成膜装置的制作方法

本发明涉及成膜装置。

背景技术：

成膜装置中，存在如下成膜装置，在基板架支撑多个基板，为了抑制基板架的旋转方向上基板间的膜厚的偏差，一边旋转基板架，一边进行成膜。另外，这种成膜装置中，存在如下成膜装置，使多个蒸镀源与基板架相对，按照多个蒸镀源来容纳不同的材料，使从多个蒸镀源中选择出的一个材料朝着支撑架蒸发来进行成膜。

但是，基板架的直径方向上的膜厚遵循所谓的余弦定律，并且存在根据蒸镀源与基板架的距离而发生偏差的情况。为了抑制该偏差，存在一种在蒸镀源与基板架之间设置用于使膜厚分布均匀的遮蔽板的成膜装置。但是，根据蒸发的材料，余弦定律的系数(cosⁿθ)的n值不同。由此，存在在蒸镀源与基板架之间即使设置相同的遮蔽板也无法改善基板架的直径方向上的膜厚的偏差的情况。

对此，提供了如下的成膜装置：切换开口形状不同的多个遮蔽板，并使得能够将从这些遮蔽板中选择出的一个遮蔽板设置在蒸镀源与基板架之间(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-043880号公报

技术实现要素：

发明所要解决的课题

但是，上述成膜装置中，开口的形状在各遮蔽板上是固定的，从基板架侧观察遮蔽板时(俯视)遮蔽板的面积不会连续地变化。由此，基板架的直径方向上的膜厚的偏差能够得到抑制的材料选择的自由度受到限制。另外，当在成膜装置内容纳多个遮蔽板时，成膜装置内需要有容纳遮蔽板的容纳室，从而成膜装置变得大型化。

鉴于以上情况，本发明的目的是提供一种成膜装置，其进一步提高在基板架的直径方向上的膜厚的偏差得到抑制的材料的选择自由度，并抑制装置大型化。

用于解决课题的方案

为达成上述目的，涉及本发明的一个方面的成膜装置具备真空槽、成膜源、支撑架、以及第一遮蔽机构。

所述成膜源设置在所述真空槽内。所述支撑架设置在所述真空槽内。所述支撑架与所述成膜源相对并且能够支撑工件。所述支撑架能够围绕第一轴旋转。

所述第一遮蔽机构以能够围绕与所述第一轴交叉的第二轴旋转的方式设置在所述成膜源和所述支撑架之间。所述第一遮蔽机构包括第一遮蔽板，从所述第一轴方向观察时，所述第一遮蔽板在第一旋转位置具有第一面积，所述第一遮蔽板在第二旋转位置具有与所述第一面积不同的第二面积。

由此，第一遮蔽板的遮蔽面积连续变化，进一步提高在支撑架的直径方向上的膜厚的偏差得到抑制的材料的选择自由度。进而，抑制成膜装置大型化。

在上述成膜装置，所述第一遮蔽板也可以具有宽度沿所述第二轴变化的平面形状。

由此，通过具有宽度沿所述第二轴变化的平面形状的第一遮蔽板的旋转，第一遮蔽板的遮蔽面积连续地变化。

在上述成膜装置，所述第一遮蔽机构还可以具有以能够围绕所述第二轴旋转的方式设置的第二遮蔽板。所述第二遮蔽板也可以以相对于所述第一遮蔽板交叉的方式配置。所述第二遮蔽板的形状也可以与所述第一遮蔽板的形状不同。

由此，与第一遮蔽板形状不同的第二遮蔽板的遮蔽面积也连续地变化。

在上述成膜装置，还可以具备第二遮蔽机构。

所述第二遮蔽机构具有第二遮蔽板。所述第二遮蔽板可以以能够围绕所述第二轴或与所述第二轴交叉的第三轴旋转的方式设置在所述成膜源和所述支撑架之间。从所述第一轴方向观察时，所述第二遮蔽板在第三旋转位置可以具有第三面积，所述第二遮蔽板在第四旋转位置可以具有与所述第三面积不同的第四面积。

