专利名称：一种连续制备二维纳米薄膜的设备的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种二维纳米薄膜制备的设备,特别涉及一种连续制备二维纳米薄膜的设备。
背景技术：
石墨烯具有卓越的二维电学、光学、热学、力学性能以及化学稳定性，石墨烯在超快光电子器件、洁净能源、传感器等方面具有广泛的应用前景。电子在石墨烯中传输速度是硅的150倍，IBM等著名公司已经制备速度可达太赫兹的超快速光电子器件，美国加州大学利用石墨烯研制成光学调制解调器，有望将网速提高I万倍；全球每年半导体晶硅的需求量在2500吨左右，石墨烯如果替代十分之一的晶硅制成高端集成电路如射频电路，市场容量至少在5000亿元以上。因为石墨烯只有2. 3%的光吸收，这使石墨烯可用于制备光电子器件如显示器件、太阳能电池、触摸面板等的柔性透明电极，从而取代成本昂贵、资源稀少、不 可自由折叠的由铟为主要成分的ITO透明导电膜。据报道，2011年全球ITO透明导电膜的需求量在8500万-9500万片，这样，石墨烯替代ITO透明导电膜的发展空间巨大。由于石墨烯独特的电子传输特性，作为传感器，它具有单分子的敏感性；如果基于石墨烯的基因电子测序技术能够实现，人类全基因谱图测定的测序成本将由目前的约10万美元/人而大大降低到约1000美元/人，从而有助于生物医学的创新，有助于实现个性化的医疗保健。经过近几年的快速发展，石墨烯产品已经出现在触摸屏应用上。因此，石墨烯良好的商业价值和广阔的市场已经展现曙光，石墨烯材料的产业化将是对材料、信息、能源工业的一次革命性变革！除了石墨烯外，类石墨烯的新型二维纳米薄膜也具有其独特的光电子性能，具有广泛的应用前景。类石墨烯的新型二维纳米薄膜包括层状的过镀金属硫化物(transitionmetal dichalcogenides)、娃烯(silicene)、错烯(germanene)、氮化硼(boron nitride)
坐寸ο化学气相沉积法(CVD)以及碳偏析(surface segregation)法是目前大面积制备石墨烯薄膜的技术方法，采用这两种方法制备石墨烯薄膜的设备基本上都是石英管式炉[5bi<9/ c<9 324, 1312-1314 (2009) ; Nature Nano technology 5, 574 (2010) ; NanoLett. 11，297-303 (2011)]。但是石英管式炉仅具备在已有金属催化层上合成石墨烯薄膜的单一功能，不能实现对衬底材料的表面处理、在衬底上制备合成石墨烯所需的催化层、石墨烯薄膜合成的连续过程。并且，采用石英管式炉合成的石墨烯薄膜存在结构缺陷，导致电子传输性能较差，石英管式炉已经严重制约了二维纳米薄膜如石墨烯薄膜的应用。
发明内容针对现有技术的不足，本实用新型提供一种能够大面积连续制备新型二维纳米薄膜的设备，该设备具有结构简单、操作简单、安全性好等特点，采用该设备制备二维纳米薄膜的工艺简单、成本较低、制备出的薄膜具有优良的结构和性能。[0006]一种连续制备二维纳米薄膜的设备，包括进料腔室、样品制备腔室和出料腔室。所述的进料腔室、样品制备腔室和出料腔室均设有样品传送装置，样品通过样品传送装置可以从进料腔室传传输到样品制备腔室，从样品制备腔室传传输到出料腔室，以便实现二维纳米薄膜的连续制备；所述的样品传送装置包括滚轮、皮带轮和传送带中的任意一种或二种以上的组合。所述的进料腔室设有与大气相通的阀门，进料腔室与样品制备腔室之间设有阀门，样品制备腔室与出料腔室之间设有阀门，出料腔室设有与大气相通的阀门。所述的进料腔室、样品制备腔室和出料腔室中至少有一个腔室设有加热装置；力口热装置可以是电阻丝加热装置、红外加热装置、激光加热装置等。所述的进料腔室、样品制备腔室和出料腔室分别设有独立的抽真空装置，每一抽真空装置包括各种真空泵、真空管道、真空阀门、真空计等，通过抽真空装置可以使各腔室的真空度保持在常压至10, Pa之间。