技术总结
本发明公开了一种碳化硅晶体生长设备，包括真空腔室、腔室加热装置、坩埚装置、坩埚盖加热装置和控制装置。真空腔室包括具有开口端部的真空腔体和密封安装于开口端部的密封法兰；坩埚装置设置于真空腔室内，包括具有顶端开口的坩埚本体和密封盖在顶端开口的坩埚盖，坩埚本体用于盛装碳化硅料，坩埚盖底部设有一籽晶；控制装置包括采集坩埚盖底部的温度数据的温度采集器和控制器，控制器内部存储有多条随着晶体生长厚度变化的晶体背面温度曲线，控制器用于接收温度采集器发送的坩埚盖底部温度数据，并依此控制坩埚盖加热装置，以使坩埚盖温度与晶体背面温度曲线保持一致。使用本发明生长出的晶体质量高。
技术研发人员：杨翠柏;方聪;杨光辉;陈丙振
受保护的技术使用者：珠海鼎泰芯源晶体有限公司
文档号码：201611155315
技术研发日：2016.12.14
技术公布日：2017.05.10