由此，第二遮蔽板的遮蔽面积连续地变化。

在上述成膜装置，所述第二遮蔽板可以具有宽度沿所述第二轴或所述第三轴变化的平面形状。

由此，通过具有宽度沿所述第二轴或所述第三轴变化的平面形状的第二遮蔽板的旋转，第二遮蔽板的遮蔽面积连续地变化。

在上述成膜装置，所述第二遮蔽板的形状可以与所述第一遮蔽板的形状不同。

由此，形状与第一遮蔽板不同的第二遮蔽板的遮蔽面积也连续地变化。

在上述成膜装置，所述成膜源可以具有多个蒸发源。

由此，即使各材料的蒸发角度不同，也能够通过适当调整第一遮蔽板或第二遮蔽板的旋转位置来抑制各材料的支撑架的径向上膜厚分布的偏差。

发明效果

如上所述，根据本发明，遮蔽板的面积连续变化，抑制成膜装置的大型化。

附图说明

图1a是表示本实施方式的成膜装置的整体结构的概略侧视图；图1b是将本实施方式的成膜装置的支撑架的一部分放大后的概略剖视图。

图2a、图2b、图2c是表示从支撑架观察到的本实施方式的遮蔽板的状态的示意俯视图。

图3a及图3b是表示本实施方式的成膜装置动作时支撑架的径向上的膜厚分布的示意图。

图4a是本实施方式的遮蔽机构的变形例的示意剖视图。图4b及图4c是本实施方式的遮蔽机构的变形例的示意俯视图。

图5是本实施方式的成膜装置的变形例的示意侧视图。

图6是图5所示的成膜装置内的遮蔽机构的示意俯视图。

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。在各附图中存在导入xyz轴坐标系的情况。

[成膜装置的整体构成]

图1a是表示本实施方式的成膜装置的整体构成的概略侧视图。图1b是将本实施方式的成膜装置的支撑架的一部分放大后的概略剖视图。

图1a所示的成膜装置100具备真空槽10、成膜源20、支撑架30以及遮蔽机构40a(第一遮蔽机构)。

真空槽10是能维持减压状态的真空容器。将真空槽10在沿x-y平面切割时的形状例如为矩形。可以在真空槽10设置能从真空槽10外部向真空槽10内供给气体的气体供给机构。

成膜源20设置在真空槽10内。例如，将成膜源20设置在真空槽10内的底部10b或底部10b的附近。成膜源20具有铜制的坩埚21。例如，坩埚21能围绕沿z轴方向延伸的轴心20c旋转。例如，在坩埚21，设置有多个蒸发源21h。蒸发源21h是设置于坩埚21的孔部。俯视坩埚21时，多个蒸发源21h以轴心20c为中心以放射状配置。在各个蒸发源21h，设置有材料。

成膜源20具有放出电子束23的电子枪22。例如，电子枪22沿y轴方向(或x轴方向)与坩埚21并排配置。通过坩埚21的旋转选择被电子枪22照射的材料，该材料通过电子枪22被加热，由此，材料从蒸发源21h朝向支撑架30进行蒸发。在本实施方式中，作为成膜源20，虽举例示出了电子束蒸镀源，但成膜源20也可以是感应加热式的蒸镀源、电阻加热式的蒸镀源。

在蒸发源21h的正上方设置用于阻断材料向支撑架30飞游的遮挡部25。此外，在成膜源20，也可以设置通过旋转来阻断电子束23的其他的遮挡部(未图示)。图1a中，用线26示意性示出了材料从蒸发源21h向支撑架30飞游的范围的外延。材料朝向支撑架30的蒸汽流的角度分布通常遵循所谓的余弦定律是已知的。

例如，膜厚表示出以下趋势，即，在最接近成膜源20的支撑架30的中心部最厚，越远离中心部(越朝向支撑架30的外侧)则越薄。而且，关于使用电子束23的成膜源20的蒸发角度分布，作为余弦定律的系数，使用cosⁿθ。n的值根据材料等的不同而不同。

支撑架30设置在真空槽10内。支撑架30在z轴方向上与成膜源20相对。支撑架30具有圆顶型结构。支撑架30也可以是平板结构。支撑板30能够支撑多个工件w1。

例如，如图1b所示，工件w1经由基板支撑件35被支撑架30支撑。基板支撑件35相对于支撑架30可以拆装。例如，基板支撑件35的外端35e是圆形。基板支撑件35具有以与基板支撑件35的外端35e同心的圆状而设置的多级状的开口。例如，基板支撑件35具有开口35ha以及与开口35ha连通且直径小于开口35ha的开口35hb。通过该阶梯形状，在基板支撑件35，形成能载置工件w1的环状的载置面35p。

