专利名称：薄膜形成装置的制作方法
技术领域：
薄膜形成装置技术领域[0001]本实用新型涉及薄膜形成装置，特别涉及具备离子辅助设备的薄膜形成装置。
背景技术：
[0002]以往，已知如下技术:在进行离子辅助镀膜的薄膜形成装置中，将用于提高离子辅助镀膜效果的离子源配置在薄膜形成装置的向外周侧偏移的位置，而并非配置在薄膜形成装置的中心位置(专利文献I)。[0003]专利文献1:国际公开号W02010/018876[0004]在专利文献I中，将离子源配置在外周侧，但是并未解决由用作蒸镀构件的电子枪所产生的高能量的电子进入离子源等、离子源与电子枪的干涉的问题。即，如图4所示，在离子源与电子枪的配置中，若电子枪的朝向或者离子源的朝向为任意则会产生不良情况。即，在图4所示的情况下，存在着因由电子枪产生的高能量的电子进入离子源而使离子源的动作变得不稳定的问题点。实用新型内容[0005]本实用新型的目的在于提供一种薄膜形成装置，该薄膜形成装置具备离子源，其中，电子枪、离子源都不会因彼此发出的电子而发生干涉，从而薄膜形成装置能够稳定地动作。[0006]上述课题根据本实用新型的薄膜形成装置，通过下述方式解决，S卩，该薄膜形成装置在真空容器内使蒸镀物质蒸镀至基体，其中，所述薄膜形成装置具备:基体保持构件，所述基体保持构件配设在所述真空容器内，用于保持多个所述基体；旋转构件，所述旋转构件用于使所述基体保持构件旋转；至少一个蒸镀构件，所述蒸镀构件具备与所述基体对置设置的电子枪和用于收纳蒸镀物质的坩埚；以及离子源，所述离子源对所述基体照射离子，对于所述离子源，使从电子枪的灯丝朝向坩埚的线为水平线并将其作为基准线，使所述离子源的电极位于相对于该基准线呈±45°的范围以外的位置，且所述离子源配置成，使得所述离子源的电极中心与用于使所述基体保持构件旋转的旋转构件之间的水平距离(L)相对于所述基体保持构件的直径(D)的比(L/D)在0.3以上、0.5以下的范围。[0007]此时，优选还具备中和器，所述中和器对所述基体照射电子。[0008]根据本实用新型，能够提供一种薄膜形成装置，其具备离子源，其中，电子枪、离子源都不会因彼此发出的电子而发生干涉，从而薄膜形成装置能够稳定地动作。
图1是本实用新型的实施方式涉及的薄膜形成装置的概要平面配置图。[0010]图2是本实用新型的实施方式涉及的薄膜形成装置的概要平面配置图。[0011]图3是本实用新型的实施方式涉及的薄膜形成装置的概要结构图。[0012]图4是现有技术的与图1相当的概要平面配置图。[0013]标号说明[0014]1:薄膜形成装置；[0015]10:真空容器；[0016]20:基体保持器；[0017]21:旋转构件；[0018]30:蒸镀源；[0019]31:闸板;[0020]40:电子枪；[0021]50:离子源；[0022]51:闸板；[0023]52:连接件；[0024]60:中和器；[0025]K:基体。
具体实施方式
[0026]下面，对本实用新型涉及的薄膜形成装置进行说明。另外，下面说明的部件及其结构等当然并不是对本实用新型进行限定，能够按照本实用新型的主旨进行各种改变。而且，形成薄膜的基体包括基板。[0027]图1和图2是本实用新型的一个实施方式的薄膜形成装置I的概要平面配置图，图3是薄膜形成装置的概要结构图。薄膜形成装置I是具备离子辅助设备的薄膜形成装置，在纵向放置的圆筒状的真空容器10的内部的上方保持有基体保持器20。在真空容器10内部的下方配设有作为蒸镀构件的蒸镀源30和电子枪40。而且，产生离子束(气体离子)的离子源50和中和器60配设在真空容器10内部的侧面侧。[0028]真空容器10是在公知的成膜装置中通常采用的具有大致圆筒形状的不锈钢制的容器，并且处于接地电位。[0029]在真空容器10设有未图示的排气口，并且真空容器10经由排气口 10而与未图示的真空泵连接。而且，在真空容器10形成有用于向内部导入气体的气体导入管(未图示)。通过未图示的排气构件以使真空容器10的内侧成为预定的压力(例如大约3X 10_2 10_4Pa)的方式对真空容器1 0的内侧进行排气。[0030]基体保持器20是以能够绕垂直轴线旋转的方式保持在真空容器10内的上侧的、形成为拱顶状的不锈钢制的部件。旋转构件21与未图示的马达的输出轴连接。在基体保持器20的下表面，以成膜面朝下的方式支承有多个基体K。另外，基体保持器20是权利要求中的基体保持构件。[0031]本实施方式的基体K是在表面通过成膜而附着电介质膜或吸收膜的树脂(例如，聚酰亚胺)或者石英等具有透光性的部件。在本实施方式中，采用圆板状的部件作为基体K，但形状并不限定于此，只要是能够在表面形成薄膜，例如也可以是透镜形状、圆筒状、圆环状之类的其他形状。[0032]蒸镀构件具备:电子枪40，其至少配设有一个，并与基体K对置设置；和作为蒸镀源30的坩埚，其用于收纳蒸镀物质。在真空容器10内的下侧，在圆形的旋转容器中配设有多个蒸镀源30即坩埚，在所述蒸镀源30的上方安装有能够开闭操作的闸板31。闸板31由未图示的控制器适当进行开闭控制。[0033]在本实用新型中，在以从电子枪40的灯丝(filament)朝向蒸镀源(坩埚)30的线为基准X的情况下，使后述的离子源50位于不进入相对于所述基准X的±45°的范围以内的位置。