氧化硅膜的制造方法
氧化硅膜的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种氧化硅膜的制造方法。在该方法中，将在表面具有金属膜的基板设置在反应容器内，在设置了所述基板之后，利用氢气供给部件开始向所述反应容器内供给氢气。在供给氢气之后，利用氧化气体供给部件开始向所述反应容器内供给氧化气体，并且利用含硅气体供给部件开始向所述反应容器内供给含硅气体。
【专利说明】氧化硅膜的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种氧化硅膜的制造方法。
【背景技术】
[0002]作为半导体集成电路(1(^ 1111:6取'￡11:6(1 011-01111:)等半导体装置的绝缘膜，广泛使用氧化硅膜，一直以来就在研究在晶圆表面上形成氧化硅膜的方法。
[0003]例如在日本特开2007 — 42884号公报中公开了一种氧化娃膜的成膜方法:使用立式的圆筒状的反应容器，向该反应容器内输入已保持有多张半导体晶圆的晶圆舟皿，将反应容器内设为真空，在加热之后，同时供给7203气体、氧气、氢气。
[0004]但是，当利用日本特开2007 — 42884号公报所公开的氧化硅膜的成膜方法于在表面具有金属膜的基板(晶圆)上形成氧化硅膜时，存在以下问题:金属膜表面被氧化，由金属膜的氧化引起的体积膨胀使得金属膜的形状发生变化，电阻劣化。
【发明内容】
[0005]本发明鉴于上述现有技术所存在的问题，目的在于提供一种能够抑制形成于基板表面的金属膜的氧化的氧化硅膜的制造方法。
[0006]为了解决上述问题，本发明提供一实施方式的氧化硅膜的制造方法。在该方法中，将在表面具有金属膜的基板设置在反应容器内，在设置了所述基板之后，利用氢气供给部件开始向所述反应容器内供给氢气，在将氢气供给到所述反应器内之后，利用氧化气体供给部件开始向所述反应容器内供给氧化气体，并且利用含硅气体供给部件开始向所述反应容器内供给含硅气体。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1是表示适合于实施本发明的实施方式的氧化硅膜的制造方法的成膜装置的首丨】视图。
[0008]图2是表示图1的成膜装置的反应容器内的结构的立体图。
[0009]图3是表示图1的成膜装置的反应容器内的结构的概略俯视图。
[0010]图4八和图48是图1的成膜装置的气体喷嘴和喷嘴罩的结构图。
[0011]图5是图1的成膜装置的局部剖视图。
[0012]图6是图1的成膜装置的其他局部剖视图。
[0013]图7是本发明的实施方式的氧化硅膜的制造方法的处理流程图。
[0014]图8是说明本发明的实施方式的氧化硅膜的制造方法的时序图。
[0015]图9是表示在本发明的实施例、比较例中在具有钨膜的基板上形成了氧化硅膜时产生了的氧化钨层的厚度的图表。
【具体实施方式】
[0016]以下，一边参照添加的附图，一边说明本发明的非限定性的例示的实施方式。在添加的所有附图中，对相同或对应的构件或零件标注相同或对应的附图标记，并省略重复说明。另外，附图并不是以表示构件或零件之间的相对比例为目的，因而，应该对照以下非限定性的实施方式由本领域技术人员来确定具体的尺寸。
[0017](成膜装置)
[0018]首先，使用【专利附图】
【附图说明】适合于实施本发明的本实施方式的氧化硅膜的制造方法的成
膜装置。
[0019]图1是适合于实施本实施方式的氧化硅膜的制造方法的成膜装置的一例的剖视图，图2是适合于实施本实施方式的氧化硅膜的制造方法的成膜装置的一例的立体图。另夕卜，图3是适合于实施本实施方式的氧化硅膜的制造方法的成膜装置的一例的概略俯视图。
[0020]参照图1?图3，该成膜装置包括具有大致圆形的俯视形状的扁平的反应容器(腔室)1和设于该反应容器1内、并在反应容器1的中心具有旋转中心的旋转台2。此时，反应容器1能够设为真空容器。反应容器1包括具有有底的圆筒形状的容器主体12和以能够借助例如0形密封圈等密封构件13(图1)相对于容器主体12的上表面气密地装卸的方式配置的顶板11。
[0021]旋转台2在中心部固定于圆筒形状的芯部21，该芯部21固定于沿铅垂方向延伸的旋转轴22的上端。旋转轴22贯穿反应容器1的底部14，旋转轴22的下端安装于使旋转轴22(图1)绕铅垂轴线旋转的驱动部23。旋转轴22和驱动部23收纳于上表面开口的筒状的壳体20内。该壳体20的设于其上表面的凸缘部分气密地安装于反应容器1的底部14的下表面，而维持着壳体20的内部气氛与外部气氛之间的气密状态。
[0022]在旋转台2的表面上，如图2和图3所示沿着旋转方向(周向)设有用于载置多个(在图示的例子中为5张)作为基板的半导体晶圆(以下称作“晶圆”)？的圆形状的凹部24。另外，在图3中，为了方便而仅在1个凹部24上示出了晶圆I。该凹部24具有比晶圆评的直径(例如300111111)稍微大例如大4臟的内径和与晶圆评的厚度大致相等的深度。因而，若将晶圆I载置于凹部24，晶圆I的表面与旋转台2的表面(未载置有晶圆I的区域)成为相同的高度。
[0023]图2和图3是说明反应容器1内的结构的图，为了便于说明，省略了顶板11的图示。如图2和图3所示，在旋转台2的上方分别配置有例如由石英构成的第1气体喷嘴31、第2气体喷嘴321、322以及分离气体喷嘴41、42。在图示的例子中，在反应容器1的周向上隔开间隔地自输送口 15(后述)绕顺时针(旋转台2的旋转方向)依次排列有分离气体喷嘴41、第1气体喷嘴31、分离气体喷嘴42以及第2气体喷嘴321、322。这些喷嘴31、321、322,41及42的作为各自的基端部的气体导入部31^321^322^4121及423(图3)固定于容器主体12的外周壁，这些喷嘴31、321、322、41及42从反应容器1的外周壁被导入到反应容器1内。而且，以使喷嘴沿着容器主体12的半径方向相对于旋转台2平行地延伸的方式进行安装。
[0024]在本实施方式的氧化硅膜的制造方法中，能够从第2气体喷嘴321、322供给氢气和氧化气体。作为氧化气体，并不特别限定，但是优选使用例如含有氧气和/或臭氧气体的气体。因此，如图2、图3所示，设置两个第2气体喷嘴321、322，能够构成为从一个第2气体喷嘴321供给氢气、而从另一个第2气体喷嘴322供给氧气和丨或臭氧气体。此时，供给氢气、氧气和/或臭氧气体的喷嘴中的任一者皆可配置在旋转台的旋转方向的上游侧。即，也可以从一个第2气体喷嘴321供给氧气和/或臭氧气体，从另一个第2气体喷嘴322供给氢气。在如此设置两个第2气体喷嘴321、322的情况下，优选的是，第2气体喷嘴321与第2气体喷嘴322如图2、图3所示那样以相邻并且两者相互大致平行的方式配置，但是并不限定于该方式。例如，第2气体喷嘴321与第2气体喷嘴322也能够分开配置。
[0025]另外，在此，示出设置了两个第2气体喷嘴的例子，但是并不限定于该方式。例如，也能够设为设置1个第2气体喷嘴、并在该气体喷嘴与氢气的供给源和氧化气体的供给源之间设置了混合器等的结构。在该情况下，从氢气供给开始步骤到氧化气体供给开始步骤，能够从第2气体喷嘴仅供给氢气，在氧化气体供给开始步骤之后，能够从第2气体喷嘴供给氢气与氧化气体的混合气体。
[0026]另外，在后述的第2处理区域？2的面积较大的情况下，为了向第2处理区域？2内供给足够量的氢气和氧化气体，也可以设置多组第2气体喷嘴。例如，除了设置于第2处理区域？2中的靠旋转台2的旋转方向的最上游的部分的第2气体喷嘴321、322以外，还能够在旋转台的旋转方向的下游侧的任意场所设置第2气体喷嘴321、322。具体地说，也能够在例如图3中X所示的部分、即第2处理区域？2中的圆周方向的中央部再配置一组第2气体喷嘴321、322。在该情况下，再配置的一组第2气体喷嘴也能够与其他气体喷嘴相同地将气体导入部固定于容器主体12的外周壁，而能够从反应容器1的外周壁导入到反应容器内。
[0027]在第1气体喷嘴31上借助开闭阀、流量调整器(均未图示)连接有用于储存含硅气体的含硅气体供给源。另外，在第2气体喷嘴321、322上借助开闭阀、流量调整器(均未图示)分别连接有用于储存氧化气体、氢气的氧化气体供给源、氢气供给源。
[0028]在此，从第1气体喷嘴31供给的含硅气体并不特别限定，能够优选使用例如30嫩3(三(二甲氨基)硅烷31⑶四(二甲氨基)硅烷31⑶((^)2))4)等氨基硅烷系、四氯硅烷31(?).0(:3( 二氯硅烷314(甲硅烷)30)(六氯乙硅烷等。作为从第2气体喷嘴321、322供给的氢气、氧化气体中的氧化气体，如上所述，能够优选使用氧气和丨或臭氧气体。特别是为了能够获得致密的氧化硅膜，更优选的是氧化气体含有臭氧气体。
[0029]另外，在分离气体喷嘴41、42上借助开闭阀、流量调整器(均未图示)连接有紅、抱等稀有气体、队气体(氮气)等非活性气体的供给源。作为非活性气体，并不特别限定，如上所述能够使用稀有气体、队气体等，但是能够优选使用例如队气体。
[0030]在第1气体喷嘴31、第2气体喷嘴321、322上，沿着第1气体喷嘴31、第2气体喷嘴321、322的长度方向排列有朝向旋转台2在下方开口的多个气体喷出孔33 (图5参照)。气体喷出孔的配置并不特别限定，但是能够以例如10皿的间隔进行排列。第1气体喷嘴31的下方区域成为用于使含硅气体吸附于晶圆I的第1处理区域？1。第2气体喷嘴321、322的下方区域成为使在第1处理区域？1中吸附于晶圆I的含硅气体氧化的第2处理区域？2。
[0031]如图2和图3所示，优选的是在第1气体喷嘴31上设有喷嘴罩34。以下，一边参照图4八和48 —边说明喷嘴罩34。喷嘴罩34沿着第1气体喷嘴31的长度方向延伸，并具有基部35，该基部35具有日文-字型的截面形状。基部35配置为覆盖第1气体喷嘴31。在沿着基部35的上述长度方向延伸的两个开口端中的一者上安装有整流板36八，在另一者上安装有整流板368。在本实施方式中，整流板36八、368与旋转台2的上表面平行地进行安装。另外，在本实施方式中，如图2和图3所示，在旋转台2的旋转方向上的第1气体喷嘴31的上游侧配置有整流板36八，在下游侧配置有整流板368。
[0032]如图48中明确所示，整流板36八、368形成为相对于第1气体喷嘴31的中心轴线左右对称。另外，整流板36八、368的沿着旋转台2的旋转方向的长度越朝向旋转台2的外周部越长，因此，喷嘴罩34具有大致扇形状的俯视形状。在此，图48中虚线所示的扇的打开角度9也考虑到后述的凸状部4(分离区域0)的尺寸来确定，但优选为例如5°以上且小于90。，具体地说，进一步优选为例如8。以上且小于10。。
[0033]另外，在本实施方式中，示出了仅在第1气体喷嘴31上设有喷嘴罩34的例子，但是第2气体喷嘴321、322也可以设置相同的喷嘴罩。
[0034]参照图2和图3，在反应容器1内设有两个凸状部4。凸状部4具有顶部被切断为圆弧状的大致扇型的俯视形状，在本实施方式中，内圆弧连结于突出部5(后述)，外圆弧以沿着反应容器1的容器主体12的内周面的方式进行配置。图5表示反应容器1的从第1气体喷嘴31到第2气体喷嘴321、322的、沿着旋转台2的同心圆的截面。如图所示，凸状部4安装于顶板11的背面。因此，在反应容器1内，存在有作为凸状部4的下表面的平坦的较低的顶面44(第1顶面)和位于该顶面44的周向两侧的、比顶面44高的顶面45 (第2顶面)。
[0035]另外，如图5所示，在凸状部4的周向中央形成有槽部43，槽部43沿着旋转台2的半径方向延伸。在槽部43内收纳有分离气体喷嘴42。在另一个凸状部4上也同样地形成有槽部43，在该槽部43内收纳有分离气体喷嘴41。另外，图中所示的附图标记4211是形成于分离气体喷嘴42的气体喷出孔。沿着分离气体喷嘴42的长度方向隔开预定的间隔(例如川臟)地形成有多个气体喷出孔42卜。另外，气体喷出孔42卜的开口口径能够设为例如0.3臟?1.0臟。虽然省略图示,但是也能够在分离气体喷嘴41上同样地形成气体喷出孔。
