提高耐热性。
[0051] 这是因为，如后所述，蓝宝石单晶生长用坩锅1具有涂布层5,因而即使因蓝宝石 生长时的热导致的相互扩散而使热喷涂的钨和钼发生合金化，镧也不会在表面析出，不会 有镧氧化物出现在表面使蓝宝石的品质劣化的情况。即，镧氧化物由于涂布层5而残留于 母材3的钼合金中，因而不会与蓝宝石反应、或对蓝宝石的结晶化造成不良影响。
[0052] 如此，蓝宝石单晶生长用坩锅1具有可防止母材3中的添加物与蓝宝石反应的优 异特征，因此，作为母材3的材料，还可以使用为了改善高温强度而在钼材中混入了非同种 材质的TZM(钛锆钼）、投入了 HfC的钼。
[0053] 另外，母材3的内侧面3a优选具有向坩锅（母材3)的开口部4变宽的锥形形状。 具体来说，优选内侧面3a相对于坩锅（母材3)的中心轴7的锥角a为1°以上且小于 15°。这是因为，如后所述，涂布层5优选通过热喷涂形成。
[0054] 需要说明的是，虽然即使没有锥度也可以进行涂布层5的热喷涂，但涂布层5的热 喷涂难以均匀，而且，从一边旋转一边变均匀的条件来看，在利用安装于通用车床或立式车 床、或安装于自动装置（robot)的等离子体喷枪进行热喷涂的本发明的条件下，锥角小于 r时，热喷涂时未参与热喷涂的残留钨颗粒在热喷涂时被卷入，由此会极端降低钨热喷涂 膜的品质，因此不优选。具体来说，未参与热喷涂的钨以粒状附着于涂布层5,在蓝宝石熔融 时落入蓝宝石中，成为单晶中的异物。
[0055] 另一方面，若锥角为15°以上，则由于蓝宝石的形成或设备原因而使成品率变差， 因而不优选。
[0056] 而且，母材3 (坩锅）的典型尺寸是：厚度为2. 5~6mm，大小为直径300mm以上且 500mm以下，深度为直径300mm以上且500mm以下，但是以后在蓝宝石单晶进一步大型化时， 该尺寸并不会影响坩锅随之进一步大型化。需要说明的是，在通过热喷涂形成涂布层5的 情况下，在后述的热喷涂或喷丸的作业方面，特别优选直径为300mm以上。另外，深度方面 没有作业上的限制，但是从上述压力（坩锅的底面3b受到的来自熔融氧化铝的压力）的关 系来看，可得到本发明的效果的坩埚是具有200mm以上的深度的坩锅。
[0057] 〈涂布层5>
[0058] 涂布层5是可防止熔融的蓝宝石与母材3的反应、对坩锅赋予耐热性的材料。
[0059] 本实施方式中，涂布层5是由金属元素中熔点最高的纯钨构成的层，即由钨及不 可避免的杂质构成的层，具体来说，优选使用纯度为99. 9%以上的钨。这是因为，在纯度小 于99. 9 %的情况下，蓝宝石与杂质的反应对所得到的蓝宝石的品质具有不良影响，而且纯 度越低则熔点越下降。
[0060] 即，后述的涂布层5的热喷涂中达到钨熔融的温度，因此杂质发生升华、蒸发等， 因而纯度即使为99%左右也没有问题，但实质上需要使用在全部金属中熔点最高的纯钨。 因此，涂布层5实质上为钨。
[0061] 另外，为了能够在不破坏坩埚的情况下取出所生成的蓝宝石单晶（即，能够将坩 锅重复利用），涂布层5优选表面粗糙度Ra (算术平均粗糙度）为5 y m以上且20 y m以下。
[0062] 涂布层5的表面粗糙度Ra小于5ym时，蓝宝石单晶变得不容易从涂布层5剥离， 若不破坏坩锅则无法取出蓝宝石单晶，因而不优选。
[0063] 另一方面，工业上难以形成Ra超过20 ym的涂布层5,即使形成，涂布层5的品质 也不稳定，涂布层5有可能发生剥离，因而不优选。
[0064] 需要说明的是，坩锅的底面3b(参照图1)是使用HEM法的蓝宝石单晶的生长中 放置晶种的部位，因此也可以为镜面，只要侧壁等蓝宝石的接触部分的至少50%以上为Ra 5 ym以上即可。
