一种高纯Ti3SnC2陶瓷粉体材料的制备方法与流程

文档序号:11503139阅读:513来源:国知局

本发明涉及一种高纯ti3snc2陶瓷粉体材料的制备方法,属于陶瓷材料制备技术领域。



背景技术:

ti3snc2陶瓷是一种可机械加工、具有特殊层状结构的新型结构陶瓷。它兼具了金属和陶瓷的优异性能:类似于金属,它具有良好的导电导热性、可机械加工、高抗损伤容限及抗热震等优点;类似于陶瓷,它具有较高的弹性模量、耐高温、抗氧化和耐腐蚀等优异特性。基于以上优点,ti3snc2陶瓷有可能作为基体或增强体而广泛应用于航空、航天、武器装备、核工业和电子信息等高新技术领域。虽然ti3snc2陶瓷具有优异的综合特性和广泛的应用前景,但该材料的制备较为困难且纯度较难控制,因此ti3snc2陶瓷的应用受到限制。如文献(j.am.ceram.soc.96,no.10,2013)中所述,通过采用fe为烧结助剂,在1150°c和50mpa压力下热压烧结元素混合粉10h,得到了含有fexsny,sn和tic的ti3snc2陶瓷。文献(j.am.ceram.soc.99,no.7,2016)中所述,以ti,sn和石墨为原料,在通有氩气氛围的管式炉中1600°c烧结4h得到了含有sn和tic杂质的ti3snc2陶瓷。上面所述的制备方法烧结保温时间较长,且生成的杂质相tic和fexsny很难去除,对ti3snc2陶瓷的性能有非常不利的影响。因此制备高纯度的ti3snc2陶瓷对该材料广泛的应用具有重要的意义。目前,关于高纯ti3snc2陶瓷的制备还没有公开报道。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种产率高、工艺简单、适合工业化生产的高纯ti3snc2陶瓷粉体材料的制备方法。

本发明先将质量百分比为60%的ti3alc2和40%的sno2的混合粉体经过放电等离子烧结,然后再经过纯化处理得到陶瓷粉体材料。

一种高纯ti3snc2陶瓷粉体材料的制备方法,其特征在于:ti3snc2陶瓷通过将ti3alc2和sno2的混合物进行放电等离子烧结制备而成,具体工艺步骤如下:

1)混料:将质量百分比为60%的ti3alc2粉末和40%的sno2粉末球磨后过150~200目筛获得混合粉末;

2)烧结:将上述混合粉末置于石墨模具中进行放电等离子烧结,所述烧结参数为:真空度10-1~10pa,升温速度10~30ºc/min,烧结温度1100~1200ºc,压力30~40mpa,保温时间5~10min,烧结完成后随炉冷却至室温得到ti3snc2/al2o3复合材料块体;

3)粉末化:将上述复合材料块体进行球磨细化后过200~300目筛得到复合材料粉末;

4)纯化:将上述复合材料粉末置于体积浓度为10~30%的热盐酸溶液中纯化20~24h,然后用去离子水稀释至ph为中性;

5)干燥:将上述纯化后的粉末干燥即得ti3snc2陶瓷粉体。

步骤1)中所述球磨的参数:球料比为2~4:1,转速为200~300r/min,球磨时间为8~12h,使用碳化钨球磨罐,球磨开始前在碳化钨球磨罐中充入氩气。

步骤3)中所述球磨的参数:球料比为8~10:1,转速为300~400r/min,球磨时间为4~8h,使用碳化钨球磨罐,球磨开始前在碳化钨球磨罐中充入氩气。

本发明采用上述材料组成和工艺参数制备的ti3snc2陶瓷粉体具有以下优点:

本发明的特点之一是:得到的ti3snc2陶瓷粉体不含或只含极少量的tic杂相,纯度非常高。

本发明的特点之二是:该工艺的烧结温度较低,保温时间较短,能够有效的节省能源,有利于工业规模生产。

高纯ti3snc2陶瓷粉体材料具有纯度高、导电性好、耐高温等特点,有望作为基体或增强体而广泛应用于航空、航天、核工业和电子信息等高新技术领域。

附图说明

图1是用本发明方法合成的ti3snc2陶瓷粉体的x射线衍射图谱。

具体实施方式

实施例1:

按照质量百分比,分别称取60%的ti3alc2和40%的sno2粉体。然后将粉末置于高能球磨机中,充入氩气,球料比为4:1,在200r/min转速条件下球磨8h得到混合粉末,随后将混合粉末装入石墨模具中,置于放电等离子烧结炉中进行烧结。烧结参数为:真空度低于6×10-1pa,升温速率30ºc/min,烧结温度1100ºc,压力40mpa,保温时间5min。烧结结束后,将随炉冷却至室温的块体材料进行粉末化处理,过200目筛。随后将筛取的粉末置于500ml热盐酸中进行纯化处理24h,然后将纯化后的粉末反用去离子水反复进行稀释,直至ph为中性。最后将纯化后的粉末在真空干燥箱中进行干燥处理,即得到本发明的ti3snc2陶瓷粉体。

实施例2:

按照质量百分比,分别称取60%的ti3alc2和40%的sno2粉体;然后将粉末置于高能球磨机中,充入氩气,球料比为3:1,在300r/min转速条件下球磨10h得到混合粉末,随后将混合粉末装入石墨模具中,置于放电等离子烧结炉中进行烧结。烧结参数为:真空度低于6×10-1pa,升温速率20ºc/min,烧结温度1150ºc,压力35mpa,保温时间8min。烧结结束后,将随炉冷却至室温的块体材料进行粉末化处理,过200目筛。随后将筛取的粉末置于500ml热盐酸中进行纯化处理24h,然后将纯化后的粉末反用去离子水反复进行稀释,直至ph为中性。最后将纯化后的粉末在真空干燥箱中进行干燥处理,即得到本发明的ti3snc2陶瓷粉体。

实施例3:

按照质量百分比,分别称取60%的ti3alc2和40%的sno2粉体;然后将粉末置于高能球磨机中,充入氩气,球料比为2:1,在400r/min转速条件下球磨12h得到混合粉末,随后将混合粉末装入石墨模具中,置于放电等离子烧结炉中进行烧结。烧结参数为:真空度低于6×10-1pa,升温速率10ºc/min,烧结温度1200ºc,压力30mpa,保温时间10min。烧结结束后,将随炉冷却至室温的块体材料进行粉末化处理,过200目筛。随后将筛取的粉末置于500ml热盐酸中进行纯化处理24h,然后将纯化后的粉末反用去离子水反复进行稀释,直至ph为中性。最后将纯化后的粉末在真空干燥箱中进行干燥处理,即得到本发明的ti3snc2陶瓷粉体。



技术特征:

技术总结
本发明公开了一种高纯Ti3SnC2陶瓷粉体材料的制备方法。该方法先将质量百分比为60% 的Ti3AlC2和40% 的SnO2的混合粉体经过放电等离子烧结,然后再经过纯化处理得到陶瓷粉体材料。制备的材料具有纯度高、导电性好、耐高温等特点,而且制备工艺简单、可控性好,该材料有望作为基体或增强体而广泛应用于航空、航天、核工业和电子信息等高新技术领域。

技术研发人员:杨军;刘维民;王帅;乔竹辉;李茂华;程军;朱圣宇;龙泽荣
受保护的技术使用者:中国科学院兰州化学物理研究所
技术研发日:2017.01.16
技术公布日:2017.08.18
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