所述的进料腔室、样品制备腔室和出料腔室中的至少一个腔室设有一个或多个气体连接口，气体连接口可以是一种气体的连接口，气体连接口也可以与混气盒连接；混气盒的入口至少并联有两个或以上的气路，可使两种或以上的气体同时进入混气盒；每一个气路都设有质量流量计和电磁截止阀等，从而可以独立精确控制气体的流量；通入的气体可以选自惰性气体如氩气或氮气，还原性气体如氢气，氧化性气体如氧气，合成二维纳米薄膜所需的气态的前驱体如CH4, C2H4, C2H2, NH3, B3N3H6或乙醇的蒸汽等。所述的进料腔室、样品制备腔室和出料腔室中的至少一个腔室设有化学气相沉积系统，包括等离子体增强化学气相沉积系统和微波等离子化学气相沉积系统等；进料腔室、样品制备腔室或出料腔室中的任何一个腔室均可以与加热装置和气体连接口构成化学气相沉积系统。所述的进料腔室、样品制备腔室和出料腔室中的至少一个腔室设有物理气相沉积系统，所述的物理气相沉积系统为溅射靶薄膜沉积系统、电子枪沉积系统、离子枪沉积系统、离子注入沉积系统和热蒸镀系统中的任意一种或二种以上的组合。进料腔室、样品制备腔室或出料腔室中的任何一个腔室都可以既包括化学气相沉积系统，又包括物理气相沉积系统。所述的进料腔室、样品制备腔室或出料腔室中的至少一个腔室的温度控制在20 1600 0C ；作为优选，为了将热量集中在样品处，并减少向不需要热的地方传递，所述的进料腔室、样品制备腔室和出料腔室中的至少一个腔室的腔壁设有热屏蔽系统；作为优选，为了使设备安全稳定运转，所述的进料腔室、样品制备腔室和出料腔室中的至少一个腔室的腔壁设有冷却系统，冷却系统可以是双层水冷系统。作为优选，腔室内设有热屏蔽系统的腔室，同时此腔室的腔壁设有冷却系统。作为优选，本实用新型的连续制备二维纳米薄膜的设备还可以设有控制系统，所述的控制系统包括样品传输控制系统、气路控制系统、真空控制系统、阀门控制系统或温度控制系统中的任意一种或二种以上的组合。本实用新型的设备可用于生长包括石墨烯、过镀金属硫化物、硅烯、锗烯或氮化硼等二维纳米薄膜，依据所合成的二维纳米薄膜的不同，可以适当选择制备所需的固体、液体或气体等前驱体。作为优选，进料腔室作为表面处理腔室，样品制备腔室作为衬底、催化层和二维纳米薄膜的制备腔室，出料腔室作为降温腔室或二维纳米薄膜的再处理腔室；进料腔室设有等离子表面处理器，样品制备腔室设有薄膜沉积系统。连续制备二维纳米薄膜的基本过程包括将合成二维纳米薄膜所需的衬底材料或催化层放置在载料台架上，由样品传送装置经进料腔室传输到样品制备腔室，在样品制备腔室利用物理气相沉积或化学气相沉积方法制备二维纳米薄膜，然后将制备好的二维纳米薄膜由样品传送装置送到出料腔室。连续制备二维纳米薄膜的基本过程还包括将合成二维纳米薄膜所需的衬底或催化层放置在载料台架上由样品传送装置传输到进料腔室，在一定的气氛环境下，衬底材料或催化层先在进料腔室进行预处理，然后由样品传送装置将衬底或催化层传输到样品制备腔室；在样品制备腔室里利用物理气相沉积或化学气相沉积方法制备催化层、碳膜或者二维纳米薄膜；薄膜制备后可以由样品传送装置送到出料腔室进行热处理或进行表面优化处 理。本实用新型的设备具有连续制备二维纳米薄膜的特点，可以大面积、规模化制备如石墨烯、过镀金属硫化物、娃烯、锗烯或氮化硼等二维纳米薄膜，有助于实现二维纳米薄膜的规模化生产，促进二维纳米薄膜的应用。
图I是本实用新型的连续制备二维纳米薄膜设备的整体结构示意图，其中，样品制备腔室设有加热装置；图2是本实用新型的连续制备二维纳米薄膜设备的整体结构示意图，其中，样品制备腔室和出料腔室均设有加热装置，出料腔室设有热屏蔽系统和冷却系统，出料腔室设有一个混气盒连接口；图3是本实用新型的连续制备二维纳米薄膜设备的整体结构示意图，其中，进料腔室设有表面处理器，样品制备腔室设有气相沉积系统、加热装置、热屏蔽系统和冷却系统，出料腔室设有加热装置；图4是本实用新型的连续制备二维纳米薄膜设备的整体结构示意图，其中，进料腔室设有表面处理器和加热装置，样品制备腔室设有气相沉积系统、加热装置、热屏蔽系统和冷却系统，出料腔室设有加热装置；图5是本实用新型的连续制备二维纳米薄膜设备的整体结构示意图，其中，进料腔室设有表面处理器和加热装置，样品制备腔室设有气相沉积系统、加热装置、热屏蔽系统和冷却系统，出料腔室设有表面处理器、加热装置和冷却系统。