另外，在支撑架30，设置有容纳基板支撑件35的开口30h。其中，开口30h的内径小于基板支撑件35的外端35e的外径。另外，在基板支撑件35的外端35e也设置有阶梯，在基板支撑件35形成与支撑架30抵接的抵接面35r。

在工件w1，通过基板支撑件35进行支撑，使成膜面与载置面35p接触。由此，工件w1的成膜面的一部分从开口35ha向下侧露出。露出的面与成膜源(未图示)相对。例如，在该露出的面实施成膜。例如，工件w1是圆形的半导体晶片。工件w1的平面形状例如也可以是矩形。对工件w1而言，使成膜面朝向成膜源20被支撑架30支撑。即，工件w1的成膜面与成膜源20相对。

支撑架30的中心部(圆顶结构的最上部)与轴部31连结。轴部31沿z轴方向(第一轴)延伸。轴部31设置于真空槽10的上部10u。支撑架30能围绕轴部31旋转。轴部31经由真空槽10与驱动单元32连结。例如，驱动单元32设置在真空槽10的上部10u上。轴部31的旋转由驱动单元32控制。在成膜装置100，可以一边旋转支撑架30，一边进行成膜处理。

遮蔽机构40a设置在成膜源20与支撑架30之间。遮蔽机构40a具有遮蔽板41(第一遮蔽板)、轴部44、以及驱动单元46。遮蔽板41具有一组遮蔽部41a和遮蔽部41b。此外，在本实施方式中，存在将遮蔽部41a和遮蔽部41b统称作遮蔽板41的情况。此外，本实施方式中举例示出的遮蔽板41的形状是一个例子。

例如，遮蔽板41(遮蔽部41a、41b)是沿着轴部44延伸的方向的板状部件。遮蔽板41具有宽度沿轴部44变化的平面形状。例如，遮蔽部41a以及遮蔽部41b各自包括平面形状是椭圆状的板状部件。遮蔽部41a以及遮蔽部41b各自的平面形状也可以是圆形、矩形。图1a中，作为遮蔽板41的一个例子，示出了遮蔽部41a以及遮蔽部41b各自在轴部44延伸的方向上排列的状态。例如，遮蔽部41a以及遮蔽部41b以遮蔽部41a及遮蔽部41b各自的主面41s呈平行状态的方式在轴部44延伸的方向上排列。例如，将遮蔽部41a及遮蔽部41b设置为各自相对于轴部44线对称。

遮蔽板41由轴部44支撑。轴部44沿与z轴方向交叉的轴(第二轴)延伸。以下，例如将第二轴设为图中的y轴方向。例如，轴部44相对于轴部31大致正交。其中，“大致正交”是指形成的角度为正交或实质上正交。轴部44与驱动单元46连结。例如，驱动单元46设置于真空槽10的侧壁10w。轴部44的旋转由驱动单元46控制。

例如，从蒸发源21h蒸发的材料遵循所谓的余弦定律的情况下，支撑架30的直径方向上的膜厚越靠近支撑架30的中心部越厚，随着从中心部朝向外侧则变薄。例如，为使该膜厚分布均匀，遮蔽板41可以具有以下结构，即，在轴部44的中心附近相对于y轴方向正交的方向上的宽度较宽，随着从中心朝向外侧，其宽度变窄。

但是，因为轴部31设置在支撑架30的中心部，所以中心部附近不能设置工件w1。也就是说，支撑架30的中心部不需要成膜。因此，在本实施方式的遮蔽板41，作为一个例子，在支撑架30的中心部的正下方的部分(遮蔽部41a和遮蔽部41b之间)设置间隙。另一方面，从支撑架30越朝向外侧，上述的蒸汽流越弱。因此，在支撑架30外侧抑制的蒸汽流的遮蔽效果使支撑架30内的膜厚更加均匀。因此，在本实施方式的遮蔽板41，作为一个例子，设定为越朝向外侧，相对于y轴方向正交的方向上的遮蔽板41的宽度越窄。

图1a中，作为一个例子，示出了在遮蔽板41的主面与z轴方向平行的状态下停止的状态，通过轴部44的旋转，遮蔽板41能够围绕轴部44旋转。并且，从z轴方向(从支撑架30)观察遮蔽板41时，通过遮蔽板41围绕轴部44的旋转，遮蔽板41的面积发生变化。例如，将遮蔽板41投影到x-y平面时的遮蔽板41的形状由于遮蔽板41围绕轴部44的旋转而发生变化。使用图2a～图2c对该构成进行说明。