[0034]电子枪40对灯丝通电而进行加热，使热电子放出，用磁场(永久磁铁或电磁铁)使飞出的电子束偏向，并照射到坩埚内的蒸发物质。进而，用从电子枪40的灯丝向坩埚发射的电子束加热位于坩埚内的高折射率物质或低折射率物质并向基体K放出。这些结构采用公知的结构。[0035]在本实施方式中成膜的薄膜是交替层叠高折射率物质和低折射率物质而成膜的，但对于由一种或者多种蒸发物质构成的成膜也能够应用本实用新型，在该情况下，可以适当改变蒸镀源的数量和配置。另外，在本实施方式中制作的薄膜还可以应用于短波通滤光片(SWPF)、红外截止滤光片、带通滤光片、ND滤光片等薄膜器件。[0036]离子源50具备:离子源主体，其具有电极并照射离子；连接部(连接件52)，其用于将离子源主体设置在真空容器10 ;以及真空导入部(未图示的凸缘)，其用于至少将作为所照射的离子的原料的气体导入真空容器10的内部。真空导入部除了气体以外，还具备作为用于导入电力、冷却水的馈通部分的功能。离子源50用于向基体K放出离子束(ionbeam),从反应气体(例如，O2)或稀有气体(例如Ar)的等离子体引出带电的离子(02+，Ar+)并利用加速电压加速射出。而且，在离子源50的上方安装有能够通过未图示的控制器适当进行开闭控制的闸板51。离子源50采用公知的结构。[0037]中和器60用于向基体K放出电子(e_)，其从Ar、02等气体的等离子体诱导出电子，并通过加速电压加速而放出电子。利用从此射出的电子将附着在基体K表面的离子中和。在本实施方式涉及的薄膜形成装置I中，中和器60与离子源50隔开预定距离地配设。中和器60的安装位置只要是能够向基体K照射电子来进行中和的位置即可。[0038]接着，对本实用新型的特征即离子源50的安装位置进行说明。[0039]离子源50通过作为连接部的连接件52安装在真空容器10的侧面。并且，离子源50的电极部位于以从构成蒸镀构件的电子枪40的灯丝朝向蒸镀源(坩埚)30的线为基准X的±45°的范围以外的位置，且配置成使得离子源50的电极中心与使基体保持构件旋转的旋转构件21的中心 C之间的水平距离(L)相对于基体保持器20的直径(D)的比(L/D)在0.3以上、0.5以下的范围。[0040]另外，在本实施方式中，离子源50配设在真空容器10的侧面侧，但只要是满足上述离子源50的配置的位置，也可以设于底面。[0041]离子源50的安装位置并不限定于真空容器10的侧面的位置，也可以是，通过连接件配置在真空容器10的从侧面的壁面离开的位置。连接件还能够在真空容器10的半径方向调整离子源50的位置，因此能够容易地达到适当的配置。[0042]在本实用新型中，安装有中和器60。中和器60的安装位置只要是能够向基体K照射电子来进行中和的位置即可。但是，通过将中和器60配置在靠近基体保持器20的位置，能够向附着有从离子源50照射的离子的基体K的区域准确地照射电子。[0043]而且，将中和器60配置在与离子源50离开预定距离的位置的话，与从离子源50向基体K移动过程中的离子直接反应的情况减少，能够高效地中和基体K的电荷。因此，与现有的薄膜形成装置相比，即使施加于中和器60的电流值为较低的值，也能够适当地对基体K进行中和。例如，在高折射率膜和低折射率膜等电介质膜的成膜时，能够向基体K表面供给足够的电子，因此，在基体K上不易作用对氧离子的静电斥力，氧离子容易向基体K飞出。其结果是，能够 使高折射率膜和低折射率膜等电介质膜完全氧化。
权利要求1.一种薄膜形成装置，所述薄膜形成装置在真空容器内使蒸镀物质蒸镀至基体，其特征在于， 所述薄膜形成装置具备: 基体保持构件，所述基体保持构件配设在所述真空容器内，用于保持多个所述基体； 旋转构件，所述旋转构件用于使所述基体保持构件旋转； 至少一个蒸镀构件，所述蒸镀构件具备与所述基体对置设置的电子枪和用于收纳蒸镀物质的坩埚；以及 离子源，所述离子源对所述基体照射离子， 对于所述离子源，使从电子枪的灯丝朝向坩埚的线为水平线并将其作为基准线，使所述离子源的电极位于相对于该基准线呈±45°的范围以外的位置，且所述离子源配置成，使得所述离子源的电极中心与用于使所述基体保持构件旋转的旋转构件的中心之间的水平距离L相对于所述基体保持构件的直径D的比L/D在0.3以上、0.5以下的范围。
2.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于， 所述薄膜形成装置还具 备中和器，所述中和器向所述基体照射电子。
专利摘要本实用新型提供一种薄膜形成装置，其具备离子源，其中，电子枪、离子源都不会因彼此发出的电子而发生干涉，从而能够稳定地动作。对于离子源，使从电子枪的灯丝朝向坩埚的线为水平线并将其作为基准线，使所述离子源的电极部位于相对于基准线呈±45°的范围以外的位置，且所述离子源配置成，所述离子源的电极中心与使所述基体保持构件旋转的旋转构件的中心之间的水平距离(L)相对于所述基体保持构件的直径(D)的比(L/D)在0.3以上、0.5以下的范围。
文档编号C23C14/30GK203080057SQ20122069421
公开日2013年7月24日 申请日期2012年12月14日 优先权日2012年12月14日
发明者林达也, 姜友松, 佐藤望, 盐野一郎, 长江亦周 申请人:株式会社新柯隆