[0036]在较高的顶面45的下方的空间内分别设有第1气体喷嘴31、第2气体喷嘴321、322。第1气体喷嘴31、第2气体喷嘴321、322与顶面45分开并设于晶圆I附近。另外，为了便于说明，如图5所示，用附图标记481表示用于设置第1气体喷嘴31的较高的顶面45的下方的空间，用附图标记482表示用于设置第2气体喷嘴321、322的较高的顶面45的下方的空间。
[0037]较低的顶面44与旋转台2之间形成有作为狭小的空间的分离空间1若从分离气体喷嘴42供给非活性气体、例如队气体，则该队气体通过分离空间朝向空间481和空间482流动。此时，由于分离空间的容积小于空间481和482的容积，因此能够利用队气体使分离空间0的压力高于空间481和482的压力。即，在空间481和482之间，分离空间提供压力障壁。而且，从分离空间0向空间481和482流出的队气体作为相对于来自第1处理区域？1的含硅气体与来自第2处理区域？2的氢气和氧化气体的逆流(日文:力々?夕一 7 口一)发挥作用。因而，来自第1处理区域？1的含硅气体与来自第2处理区域？2的氢气和氧化气体被分离空间0分离。因此，能够抑制在反应容器1内含娃气体与氢气以及氧化气体混合而发生反应。
[0038]另外，优选的是，考虑到成膜时的反应容器1内的压力、旋转台2的转速、供给的分离气体气体)的供给量等，顶面44的距旋转台2的上表面的高度卜1设定为适合于使分离空间II的压力高于空间481和482的压力的高度。
[0039]再次参照图1?图3，在顶板11的下表面上，以包围用于固定旋转台2的芯部21的外周的方式设有突出部5。在本实施方式中，该突出部5与凸状部4的旋转中心侧的部位相连续，突出部5的下表面形成为与顶面44相同的高度。
[0040]先前参照的图1是沿着图3的I 一 I’线的剖视图，示出了设有顶面45的区域，另一方面，图6是表示设有顶面44的区域的局部剖视图。如图6所示，在大致扇型的凸状部4的周缘部(反应容器1的外缘侧的部位)，能够形成以与旋转台2的外端面相对的方式呈I字型弯曲的弯曲部46。该弯曲部46能够抑制气体通过旋转台2与容器主体12的内周面之间的空间而在空间481和空间482(图5)之间流通。扇型的凸状部4设于顶板11，顶板11能够从容器主体12上卸下，因此在弯曲部46的外周面与容器主体12之间稍微存在间隙。弯曲部46的内周面与旋转台2的外端面之间的间隙、以及弯曲部46的外周面与容器主体12之间的间隙能够设定为例如与顶面44距旋转台2的上表面的高度相同的尺寸。
[0041]再次参照图3，在旋转台2与容器主体的内周面之间形成有与空间481连通的第1排气口 610和与空间482连通的第2排气口 620。第1排气口 610和第2排气口 620如图
1所示分别借助排气管630连接于作为真空排气部件的例如真空泵640。另外，在图1中，附图标记650是压力调整器。
[0042]在旋转台2与反应容器1的底部14之间的空间内，如图1和图6所示能够设置作为加热部件的加热器单元7，借助旋转台2能够将旋转台2上的晶圆I加热到通过工艺制程确定的温度。在旋转台2的周缘附近的下方侧，为了抑制气体向旋转台2的下方的空间进入而设有环状的盖构件71。如图6所示，该盖构件71能够设为包括内侧构件713和外侧构件716的结构，该内侧构件713以自下方侧与旋转台2的外缘部和比外缘部靠外周侧的部分相面对的方式设置，该外侧构件716设于该内侧构件7匕与反应容器1的内壁面之间。外侧构件716在形成于凸状部4的外缘部的弯曲部46的下方与弯曲部46相邻设置，内侧构件713在旋转台2的外缘部下方(以及比外缘部稍微靠外侧的部分的下方)整周包围加热器单元7。
[0043]如图1所示，底部14的比配置有加热器单元7的空间靠近旋转中心的部位处的部分以接近旋转台2的下表面的中心部附近的芯部21的方式向上方侧突出而形成突出部123。该突出部123与芯部21之间成为较窄的空间。另外，供贯穿底部14的旋转轴22贯穿的贯穿孔的内周面与旋转轴22之间的间隙变窄，这些较窄的空间与壳体20连通。而且，在壳体20上设有用于向较窄的空间内供给作为吹扫气体的凡气体来进行吹扫的吹扫气体供给管72。而且，在反应容器1的底部14，在加热器单元7的下方沿周向以预定的角度间隔设有用于对加热器单元7的配置空间进行吹扫的多个吹扫气体供给管73 (在图6中示出了一个吹扫气体供给管73)。进而，在加热器单元7与旋转台2之间，为了抑制气体向设有加热器单元7的区域的进入还设有在整个周向上对外侧构件716的内周壁(内侧构件7匕的上表面)与突出部123的上端部之间进行覆盖的盖构件71盖构件73例如能够用石英来制作。
[0044]若从吹扫气体供给管72供给队气体，则该队气体通过旋转轴22的贯穿孔的内周面与旋转轴22之间的间隙和突出部123与芯部21之间的间隙，在旋转台2与盖构件73之间的空间内流动，并自第1排气口 610或第2排气口 620(图3)排出。另外，若从吹扫气体供给管73供给队气体，则该队气体从收纳有加热器单元7的空间通过盖构件73与内侧构件7匕之间的间隙(未图示)流出，并自第1^^0 610^^2^^0 620(^3)排出。通过这些队气体的流动，能够抑制空间481和空间482内的气体通过反应容器1的中央下方的空间和旋转台2的下方的空间进行混合。
[0045]另外，在反应容器1的顶板11的中心部连接有分离气体供给管51，构成为能够向顶板11与芯部21之间的空间52内供给作为分离气体的队气体。供给到该空间52内的分离气体经由突出部5与旋转台2之间的较窄的空间50(图6)沿着旋转台2的晶圆载置区域侧的表面朝向周缘喷出。空间50利用分离气体而能够维持为比空间481和空间482高的压力。因而，利用空间50，抑制向第1处理区域？1供给的含硅气体与向第2处理区域？2供给的氢气和氧化气体通过中心区域￠:进行混合。即，空间50(或中心区域0能够与分离空间II(或分离区域0)相同地发挥作用。
[0046]而且，如图2、图3所示，在反应容器1的侧壁上能够形成用于在外部的输送臂10与旋转台2之间进行作为基板的晶圆I的交接的输送口 15。该输送口 15能够利用未图示的闸阀进行开闭。在该情况下，旋转台2上的作为晶圆载置区域的凹部24在与该输送口 15相面对的位置与输送臂10之间进行晶圆I的交接。因此，在旋转台2的下方侧，在与交接位置对应的部位，能够设置贯穿凹部24并用于从背面抬起晶圆I的交接用的升降销及该升降销的升降机构(均未图示
[0047]另外，如图1所示，能够在本实施方式的成膜装置上设置用于进行装置整体的动作控制的由计算机构成的控制部100。在控制部100的存储器内，能够存储在控制部100的控制下使成膜装置实施后述的成膜方法的程序。该程序以执行后述的成膜方法的方式编有步骤组，并存储于硬盘、光盘、光磁盘、存储卡、软盘等介质102，该程序能够利用预定的读取装置读入到存储部101内，并安装于控制部100内。
[0048](氧化硅膜的制造方法)
[0049]接着，使用图7说明本发明的实施方式的氧化硅膜的制造方法。
[0050]优选的是，本实施方式的氧化硅膜的制造方法包括以下各个步骤。即，优选的是按照例如图7所示的处理流程实施各个步骤。另外，以下所说明的氧化硅膜的制造方法并不限定于特定的成膜装置中的实施，能够应用于各种成膜装置。不仅能够应用于例如图1?图6所示的使用了旋转台的成膜装置，也能够应用于在反应容器内以静止的状态载置晶圆、并切换向反应容器内供给的供给气体来进行成膜的成膜装置。以下，也包括使用这种成膜装置的情况在内进行本实施方式的氧化硅膜的制造方法的说明。
[0051]首先，实施将在表面具有金属膜的基板设置在反应容器内的基板设置步骤(371)。在基板设置步骤之后，实施利用氢气供给部件开始向反应容器内供给氢气的氢气供给开始步骤(872)。
[0052]在氢气供给开始步骤(372)之后，实施氧化气体供给开始步骤和含硅气体供给开始步骤。即，实施利用氧化气体供给部件开始向反应容器内供给氧化气体的氧化气体供给开始步骤(373)和利用含硅气体供给部件开始向反应容器内供给含硅气体的含硅气体供给开始步骤(374).另外，在图7中，示出了在氧化气体供给开始步骤(373)之后实施含硅气体供给开始步骤(374)的例子，但是并不限定于该方式。例如，也能够是，先实施含硅气体供给开始步骤(374),之后实施氧化气体供给开始步骤(373).另外，也能够同时实施氧化气体供给开始步骤(373)与含硅气体供给开始步骤(374)。
[0053]然后，在氧化气体供给开始步骤(373)和含硅气体供给开始步骤(374)之后，实施氧化硅膜成膜步骤(375)，能够在形成氧化硅膜之后结束氧化硅膜的制造工序。
[0054]本发明人对在以往的氧化硅膜的制造方法中形成于作为基板的晶圆表面的金属膜被氧化的原因进行了研究，发现金属膜的氧化程度因供给在制造氧化硅膜时使用的气体的顺序的不同而不同，完成了本发明。
[0055]具体地说发现:如上所述，在基板设置步骤(371)之后立即首先实施氢气供给开始步骤(372),之后，实施氧化气体供给开始步骤(373)和含硅气体供给开始步骤(374),由此，能够抑制金属膜的氧化。推测这是因为，如上所述，通过在开始供给氧化气体之前供给氢气，从而氢气能够抑制金属膜与氧化气体之间的接触，能够降低金属膜的氧化程度。
[0056]在上述一系列的工序中，优选的是，氢气供给部件、氧化气体供给部件、含硅气体供给部件在开始供给各种气体之后连续地、即持续地进行各种气体的供给。具体地说，优选的是，氢气供给部件在氢气供给开始步骤之后连续地将氢供给到反应容器内。优选的是，氧化气体供给部件在氧化气体供给开始步骤之后连续地将氧供给到反应容器内。优选的是，含硅气体供给部件在含硅气体供给开始步骤之后连续地将含硅气体供给到反应容器内。
[0057]即，像图8所示的时间流程那样，各种气体的供给部件能够向反应容器供给各种气体。
[0058]如图8所不，首先，在将晶圆设置于反应容器内之后，在时间1:1时实施氢气供给开始步骤，开始供给氢气，之后连续地进行供给。接着，在时间12开始供给氧化气体，之后连续地进行供给。进而，在时间〖3开始供给含硅气体，之后连续地进行供给。另外，如上所述，也能够是，比氧化气体供给开始步骤(373)先实施含硅气体供给开始步骤(374),之后，实施氧化气体供给开始步骤(373)。因此，也可以在时间12开始供给含硅气体，在时间七3开始供给氧化气体。另外，也能够同时开始供给含硅气体和供给氧化气体。
[0059]在形成氧化硅膜之后，各种气体能够在任意的定时停止供给，例如，能够同时停止供给所有的气体，另外，也能够依次单独地停止供给各种气体。
[0060]在此，从实施氢气供给开始步骤到实施氧化气体供给开始步骤的时间II并不特别限定，能够任意地进行选择。例如，优选的是，在氢气供给开始步骤之后经过3秒以上实施氧化气体供给开始步骤。即，II优选为3秒以上。特别是II更优选为30秒以上，特别优选为100秒以上。这是因为，通过将从开始供给氢气到开始供给氧化气体的时间设为恒定时间以上，能够特别抑制形成于晶圆表面的金属膜的氧化。另外，II表示从实施氢气供给开始步骤到实施氧化气体供给开始步骤的时间，在图8中，由于在时间12开始供给氧化气体，因此从时间到时间〖2的期间成为II。但是，如上所述，当在时间13开始供给氧化气体时，从时间到时间13的期间成为丁1。
[0061]XI的上限值并不特别限定，但是若直到开始供给氧化气体的时间过长，则直到开始成膜工序需要花费较长的时间，而生产率有可能降低。因此，优选的是，II设为例如3分钟以下。
[0062]另外，氧化气体供给开始时与含硅气体供给开始时之间的时间、即图8中的时间^2与时间13之间的时间12并不特别限定。例如，也能够同时实施氧化气体供给开始步骤与含硅气体供给开始步骤。即，12也能够设为0。特别优选的是，12设为1秒以上。12的上限值并不特别限定，但是若12过长，则有可能使生产率降低，因此优选为1分钟以下，更优选为30秒以下。另外，在含硅气体的供给开始之后、开始供给氧化气体的情况下，也能够任意选择含硅气体的供给开始时与氧化气体供给开始时之间的时间12，优选设为例如上述12的范围。
[0063]而且，在本实施方式的氧化硅膜的制造方法中，在含硅气体供给开始步骤(374)之后，实施形成氧化硅膜的氧化硅膜成膜步骤(375).
