本发明涉及一种生产高效多晶籽晶的铺底方法。
背景技术：
目前，高效多晶的铸锭方法有全熔高效多晶和半熔高效多晶，市场主流方法是半熔高效多晶，即采用原生纯料做为籽晶料铺设于石英坩埚底部，在熔化过程中保持籽晶不完全熔化，在原生纯料籽晶上引晶生长从而得到高效多晶硅锭。该原生纯料引晶晶粒是小晶粒，生长过程中晶粒之间相互竞争或挤压造成缺陷较多，严重影响高效多晶硅片电池转换效率，造成多晶硅片电性能的下降。
技术实现要素：
本发明其目的就在于提供一种生产高效多晶籽晶的铺底方法，解决了目前在原生纯料生长过程中晶粒之间相互竞争或挤压造成缺陷较多，严重影响高效多晶硅片电池转换效率，造成多晶硅片电性能的下降的问题。
为实现上述目的而采取的技术方案是，一种生产高效多晶籽晶的铺底方法，该铺底方法是，首先采用单晶籽晶在石英坩埚内进行铺底，每块单晶籽晶之间留2-10cm的缝隙，再用原生纯料或碎硅片填充单晶籽晶之间的缝隙，通过单晶籽晶和原生纯料或碎硅片进行共同引晶生长，可制得高效多晶硅锭。
有益效果
与现有技术相比本发明具有以下优点。
1、采取单晶硅籽晶块与原生纯料或碎硅片做为高效多晶硅锭籽晶，可提升高效多晶硅片电池转换效率0.05%以上，进一步优化高效多晶硅锭质量；
2、采取单晶硅籽晶块与原生纯料或碎硅片引晶生长的高效多晶硅位错较少，特别是中上部晶粒位错优化明显，提高硅片质量。
附图说明
以下结合附图对本发明作进一步详述。
图1为发明本方案的铺底示意图；
图2为传统高效多晶与本技术方案高效多晶硅片光电转换效率对比曲线示图；
图3为实施例1的高效多晶硅籽晶铺设俯视图；
图4为实施例2的高效多晶硅籽晶铺设俯视图；
图中所示：1、石英坩埚，2、单晶籽晶，3、原生纯料。
具体实施方式
一种生产高效多晶籽晶的铺底方法，该铺底方法是，首先采用单晶籽晶2在石英坩埚1内进行铺底，每块单晶籽晶2之间留2-10cm的缝隙，再用原生纯料3或碎硅片填充单晶籽晶2之间的缝隙，通过单晶籽晶2和原生纯料3或碎硅片进行共同引晶生长，可制得高效多晶硅锭,如图1、图2所示。
所述单晶籽晶2为正方体、长方体或圆柱体，单晶籽晶2的长度或直径大于或等于2cm，最大不超过石英坩埚1的内径。
在喷完氮化硅涂层后的石英坩埚底部上铺设长方体、正方体或圆柱体单晶籽晶块，籽晶块尺寸大小大于或等于2cm，最大不超过坩埚内径。优选籽晶块长宽为（20-500）mm×（20-500）mm或直径为（20—500）mm，单晶籽晶块厚度5-30mm，单晶硅籽晶块晶向不固定，优选选择生长晶向为[100]、[110]或[111]的单晶块籽晶，本方案中单晶籽晶数量至少一个。
实施例1：提供石英坩埚，在石英坩埚底部按照4×4方式铺设一层长宽大小为156×156mm、厚度为20mm的[100]单晶硅块，单晶籽晶块之间缝隙40mm，缝隙之间铺设原生纯料碎块，铺满坩埚底部形成籽晶层,如图1、图3所示。
实施例2：提供坩埚，在坩埚底部按照4×4方式铺设一层直径为156mm、厚度为20mm的[100]单晶硅块，单晶硅块之间缝隙40mm，缝隙之间铺设原生纯料碎块，铺满坩埚底部形成籽晶层,如图1、图4所示。