图中所示I—滚轮，2—载料台架，4—进料腔室；5—第一表面处理器，6—第一加热装置，7 样品制备腔室，8 冷却系统，9 热屏蔽系统；11—第二加热装置，12—出料腔室，13——第二表面处理器；14——第三加热装置，15——皮带轮，16——气体阀门；[0036]17——气路管道，18——混气盒，20——传送带；21——第一气相沉积系统，22——第二气相沉积系统；31、32、33-阀门，40、41、42、43、44、45、46、47-气路；50、51、52——抽真空装置。
具体实施方式
为了更清楚地理解本实用新型和本实用新型所产生的技术效果，
以下结合附图对本实用新型作进一步详细说明。实施例I :参见图1，本实用新型的连续制备二维纳米薄膜的设备包括进料腔室4，样品制备腔室7，出料腔室12 ;整套设备在进料腔室4、样品制备腔室7和出料腔室12均设有传送样品的滚轮I ;进料腔室4设有与大气相通的阀门31，进料腔室4与样品制备腔室7之间设有阀门32，样品制备腔室7与出料腔室12之间设有阀门33，出料腔室12设有与大气相通的阀门34 ;通过滚轮与阀门将进料腔室4、样品制备腔室7和出料腔室12连接成一个整体。样品制备腔室7内设有第二加热装置11。进料腔室4设有抽真空装置50，样品制备腔室7设有抽真空装置51，出料腔室12设有抽真空装置52。进料腔室4设有一个气体连接口 40，样品制备腔室7设有两个气体连接口 41、42，出料腔室12设有一个气体连接口 43。为了精确控制气体的流量，每个气体连接口连有质量流量计而控制各气体的流量，每个质量流量计的两端各设有一个电磁截止阀，电磁截止阀和质量流量计通过管路与气体连接口相连接。样品制备腔室7、第二加热装置11和气体连接口 41、42构成了一个化学气相沉积系统。连续制备二维纳米薄膜的基本过程是将合成二维纳米薄膜所需的衬底材料和/或催化层材料放置在载料台架2上，由滚轮I经进料腔室4传输到样品制备腔室7，在样品制备腔室7利用化学气相沉积方法制备二维纳米薄膜，样品制备后由滚轮I送到出料腔室12。实施例2 参见图2，本实用新型的连续制备二维纳米薄膜的设备包括进料腔室4，样品制备腔室7，出料腔室12 ;整套设备在进料腔室4、样品制备腔室7和出料腔室12均设有传送样品的皮带轮15 ;进料腔室4设有与大气相通的阀门31，进料腔室4与样品制备腔室7之间设有阀门32，样品制备腔室7与出料腔室12之间设有阀门33，出料腔室12设有与大气相通的阀门34 ;通过皮带轮与阀门将进料腔室4，样品制备腔室7和出料腔室12连接成一个整体。样品制备腔室7内设有第二加热装置11，出料腔室12设有第三加热装置14。由于出料腔室12的腔室的温度可能会高达数百度甚至上千度，为了提高对热量的利用，腔室内设有热屏蔽系统9、并且腔壁设有冷却系统8以防腔壁过热。进料腔室4设有抽真空装置50，样品制备腔室7设有抽真空装置51，出料腔室12设有抽真空装置52。[0053]进料腔室4设有一个气体连接口 40，样品制备腔室7设有一个气体连接口 41，出料腔室12设有一个气体连接口 43和一个混气盒18，混气盒18的入口并联两个气体连接口46,47 ;每个气体连接口连有质量流量计而控制各气体的流量，每个质量流量计的两端各设有一个电磁截止阀，电磁截止阀和质量流量计通过管路与混气盒或气体连接口相连接，从而可以精确控制气体的流量。出料腔室12、第三加热装置14和气体连接口 43以及混气盒18构成一个化学气相沉积系统。连续制备二维纳米薄膜的基本过程是将合成二维纳米薄膜所需的衬底材料和/或催化层材料放置在载料台架2上，由皮带轮15经进料腔室4传输到样品制备腔室7，衬底/催化层在样品制备腔室7进行热处理，然后由皮带轮15传送到出料腔室12，利用化学气相沉积方法制备二维纳米薄膜，二维纳米薄膜制备后由皮带轮样品传送装置传送到出料腔室12外。