[0064]实施该各个步骤的成膜装置如上所述并不特别限定，能够使用各种成膜装置。
[0065]例如，能够优选使用包括以下部件的成膜装置:以能够旋转的方式收纳于反应容器内的旋转台；用于供给含硅气体的第1气体供给部；以及用于供给氢气和氧化气体的第2气体供给部。
[0066]在该成膜装置中，旋转台能够在上表面具有用于载置多个基板(晶圆)的载置部。能够是，第1气体供给部具有含硅气体供给部件，并配置在被划分于旋转台的上表面的上方的第1处理区域，朝向旋转台的上表面供给含硅气体。另外，能够是，第2气体供给部具有氢气供给部件和氧化气体供给部件，并配置在沿着旋转台的周向与第1处理区域分开的第2处理区域，朝向旋转台的上表面供给氢气和氧化气体。具体地说，能够优选使用例如已述的成膜装置。
[0067]而且，优选的是，本实施方式的氧化硅膜的制造方法包括成膜准备工序、吸附工序以及反应工序。
[0068]在此，成膜准备工序能够包括上述基板设置步骤、氢气供给开始步骤、氧化气体供给开始步骤以及含硅气体供给开始步骤。在成膜准备工序中，首先，优选的是在基板设置步骤之后实施氢气供给开始步骤。然后，能够在氢气供给开始步骤之后实施氧化气体供给开始步骤和含硅气体供给开始步骤。对于氧化气体供给开始步骤和含硅气体供给开始步骤，也可以先实施任一步骤，而且，也能够同时实施氧化气体供给开始步骤和含硅气体供给开始步骤。
[0069]吸附工序能够设为一边使旋转台旋转、一边在第1处理区域内使含硅气体吸附于载置在旋转台上的晶圆的工序。另外，作为反应工序，能够设为一边使旋转台旋转、一边在第2处理区域内使吸附于晶圆的表面的含硅气体与供给到第2处理区域的氢气以及氧化气体发生反应的工序。
[0070]以使用上述成膜装置进行实施的情况为例说明上述本实施方式的氧化硅膜的制造方法。
[0071]首先，具体说明成膜准备工序。
[0072]最初，实施基板设置步骤(371).具体地说，例如打开未图示的闸阀，利用输送臂10经由输送口 15(图3)将晶圆I交接到旋转台2的凹部24内。通过在凹部24停止于与输送口 15相面对的位置时使未图示的升降销经由凹部24的底面的通孔自反应容器1的底部侧升降来进行该交接。使旋转台2间歇地旋转来进行这样的晶圆I的交接，在旋转台2的5个凹部24内分别载置晶圆I。另外，作为此时使用的晶圆I，能够使用在其表面形成有金属膜的晶圆I。另外，金属膜不必形成于晶圆I的整个表面，只要形成于其一部分即可。另夕卜，金属膜的材质并不特别限定，但是能够优选使用例如钨。
[0073]接下来，关闭闸阀，利用真空泵640将反应容器1内排气到最低到达真空度。之后，从分离气体喷嘴41、42以预定的流量喷出作为分离气体的队气体，也从分离气体供给管51和吹扫气体供给管72、73〈图1)以预定的流量喷出队气体。与此相伴，利用压力调整器650将反应容器1内调整为预先设定的处理压力。即，在该情况下，能够在基板设置步骤(371)与氢气供给开始步骤(372)之间实施分离气体供给开始步骤(未图示
[0074]接着，使旋转台2绕顺时针旋转。在使旋转台2旋转时，旋转台2的转速并不特别限定，优选的是将旋转台2的转速设为5印111?240印111。这是因为，通过将旋转台2的转速设为240印！11以下，能够使供给到第2处理区域？2的氢气以及氧化气体与吸附在晶圆评上的含硅气体充分地发生反应，能够制造致密且膜质优异的氧化硅膜。另外，通过将旋转台2的转速设为5印！11以上，能够保证生产率并且制造氧化硅膜。基于生产率提高和氧化硅膜的膜质提高的观点考虑，更优选的是，旋转台2的转速设为20印111?120印111。
[0075]另外，在本实施方式的氧化硅膜的制造方法中，优选的是，供给到第2处理区域？2的氢气与氧化气体发生反应，并生成衝，(羟基自由基(氧自由基特别是由于0? -(羟基自由基)的氧化力较强，因此与单供给氧化气体来对吸附于晶圆表面的物质进行氧化处理的情况相比，能够特别推进含硅气体的氧化反应。
[0076]因此，为了能够进一步促进供给到第2处理区域的氢气与氧化气体发生反应、并生成羟基自由基等的反应，优选的是，在使旋转台2旋转时，利用加热器单元7对晶圆I进行加热。作为此时的温度，并不特别限定，但是优选的是加热到供给到第2处理区域的氢气与氧化气体到达晶圆I的表面之前生成充分的0? ? (羟基自由基)、0 ? (氧自由基)的温度。具体地说，例如优选的是，将作为基板的晶圆评加热到4001?9001的范围的温度。另外，在氧化气体含有臭氧气体的情况下，为了抑制臭氧气体的分解，优选的是加热到4001?7001的范围的温度。特别是出于促进羟基自由基、氧自由基的生成反应、并且抑制供给到第2处理区域的气体分解的观点考虑，更优选的是将晶圆I加热到4501?6801。加热器单元7对晶圆I的加热优选至少在氧化硅膜成膜步骤(375)期间实施，特别是，更优选在从基板设置步骤(371)到结束氧化硅膜成膜步骤(375)而输出基板的期间实施。
[0077]在如上所述使旋转台2开始旋转之后，针对反应容器1，从第2气体喷嘴321开始供给氢气，实施氢气供给开始步骤(372)。氢气能够这样连续地进行供给。在氢气供给开始步骤(372)之后，配置在旋转台2上的晶圆通过仅供给有氢气的第2处理区域？2。
[0078]接着，从第2气体喷嘴322开始供给氧化气体，实施氧化气体供给开始步骤(373)。优选的是，氧化气体这样连续地进行供给。另外，如上所述，也能够从第2气体喷嘴322供给氢气，从第2气体喷嘴321供给氧化气体。作为氧化气体，如上所述，能够优选使用氧气和/或臭氧气体，特别优选的是含有臭氧气体。在氧化气体供给开始步骤(373)之后，配置在旋转台2上的晶圆通过供给有氢气和氧化气体的第2处理区域？2。
[0079]接着，从第1气体喷嘴31开始供给含硅气体，实施含硅气体供给开始步骤(374)。含硅气体也能够这样连续地进行供给。作为含硅气体，并不特别限定，如上所述能够优选使用例如30嫩3(三(二甲氨基)硅烷31⑶((?^)卯四(二甲氨基)硅烷81(^(0^)2))4)等氨基硅烷系、扣3(四氯化硅硅烷31?) 4(:3( 二氯硅烷31--) 314(甲娃烧)、只。0 (八氣乙娃烧等。
[0080]另外，如上所述，氧化气体供给开始步骤(373)和含硅气体供给开始步骤(374)的顺序并不受到限定，也能够在含硅气体供给开始步骤(374)之后实施氧化气体供给开始步骤(373).另外，也能够同时实施氧化气体供给开始步骤(373)与含硅气体供给开始步骤(874)。
[0081]在氧化气体供给开始步骤(373)和含硅气体供给开始步骤(374)之后，成为在第1处理区域？1供给有含硅气体、在第2处理区域？2供给有氢气和氧化气体的状态。而且，如后所述，晶圆I借助旋转台2的旋转而交替通过第1处理区域？1与第2处理区域？2，在第1处理区域？1中实施吸附工序，在第2处理区域？2中实施反应工序。
[0082]另外，第2气体供给部具有两个第2气体喷嘴，能够从一个第2气体喷嘴(氢气供给用第2气体喷嘴)供给氢气，能够从另一个第2气体喷嘴(氧化气体供给用第2气体喷嘴)供给氧化气体。另外，也能够设为将第2气体喷嘴设为1个气体喷嘴、并在该气体喷嘴与氢气的供给源和氧化气体的供给源之间设置了混合器等的结构。在该情况下能够是，从氢气供给开始步骤到氧化气体供给开始步骤，从第2气体喷嘴仅供给氢气，在氧化气体供给开始步骤之后，从第2气体喷嘴供给氢气与氧化气体的混合气体。
[0083]另外，也能够在第2处理区域？2设置多个第2气体供给部。即，如上所述能够设置多组第2气体喷嘴。该情况下的第2气体供给部的设置位置并不特别限定，具体地说例如能够设置在第2处理区域中的、靠旋转台的旋转方向的上游侧的位置和图3的X所示的位置、即第2处理区域？2的圆周方向的中央部。
[0084]从第1气体喷嘴31供给的含硅气体的供给条件并不特别限定，能够以使得在利用旋转台2而旋转的晶圆I通过第1处理区域？1时能够将含硅气体吸附于晶圆I的表面的方式任意地进行选择。例如，优选的是，含硅气体的供给速度设为0.117111111以上，更优选设为0.317111111以上。另外，优选的是将第1处理区域内的含硅气体的压力设为200？3以上，更优选设为500？3以上。
[0085]从第2气体喷嘴321、322供给的氢气、氧化气体的供给条件也并不特别限定，能够以使吸附于晶圆I的表面的含硅气体能够充分地氧化的方式任意地进行选择。
[0086]例如，为了利用供给到第2处理区域？2的氢气和氧化气体充分地生成羟基自由基等，优选的是在所述氢气供给开始步骤之后，氢气供给部件以0.517111111以上的供给速度向所述反应容器内供给氢气。特别是，更优选以0.7517111111以上的供给速度供给氢气。
[0087]另外，氢气与氧化气体的供给量的比例也并不特别限定，能够任意地进行选择。优选的是，例如在将从第2气体喷嘴321、322供给的气体整体的每单位时间的供给量设为1时，以氢气的供给量的比例成为0.1?0.6的方式供给氢气。即，在使用氧气和/或臭氧气体作为氧化气体的情况下，优选的是以^"([^ — [(^ +队])成为0.1?0.6的方式供给氢气。
[0088]另外，上述式中的政]表示每单位时间内从第2气体喷嘴供给的气体中的氢气供给量。〔02〕、〔03〕同样地分别表示每单位时间内从第2气体喷嘴供给的气体中的氧气、臭氧气体的供给量。
[0089]通过以成为上述比例的方式供给氢气，能够产生足够的羟基自由基等，能够特别进行吸附于晶圆表面的含硅气体的氧化反应。因此，能够抑制所形成的氧化硅膜的膜收缩率。另外，为了特别抑制所形成的氧化硅膜的膜收缩率，更优选的是，以氢气的供给量的比例成为0.2?0.4的方式供给氢气。
[0090]第2处理区域？2内的氢气与氧化气体的压力并不特别限定，但是优选以当载置在旋转台上的晶圆通过第2处理区域？2时、能够使吸附于晶圆I表面的含硅气体充分地氧化的方式进行选择。具体地说，优选设为例如0.5--?1.3^,更优选设为0.671^？3?1.01^？80
[0091]另外，如上所述在本实施方式的成膜装置中，在反应容器1内，在第1处理区域？1与第2处理区域？2之间配置有对旋转台2的上表面供给分离气体的分离气体供给部、即分离气体喷嘴41、42。而且，配置有包含以下顶面44的分离区域0:该顶面44与旋转台2的上表面之间形成用于将来自分离气体供给部的分离气体向第1处理区域和第2处理区域引导的狭小的空间(分离空间田。另外，顶面44能够形成为沿着旋转台2的周向的宽度沿着朝向旋转台2的外缘的方向变大。因此，一边使旋转台2旋转，一边从分离气体供给部供给分离气体并利用分离空间則图5)分离第1处理区域？1与第2处理区域？2，能够防止在反应容器1内第1处理区域内的气体与第2处理区域内的气体相互混合。
[0092]接着，说明吸附工序与反应工序。
[0093]上述氧化硅膜成膜步骤(375)能够设为包括吸附工序与反应工序的步骤。在此，通过将晶圆I载置在旋转台2上并使其旋转、且连续地供给含硅气体与氢气和氧化气体而能够交替实施吸附工序与反应工序。首先，若晶圆I借助旋转台2的旋转而通过第1处理区域？1，则实施将含硅气体吸附于晶圆评的表面的吸附工序。接着，在晶圆评通过第2处理区域？时，实施吸附于晶圆I的表面的含硅气体与供给到第2处理区域？2的氢气以及氧化气体发生反应的反应工序。由此，能够在晶圆I的表面形成氧化硅膜。吸附工序与反应工序通过使旋转台2旋转而交替重复实施。
[0094]另外，在反应工序中，优选的是，在吸附于晶圆I的含硅气体与氢气以及氧化气体发生反应之前，供给到第2处理区域？2的氢气与氧化气体发生反应并生成0? ? (羟基自由基(氧自由基这是因为，如上所述由于(羟基自由基)的氧化力较强，因此与单供给氧气、臭氧气体来对吸附于晶圆表面的物质进行氧化处理的情况相比，能够特别推进含硅气体的氧化反应。因此，能够更可靠地推进吸附于晶圆I表面的含硅气体的氧化，能够形成具有均质的膜质、且即使在进行了加热处理等的情况下膜收缩率也较小的氧化硅膜。
