[0057]Cl. -种在烙炉内热处理多个玻璃基材的方法，所述方法包括：将至少一个间隔 件定位在所述多个玻璃基材的成对相邻玻璃基材之间，所述至少一个间隔件包括界定开口 内部的封闭外部框部分，且其中一个或多个间隔件的热膨胀系数与所述多个玻璃基材的热 膨胀系数之差小于10x10 ^°C;将所述多个玻璃基材W大致垂直定向支承在支承平台上，其 中所述多个玻璃基材和定位在相邻玻璃基材之间的所述至少一个间隔件用偏置力W接触 关系偏置在一起；在所述烙炉内加热所述多个玻璃基材；冷却所述多个玻璃基材；W及其 中所述多个玻璃基材冷却后的偏离平面扭曲不超过100ym。
[005引C2.根据Cl的方法，其中所述至少一个间隔件包括在每对相邻玻璃基材之间W垂 直和/或水平阵列布置的多个间隔件。
[0059] C3.根据C2的方法，其中所述多个间隔件中的相邻间隔件在每个相邻间隔件的外 侧边缘部分处彼此接触。
[0060] C4.根据Cl至C3中任何一项的方法，其中将所述多个玻璃基材加热到高于所述多 个玻璃基材的退火点且低于所述多个玻璃基材的软化溫度的溫度。
[0061] C5.根据Cl至C4中任何一项的方法，其中将所述多个玻璃基材加热到高于700°C 的溫度。
[0062] C6.根据Cl至巧中任何一项的方法，其中所述至少一个间隔件是玻璃或玻璃陶瓷 材料。
[006引C7.根据C6的方法，其中所述至少一个间隔件是玻璃，且所述间隔件的玻璃具有 与所述多个玻璃基材的玻璃成分相同的玻璃成分。
[0064] C8.根据Cl至C7中任何一项的方法，其中所述相邻的玻璃基材和定位在其间的所 述至少一个间隔件形成由所述相邻玻璃基材和所述至少一个间隔件界定的封围空间。
[0065] C9.根据Cl至C8中任何一项的方法，其中所述多个玻璃基材的每个玻璃基材的主 表面具有至少5m2的表面面积。
[0066] CIO.根据Cl至C9中任何一项的方法，其中：所述烙炉包括：第一侧和第二侧；第 一多个限制销，所述第一多个限制销延伸穿过所述烙炉的第一侧，所述第一多个限制销被 刚性保持W防止所述第一多个限制销的运动；第二多个限制销，所述第二多个限制销延伸 穿过所述烙炉的第二侧，所述第二组限制销中的每个限制销沿每个限制销的纵向轴线可移 动；W及其中用所述第二多个限制销对所述多个玻璃基材施加偏置力。
[0067] C11. 一种用于热处理玻璃基材的设备，包括：烙炉，所述烙炉包括外部封围壁、内 部封围壁、第一侧和第二侧；第一多个限制销，所述第一多个限制销延伸穿过所述烙炉的所 述第一侧进入由所述烙炉限定的内部容积，所述第一多个限制销被限制成防止销的运动； W及第二多个限制销，所述第二多个限制销延伸穿过所述烙炉的所述第二侧，所述第二多 个限制销中的每个限制销沿所述限制销的纵向轴线可移动，且其中所述第二多个限制销中 的每个限制销包括偏置组件W对所述多个玻璃基材施加偏置力。
[006引C12.根据Cll的装置，其中所述内部封围壁是權皱的。
[0069] C13.根据Cll或C12的装置，其中所述第一多个限制销中的每个限制销包括与所 述多个玻璃基材中的玻璃基材接触的接触件和联接到所述偏置组件的延伸件，且其中接头 可动地连接所述接触件和所述延伸件。
[0070] C14.根据Cll至C13中任何一项的设备，其中所述第二多个限制销中的每个限制 销包括与所述多个玻璃基材中的玻璃基材接触的接触件和联接到所述偏置组件的延伸件， 且其中接头可动地连接所述接触件和所述延伸件。
[0071] C15.根据Cll至C14中任何一项的设备，其中所述偏置组件包括气动缸体。
[007引 C16.根据Cll至C15中任何一项的设备，其中所述偏置组件包括弹黃。
