噻吩类化合物、其制备方法与应用、钙钛矿太阳电池与流程

技术特征：

1.一种噻吩类化合物，如式(I)所示：

其中-A-选自-S-、

R₁与R₁′各自独立地选自H、C1～C12烃基或C1～C12烷氧基；

R₂、R₃与R₄各自独立地选自H、C1～C12烃基、C1～C12烷氧基或C1～C12烷氧基取代的苯基。

2.根据权利要求1所述的噻吩类化合物，其特征在于，所述R₁与R₁′各自独立地选自H、C1～C6烃基或C1～C6烷氧基。

3.根据权利要求2所述的噻吩类化合物，其特征在于，所述R₁与R₁′各自独立地选自H、C1～C3烃基或C1～C3烷氧基。

4.根据权利要求1所述的噻吩类化合物，其特征在于，所述R₂、R₃与R₄各自独立地选自H、C1～C6烃基、C1～C6烷氧基或C1～C6烷氧基取代的苯基。

5.根据权利要求4所述的噻吩类化合物，其特征在于，所述R₂、R₃与R₄各自独立地选自H、C1～C3烃基、C1～C3烷氧基或C1～C3烷氧基取代的苯基。

6.根据权利要求1所述的噻吩类化合物，其特征在于，如式(I-1)～式(I-5)所示：

7.一种噻吩类化合物的制备方法，其特征在于，包括：

将式(II)所示的化合物与式(III)所示的化合物进行反应，得到式(I)所示的噻吩类化合物；

其中-A-为-S-、

X选自卤原子；

R₁与R₁′各自独立地选自H、C1～C6烃基或C1～C6烷氧基；

R₂、R₃与R₄各自独立地选自H、C1～C6烃基、C1～C6烷氧基或C1～C6烷氧基取代的苯基。

8.一种权利要求1～6任意一项所述的噻吩类化合物或权利要求5所制备的噻吩类化合物作为空穴传输材料的应用。

9.一种钙钛矿太阳电池，其特征在于，包括权利要求权利要求1～4任意一项所述的噻吩类化合物或权利要求7所制备的噻吩类化合物。

10.根据权利要求9所述的钙钛矿太阳电池，其特征在于，包括空穴传输层；所述空穴传输层包括权利要求权利要求1～6任意一项所述的噻吩类化合物或权利要求7所制备的噻吩类化合物。