[0095]在使用图1?图6所示的采用了旋转台的成膜装置的情况下，在吸附工序、反应工序中，朝向旋转的旋转台2的上表面供给含硅气体、氢气、氧化气体，晶圆I配置于旋转台2的上表面。因此，从第1气体喷嘴31、第2气体喷嘴321、322供给的气体的供给方向与晶圆的表面(氧化硅膜的形成面)大致垂直。而且，保持来自各个气体喷嘴的气体的供给方向与晶圆I的表面大致垂直的状态，并且晶圆I借助旋转台2的旋转而通过第1气体喷嘴31、第2气体喷嘴321、322的下面。因此，能够对晶圆I的表面均匀地供给来自各个气体喷嘴的气体，能够在晶圆表面上形成均匀膜厚的氧化硅膜。
[0096]像以上那样一边连续地供给含硅气体、氢气、氧化气体，一边使载置有晶圆I的旋转台2旋转，交替在预定时间重复实施吸附工序与反应工序，由此，能够在晶圆I表面上形成预定膜厚的氧化硅膜。然后，在经过了预定的时间之后，停止向反应容器1供给气体，使旋转台2停止旋转，利用与向反应容器1内输入晶圆I时的顺序相反的顺序，从反应容器1内输出晶圆I。由此，氧化硅膜的成膜操作结束。
[0097]根据以上所说明的本发明的实施方式的氧化硅膜的制造方法，通过在将晶圆设置于反应容器内之后按照预定的顺序开始供给气体，能够抑制形成于晶圆表面的金属膜的氧化。
[0098]【实施例】
[0099]以下，利用本发明的实施例进一步详细地说明本发明，但是本发明丝毫不被这些实施例所限定。
[0100][实施例1]
[0101]在本实施例中，使用图1?图6所示的成膜装置，从第1气体喷嘴31供给了三(二甲氨基)硅烷(31(幽从則以下，也记作“30嫩3””作为含硅气体。另外，从一个第2气体喷嘴321供给氢气，从另一个第2气体喷嘴322供给氧气作为氧化气体而在晶圆I上制造出氧化硅膜。另外，作为晶圆I，使用了在一个面上形成有膜厚的钨膜的直径300臟的硅晶圆。另外，钨膜利用溅射法来形成。
[0102]主要的成膜条件如下所示。
[0103].晶圆评的温度:6001
[0104]? 30嫩3 的供给速度:0.31/111111
[0105]?氢气的供给速度:0.751/111111
[0106]?氧气的供给速度:31/111111
[0107]?分离气体的供给量(来自各个分离气体喷嘴41、42的供给量)
[0108]?旋转台2的转速:12011)111
[0109]然后，将上述晶圆I设置于图1?图6所示的成膜装置，在对反应容器1内抽真空之后，从分离气体喷嘴41、42开始供给作为分离气体的队气体。另外，此时，也从分离气体供给管51和吹扫气体供给管72、73供给分离气体。然后，在使旋转台2开始旋转之后，按照以下⑷?⑷的顺序实施以下⑷?⑷的步骤而进行氧化硅膜的成膜。
[0110]另外，从将晶圆I设置于成膜装置到形成氧化硅膜之后输出晶圆I为止进行晶圆I的加热。
[0111](^)从第2气体喷嘴321开始供给氢气，进行氢气供给开始步骤。在氢气供给开始步骤之后，连续地供给氢气。
[0112](^)在氢气供给开始步骤之后，在经过了 30秒的时刻从第2气体喷嘴322开始供给氧气，进行氧化气体供给开始步骤。即，将图8中的II设为30秒。在氧化气体供给开始步骤之后，连续地供给氧气。
[0113](0)在氧化气体供给开始步骤之后，在经过了 3秒的时刻从第1气体喷嘴31开始供给含硅气体，进行含硅气体供给开始步骤。即，将图8中的12设为3秒。在含硅气体供给开始步骤之后，连续地供给含硅气体。
[0114]((1)连续地进行含硅气体、氢气、氧气的供给，并且使旋转台2旋转，实施氧化硅膜成膜步骤直至在晶圆表面上形成5=0的氧化硅膜。
[0115]在氧化硅膜成膜步骤结束之后，停止供给气体，使旋转台2停止旋转，取出晶圆I，对形成于晶圆I表面的钨膜的状态进行评价。
[01 16]使用乂？3“ — ？1101:061601:1~011 8^)601:1-08001)7 一射线光电子能谱)(9111 公司制产品名皿社6以3X1〉进行形成于晶圆I表面的钨膜的状态的评价。具体地说，利用父？3分析钨膜和形成在钨膜上的氧化硅膜，测量被形成于钨膜与氧化硅膜之间的界面上的氧化钨膜的膜厚。
[0117]在本实施例中，形成于钨膜表面的氧化物膜的厚度如图9所示为1.75！^。
[0118][实施例2]
[0119]在实施例1的(幻工序中，除了在氢气供给开始步骤之后、在经过了 178秒的时刻从第2气体喷嘴322开始供给氧气、进行氧化气体供给开始步骤这一点以外，与实施例1相同地进行氧化硅膜的成膜。即，除了将图8中的II设为178秒这一点以外与实施例1相同地进行。
[0120]也与实施例1相同地进行形成于晶圆I表面的钨膜的状态的评价，形成于钨膜表面的氧化物膜的厚度如图9所示为0.4811111。
[0121]〔比较例1]
[0122]除了取代⑷?⑷步骤而按照以下)?)的顺序进行实施这一点以夕卜，与实施例1相同地进行氧化硅膜的成膜。另外，)步骤之前的操作顺序与实施例1的(幻步骤之前的操作顺序相同，因此在此省略记载。
[0123])从第2气体喷嘴322开始供给氧气，进行氧化气体供给开始步骤。在氧化气体供给开始步骤之后，连续地供给氧气。
[0124](…)在氧化气体供给开始步骤之后，在经过了3秒的时刻从第2气体喷嘴321开始供给氢气，进行氢气供给开始步骤。在氢气供给开始步骤之后，连续地供给氢气。
[0125]匕')在从氢气供给开始步骤经过了 3秒的时刻，从第1气体喷嘴31开始供给含硅气体，进行含硅气体供给开始步骤。在含硅气体供给开始步骤之后，连续地供给含硅气体。
[0126](1 )连续地进行含硅气体、氢气、氧气的供给，并且使旋转台2旋转，实施氧化硅膜成膜步骤直至在晶圆表面上形成5=0的氧化硅膜。
[0127]在氧化硅膜成膜步骤结束之后，与实施例1相同地取出晶圆I，对形成于晶圆I表面的钨膜的状态进行评价，形成于钨膜表面的氧化物膜的厚度如图9所示为4.6=1
[0128][参照例1]
[0129]作为参照例1，对于与实施例1相同地利用溅射法在晶圆I表面上形成了钨膜的试样，使用X？？与实施例1相同地测量形成于钨膜表面的氧化膜的厚度，氧化钨层的厚度为
2.1歷。
[0130]将以上实施例1、2、比较例1、参照例1的结果汇总表示在图9中。
[0131]关于实施例1、2，能够确认氧化钨膜的膜厚比参照例1的氧化钨膜的膜厚薄。认为这是因为，通过最初仅将氢气供给到反应容器内，从而抑制了钨膜的氧化，而且对钨膜所含有的氧化钨进行了还原。特别是在单独供给氢气的时间较长的实施例2中，确认氧化钨层的膜厚比实施例1时进一步变薄。
[0132]与此相对，在比较例1中，确认氧化钨膜的厚度与参照例1、实施例1、2相比变得极其厚。认为这是因为，通过最初供给作为氧化气体的氧气，从而进行了钨膜的氧化，氧化钨层变厚。
[0133]根据以上结果能够确认，根据本实施方式的氧化硅膜的制造方法，通过按照预定的顺序供给在形成氧化硅膜时使用的气体，能够抑制形成于晶圆表面的金属膜的氧化。
[0134]根据本发明的实施方式的氧化硅膜的制造方法，能够抑制形成于基板表面的金属膜的氧化。
[0135]以上，说明了本发明的优选实施方式和实施例，但是本发明并不限制于上述实施方式和实施例，能够在不脱离本发明的范围的情况下对上述实施例施加各种变形和替换。
[0136]本申请基于2013年9月13日向日本国特许厅提出申请的日本特许出愿2013 —191061号要求优先权，并将日本特许出愿2013 — 191061号的全部内容引用于此。
【权利要求】
1.一种氧化硅膜的制造方法，其中， 将在表面具有金属膜的基板设置在反应容器内， 在设置所述基板的步骤之后，利用氢气供给部件开始向所述反应容器内供给氢气， 利用氧化气体供给部件开始向所述反应容器内供给氧化气体， 利用含硅气体供给部件开始向所述反应容器内供给含硅气体， 在开始供给所述氢气的步骤之后，实施开始供给所述氧化气体的步骤和开始供给所述含硅气体的步骤。
2.根据权利要求1所述的氧化硅膜的制造方法，其中， 所述氢气供给部件在开始供给所述氢气的步骤之后连续地向所述反应容器内供给氢，所述氧化气体供给部件在开始供给所述氧化气体的步骤之后连续地向所述反应容器内供给氧， 所述含硅气体供给部件在开始供给所述含硅气体的步骤之后连续地向所述反应容器内供给含娃气体。
3.根据权利要求1所述的氧化硅膜的制造方法，其中， 在开始供给所述氢气的步骤之后经过3秒以上实施开始供给所述氧化气体的步骤。
4.根据权利要求2所述的氧化硅膜的制造方法，其中， 旋转台以能够旋转的方式收纳在反应容器内，该旋转台在上表面具有用于载置基板的基板载置部， 所述反应容器在所述旋转台的周向上具有第I处理区域和第2处理区域，该第I处理区域被划分于所述旋转台的所述上表面的上方，该第2处理区域沿着所述旋转台的周向与所述第I处理区域分开，并被划分于所述旋转台的所述上表面的上方， 所述含硅气体供给部件为了在所述第I处理区域内向所述旋转台的上表面供给所述含硅气体而配置在所述第I处理区域内， 所述氢气供给部件和所述氧化气体供给部件为了在所述第2处理区域内向所述旋转台的上表面供给所述氢气和所述氧化气体而配置在所述第2处理区域内， 执行设置所述基板的步骤、开始供给所述氢气的步骤、开始供给所述氧化气体的步骤以及开始供给所述含硅气体的步骤而进行成膜的准备， 一边使所述旋转台旋转，一边在所述第I处理区域内使所述含硅气体吸附于载置在所述旋转台上的基板的表面， 一边使所述旋转台旋转，一边在所述第2处理区域内使吸附于所述基板的表面的所述含硅气体与供给到所述第2处理区域的所述氢气以及所述氧化气体发生反应。
5.根据权利要求4所述的氧化硅膜的制造方法，其中， 在使所述旋转台旋转时，所述旋转台的转速为5rpm?240rpm。
6.根据权利要求1所述的氧化硅膜的制造方法，其中， 将所述基板加热到400°C?900°C。
7.根据权利要求1所述的氧化硅膜的制造方法，其中， 所述氢气供给部件在开始供给所述氢气的步骤之后以0.5L/min以上的供给速度向所述反应容器内供给氢气。
8.根据权利要求1所述的氧化硅膜的制造方法，其中， 所述旋转台具有沿着周向配置的多个基板载置部， 针对载置于所述多个基板载置部的多个基板依次进行将所述含硅气体吸附于所述基板的步骤和使所述氢气以及所述氧化气体与吸附于所述基板的所述含硅气体发生反应的步骤。
【文档编号】C23C16/455GK104451599SQ201410466613
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年9月12日 优先权日:2013年9月13日
【发明者】田村辰也, 熊谷武司, 千叶贵司 申请人:东京毅力科创株式会社
【专利摘要】本发明提供一种氧化硅膜的制造方法。在该方法中，将在表面具有金属膜的基板设置在反应容器内，在设置了所述基板之后，利用氢气供给部件开始向所述反应容器内供给氢气。在供给氢气之后，利用氧化气体供给部件开始向所述反应容器内供给氧化气体，并且利用含硅气体供给部件开始向所述反应容器内供给含硅气体。
【专利说明】氧化硅膜的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种氧化硅膜的制造方法。
【背景技术】
[0002]作为半导体集成电路(1(^ 1111:6取'￡11:6(1 011-01111:)等半导体装置的绝缘膜，广泛使用氧化硅膜，一直以来就在研究在晶圆表面上形成氧化硅膜的方法。