实施例3 参见图3，本实用新型的连续制备二维纳米薄膜的设备包括进料腔室4，样品制备腔室7，出料腔室12 ;整套设备在进料腔室4、样品制备腔室7和出料腔室12均设有传送样品的滚轮I ;进料腔室4设有与大气相通的阀门31，进料腔室4与样品制备腔室7之间设有阀门32，样品制备腔室7与出料腔室12之间设有阀门33，出料腔室12设有与大气相通的阀门34 ;通过滚轮与阀门将进料腔室4，样品制备腔室7和出料腔室12连接成一个整体。进料腔室4内设有第一表面处理器5，样品制备腔室7内设有第二加热装置11，出料腔室12设有第三加热装置14。样品制备腔室7设有两个气相沉积系统第一气相沉积系统21和第二气相沉积系统22，可以是物理气相系统和化学气相沉积系统的任意组合。所述的第一气相沉积系统或第二气相沉积系统为物理气相沉积系统，包括溅射靶薄膜沉积系统、电子枪沉积系统、离子枪沉积系统、离子注入沉积系统和热蒸镀系统中的任意一种或二种以上的组合；第一气相沉积系统或第二气相沉积系统也可以是化学气相沉积系统，包括等离子体增强化学气相沉积系统和微波等离子化学气相沉积系统中的任意一种或二种以上的组合。由于样品制备腔室7的温度可能会高达数百度甚至上千度，这样为了将热量集中在所需的地方，并减少向不需要热的地方传递，样品制备腔室内设有热屏蔽系统9，同时腔壁设有冷却系统8，冷却系统可以是双层水冷系统。进料腔室4设有抽真空装置50，样品制备腔室7设有抽真空装置51，出料腔室12设有抽真空装置52。进料腔室4设有一个气体连接口 40，出料腔室12设有一个气体连接口 43 ;样品制备腔室7设有两个气体连接口，其中一个连接口为41，另一个连接口与混气盒18相连，混气盒18的入口并联三个气体连接口 42、44和45 ;为了精确控制气体的流量，每个气体连接口连有质量流量计而控制各气体的流量，每个质量流量计的两端各设有一个电磁截止阀，电磁截止阀和质量流量计通过管路与混气盒或气体连接口相连接。连续制备二维纳米薄膜的基本过程是将合成二维纳米薄膜所需的衬底材料放置在载料台架2上由滚轮I传输到进料腔室4，在一定的气氛环境下，衬底材料在进料腔室4进行预处理，然后由滚轮I将衬底材料传输到样品制备腔室7 ;在样品制备腔室7内的第一气相沉积系统21中利用物理气相沉积方法如电子枪沉积制备催化层，然后在第二气相沉积系统22中利用另一种物理气相沉积方法如离子注入法往催化层中注入二维纳米材料的前驱体，之后被传送到出料腔室12 ;在出料腔室12，对注入有二维纳米材料的前驱体的样品进行处理而形成二维纳米薄膜。实施例4 参见图4，本实用新型的连续制备二维纳米薄膜的设备包括进料腔室4，样品制备腔室7，出料腔室12 ;整套设备在进料腔室4、样品制备腔室7和出料腔室12均设有传送样品的滚轮I ;进料腔室4设有与大气相通的阀门31，进料腔室4与样品制备腔室7之间设有阀门32，样品制备腔室7与出料腔室12之间设有阀门33，出料腔室12设有与大气相通的阀门34 ;通过滚轮与阀门将进料腔室4，样品制备腔室7和出料腔室12连接成一个整体。进料腔室4内设有第一表面处理器5和第一加热装置6,样品制备腔室7内设有第 二加热装置11，出料腔室12设有第三加热装置14。样品制备腔室7设有第一气相沉积系统21,所述的第一气相沉积系统为物理气相沉积系统或/和化学气相沉积系统，所述的物理气相沉积系统包括溅射靶薄膜沉积系统、电子枪沉积系统、离子枪沉积系统、离子注入沉积系统和热蒸镀系统中的任意一种或二种以上的组合；所述的化学气相沉积系统包括等离子体增强化学气相沉积系统和微波等离子化学气相沉积系统等；物理气相沉积系统与化学气相沉积系统可以任意组合。由于样品制备腔室7的温度可能会高达数百度甚至上千度，这样为了将热量集中在所需的地方，并减少向不需要热的地方传递，样品制备腔室内设有热屏蔽系统9，同时腔壁设有冷却系统8，冷却系统可以是双层水冷系统。