1.一种激光加热、真空镀膜的电磁屏蔽膜制备装置，包括一个真空镀膜室，真空镀膜室的壁上安装有真空泵系统，使真空镀膜室形成真空，其特征在于，真空镀膜室的壁上还安装有激光发生系统，激光发生系统所发出的激光束穿过真空镀膜室的侧壁孔射在靶材上；靶材放置在靶座上，靶座安装在底盘上，底盘的靶座圆轨迹上均匀的布置有3-4个靶座，分别放置绝缘材料、金属材料和保护材料，底盘下部安装有底盘转动装置，真空镀膜室上部有基板架，基板架上安装有基板转动装置和基板升降装置。
2.根据权利要求1所述的一种激光加热、真空镀膜的电磁屏蔽膜制备装置，其特征在于，底盘转动装置包括底盘轴，底盘轴通过传动齿轮和步进电机相连。
3.根据权利要求1所述的一种激光加热、真空镀膜的电磁屏蔽膜制备装置，其特征在于，基板转动装置包括基板架内固定安装的基板转动电机，基板转动电机转轴下端连接有基座和基板。
4.根据权利要求1所述的一种激光加热、真空镀膜的电磁屏蔽膜制备装置，其特征在于，基板升降装置包括基板架上固定的升降螺杆，升降螺杆安装在真空镀膜室顶板上的升降螺母中，升降螺杆的上端有升降手柄。
5.根据权利要求1所述的一种激光加热、真空镀膜的电磁屏蔽膜制备装置，其特征在于，真空镀膜室的壁上还安装有进气系统。
6.根据权利要求1所述的一种激光加热、真空镀膜的电磁屏蔽膜制备装置，其特征在于， 激光发生系统是采用KrF248nm激光器。