[0003]例如在日本特开2007 — 42884号公报中公开了一种氧化娃膜的成膜方法:使用立式的圆筒状的反应容器，向该反应容器内输入已保持有多张半导体晶圆的晶圆舟皿，将反应容器内设为真空，在加热之后，同时供给7203气体、氧气、氢气。
[0004]但是，当利用日本特开2007 — 42884号公报所公开的氧化硅膜的成膜方法于在表面具有金属膜的基板(晶圆)上形成氧化硅膜时，存在以下问题:金属膜表面被氧化，由金属膜的氧化引起的体积膨胀使得金属膜的形状发生变化，电阻劣化。
【发明内容】
[0005]本发明鉴于上述现有技术所存在的问题，目的在于提供一种能够抑制形成于基板表面的金属膜的氧化的氧化硅膜的制造方法。
[0006]为了解决上述问题，本发明提供一实施方式的氧化硅膜的制造方法。在该方法中，将在表面具有金属膜的基板设置在反应容器内，在设置了所述基板之后，利用氢气供给部件开始向所述反应容器内供给氢气，在将氢气供给到所述反应器内之后，利用氧化气体供给部件开始向所述反应容器内供给氧化气体，并且利用含硅气体供给部件开始向所述反应容器内供给含硅气体。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1是表示适合于实施本发明的实施方式的氧化硅膜的制造方法的成膜装置的首丨】视图。
[0008]图2是表示图1的成膜装置的反应容器内的结构的立体图。
[0009]图3是表示图1的成膜装置的反应容器内的结构的概略俯视图。
[0010]图4八和图48是图1的成膜装置的气体喷嘴和喷嘴罩的结构图。
[0011]图5是图1的成膜装置的局部剖视图。
[0012]图6是图1的成膜装置的其他局部剖视图。
[0013]图7是本发明的实施方式的氧化硅膜的制造方法的处理流程图。
[0014]图8是说明本发明的实施方式的氧化硅膜的制造方法的时序图。
[0015]图9是表示在本发明的实施例、比较例中在具有钨膜的基板上形成了氧化硅膜时产生了的氧化钨层的厚度的图表。
【具体实施方式】
[0016]以下，一边参照添加的附图，一边说明本发明的非限定性的例示的实施方式。在添加的所有附图中，对相同或对应的构件或零件标注相同或对应的附图标记，并省略重复说明。另外，附图并不是以表示构件或零件之间的相对比例为目的，因而，应该对照以下非限定性的实施方式由本领域技术人员来确定具体的尺寸。
[0017](成膜装置)
[0018]首先，使用【专利附图】
【附图说明】适合于实施本发明的本实施方式的氧化硅膜的制造方法的成
膜装置。
[0019]图1是适合于实施本实施方式的氧化硅膜的制造方法的成膜装置的一例的剖视图，图2是适合于实施本实施方式的氧化硅膜的制造方法的成膜装置的一例的立体图。另夕卜，图3是适合于实施本实施方式的氧化硅膜的制造方法的成膜装置的一例的概略俯视图。
[0020]参照图1?图3，该成膜装置包括具有大致圆形的俯视形状的扁平的反应容器(腔室)1和设于该反应容器1内、并在反应容器1的中心具有旋转中心的旋转台2。此时，反应容器1能够设为真空容器。反应容器1包括具有有底的圆筒形状的容器主体12和以能够借助例如0形密封圈等密封构件13(图1)相对于容器主体12的上表面气密地装卸的方式配置的顶板11。
[0021]旋转台2在中心部固定于圆筒形状的芯部21，该芯部21固定于沿铅垂方向延伸的旋转轴22的上端。旋转轴22贯穿反应容器1的底部14，旋转轴22的下端安装于使旋转轴22(图1)绕铅垂轴线旋转的驱动部23。旋转轴22和驱动部23收纳于上表面开口的筒状的壳体20内。该壳体20的设于其上表面的凸缘部分气密地安装于反应容器1的底部14的下表面，而维持着壳体20的内部气氛与外部气氛之间的气密状态。
[0022]在旋转台2的表面上，如图2和图3所示沿着旋转方向(周向)设有用于载置多个(在图示的例子中为5张)作为基板的半导体晶圆(以下称作“晶圆”)？的圆形状的凹部24。另外，在图3中，为了方便而仅在1个凹部24上示出了晶圆I。该凹部24具有比晶圆评的直径(例如300111111)稍微大例如大4臟的内径和与晶圆评的厚度大致相等的深度。因而，若将晶圆I载置于凹部24，晶圆I的表面与旋转台2的表面(未载置有晶圆I的区域)成为相同的高度。
[0023]图2和图3是说明反应容器1内的结构的图，为了便于说明，省略了顶板11的图示。如图2和图3所示，在旋转台2的上方分别配置有例如由石英构成的第1气体喷嘴31、第2气体喷嘴321、322以及分离气体喷嘴41、42。在图示的例子中，在反应容器1的周向上隔开间隔地自输送口 15(后述)绕顺时针(旋转台2的旋转方向)依次排列有分离气体喷嘴41、第1气体喷嘴31、分离气体喷嘴42以及第2气体喷嘴321、322。这些喷嘴31、321、322,41及42的作为各自的基端部的气体导入部31^321^322^4121及423(图3)固定于容器主体12的外周壁，这些喷嘴31、321、322、41及42从反应容器1的外周壁被导入到反应容器1内。而且，以使喷嘴沿着容器主体12的半径方向相对于旋转台2平行地延伸的方式进行安装。
[0024]在本实施方式的氧化硅膜的制造方法中，能够从第2气体喷嘴321、322供给氢气和氧化气体。作为氧化气体，并不特别限定，但是优选使用例如含有氧气和/或臭氧气体的气体。因此，如图2、图3所示，设置两个第2气体喷嘴321、322，能够构成为从一个第2气体喷嘴321供给氢气、而从另一个第2气体喷嘴322供给氧气和丨或臭氧气体。此时，供给氢气、氧气和/或臭氧气体的喷嘴中的任一者皆可配置在旋转台的旋转方向的上游侧。即，也可以从一个第2气体喷嘴321供给氧气和/或臭氧气体，从另一个第2气体喷嘴322供给氢气。在如此设置两个第2气体喷嘴321、322的情况下，优选的是，第2气体喷嘴321与第2气体喷嘴322如图2、图3所示那样以相邻并且两者相互大致平行的方式配置，但是并不限定于该方式。例如，第2气体喷嘴321与第2气体喷嘴322也能够分开配置。
[0025]另外，在此，示出设置了两个第2气体喷嘴的例子，但是并不限定于该方式。例如，也能够设为设置1个第2气体喷嘴、并在该气体喷嘴与氢气的供给源和氧化气体的供给源之间设置了混合器等的结构。在该情况下，从氢气供给开始步骤到氧化气体供给开始步骤，能够从第2气体喷嘴仅供给氢气，在氧化气体供给开始步骤之后，能够从第2气体喷嘴供给氢气与氧化气体的混合气体。
[0026]另外，在后述的第2处理区域？2的面积较大的情况下，为了向第2处理区域？2内供给足够量的氢气和氧化气体，也可以设置多组第2气体喷嘴。例如，除了设置于第2处理区域？2中的靠旋转台2的旋转方向的最上游的部分的第2气体喷嘴321、322以外，还能够在旋转台的旋转方向的下游侧的任意场所设置第2气体喷嘴321、322。具体地说，也能够在例如图3中X所示的部分、即第2处理区域？2中的圆周方向的中央部再配置一组第2气体喷嘴321、322。在该情况下，再配置的一组第2气体喷嘴也能够与其他气体喷嘴相同地将气体导入部固定于容器主体12的外周壁，而能够从反应容器1的外周壁导入到反应容器内。
[0027]在第1气体喷嘴31上借助开闭阀、流量调整器(均未图示)连接有用于储存含硅气体的含硅气体供给源。另外，在第2气体喷嘴321、322上借助开闭阀、流量调整器(均未图示)分别连接有用于储存氧化气体、氢气的氧化气体供给源、氢气供给源。
[0028]在此，从第1气体喷嘴31供给的含硅气体并不特别限定，能够优选使用例如30嫩3(三(二甲氨基)硅烷31⑶四(二甲氨基)硅烷31⑶((^)2))4)等氨基硅烷系、四氯硅烷31(?).0(:3( 二氯硅烷314(甲硅烷)30)(六氯乙硅烷等。作为从第2气体喷嘴321、322供给的氢气、氧化气体中的氧化气体，如上所述，能够优选使用氧气和丨或臭氧气体。特别是为了能够获得致密的氧化硅膜，更优选的是氧化气体含有臭氧气体。
[0029]另外，在分离气体喷嘴41、42上借助开闭阀、流量调整器(均未图示)连接有紅、抱等稀有气体、队气体(氮气)等非活性气体的供给源。作为非活性气体，并不特别限定，如上所述能够使用稀有气体、队气体等，但是能够优选使用例如队气体。
[0030]在第1气体喷嘴31、第2气体喷嘴321、322上，沿着第1气体喷嘴31、第2气体喷嘴321、322的长度方向排列有朝向旋转台2在下方开口的多个气体喷出孔33 (图5参照)。气体喷出孔的配置并不特别限定，但是能够以例如10皿的间隔进行排列。第1气体喷嘴31的下方区域成为用于使含硅气体吸附于晶圆I的第1处理区域？1。第2气体喷嘴321、322的下方区域成为使在第1处理区域？1中吸附于晶圆I的含硅气体氧化的第2处理区域？2。
[0031]如图2和图3所示，优选的是在第1气体喷嘴31上设有喷嘴罩34。以下，一边参照图4八和48 —边说明喷嘴罩34。喷嘴罩34沿着第1气体喷嘴31的长度方向延伸，并具有基部35，该基部35具有日文-字型的截面形状。基部35配置为覆盖第1气体喷嘴31。在沿着基部35的上述长度方向延伸的两个开口端中的一者上安装有整流板36八，在另一者上安装有整流板368。在本实施方式中，整流板36八、368与旋转台2的上表面平行地进行安装。另外，在本实施方式中，如图2和图3所示，在旋转台2的旋转方向上的第1气体喷嘴31的上游侧配置有整流板36八，在下游侧配置有整流板368。
[0032]如图48中明确所示，整流板36八、368形成为相对于第1气体喷嘴31的中心轴线左右对称。另外，整流板36八、368的沿着旋转台2的旋转方向的长度越朝向旋转台2的外周部越长，因此，喷嘴罩34具有大致扇形状的俯视形状。在此，图48中虚线所示的扇的打开角度9也考虑到后述的凸状部4(分离区域0)的尺寸来确定，但优选为例如5°以上且小于90。，具体地说，进一步优选为例如8。以上且小于10。。
[0033]另外，在本实施方式中，示出了仅在第1气体喷嘴31上设有喷嘴罩34的例子，但是第2气体喷嘴321、322也可以设置相同的喷嘴罩。
[0034]参照图2和图3，在反应容器1内设有两个凸状部4。凸状部4具有顶部被切断为圆弧状的大致扇型的俯视形状，在本实施方式中，内圆弧连结于突出部5(后述)，外圆弧以沿着反应容器1的容器主体12的内周面的方式进行配置。图5表示反应容器1的从第1气体喷嘴31到第2气体喷嘴321、322的、沿着旋转台2的同心圆的截面。如图所示，凸状部4安装于顶板11的背面。因此，在反应容器1内，存在有作为凸状部4的下表面的平坦的较低的顶面44(第1顶面)和位于该顶面44的周向两侧的、比顶面44高的顶面45 (第2顶面)。
[0035]另外，如图5所示，在凸状部4的周向中央形成有槽部43，槽部43沿着旋转台2的半径方向延伸。在槽部43内收纳有分离气体喷嘴42。在另一个凸状部4上也同样地形成有槽部43，在该槽部43内收纳有分离气体喷嘴41。另外，图中所示的附图标记4211是形成于分离气体喷嘴42的气体喷出孔。沿着分离气体喷嘴42的长度方向隔开预定的间隔(例如川臟)地形成有多个气体喷出孔42卜。另外，气体喷出孔42卜的开口口径能够设为例如0.3臟?1.0臟。虽然省略图示,但是也能够在分离气体喷嘴41上同样地形成气体喷出孔。
[0036]在较高的顶面45的下方的空间内分别设有第1气体喷嘴31、第2气体喷嘴321、322。第1气体喷嘴31、第2气体喷嘴321、322与顶面45分开并设于晶圆I附近。另外，为了便于说明，如图5所示，用附图标记481表示用于设置第1气体喷嘴31的较高的顶面45的下方的空间，用附图标记482表示用于设置第2气体喷嘴321、322的较高的顶面45的下方的空间。
