
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实施例9在磁控溅射炉放置基底的位置上放上具有ニ氧化锡透明导电薄膜的TEC15玻璃，基底导电薄膜和外加电压设备通过导电的固定基底的探针相连，用万用表測量外加设备与基底之间的导电性，以确保二者能导通。盖上磁控溅射炉的盖子，对腔室内抽真空，同时对基底加热到450°C，当背底真空到达9X 10_5Pa，开始在具有导电薄膜的基底上溅射CdS多晶薄膜。CdS溅射条件为基底温度450°C，气体流速40SCCm，腔室压强3Pa。当CdS厚度为IOOnm时，停止CdS薄膜的制备。把基底转向正对于CdTe靶的位置，同时打开外接施加电压设备的电源，对基底施加+IOV电压，开始溅射CdTe薄膜，CdTe溅射条件为基底温度450°C，气体流速40sccm，腔室压强2Pa。当CdTe厚度为2 y m时，停止CdTe薄膜的制备。停止对基底加热，待基底温度降低到室温时，取出沉积了 CdS和CdTe薄膜的基底。把CdCl2饱和的甲醇溶液均匀滴在CdTe多晶薄膜上，在380°C对CdTe进行处理30min。然后在CdCl2处理后的CdTe薄膜上蒸镀50nm厚的导电背电极。实施例10在磁控溅射炉放置基底的位置上放上具有ニ氧化锡透明导电薄膜的TEC7玻璃，基底导电薄膜和外加电压设备通过导电的固定基底的探针相连，用万用表測量外加设备与基底之间的导电性，以确保二者能导通。盖上磁控溅射炉的盖子，对腔室内抽真空，同时对基底加热到250°C，当背底真空到达9 X 10_5Pa，开始在具有导电薄膜的基底上溅射CdS多晶薄膜。CdS溅射条件为基底温度300°C，气体流速50SCCm，腔室压强2Pa。当CdS厚度为IOOnm时，停止CdS薄膜的制备。把基底转向正对CdTe靶的位置，同时打开外接施加电压设备，对基底施加-200V电压，开始溅射CdTe薄膜，CdTe溅射条件为基底温度300°C，气体流速50SCCm，腔室压强2Pa。当CdTe厚度为2 y m时，停止CdTe薄膜的制备。停止对基底加热，待基底温度降低到室温时，取出沉积了 CdS和CdTe薄膜的基底。把CdCl2饱和的甲醇溶液均匀滴在CdTe多晶薄膜上，在400°C对CdTe进行处理20min。然后在CdCl2处理后的CdTe薄膜上蒸镀25nm厚的导电背电极。
权利要求
1.一种制备CdTe多晶薄膜的方法，其特征在于，所述的制备方法包括以下步骤 1)在磁控溅射炉放置基片的位置放上具有透明导电薄膜的基底，通过导电的固定基片的探针，使基底透明导电薄膜和外加电压设备相连；然后关闭磁控溅射真空腔室，对腔室内抽真空，同时对基底进行加热； 2)当磁控溅射腔室的背底真空至少到达10_3Pa以下时，基底温度到达设定的温度时，开始在具有透明导电薄膜的基底上溅射CdS多晶薄膜；当CdS厚度到达设定的厚度时，停止CdS的生长，然后把基片转向到正对CdTe靶的位置，启动射频电源开始溅射CdTe薄膜，同时打开外接的施加电压的设备对基片施加偏压，直到CdTe的厚度达到预设的厚度；把外接的施加电压的设备关闭，同时停止CdTe薄膜的生长，停止对基底加热，随炉冷却。然后取出生长了 CdS和CdTe薄膜的基片； 3)在CdCl2气氛中对制备的CdS和CdTe薄膜进行退火处理；在CdCl2处理后的CdTe 薄膜上蒸镀导电背电极。
2.根据权利要求I所述的制备CdTe多晶薄膜的方法，其特征在于，所述的步骤2)中，对基底加热的温度范围为25°C到1100°C。
3.根据权利要求I所述的制备CdTe多晶薄膜的方法，其特征在于，所述的步骤2)的操作步骤为 当基底温度达到25°C -1100°C，通入高纯Ar气，气体流速5sccm-100sccm，腔室压强0. IPa-IOPa ;当基底上所溅射的CdS薄膜厚度为20nm-500nm时，停止CdS薄膜的制备；把基底转向正对CdTe靶的位置，开始溅射CdTe薄膜；CdTe薄膜的溅射条件为基底温度250C -1100°C，通入高纯Ar气，气体流速5sccm-100sccm，腔室压强0. IPa-IOPa ;对基底施加的偏压为+10疒-200V ;当基底上所溅射的CdTe厚度达到0.时，停止CdTe薄膜的制备。
4.根据权利要求I所述的制备CdTe多晶薄膜的方法，其特征在于，所述的步骤3)对所制备的CdS薄膜和CdTe薄膜进行CdCl2退火处理的操作步骤是在CdCl2气氛中，在 3500C _450°C对 CdTe 薄膜处理 5min_120min。
全文摘要
一种制备CdTe多晶薄膜的方法。其特征在于通过磁控溅射方法，对基片施加偏压，获得不同形貌的CdTe多晶薄膜，改善了晶粒尺寸、表面粗糙度、不同相组成、晶体的结晶质量。通过基片施加偏压，可以得到CdCl2退火处理前后均没有内应力的薄膜，CdCl2退火处理后，晶粒尺寸的大小得到了优化，明显提高了CdTe多晶太阳能电池的转化效率。
文档编号C23C14/35GK102787295SQ201210265539
公开日2012年11月21日 申请日期2012年7月27日 优先权日2012年7月27日
发明者刘向鑫, 李辉 申请人:中国科学院电工研究所