图2a～图2c是表示从支撑架观察本实施方式的遮蔽板的状态的示意俯视图。图2a～图2c中，用虚线表示支撑架30的外形。

在成膜装置100，将遮蔽板41投影在x-y平面时的遮蔽板41的形状连续地变化。由此，投影到x-y平面时的遮蔽板41的面积连续地变化。例如，从z轴方向观察遮蔽板41时，遮蔽板41在任意旋转位置(第一旋转位置)停止时遮蔽板41的面积(第一面积)与遮蔽板41在其他的任意旋转位置(第二旋转位置)停止时的遮蔽板41的面积(第二面积)不同。另外，在成膜装置100，遮蔽板41从第一旋转位置转移到第二旋转位置时，从z轴方向观察遮蔽板41时的遮蔽板41的面积也能够连续地变化。

例如，在图2a中，示出了与图1a相同状态下的遮蔽板41的状态。在图2a中，遮蔽板41的主面41s相对于z轴方向平行。将此时的旋转角度设为0度。能够将该状态看作是从支撑架30观察时的遮蔽板41的面积为最小(实质上为“0”)的状态。

在图2b，示出了使遮蔽板41从图2a的状态旋转45度的状态。在图2b中，遮蔽板41的主面41s与z轴方向所成的角度是45度。在该状态下，从z轴方向观察遮蔽板41时的遮蔽板41的面积与图2a的状态相比增加了。

在图2c，示出了使遮蔽板41从图2b的状态旋转45度的状态(从图2a的状态旋转90度)。在图2c中，遮蔽板41的主面41s相对于z轴方向正交。在该状态下，从支撑架30观察时的遮蔽板41的面积为最大。

此外，遮蔽机构40a也可以是以下结构，即，不具有轴部44，遮蔽板41直接与驱动单元46接触，并通过驱动单元46直接旋转遮蔽板41。

[成膜装置的作用]

使用图2a～图2c中例示的遮蔽机构40a对成膜装置100的作用进行说明。图3a以及图3b是表示本实施方式的成膜装置动作时的支撑架的径向上的膜厚分布的示意图。该膜厚分布是支撑架的任意径向上的膜厚分布。图3a以及图3b的横轴表示距支撑架30的中心的距离。图3a以及图3b的纵轴表示膜厚(规格值)。

例如，准备作为材料的2种金属(金属a、金属b)。使金属a的特性(例如，蒸发温度、热导率等)与金属b的特性不同。而且，旋转支撑架30的同时，使2种金属各自独立从成膜源20蒸发。

在支撑架30，支撑有多个工件w1。支撑架30的径向上的膜厚分布通过测定在被支撑架30支撑的多个工件w1所形成的膜的厚度来求得。膜厚可以通过机械方法(例如，触针式)、光学方法(例如，偏振光分析测定法)求得。但是，由于支撑架30的中心与轴部31连结，因此不能在该部分设置工件w1。由此，支撑架30的中心部的膜厚没有被测定，图3a以及图3b中支撑架30的中心附近的膜厚分布曲线中断。

首先，在图3a中示出金属a的膜厚分布。

在基于遮蔽板41的遮蔽为角度0度(图2a)的状态下，金属a的膜厚分布为越朝向支撑架30的中心则越厚，越朝向支撑架30的外周则越薄。其原因是由于在0度的状态下，支撑架30实质上没有被遮蔽板41遮蔽，上述余弦定律被反映到支撑架30的径向上的膜厚分布。如果从该状态变为遮蔽板41角度90度(图2c)的状态，支撑架30内的金属a的蒸汽流的强度被平均化，金属a的膜厚分布均匀。

接着，在图3b中示出金属b的膜厚分布。

在基于遮蔽板41的遮蔽为角度0度(图2a)的状态下，金属b的膜厚分布为越朝向支撑架30的中心则越厚，越朝向支撑架30的外周则越薄。其原因是由于在角度0度的状态下，支撑架30实质上没有被遮蔽板41遮蔽。而且，即使将遮蔽板41从该状态与上述同样地变为角度90度(图2c)的状态，金属b的膜厚分布也未必均匀。