[0037]较低的顶面44与旋转台2之间形成有作为狭小的空间的分离空间1若从分离气体喷嘴42供给非活性气体、例如队气体，则该队气体通过分离空间朝向空间481和空间482流动。此时，由于分离空间的容积小于空间481和482的容积，因此能够利用队气体使分离空间0的压力高于空间481和482的压力。即，在空间481和482之间，分离空间提供压力障壁。而且，从分离空间0向空间481和482流出的队气体作为相对于来自第1处理区域？1的含硅气体与来自第2处理区域？2的氢气和氧化气体的逆流(日文:力々?夕一 7 口一)发挥作用。因而，来自第1处理区域？1的含硅气体与来自第2处理区域？2的氢气和氧化气体被分离空间0分离。因此，能够抑制在反应容器1内含娃气体与氢气以及氧化气体混合而发生反应。
[0038]另外，优选的是，考虑到成膜时的反应容器1内的压力、旋转台2的转速、供给的分离气体气体)的供给量等，顶面44的距旋转台2的上表面的高度卜1设定为适合于使分离空间II的压力高于空间481和482的压力的高度。
[0039]再次参照图1?图3，在顶板11的下表面上，以包围用于固定旋转台2的芯部21的外周的方式设有突出部5。在本实施方式中，该突出部5与凸状部4的旋转中心侧的部位相连续，突出部5的下表面形成为与顶面44相同的高度。
[0040]先前参照的图1是沿着图3的I 一 I’线的剖视图，示出了设有顶面45的区域，另一方面，图6是表示设有顶面44的区域的局部剖视图。如图6所示，在大致扇型的凸状部4的周缘部(反应容器1的外缘侧的部位)，能够形成以与旋转台2的外端面相对的方式呈I字型弯曲的弯曲部46。该弯曲部46能够抑制气体通过旋转台2与容器主体12的内周面之间的空间而在空间481和空间482(图5)之间流通。扇型的凸状部4设于顶板11，顶板11能够从容器主体12上卸下，因此在弯曲部46的外周面与容器主体12之间稍微存在间隙。弯曲部46的内周面与旋转台2的外端面之间的间隙、以及弯曲部46的外周面与容器主体12之间的间隙能够设定为例如与顶面44距旋转台2的上表面的高度相同的尺寸。
[0041]再次参照图3，在旋转台2与容器主体的内周面之间形成有与空间481连通的第1排气口 610和与空间482连通的第2排气口 620。第1排气口 610和第2排气口 620如图
1所示分别借助排气管630连接于作为真空排气部件的例如真空泵640。另外，在图1中，附图标记650是压力调整器。
[0042]在旋转台2与反应容器1的底部14之间的空间内，如图1和图6所示能够设置作为加热部件的加热器单元7，借助旋转台2能够将旋转台2上的晶圆I加热到通过工艺制程确定的温度。在旋转台2的周缘附近的下方侧，为了抑制气体向旋转台2的下方的空间进入而设有环状的盖构件71。如图6所示，该盖构件71能够设为包括内侧构件713和外侧构件716的结构，该内侧构件713以自下方侧与旋转台2的外缘部和比外缘部靠外周侧的部分相面对的方式设置，该外侧构件716设于该内侧构件7匕与反应容器1的内壁面之间。外侧构件716在形成于凸状部4的外缘部的弯曲部46的下方与弯曲部46相邻设置，内侧构件713在旋转台2的外缘部下方(以及比外缘部稍微靠外侧的部分的下方)整周包围加热器单元7。
[0043]如图1所示，底部14的比配置有加热器单元7的空间靠近旋转中心的部位处的部分以接近旋转台2的下表面的中心部附近的芯部21的方式向上方侧突出而形成突出部123。该突出部123与芯部21之间成为较窄的空间。另外，供贯穿底部14的旋转轴22贯穿的贯穿孔的内周面与旋转轴22之间的间隙变窄，这些较窄的空间与壳体20连通。而且，在壳体20上设有用于向较窄的空间内供给作为吹扫气体的凡气体来进行吹扫的吹扫气体供给管72。而且，在反应容器1的底部14，在加热器单元7的下方沿周向以预定的角度间隔设有用于对加热器单元7的配置空间进行吹扫的多个吹扫气体供给管73 (在图6中示出了一个吹扫气体供给管73)。进而，在加热器单元7与旋转台2之间，为了抑制气体向设有加热器单元7的区域的进入还设有在整个周向上对外侧构件716的内周壁(内侧构件7匕的上表面)与突出部123的上端部之间进行覆盖的盖构件71盖构件73例如能够用石英来制作。
[0044]若从吹扫气体供给管72供给队气体，则该队气体通过旋转轴22的贯穿孔的内周面与旋转轴22之间的间隙和突出部123与芯部21之间的间隙，在旋转台2与盖构件73之间的空间内流动，并自第1排气口 610或第2排气口 620(图3)排出。另外，若从吹扫气体供给管73供给队气体，则该队气体从收纳有加热器单元7的空间通过盖构件73与内侧构件7匕之间的间隙(未图示)流出，并自第1^^0 610^^2^^0 620(^3)排出。通过这些队气体的流动，能够抑制空间481和空间482内的气体通过反应容器1的中央下方的空间和旋转台2的下方的空间进行混合。
[0045]另外，在反应容器1的顶板11的中心部连接有分离气体供给管51，构成为能够向顶板11与芯部21之间的空间52内供给作为分离气体的队气体。供给到该空间52内的分离气体经由突出部5与旋转台2之间的较窄的空间50(图6)沿着旋转台2的晶圆载置区域侧的表面朝向周缘喷出。空间50利用分离气体而能够维持为比空间481和空间482高的压力。因而，利用空间50，抑制向第1处理区域？1供给的含硅气体与向第2处理区域？2供给的氢气和氧化气体通过中心区域￠:进行混合。即，空间50(或中心区域0能够与分离空间II(或分离区域0)相同地发挥作用。
[0046]而且，如图2、图3所示，在反应容器1的侧壁上能够形成用于在外部的输送臂10与旋转台2之间进行作为基板的晶圆I的交接的输送口 15。该输送口 15能够利用未图示的闸阀进行开闭。在该情况下，旋转台2上的作为晶圆载置区域的凹部24在与该输送口 15相面对的位置与输送臂10之间进行晶圆I的交接。因此，在旋转台2的下方侧，在与交接位置对应的部位，能够设置贯穿凹部24并用于从背面抬起晶圆I的交接用的升降销及该升降销的升降机构(均未图示
[0047]另外，如图1所示，能够在本实施方式的成膜装置上设置用于进行装置整体的动作控制的由计算机构成的控制部100。在控制部100的存储器内，能够存储在控制部100的控制下使成膜装置实施后述的成膜方法的程序。该程序以执行后述的成膜方法的方式编有步骤组，并存储于硬盘、光盘、光磁盘、存储卡、软盘等介质102，该程序能够利用预定的读取装置读入到存储部101内，并安装于控制部100内。
[0048](氧化硅膜的制造方法)
[0049]接着，使用图7说明本发明的实施方式的氧化硅膜的制造方法。
[0050]优选的是，本实施方式的氧化硅膜的制造方法包括以下各个步骤。即，优选的是按照例如图7所示的处理流程实施各个步骤。另外，以下所说明的氧化硅膜的制造方法并不限定于特定的成膜装置中的实施，能够应用于各种成膜装置。不仅能够应用于例如图1?图6所示的使用了旋转台的成膜装置，也能够应用于在反应容器内以静止的状态载置晶圆、并切换向反应容器内供给的供给气体来进行成膜的成膜装置。以下，也包括使用这种成膜装置的情况在内进行本实施方式的氧化硅膜的制造方法的说明。
[0051]首先，实施将在表面具有金属膜的基板设置在反应容器内的基板设置步骤(371)。在基板设置步骤之后，实施利用氢气供给部件开始向反应容器内供给氢气的氢气供给开始步骤(872)。
[0052]在氢气供给开始步骤(372)之后，实施氧化气体供给开始步骤和含硅气体供给开始步骤。即，实施利用氧化气体供给部件开始向反应容器内供给氧化气体的氧化气体供给开始步骤(373)和利用含硅气体供给部件开始向反应容器内供给含硅气体的含硅气体供给开始步骤(374).另外，在图7中，示出了在氧化气体供给开始步骤(373)之后实施含硅气体供给开始步骤(374)的例子，但是并不限定于该方式。例如，也能够是，先实施含硅气体供给开始步骤(374),之后实施氧化气体供给开始步骤(373).另外，也能够同时实施氧化气体供给开始步骤(373)与含硅气体供给开始步骤(374)。
[0053]然后，在氧化气体供给开始步骤(373)和含硅气体供给开始步骤(374)之后，实施氧化硅膜成膜步骤(375)，能够在形成氧化硅膜之后结束氧化硅膜的制造工序。
[0054]本发明人对在以往的氧化硅膜的制造方法中形成于作为基板的晶圆表面的金属膜被氧化的原因进行了研究，发现金属膜的氧化程度因供给在制造氧化硅膜时使用的气体的顺序的不同而不同，完成了本发明。
[0055]具体地说发现:如上所述，在基板设置步骤(371)之后立即首先实施氢气供给开始步骤(372),之后，实施氧化气体供给开始步骤(373)和含硅气体供给开始步骤(374),由此，能够抑制金属膜的氧化。推测这是因为，如上所述，通过在开始供给氧化气体之前供给氢气，从而氢气能够抑制金属膜与氧化气体之间的接触，能够降低金属膜的氧化程度。
[0056]在上述一系列的工序中，优选的是，氢气供给部件、氧化气体供给部件、含硅气体供给部件在开始供给各种气体之后连续地、即持续地进行各种气体的供给。具体地说，优选的是，氢气供给部件在氢气供给开始步骤之后连续地将氢供给到反应容器内。优选的是，氧化气体供给部件在氧化气体供给开始步骤之后连续地将氧供给到反应容器内。优选的是，含硅气体供给部件在含硅气体供给开始步骤之后连续地将含硅气体供给到反应容器内。
[0057]即，像图8所示的时间流程那样，各种气体的供给部件能够向反应容器供给各种气体。
[0058]如图8所不，首先，在将晶圆设置于反应容器内之后，在时间1:1时实施氢气供给开始步骤，开始供给氢气，之后连续地进行供给。接着，在时间12开始供给氧化气体，之后连续地进行供给。进而，在时间〖3开始供给含硅气体，之后连续地进行供给。另外，如上所述，也能够是，比氧化气体供给开始步骤(373)先实施含硅气体供给开始步骤(374),之后，实施氧化气体供给开始步骤(373)。因此，也可以在时间12开始供给含硅气体，在时间七3开始供给氧化气体。另外，也能够同时开始供给含硅气体和供给氧化气体。
[0059]在形成氧化硅膜之后，各种气体能够在任意的定时停止供给，例如，能够同时停止供给所有的气体，另外，也能够依次单独地停止供给各种气体。
[0060]在此，从实施氢气供给开始步骤到实施氧化气体供给开始步骤的时间II并不特别限定，能够任意地进行选择。例如，优选的是，在氢气供给开始步骤之后经过3秒以上实施氧化气体供给开始步骤。即，II优选为3秒以上。特别是II更优选为30秒以上，特别优选为100秒以上。这是因为，通过将从开始供给氢气到开始供给氧化气体的时间设为恒定时间以上，能够特别抑制形成于晶圆表面的金属膜的氧化。另外，II表示从实施氢气供给开始步骤到实施氧化气体供给开始步骤的时间，在图8中，由于在时间12开始供给氧化气体，因此从时间到时间〖2的期间成为II。但是，如上所述，当在时间13开始供给氧化气体时，从时间到时间13的期间成为丁1。
[0061]XI的上限值并不特别限定，但是若直到开始供给氧化气体的时间过长，则直到开始成膜工序需要花费较长的时间，而生产率有可能降低。因此，优选的是，II设为例如3分钟以下。
[0062]另外，氧化气体供给开始时与含硅气体供给开始时之间的时间、即图8中的时间^2与时间13之间的时间12并不特别限定。例如，也能够同时实施氧化气体供给开始步骤与含硅气体供给开始步骤。即，12也能够设为0。特别优选的是，12设为1秒以上。12的上限值并不特别限定，但是若12过长，则有可能使生产率降低，因此优选为1分钟以下，更优选为30秒以下。另外，在含硅气体的供给开始之后、开始供给氧化气体的情况下，也能够任意选择含硅气体的供给开始时与氧化气体供给开始时之间的时间12，优选设为例如上述12的范围。
[0063]而且，在本实施方式的氧化硅膜的制造方法中，在含硅气体供给开始步骤(374)之后，实施形成氧化硅膜的氧化硅膜成膜步骤(375).