进料腔室4设有抽真空装置50，样品制备腔室7设有抽真空装置51，出料腔室12设有抽真空装置52。进料腔室4设有一个气体连接口 40，出料腔室12设有一个气体连接口 43，样品制备腔室7设有两个气体连接口 41、42，每个气体连接口连有质量流量计而控制各气体的流量，每个质量流量计的两端各设有一个电磁截止阀，电磁截止阀和质量流量计通过管路与气体连接口相连接。出料腔室12、出料腔室加热装置14以及气体连接口 43构成化学气相沉积系统。连续制备二维纳米薄膜的基本过程是将合成二维纳米薄膜所需的衬底材料放置在载料台架2上由滚轮I传输到进料腔室4，在一定的气氛环境下与温度下，衬底材料在进料腔室4进行预处理，然后由滚轮I将衬底材料传输到样品制备腔室7 ;在样品制备腔室7内利用物理气相沉积方法或/和化学气相沉积方法制备催化层，然后传送到出料腔室12，在出料腔室12采用化学气相沉积方法制备二维纳米薄膜。实施例5 参见图5，本实用新型的连续制备二维纳米薄膜的设备包括进料腔室4，样品制备腔室7，出料腔室12 ;整套设备在进料腔室4、样品制备腔室7和出料腔室12均设有样品传送带20 ;进料腔室4设有与大气相通的阀门31，进料腔室4与样品制备腔室7之间设有阀门32，样品制备腔室7与出料腔室12之间设有阀门33，出料腔室12设有与大气相通的阀门34 ;通过传送带与阀门将进料腔室4，样品制备腔室7和出料腔室12连接成一个整体。[0076]进料腔室4内设有第一表面处理器5和第一加热装置6,样品制备腔室7内设有第二加热装置11，出料腔室12设有第二表面处理器13和第三加热装置14。样品制备腔室7设有第一气相沉积系统21,所述的第一气相沉积系统为物理气相沉积系统或/和化学气相沉积系统，所述的物理气相沉积系统包括溅射靶薄膜沉积系统、电子枪沉积系统、离子枪沉积系统、离子注入沉积系统和热蒸镀系统中的任意一种或二种以上的组合；所述的化学气相沉积系统包括等离子体增强化学气相沉积系统和微波等离子化学气相沉积系统等；物理气相沉积系统与化学气相沉积系统可以任意组合。样品制备腔室7内设有热屏蔽系统9以减少热量向不需要的地方传递，腔壁设有冷系统8以免腔壁过热。由于高温的存在，出料腔室12设有冷却系统8。进料腔室4设有抽真空装置50，样品制备腔室7设有抽真空装置51，出料腔室12 设有抽真空装置52。进料腔室4设有一个气体连接口 40，出料腔室12设有一个气体连接口 43 ;样品制备腔室7设有两个气体连接口，其中一个连接口为41，另一个连接口与混气盒18相连，混气盒18的入口并联三个气体连接口 42、44和45 ;为了精确控制气体的流量，每个气体连接口连有质量流量计而控制各气体的流量，每个质量流量计的两端各设有一个电磁截止阀，电磁截止阀和质量流量计通过管路与混气盒或气体连接口相连接。进料腔室4、加热装置6与气体连接口 40构成化学气相沉积系统；出料腔室12、力口热装置14与气体连接口 43构成化学气相沉积系统。连续制备二维纳米薄膜的基本过程是将合成二维纳米薄膜所需的衬底材料放置在载料台架2上由传送带20传输到进料腔室4，在一定的气氛环境与温度下，衬底材料在进料腔室4进行预处理，然后由传送带20将衬底材料传输到样品制备腔室7 ;在样品制备腔室7内利用物理气相沉积方法或/和化学气相沉积方法制备催化层，然后采用化学气相沉积方法制备二维纳米薄膜；制备好的二维纳米薄膜被样品传送装置传送到出料腔室12，在出料腔室12可以对其进行表面处理。虽然已经明确展示且参考本实用新型的示范性实施例描述了本实用新型，但所属领域的技术人员将了解，可在不脱离有所附权利要求书界定的本实用新型的精神和范围的情况下，对本文作各种形式上和细节上的改变。