如上所述，余弦定律的系数(cosⁿθ)的n根据材料的不同而不同。由此，即使针对金属b使用与金属a相同的角度90度的遮蔽板41的状态，金属b的膜厚分布也不均匀。其状态如图3b所示。

与此相对，在本实施方式中，例如，针对金属b，使遮蔽板41不为角度90度的状态，例如，使遮蔽板41为角度45度(图2b)的状态进行成膜。由此，支撑架30内的金属b的蒸汽流的强度被平均化，金属b的膜厚分布均匀。其状态如图3b所示。

这样，在成膜装置100，通过遮蔽板41的旋转，从支撑架30观察时的遮蔽板41的面积连续地变化。由此，即使各材料的蒸发角度不同，也能够通过适当调整遮蔽板41的旋转位置，抑制各材料中支撑架30的径向上的膜厚分布的偏差。其结果，进一步提高了支撑架30的直径方向上的膜厚的偏差得到抑制的材料的选择自由度。

例如，在进一步将与金属a以及金属b不同的金属c作为材料使用的情况下，在图2b的状态和图2c的状态之间的任意一个旋转位置对金属c进行成膜的话，也能够使金属c的膜厚分布均匀。也就是说，如果使用成膜装置100，增加了能使膜厚分布均匀的材料的种类。另外，遮蔽机构40a容纳在真空槽10的内部，抑制了成膜装置的大型化。另外，遮蔽板41的旋转可以在不使真空槽10大气开放的情况下进行。

[遮蔽机构的变形例1]

图4a是本实施方式的遮蔽机构的变形例的示意剖视图。图4b以及图4c是本实施方式的遮蔽机构的变形例的示意俯视图。例如，图4a中示出了图4b的a1-a2截面。

图4a～图4c中所示的遮蔽机构40b除遮蔽板41以外还具有遮蔽板42(第二遮蔽板)。遮蔽板42具有遮蔽部42a和遮蔽部42b。在本实施方式中，存在将遮蔽部42a、遮蔽部42b统称作遮蔽板42的情况。另外，在遮蔽机构40b，除遮蔽板41以及遮蔽板42以外，还可以设置至少1个其他的遮蔽板。

例如，遮蔽部42a以及遮蔽部42b各自包括平面形状为椭圆形的板状部件。遮蔽部42a以及遮蔽部42b各自具有宽度沿轴部44变化的平面形状。遮蔽部42a以及遮蔽部42b各自的平面形状也可以是矩形(例如，四边形、六边形)。例如，将遮蔽部42a及遮蔽部42b设置为各自相对于轴部44线对称。在图4a～图4c中，作为遮蔽板42的一个例子，示出了遮蔽部42a以及遮蔽部42b各自沿y轴方向排列的状态。例如，遮蔽部42a以及遮蔽部42b以遮蔽部42a及遮蔽部42b各自的主面42s呈平行状态的方式沿y轴方向排列。

遮蔽板42由轴部44支撑。例如，遮蔽板42以能够围绕轴部44旋转的方式设置。遮蔽板42以相对于遮蔽板41交叉(例如，正交)的方式配置。

但是，遮蔽板42的平面形状与遮蔽板41的平面形状不同。例如，在y轴方向，遮蔽部42a的宽度(例如，最大宽度)比遮蔽部41a的宽度(例如，最大宽度)窄。此外，在y轴方向，遮蔽部42b的宽度(例如，最大宽度)比遮蔽部41b的宽度(例如，最大宽度)窄。而且，遮蔽板42的主面42s的面积比遮蔽板41的主面41s的面积小。此外，在相对于y轴方向正交的方向，遮蔽部42a的宽度可以与遮蔽部41a的宽度不同，遮蔽部42b的宽度也可以与遮蔽部41b的宽度不同。

在遮蔽板42，通过轴部44的旋转，能与遮蔽板41一同旋转。由此，将遮蔽板42投影在x-y平面时的遮蔽板42的形状连续地变化。由此，投影在x-y平面时的遮蔽板42的面积连续地变化。例如，从z轴方向观察遮蔽板42时，遮蔽板42在任意旋转位置(第三旋转位置)停止时的遮蔽板42的面积(第三面积)与遮蔽板42在其他的任意旋转位置(第四旋转位置)停止时的遮蔽板42的面积(第四面积)不同。由此，从支撑架30观察时的遮蔽板42的面积也连续地变化。