[007引C17.根据Cll至C6中任何一项的设备，其中所述第二组限制销的运动被控制成所 述第二多个限制销与所述多个玻璃基材中的最外部玻璃基材之间的接触位置在加热期间 共面。
[0074] C18.根据Cll至C17中任何一项的设备，还包括延伸到所述烙炉内的引导件，所述 引导件将所述多个玻璃基材支承在垂直定向，且其中在所述多个玻璃基材从所述烙炉外部 的位置移入所述烙炉内部的位置的同时所述多个玻璃基材中的玻璃基材与所述引导件形 成滑动接触。
[00巧]C19.根据Cll至C18中任何一项的设备，其中位置传感器联接到每个偏置组件。
[0076] C20.根据Cll至C19中任何一项的设备，还包括与每个偏置组件电通信的计算机， 且其中所述计算机分别控制每个偏置组件的位置。
[0077] 应该强调本发明的上述各实施例、尤其任何"优选"实施例仅是实现的可能示例， 仅为清楚理解本发明的原理而阐述。可对本发明的上述各实施例作出许多变体和修改，而 不完全背离本发明的精神和原理。所有运些调整和改变都包括在本文中，包括在本发明和 说明书的范围之内，并受到所附权利要求书的保护。
【主权项】
1. 一种在熔炉内热处理多个玻璃基材的方法，所述方法包括： 将至少一个间隔件定位在所述多个玻璃基材的成对相邻玻璃基材之间，所述至少一个 间隔件包括界定开口内部的封闭外部框部分，且其中一个或多个间隔件的热膨胀系数与所 述多个玻璃基材的热膨胀系数之差小于10x107/°c ; 将所述多个玻璃基材以大致垂直定向支承在支承平台上，所述支承包括： 使所述多个玻璃基材中的第一最外玻璃基材与第一多个限制销相接触，所述第一多个 限制销中的每个限制销是刚性固定的； 使所述多个玻璃基材中的第二最外玻璃基材与第二多个限制销相接触，其中，所述第 二多个限制销中的每个限制销是可沿其纵向轴线移动，其中，所述第二多个限制销中的每 个限制销对所述第二最外玻璃基材施加力； 在所述熔炉内加热所述多个玻璃基材； 冷却所述多个玻璃基材；以及 其中所述多个玻璃基材冷却后的偏离平面扭曲不超过100μm。2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一多个限制销延伸穿过所述熔炉的 第一侧。3. 如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述力通过弹簧或气动柱塞来施加。4. 如权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，还包括：在所述多个玻璃基 材移入或移出所述熔炉时，使所述多个玻璃基材中的一个玻璃基材与至少一个引导件相接 触。
【专利摘要】本发明涉及在熔炉内热处理多个玻璃基材的方法。该方法包括：将至少一个间隔件定位在所述多个玻璃基材的成对相邻玻璃基材之间，所述至少一个间隔件包括界定开口内部的封闭外部框部分，且其中一个或多个间隔件的热膨胀系数与所述多个玻璃基材的热膨胀系数之差小于10x10-7/℃；将所述多个玻璃基材以大致垂直定向支承在支承平台上，在所述熔炉内加热所述多个玻璃基材；冷却所述多个玻璃基材；以及其中所述多个玻璃基材冷却后的偏离平面扭曲不超过100μm。
【IPC分类】C03B32/00
【公开号】CN105271671
【申请号】CN201510785677
【发明人】F·T·科波拉, M·J·马申斯基
【申请人】康宁股份有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2011年8月29日
【公告号】CN103069329A, CN103069329B, CN104986950A, US8826693, US20120047954, US20150013392, WO2012030703A2, WO2012030703A3