权利要求1.一种连续制备二维纳米薄膜的设备，包括进料腔室(4)，样品制备腔室(7)，出料腔室(12)，其特征在于 所述的进料腔室(4)、样品制备腔室(7)和出料腔室(12)均设有样品传送装置； 所述的进料腔室(4)设有与大气相通的阀门(31)，进料腔室(4)与样品制备腔室(7)之间设有阀门(32)，样品制备腔室(7)与出料腔室(12)之间设有阀门(33)，出料腔室(12)设有与大气相通的阀门(34)； 所述的进料腔室(4)、样品制备腔室(7)和出料腔室(12)中至少有一个腔室设有加热装置； 所述的进料腔室(4)、样品制备腔室(7)和出料腔室(12)分别连接独立的抽真空装置； 所述的进料腔室(4)、样品制备腔室(7)和出料腔室(12)中的至少一个腔室设有一个或多个气体连接口。
2.根据权利要求I所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的进料腔室(4)、样品制备腔室(7)和出料腔室(12)中的至少一个腔室设有化学气相沉积系统。
3.根据权利要求I所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的进料腔室(4)、样品制备腔室(7)和出料腔室(12)中的至少一个腔室设有物理气相沉积系统。
4.根据权利要求3所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的物理气相沉积系统为溅射靶薄膜沉积系统、电子枪沉积系统、离子枪沉积系统、离子注入沉积系统和热蒸镀系统中的任意一种或二种以上的组合。
5.根据权利要求I所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的进料腔室(4)、样品制备腔室(7)和出料腔室(12)中的至少一个腔室的温度控制在20 1600 °C。
6.根据权利要求I所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的进料腔室(4)、样品制备腔室(7)和出料腔室(12)中的至少一个腔室的腔壁设有冷却系统(8)。
7.根据权利要求I所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的进料腔室(4)、样品制备腔室(7)和出料腔室(12)中的至少一个腔室内设有热屏蔽系统(9)。
8.根据权利要求I所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于它还设有控制系统，所述的控制系统包括样品传送控制系统、气路控制系统、真空控制系统、阀门控制系统或温度控制系统中的任意一种或二种以上的组合。
9.根据权利要求I所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的样品传送装置包括滚轮、皮带轮和传送带中的任意一种或二种以上的组合。
10.根据权利要求I所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的二维纳米薄膜包括石墨烯、过镀金属硫化物、硅烯、锗烯或氮化硼。
专利摘要本实用新型公开了一种连续制备二维纳米薄膜的设备，包括进料腔室、样品制备腔室、出料腔室等；各腔室之间设有阀门，样品通过滚轮或传送带等样品传送装置实现在各腔室之间传输；各腔室分别连接独立的抽真空装置和气体管道；样品制备腔室设有物理气相沉积系统如溅射靶薄膜沉积系统、热蒸镀系统、电子枪沉积系统、离子注入沉积系统或化学气相沉积系统等；进料腔室可设有加热装置或等离子体等表面处理的系统，出料腔室可设有加热装置等；整台设备设有自动化控制系统以控制腔室之间的阀门的开关，样品的传输，真空系统的运转，气体流量的控制等。利用本设备，可以采用不同的技术方法制备二维纳米薄膜包括石墨烯、过镀金属硫化物、硅烯、锗烯或氮化硼等。本设备结构简单、工作可靠，可大面积地连续制备均匀的石墨烯、过镀金属硫化物、硅烯、锗烯或氮化硼等二维纳米薄膜，适合于二维纳米薄膜的产业化制备。
文档编号C23C14/22GK202558924SQ20122014373
公开日2012年11月28日 申请日期2012年4月2日 优先权日2012年4月2日
发明者徐明生 申请人:徐明生