例如，在图4b中，示出了遮蔽板41的主面41s在x-y平面呈平行的状态。在该状态下，遮蔽板42与y-z平面平行，支撑架30实质上没有被遮蔽板42遮蔽。另一方面，在图4c中，示出了轴部44从图4b的状态旋转90度，遮蔽板42的主面42s在x-y平面呈平行的状态。在该状态下，遮蔽板41与y-z平面平行，实质上不存在基于遮蔽板41的遮蔽。

例如，针对图4b所示的状态下在支撑架30的径向上的膜厚分布均匀的金属a，在图4b的状态下进行成膜。另外，针对图4c所示的状态下支撑架30的径向上的膜厚分布均匀的金属b，将遮蔽机构40b从图4b的状态切换至图4c的状态，在图4c的状态下进行成膜。由此，对于金属a及金属b，在支撑架30的径向上的膜厚分布都更加均匀了。

这样，如果使用遮蔽机构40b，通过适当调整遮蔽板41或遮蔽板42的旋转位置，各材料中支撑架30的径向上的膜厚分布的偏差得到了抑制。特别是，如果使用遮蔽机构40b，通过旋转能简便的切换针对金属a专用的遮蔽板41与针对金属b专用的遮蔽板42。而且，在遮蔽机构40b，可以分别使用平面形状不同的遮蔽板(遮蔽板41、42)。例如，在遮蔽机构40b，可以分别使用宽度在y轴方向上不同的多个遮蔽板(遮蔽板41、42)。

[遮蔽机构的变形例2]

图5是本实施方式的成膜装置的变形例的示意侧视图。

图6是图5所示的成膜装置内的遮蔽机构的示意俯视图。

图5及图6所示的成膜装置101在真空槽10内除了具有遮蔽机构40a之外还具备遮蔽机构40c(第二遮蔽机构)。遮蔽机构40c设置在成膜源20与支撑架30之间。遮蔽机构40c独立于遮蔽机构40a设置在真空槽10内。在图5、6中，示出了遮蔽机构40c设置在遮蔽机构40a下方的状态，但遮蔽机构40c也可以设置在遮蔽机构40a上方。另外，也可以在真空槽10内设置与遮蔽机构40c以及遮蔽机构40a不同的其他的遮蔽机构。

遮蔽机构40c具有遮蔽板42、轴部47及驱动单元49。轴部47在与y轴方向平行或与y轴方向交叉的方向上延伸。例如，在图5、6中，示出了在与y轴方向正交的x轴方向延伸的轴部47。另外，遮蔽板42由轴部47支撑。由此，遮蔽板42能够围绕轴部47旋转。遮蔽板42的平面形状可以与遮蔽板41的平面形状相同，也可以与图4a～图4c中举例示出的形状相同。

根据成膜装置101，通过驱动单元49，能够使遮蔽板42独立于遮蔽板41的旋转而旋转。例如，即使旋转遮蔽板41，遮蔽板42也不会因遮蔽板41的旋转而进行旋转。

例如，针对金属a使用针对金属a专用的遮蔽机构40a，使支撑架30的径向上的膜厚分布均匀。另一方面，针对金属b使用针对金属b专用的遮蔽机构40c，使支撑架30的径向上的膜厚分布均匀。

这样，即使各材料的蒸发角度不同，也能通过独立地适当调整遮蔽板41或遮蔽板42的旋转位置，抑制各材料中支撑架30的径向上的膜厚分布的偏差。特别是，根据成膜装置101，能够使针对金属a专用的遮蔽机构40a和针对金属b专用的遮蔽机构40b独立动作。

由此，将遮蔽板41、42投影在x-y平面时的遮蔽板41、42的形状进一步多样化。其结果，进一步增加了能够使膜厚分布均匀的材料的种类。

以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不仅限定于上述的实施方式，当然可以追加各种变更。

符号说明

10···真空槽

10b···底部

10w···侧壁

20···成膜源

20c···轴心

21···坩埚

21h···蒸发源

22···电子枪

23···电子束

25···遮挡部

30···支撑架

30h···开口

31···轴部

32···驱动单元

35···基板支撑件

35e···外端

35p···载置面

35r···抵接面

35ha、35hb···开口

40a、40b、40c···遮蔽机构

41、42···遮蔽板

41a、41b、42a、42b···遮蔽部

41s、42s···主面

44、47···轴部

46、49···驱动单元

100、101···成膜装置

w1···工件