专利名称：一种射频法制备SiO<sub>2</sub>薄膜的方法
技术领域：
本发明涉及一种射频法制备SiO2薄膜的方法，属于SiO2薄膜制备和应用领域。
背景技术：
SiO2薄膜在工业、建筑、交通运输、医学、光学、宇航、能源等领域都有广泛的应用。在硼硅玻璃上涂覆SiO2减反射涂层可以提高太阳能转为热能的效率，例如槽式太阳能热发电系统是槽式抛物面聚光镜将太阳能聚焦在一条线上，在这条聚焦线上安装有管状热量吸收器(集热管)，用来吸收聚焦后的太阳辐射能。管内的流体被转化来的太阳能加热后，流经换热器加热工质，转化为高温高压的热蒸汽，在借助于蒸汽循环动力来发电。在这个系统中核心的部件是太阳能集热管，其罩管材料为高硼硅3. 3玻璃，通常，在太阳光穿过罩管的同时，会有近8%的光能被罩管反射掉，这部分太阳光不能被集热器利用。薄膜增透原理来源于光的干涉理论，如图I所示，对于正入射的光波，则在空气一膜和膜一元件两个界面上的反射光反相，因而反射光干涉相消，从而达到增透的效果。想要达到反射光干涉相消，则需要满足条件
权利要求
1.一种射频法制备SiO2薄膜的方法，为射频磁控溅射方法，包括射频溅射的步骤，其特征在于所述射频磁控派射步骤中采用下述エ艺參数射频功率I. 8KW,派射时间lOmin。
2.根据权利要求I所述的方法，其特征在于所述方法包括真空室抽真空的步骤，将真空室的真空度抽至6X 10_3Pa。
3.根据权利要求I所述的方法，其特征在于所述方法包括下述エ艺步骤 ①真空室抽真空将真空室的真空度抽至6X KT3Pa ； ②按照操作规则，加热，开转架； ③按照エ艺流程，送Ar气； ④采用射频溅射SiO2靶材在基体上沉积制备SiO2薄膜，エ艺參数为射频功率I.8KW，派射时间IOmin ； ⑤关闭射频电源功率输出开关，冷却。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于所述步骤①真空室抽真空步骤按下述方法进行打开水阀开关，并检查各个管路通水是否顺畅；打开机械泵；打开预抽阀，抽气抽至80Pa，打开罗茨泵，再抽气至5Pa，在抽气的过程中将分子泵的电源打开4飞分钟；关闭预抽阀，打开前级阀I分钟后，开高阀，开分子泵抽高至真空，抽至6X10_3Pa。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于所述SiO2薄膜厚度为14(Tl60nm。
6.根据权利要求Γ5所述的方法，其特征在于在射频磁控溅射步骤中采用的SiO2靶材包括进水ロ(23)，出水ロ(24)，固定螺栓(25)，磁铁(26)，压紧斜拉(27)，石英玻璃靶材(28),法兰盘(29)、石墨板(30)和水冷铜板(31)组成,石墨板(30)覆盖在水冷铜板(31)上面并与石英玻璃靶材(28 )相连接。
7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于所述基体为太阳能集热管玻璃罩管。
8.一种由权利要求7所述方法制备的太阳能集热管玻璃罩管。
9.根据权利要求8所述的太阳能集热管玻璃罩管，其特征在于所述太阳能集热管玻璃罩管上SiO2薄膜的厚度为14(Tl60nm。
全文摘要
本发明涉及一种射频法制备SiO2薄膜的方法，属于SiO2薄膜制备和应用领域。一种射频法制备SiO2薄膜的方法，为射频磁控溅射方法，包括射频溅射的步骤，所述射频磁控溅射步骤中采用下述工艺参数射频功率1.8KW，溅射时间10min。所得产品的反射率介于0.917-0.941之间，相比于普通玻璃基体反射率平均提高3%，是进一步提高太阳能真空集热器光热转换效率的一个有效途径。
文档编号C23C14/35GK102839349SQ20121033645
公开日2012年12月26日 申请日期2012年9月12日 优先权日2012年9月12日
发明者李剑锋 申请人:大连交通大学