[0065] 此外，为了使蓝宝石单晶容易从坩锅分离，涂布层5优选在内部具有空孔，关于具 体的空孔数，母材3的轴向截面（通过中心轴7与中心轴7平行的面）50 ymX50 ym的区 域中的IX 1 ym2以上的空孔的个数优选为10个以上且小于100个。
[0066] 空孔的个数小于10个时，蓝宝石单晶极其难以从坩锅剥离，无法将坩锅重复利用 (若不破坏坩锅则无法取出蓝宝石单晶），因而不优选。认为其原因在于，钼与蓝宝石之间 经由钨的热传导增大、和由于蓝宝石、坩锅界面处产生间隙的毛细管现象而导致蓝宝石的 吸附。
[0067] 另一方面，若空孔的个数超过100个，则涂布层5的密度过低，密合性产生问题，变 得容易从母材3剥离，或者涂布层5有可能粘贴到蓝宝石上，因而不优选。
[0068] 这样，通过在涂布层5的内部存在有适当个数的空孔，在蓝宝石单晶的生长时氧 化铝颗粒滞留于空孔内，由此存在于涂布层5内，可适当限制热传导，也可妨碍热膨胀等 等，对于所生成的单晶蓝宝石的剥离是有效的。
[0069] 需要说明的是，如上所述，在蓝宝石的生长中使用了一次以上的坩锅中，空孔中也 可以存在有氧化铝颗粒。
[0070] 另外，对于空孔的观察，可如下进行确认：切割坩锅的一部分而使母材3的轴向截 面露出，进行公知的用于观察金属组织的树脂填埋、研磨、蚀刻，利用公知的电子显微镜对 截面进行观察。此外，如上所述，即使不是使用前的坩锅，通过在使用后切割坩锅，也可以进 行同样的观察，该情况下，可以在相当于空孔的部分观察氧化铝的颗粒。
[0071] 此外，关于观察区域，根据涂布层5的厚度的不同，有时难以得到50ymX50ym 的正方形的观察区域，但这种情况下，只要是与50ymX50ym的正方形区域的面积相当的 (面积相同）区域即可，也可以将不是正方形的其它形状、例如长方形作为观察区域。
[0072] 另外，涂布层5的厚度优选为50ym以上且300ym以内。这是因为，厚度小于 50ym时，无法得到设置涂布层5的效果；超过300ym时，不仅经济上成本增高，而且有可 能发生涂布层5的剥离。特别是，在超过500ym时，涂布层5剥离的可能性进一步提高，尤 其是，即使在进行抑制气体放出的热处理（详细情况如后所述）的情况下，也有可能发生表 面的剥离，因而不优选。
[0073] 此外，从工业上的大量生产性、成本降低的含义来看，也优选仅在内面形成涂布层 5〇
[0074] 另外，涂布层5只要至少蓝宝石接触的区域被涂布即可，因而未必需要覆盖全部 内周，如图2所示，也可以仅覆盖与蓝宝石的高度对应的区域。该情况下，如图3所示，母材 3的开口部4的周围的形状也可以是在开口部4处设有凸缘6的形状。即使与图1同样连 开口部也存在涂布层5,也没有问题。通过设成这样的形状，与图1、图2的结构相比，可以 部分省略切削工序等形成坩锅时的工序，也可以降低制造成本。
[0075] 需要说明的是，在蓝宝石单晶的生长温度2050~2300°C下，涂布层5的钨与母材 3的钼有效地相互扩散，在通常认为的蓝宝石的生长条件、即几天以上的时间，即使热喷涂 例如1000ym的钨作为涂布层5,钼元素也可到达涂布层5的表面。这是因为，钨与钼为相 同晶系，原子半径也大致相同，为完全固溶，因而难以防止钨与钼的相互扩散。因此，如上所 述，需要形成允许涂布层5与母材3的材料发生相互扩散的结构。母材3使用钨钼合金也 是有效的。
[0076] 〈制造方法〉
[0077] 作为本发明的蓝宝石单晶生长用坩锅1的制造方法，只要是能够有效且均匀地形 成涂布层5、并且使涂布层5的表面粗糙度及空孔等处于上述范围的方法就没有特别限定， 例如通过CVD (化学气相沉积）等形成涂布层5,从而也可以制造蓝宝石单晶生长用坩锅1。
[0078]