专利名称：冷阴极弧光离子镀台阶型靶的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及金属材料的镀覆设备。
目前在真空离子镀设备中广泛采用圆柱平面型靶，如美国专利US3625848；US3836451，由于在这种靶面上运动的弧班在靠近外缘的区域出现的几率较大，使弧电流集中在该区域，造成该区域电流密度较大，因此形成大液滴喷射，使靶材的外缘烧蚀严重，既影响镀膜质量，又使靶材利用率低，造成浪费。
本实用新型为避免上述现有技术中的不足之处而提供一种可降低维弧电流密度，从而可提高成膜质量，并能增加靶材的利用率的台阶型靶。
本实用新型的目的可通过如下的措施达到将圆柱形靶的平面加工成沿径向、由外缘向内中心依次降低一个台阶而形成多个阶梯的台阶型靶。这种台阶型靶，可有效的把运动的弧班分割，约束在各层环区，形成多个弧环，使其在与平面靶有相同电流强度情况下，大大降低了电流密度，使弧班细化，从而减少了大液滴喷射，提高了成膜质量，而且由于弧班在整个靶面分布更加趋于均匀，几个弧班同时烧蚀，提高了整个靶面烧蚀的均匀性，提高靶材的利用率，减少换靶次数，大大节约了开支。
以下结合附图及实施例对本实用新型作进一步详述
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为
图1的俯视图。
图3为均匀烧蚀后的台阶型靶剖面图。
图4为平面靶非均匀烧蚀后的剖面图。
附
图1、2给出了台阶型靶的示意图，由图可见，该圆柱形靶(1)的平面为沿径向、由外缘向内中心依次降低一个台阶(2)而形成多个阶梯的台阶型靶。附图3给出了台阶型靶均匀烧蚀后的剖视图，由图可见，靶材一次性烧蚀，不须再加工，因此靶材利用率较高。附图4给出了平面靶非均匀烧蚀后的剖视图，由图可见，外缘烧蚀严重，既影响镀膜质量，又需经常换靶，因为烧到一定程度后，须进行再加工成平面才能使用，使靶材利用率降低，造成浪费。
本实用新型具有如下优点1.降低维弧电流密度，从而提高了成膜质量。
2.提高了整个靶面烧蚀的均匀性，从而增加了靶材的利用率，节约了开支。
权利要求1.一种金属材料镀覆设备的冷阴极弧光离子镀台阶型靶，形状为圆柱形平面靶，其特征在于将圆柱形靶(1)的平面加工成沿经向、由外缘向内中心依次降低一个台阶(2)，形成多个阶梯的台阶型靶。
专利摘要冷阴极弧光离子镀台阶型靶属于金属镀覆设备。该靶的特点在于将圆柱形的平面靶加工成沿径向、由外缘向内中心依次降低一个台阶，形成多个阶梯的台阶靶面。使弧斑有效地限制在各级台阶，因此弧斑在整个靶面分布均匀，故可有效地减少大液滴喷射，提高了成膜质量及靶材利用率，节约了开支。
文档编号C23C14/34GK2104222SQ9121720
公开日1992年5月13日 申请日期1991年7月4日 优先权日1991年7月4日
发明者杨光耀, 王仁, 吴北新, 王福柱 申请人:北京钢铁学院分院, 航空航天工业部第五研究院第五一一研究所