[0064]实施该各个步骤的成膜装置如上所述并不特别限定，能够使用各种成膜装置。
[0065]例如，能够优选使用包括以下部件的成膜装置:以能够旋转的方式收纳于反应容器内的旋转台；用于供给含硅气体的第1气体供给部；以及用于供给氢气和氧化气体的第2气体供给部。
[0066]在该成膜装置中，旋转台能够在上表面具有用于载置多个基板(晶圆)的载置部。能够是，第1气体供给部具有含硅气体供给部件，并配置在被划分于旋转台的上表面的上方的第1处理区域，朝向旋转台的上表面供给含硅气体。另外，能够是，第2气体供给部具有氢气供给部件和氧化气体供给部件，并配置在沿着旋转台的周向与第1处理区域分开的第2处理区域，朝向旋转台的上表面供给氢气和氧化气体。具体地说，能够优选使用例如已述的成膜装置。
[0067]而且，优选的是，本实施方式的氧化硅膜的制造方法包括成膜准备工序、吸附工序以及反应工序。
[0068]在此，成膜准备工序能够包括上述基板设置步骤、氢气供给开始步骤、氧化气体供给开始步骤以及含硅气体供给开始步骤。在成膜准备工序中，首先，优选的是在基板设置步骤之后实施氢气供给开始步骤。然后，能够在氢气供给开始步骤之后实施氧化气体供给开始步骤和含硅气体供给开始步骤。对于氧化气体供给开始步骤和含硅气体供给开始步骤，也可以先实施任一步骤，而且，也能够同时实施氧化气体供给开始步骤和含硅气体供给开始步骤。
[0069]吸附工序能够设为一边使旋转台旋转、一边在第1处理区域内使含硅气体吸附于载置在旋转台上的晶圆的工序。另外，作为反应工序，能够设为一边使旋转台旋转、一边在第2处理区域内使吸附于晶圆的表面的含硅气体与供给到第2处理区域的氢气以及氧化气体发生反应的工序。
[0070]以使用上述成膜装置进行实施的情况为例说明上述本实施方式的氧化硅膜的制造方法。
[0071]首先，具体说明成膜准备工序。
[0072]最初，实施基板设置步骤(371).具体地说，例如打开未图示的闸阀，利用输送臂10经由输送口 15(图3)将晶圆I交接到旋转台2的凹部24内。通过在凹部24停止于与输送口 15相面对的位置时使未图示的升降销经由凹部24的底面的通孔自反应容器1的底部侧升降来进行该交接。使旋转台2间歇地旋转来进行这样的晶圆I的交接，在旋转台2的5个凹部24内分别载置晶圆I。另外，作为此时使用的晶圆I，能够使用在其表面形成有金属膜的晶圆I。另外，金属膜不必形成于晶圆I的整个表面，只要形成于其一部分即可。另夕卜，金属膜的材质并不特别限定，但是能够优选使用例如钨。
[0073]接下来，关闭闸阀，利用真空泵640将反应容器1内排气到最低到达真空度。之后，从分离气体喷嘴41、42以预定的流量喷出作为分离气体的队气体，也从分离气体供给管51和吹扫气体供给管72、73〈图1)以预定的流量喷出队气体。与此相伴，利用压力调整器650将反应容器1内调整为预先设定的处理压力。即，在该情况下，能够在基板设置步骤(371)与氢气供给开始步骤(372)之间实施分离气体供给开始步骤(未图示
[0074]接着，使旋转台2绕顺时针旋转。在使旋转台2旋转时，旋转台2的转速并不特别限定，优选的是将旋转台2的转速设为5印111?240印111。这是因为，通过将旋转台2的转速设为240印！11以下，能够使供给到第2处理区域？2的氢气以及氧化气体与吸附在晶圆评上的含硅气体充分地发生反应，能够制造致密且膜质优异的氧化硅膜。另外，通过将旋转台2的转速设为5印！11以上，能够保证生产率并且制造氧化硅膜。基于生产率提高和氧化硅膜的膜质提高的观点考虑，更优选的是，旋转台2的转速设为20印111?120印111。
[0075]另外，在本实施方式的氧化硅膜的制造方法中，优选的是，供给到第2处理区域？2的氢气与氧化气体发生反应，并生成衝，(羟基自由基(氧自由基特别是由于0? -(羟基自由基)的氧化力较强，因此与单供给氧化气体来对吸附于晶圆表面的物质进行氧化处理的情况相比，能够特别推进含硅气体的氧化反应。
[0076]因此，为了能够进一步促进供给到第2处理区域的氢气与氧化气体发生反应、并生成羟基自由基等的反应，优选的是，在使旋转台2旋转时，利用加热器单元7对晶圆I进行加热。作为此时的温度，并不特别限定，但是优选的是加热到供给到第2处理区域的氢气与氧化气体到达晶圆I的表面之前生成充分的0? ? (羟基自由基)、0 ? (氧自由基)的温度。具体地说，例如优选的是，将作为基板的晶圆评加热到4001?9001的范围的温度。另外，在氧化气体含有臭氧气体的情况下，为了抑制臭氧气体的分解，优选的是加热到4001?7001的范围的温度。特别是出于促进羟基自由基、氧自由基的生成反应、并且抑制供给到第2处理区域的气体分解的观点考虑，更优选的是将晶圆I加热到4501?6801。加热器单元7对晶圆I的加热优选至少在氧化硅膜成膜步骤(375)期间实施，特别是，更优选在从基板设置步骤(371)到结束氧化硅膜成膜步骤(375)而输出基板的期间实施。
[0077]在如上所述使旋转台2开始旋转之后，针对反应容器1，从第2气体喷嘴321开始供给氢气，实施氢气供给开始步骤(372)。氢气能够这样连续地进行供给。在氢气供给开始步骤(372)之后，配置在旋转台2上的晶圆通过仅供给有氢气的第2处理区域？2。
[0078]接着，从第2气体喷嘴322开始供给氧化气体，实施氧化气体供给开始步骤(373)。优选的是，氧化气体这样连续地进行供给。另外，如上所述，也能够从第2气体喷嘴322供给氢气，从第2气体喷嘴321供给氧化气体。作为氧化气体，如上所述，能够优选使用氧气和/或臭氧气体，特别优选的是含有臭氧气体。在氧化气体供给开始步骤(373)之后，配置在旋转台2上的晶圆通过供给有氢气和氧化气体的第2处理区域？2。
[0079]接着，从第1气体喷嘴31开始供给含硅气体，实施含硅气体供给开始步骤(374)。含硅气体也能够这样连续地进行供给。作为含硅气体，并不特别限定，如上所述能够优选使用例如30嫩3(三(二甲氨基)硅烷31⑶((?^)卯四(二甲氨基)硅烷81(^(0^)2))4)等氨基硅烷系、扣3(四氯化硅硅烷31?) 4(:3( 二氯硅烷31--) 314(甲娃烧)、只。0 (八氣乙娃烧等。
[0080]另外，如上所述，氧化气体供给开始步骤(373)和含硅气体供给开始步骤(374)的顺序并不受到限定，也能够在含硅气体供给开始步骤(374)之后实施氧化气体供给开始步骤(373).另外，也能够同时实施氧化气体供给开始步骤(373)与含硅气体供给开始步骤(874)。
[0081]在氧化气体供给开始步骤(373)和含硅气体供给开始步骤(374)之后，成为在第1处理区域？1供给有含硅气体、在第2处理区域？2供给有氢气和氧化气体的状态。而且，如后所述，晶圆I借助旋转台2的旋转而交替通过第1处理区域？1与第2处理区域？2，在第1处理区域？1中实施吸附工序，在第2处理区域？2中实施反应工序。
[0082]另外，第2气体供给部具有两个第2气体喷嘴，能够从一个第2气体喷嘴(氢气供给用第2气体喷嘴)供给氢气，能够从另一个第2气体喷嘴(氧化气体供给用第2气体喷嘴)供给氧化气体。另外，也能够设为将第2气体喷嘴设为1个气体喷嘴、并在该气体喷嘴与氢气的供给源和氧化气体的供给源之间设置了混合器等的结构。在该情况下能够是，从氢气供给开始步骤到氧化气体供给开始步骤，从第2气体喷嘴仅供给氢气，在氧化气体供给开始步骤之后，从第2气体喷嘴供给氢气与氧化气体的混合气体。
[0083]另外，也能够在第2处理区域？2设置多个第2气体供给部。即，如上所述能够设置多组第2气体喷嘴。该情况下的第2气体供给部的设置位置并不特别限定，具体地说例如能够设置在第2处理区域中的、靠旋转台的旋转方向的上游侧的位置和图3的X所示的位置、即第2处理区域？2的圆周方向的中央部。
[0084]从第1气体喷嘴31供给的含硅气体的供给条件并不特别限定，能够以使得在利用旋转台2而旋转的晶圆I通过第1处理区域？1时能够将含硅气体吸附于晶圆I的表面的方式任意地进行选择。例如，优选的是，含硅气体的供给速度设为0.117111111以上，更优选设为0.317111111以上。另外，优选的是将第1处理区域内的含硅气体的压力设为200？3以上，更优选设为500？3以上。
[0085]从第2气体喷嘴321、322供给的氢气、氧化气体的供给条件也并不特别限定，能够以使吸附于晶圆I的表面的含硅气体能够充分地氧化的方式任意地进行选择。
[0086]例如，为了利用供给到第2处理区域？2的氢气和氧化气体充分地生成羟基自由基等，优选的是在所述氢气供给开始步骤之后，氢气供给部件以0.517111111以上的供给速度向所述反应容器内供给氢气。特别是，更优选以0.7517111111以上的供给速度供给氢气。
[0087]另外，氢气与氧化气体的供给量的比例也并不特别限定，能够任意地进行选择。优选的是，例如在将从第2气体喷嘴321、322供给的气体整体的每单位时间的供给量设为1时，以氢气的供给量的比例成为0.1?0.6的方式供给氢气。即，在使用氧气和/或臭氧气体作为氧化气体的情况下，优选的是以^"([^ — [(^ +队])成为0.1?0.6的方式供给氢气。
[0088]另外，上述式中的政]表示每单位时间内从第2气体喷嘴供给的气体中的氢气供给量。〔02〕、〔03〕同样地分别表示每单位时间内从第2气体喷嘴供给的气体中的氧气、臭氧气体的供给量。
[0089]通过以成为上述比例的方式供给氢气，能够产生足够的羟基自由基等，能够特别进行吸附于晶圆表面的含硅气体的氧化反应。因此，能够抑制所形成的氧化硅膜的膜收缩率。另外，为了特别抑制所形成的氧化硅膜的膜收缩率，更优选的是，以氢气的供给量的比例成为0.2?0.4的方式供给氢气。
[0090]第2处理区域？2内的氢气与氧化气体的压力并不特别限定，但是优选以当载置在旋转台上的晶圆通过第2处理区域？2时、能够使吸附于晶圆I表面的含硅气体充分地氧化的方式进行选择。具体地说，优选设为例如0.5--?1.3^,更优选设为0.671^？3?1.01^？80
[0091]另外，如上所述在本实施方式的成膜装置中，在反应容器1内，在第1处理区域？1与第2处理区域？2之间配置有对旋转台2的上表面供给分离气体的分离气体供给部、即分离气体喷嘴41、42。而且，配置有包含以下顶面44的分离区域0:该顶面44与旋转台2的上表面之间形成用于将来自分离气体供给部的分离气体向第1处理区域和第2处理区域引导的狭小的空间(分离空间田。另外，顶面44能够形成为沿着旋转台2的周向的宽度沿着朝向旋转台2的外缘的方向变大。因此，一边使旋转台2旋转，一边从分离气体供给部供给分离气体并利用分离空间則图5)分离第1处理区域？1与第2处理区域？2，能够防止在反应容器1内第1处理区域内的气体与第2处理区域内的气体相互混合。
[0092]接着，说明吸附工序与反应工序。
[0093]上述氧化硅膜成膜步骤(375)能够设为包括吸附工序与反应工序的步骤。在此，通过将晶圆I载置在旋转台2上并使其旋转、且连续地供给含硅气体与氢气和氧化气体而能够交替实施吸附工序与反应工序。首先，若晶圆I借助旋转台2的旋转而通过第1处理区域？1，则实施将含硅气体吸附于晶圆评的表面的吸附工序。接着，在晶圆评通过第2处理区域？时，实施吸附于晶圆I的表面的含硅气体与供给到第2处理区域？2的氢气以及氧化气体发生反应的反应工序。由此，能够在晶圆I的表面形成氧化硅膜。吸附工序与反应工序通过使旋转台2旋转而交替重复实施。
[0094]另外，在反应工序中，优选的是，在吸附于晶圆I的含硅气体与氢气以及氧化气体发生反应之前，供给到第2处理区域？2的氢气与氧化气体发生反应并生成0? ? (羟基自由基(氧自由基这是因为，如上所述由于(羟基自由基)的氧化力较强，因此与单供给氧气、臭氧气体来对吸附于晶圆表面的物质进行氧化处理的情况相比，能够特别推进含硅气体的氧化反应。因此，能够更可靠地推进吸附于晶圆I表面的含硅气体的氧化，能够形成具有均质的膜质、且即使在进行了加热处理等的情况下膜收缩率也较小的氧化硅膜。
[0095]在使用图1?图6所示的采用了旋转台的成膜装置的情况下，在吸附工序、反应工序中，朝向旋转的旋转台2的上表面供给含硅气体、氢气、氧化气体，晶圆I配置于旋转台2的上表面。因此，从第1气体喷嘴31、第2气体喷嘴321、322供给的气体的供给方向与晶圆的表面(氧化硅膜的形成面)大致垂直。而且，保持来自各个气体喷嘴的气体的供给方向与晶圆I的表面大致垂直的状态，并且晶圆I借助旋转台2的旋转而通过第1气体喷嘴31、第2气体喷嘴321、322的下面。因此，能够对晶圆I的表面均匀地供给来自各个气体喷嘴的气体，能够在晶圆表面上形成均匀膜厚的氧化硅膜。
[0096]像以上那样一边连续地供给含硅气体、氢气、氧化气体，一边使载置有晶圆I的旋转台2旋转，交替在预定时间重复实施吸附工序与反应工序，由此，能够在晶圆I表面上形成预定膜厚的氧化硅膜。然后，在经过了预定的时间之后，停止向反应容器1供给气体，使旋转台2停止旋转，利用与向反应容器1内输入晶圆I时的顺序相反的顺序，从反应容器1内输出晶圆I。由此，氧化硅膜的成膜操作结束。
[0097]根据以上所说明的本发明的实施方式的氧化硅膜的制造方法，通过在将晶圆设置于反应容器内之后按照预定的顺序开始供给气体，能够抑制形成于晶圆表面的金属膜的氧化。
[0098]【实施例】
[0099]以下，利用本发明的实施例进一步详细地说明本发明，但是本发明丝毫不被这些实施例所限定。
[0100][实施例1]
[0101]在本实施例中，使用图1?图6所示的成膜装置，从第1气体喷嘴31供给了三(二甲氨基)硅烷(31(幽从則以下，也记作“30嫩3””作为含硅气体。另外，从一个第2气体喷嘴321供给氢气，从另一个第2气体喷嘴322供给氧气作为氧化气体而在晶圆I上制造出氧化硅膜。另外，作为晶圆I，使用了在一个面上形成有膜厚的钨膜的直径300臟的硅晶圆。另外，钨膜利用溅射法来形成。
[0102]主要的成膜条件如下所示。
[0103].晶圆评的温度:6001
[0104]? 30嫩3 的供给速度:0.31/111111
[0105]?氢气的供给速度:0.751/111111
[0106]?氧气的供给速度:31/111111
[0107]?分离气体的供给量(来自各个分离气体喷嘴41、42的供给量)
[0108]?旋转台2的转速:12011)111
[0109]然后，将上述晶圆I设置于图1?图6所示的成膜装置，在对反应容器1内抽真空之后，从分离气体喷嘴41、42开始供给作为分离气体的队气体。另外，此时，也从分离气体供给管51和吹扫气体供给管72、73供给分离气体。然后，在使旋转台2开始旋转之后，按照以下⑷?⑷的顺序实施以下⑷?⑷的步骤而进行氧化硅膜的成膜。
[0110]另外，从将晶圆I设置于成膜装置到形成氧化硅膜之后输出晶圆I为止进行晶圆I的加热。
[0111](^)从第2气体喷嘴321开始供给氢气，进行氢气供给开始步骤。在氢气供给开始步骤之后，连续地供给氢气。
[0112](^)在氢气供给开始步骤之后，在经过了 30秒的时刻从第2气体喷嘴322开始供给氧气，进行氧化气体供给开始步骤。即，将图8中的II设为30秒。在氧化气体供给开始步骤之后，连续地供给氧气。
[0113](0)在氧化气体供给开始步骤之后，在经过了 3秒的时刻从第1气体喷嘴31开始供给含硅气体，进行含硅气体供给开始步骤。即，将图8中的12设为3秒。在含硅气体供给开始步骤之后，连续地供给含硅气体。
[0114]((1)连续地进行含硅气体、氢气、氧气的供给，并且使旋转台2旋转，实施氧化硅膜成膜步骤直至在晶圆表面上形成5=0的氧化硅膜。
[0115]在氧化硅膜成膜步骤结束之后，停止供给气体，使旋转台2停止旋转，取出晶圆I，对形成于晶圆I表面的钨膜的状态进行评价。
[01 16]使用乂？3“ — ？1101:061601:1~011 8^)601:1-08001)7 一射线光电子能谱)(9111 公司制产品名皿社6以3X1〉进行形成于晶圆I表面的钨膜的状态的评价。具体地说，利用父？3分析钨膜和形成在钨膜上的氧化硅膜，测量被形成于钨膜与氧化硅膜之间的界面上的氧化钨膜的膜厚。
[0117]在本实施例中，形成于钨膜表面的氧化物膜的厚度如图9所示为1.75！^。
[0118][实施例2]
[0119]在实施例1的(幻工序中，除了在氢气供给开始步骤之后、在经过了 178秒的时刻从第2气体喷嘴322开始供给氧气、进行氧化气体供给开始步骤这一点以外，与实施例1相同地进行氧化硅膜的成膜。即，除了将图8中的II设为178秒这一点以外与实施例1相同地进行。
[0120]也与实施例1相同地进行形成于晶圆I表面的钨膜的状态的评价，形成于钨膜表面的氧化物膜的厚度如图9所示为0.4811111。
[0121]〔比较例1]
[0122]除了取代⑷?⑷步骤而按照以下)?)的顺序进行实施这一点以夕卜，与实施例1相同地进行氧化硅膜的成膜。另外，)步骤之前的操作顺序与实施例1的(幻步骤之前的操作顺序相同，因此在此省略记载。
[0123])从第2气体喷嘴322开始供给氧气，进行氧化气体供给开始步骤。在氧化气体供给开始步骤之后，连续地供给氧气。
[0124](…)在氧化气体供给开始步骤之后，在经过了3秒的时刻从第2气体喷嘴321开始供给氢气，进行氢气供给开始步骤。在氢气供给开始步骤之后，连续地供给氢气。
[0125]匕')在从氢气供给开始步骤经过了 3秒的时刻，从第1气体喷嘴31开始供给含硅气体，进行含硅气体供给开始步骤。在含硅气体供给开始步骤之后，连续地供给含硅气体。
[0126](1 )连续地进行含硅气体、氢气、氧气的供给，并且使旋转台2旋转，实施氧化硅膜成膜步骤直至在晶圆表面上形成5=0的氧化硅膜。
[0127]在氧化硅膜成膜步骤结束之后，与实施例1相同地取出晶圆I，对形成于晶圆I表面的钨膜的状态进行评价，形成于钨膜表面的氧化物膜的厚度如图9所示为4.6=1
[0128][参照例1]
[0129]作为参照例1，对于与实施例1相同地利用溅射法在晶圆I表面上形成了钨膜的试样，使用X？？与实施例1相同地测量形成于钨膜表面的氧化膜的厚度，氧化钨层的厚度为
2.1歷。
[0130]将以上实施例1、2、比较例1、参照例1的结果汇总表示在图9中。
[0131]关于实施例1、2，能够确认氧化钨膜的膜厚比参照例1的氧化钨膜的膜厚薄。认为这是因为，通过最初仅将氢气供给到反应容器内，从而抑制了钨膜的氧化，而且对钨膜所含有的氧化钨进行了还原。特别是在单独供给氢气的时间较长的实施例2中，确认氧化钨层的膜厚比实施例1时进一步变薄。
[0132]与此相对，在比较例1中，确认氧化钨膜的厚度与参照例1、实施例1、2相比变得极其厚。认为这是因为，通过最初供给作为氧化气体的氧气，从而进行了钨膜的氧化，氧化钨层变厚。
[0133]根据以上结果能够确认，根据本实施方式的氧化硅膜的制造方法，通过按照预定的顺序供给在形成氧化硅膜时使用的气体，能够抑制形成于晶圆表面的金属膜的氧化。
[0134]根据本发明的实施方式的氧化硅膜的制造方法，能够抑制形成于基板表面的金属膜的氧化。
[0135]以上，说明了本发明的优选实施方式和实施例，但是本发明并不限制于上述实施方式和实施例，能够在不脱离本发明的范围的情况下对上述实施例施加各种变形和替换。
[0136]本申请基于2013年9月13日向日本国特许厅提出申请的日本特许出愿2013 —191061号要求优先权，并将日本特许出愿2013 — 191061号的全部内容引用于此。
【权利要求】
1.一种氧化硅膜的制造方法，其中， 将在表面具有金属膜的基板设置在反应容器内， 在设置所述基板的步骤之后，利用氢气供给部件开始向所述反应容器内供给氢气， 利用氧化气体供给部件开始向所述反应容器内供给氧化气体， 利用含硅气体供给部件开始向所述反应容器内供给含硅气体， 在开始供给所述氢气的步骤之后，实施开始供给所述氧化气体的步骤和开始供给所述含硅气体的步骤。
2.根据权利要求1所述的氧化硅膜的制造方法，其中， 所述氢气供给部件在开始供给所述氢气的步骤之后连续地向所述反应容器内供给氢，所述氧化气体供给部件在开始供给所述氧化气体的步骤之后连续地向所述反应容器内供给氧， 所述含硅气体供给部件在开始供给所述含硅气体的步骤之后连续地向所述反应容器内供给含娃气体。
3.根据权利要求1所述的氧化硅膜的制造方法，其中， 在开始供给所述氢气的步骤之后经过3秒以上实施开始供给所述氧化气体的步骤。
4.根据权利要求2所述的氧化硅膜的制造方法，其中， 旋转台以能够旋转的方式收纳在反应容器内，该旋转台在上表面具有用于载置基板的基板载置部， 所述反应容器在所述旋转台的周向上具有第I处理区域和第2处理区域，该第I处理区域被划分于所述旋转台的所述上表面的上方，该第2处理区域沿着所述旋转台的周向与所述第I处理区域分开，并被划分于所述旋转台的所述上表面的上方， 所述含硅气体供给部件为了在所述第I处理区域内向所述旋转台的上表面供给所述含硅气体而配置在所述第I处理区域内， 所述氢气供给部件和所述氧化气体供给部件为了在所述第2处理区域内向所述旋转台的上表面供给所述氢气和所述氧化气体而配置在所述第2处理区域内， 执行设置所述基板的步骤、开始供给所述氢气的步骤、开始供给所述氧化气体的步骤以及开始供给所述含硅气体的步骤而进行成膜的准备， 一边使所述旋转台旋转，一边在所述第I处理区域内使所述含硅气体吸附于载置在所述旋转台上的基板的表面， 一边使所述旋转台旋转，一边在所述第2处理区域内使吸附于所述基板的表面的所述含硅气体与供给到所述第2处理区域的所述氢气以及所述氧化气体发生反应。
5.根据权利要求4所述的氧化硅膜的制造方法，其中， 在使所述旋转台旋转时，所述旋转台的转速为5rpm?240rpm。
6.根据权利要求1所述的氧化硅膜的制造方法，其中， 将所述基板加热到400°C?900°C。
7.根据权利要求1所述的氧化硅膜的制造方法，其中， 所述氢气供给部件在开始供给所述氢气的步骤之后以0.5L/min以上的供给速度向所述反应容器内供给氢气。
8.根据权利要求1所述的氧化硅膜的制造方法，其中， 所述旋转台具有沿着周向配置的多个基板载置部， 针对载置于所述多个基板载置部的多个基板依次进行将所述含硅气体吸附于所述基板的步骤和使所述氢气以及所述氧化气体与吸附于所述基板的所述含硅气体发生反应的步骤。
【文档编号】C23C16/455GK104451599SQ201410466613
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年9月12日 优先权日:2013年9月13日
【发明者】田村辰也, 熊谷武司, 千叶贵司 申请人:东京毅力科创株式会社
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