本发明涉及有机发光材料技术领域，具体涉及一种金属配合物及应用该金属配合物的发光器件。
背景技术：
有机电致发光器件(organicelectroluminescencedevices，简称oleds)，又称发光二极管，是在其中施加电压而将电能转化为光能的装置，是理想的手机、彩电等显示屏。电致发光材料与器件的研究引起了世界科技界和工业界的极大兴趣，el器件被普遍认为能同时兼有低能耗、广视角、大面积的平板显示技术。
oleds器件的独特优点与器件采用的载流子传输材料、发光材料、电极材料以及器件的结构有紧密的关系，其中发光材料是oleds器件的核心部件，可分为荧光材料和磷光材料两种。荧光产生于同种多重态间的电子跃迁，最大效率只有25％。电致磷光材料由于同时可收获单重态和三重态激子，使得oleds的内量子效率有达到100％的潜在可能，金属电致磷光材料的研究日益广泛。
在室温固态下，一般有机化合物材料的磷光发射很微弱，由于金属的重原子和配位效应，使得金属配合物的磷光显著增强。金属元素中，ⅷ族金属元素、ⅰb族金属元素、ia族金属元素和iia族金属元素均有一定的增强效应。其中，又以ⅷ族金属元素的配合物表现最为突出，特别是ir和pt金属配合物。此类材料具有热稳定性好、光色可调、发光效率高的优点，故而成为电致磷光发光染料的主要类型。
采用金属配合物制作的器件被称为磷光器件。磷光器件的寿命较低，尤其是非掺杂器件的发光效率滚降非常严重。通常将磷光材料与相应的主体材料进行掺杂使用，但寿命和效率滚降依然还有很大的提升空间。改善寿命和发光性能的一个方式，是提高器件的空穴和电子传输平衡性。如武汉大学杨楚罗教授于2008年提出了双极主体材料的概念(angew.chem.int.ed.,2008,47,8104-8107)，采用电子和空穴传输较平衡的主体材料，以提高器件的载流子平衡性，之后业内开发了大量的双极主体材料，在降低驱动电压、降低效率滚降、提高寿命方面取得了不错的成果。当能量通过电流注入到发光层时，通常有两种方式，一种是能量先转移到主体材料，然后经由主体材料转移到掺杂磷光材料，一种是能量直接转移到掺杂的磷光材料。当掺杂浓度较低、电流较弱时，以前一种能量传递的形式为主，当掺杂浓度较高、电流较强时，以后一种能量传递为主。然而，鲜有研究通过改善磷光材料传输性能提高器件的寿命和发光性能。
因此，具有良好的电荷传输性能的磷光材料是急切而必要的。
鉴于此，特提出本发明。
技术实现要素：
本发明的首要发明目的在于提出一种金属配合物。
本发明的第二发明目的在于提出应用该金属配合物的发光器件。
为了完成本发明的目的，采用的技术方案为：
本发明提供一种具有通式i所示结构的金属配合物，
其中，rf表示氟原子或含氟取代基；
ro表示氟原子、氰基、烷基、含氟取代基；rf与ro不同时表示相同基团；
m表示金属原子，所述金属原子选自ⅷ族金属元素、ⅰb族金属元素、ⅰa族金属元素、ⅱa族金属元素；
a1表示含氮杂环，b1表示芳环或杂环，x表示1～4的整数；
环结构a1和至少一个环结构b1与相邻的环结构在任意位置稠合；
l1表示与金属m配位的烷基或芳基配体，且不为四苯基磷酰亚胺、四(氟苯基)膦酰亚胺、四(三氟甲基苯基)膦酰亚胺；
p表示0～3的整数，q表示0～3的整数；m、n表示0～2的整数。
本发明还提供一种具有通式iii所示结构的金属配合物，
其中，rf表示氟原子或含氟取代基；
ro表示氟原子、氰基、烷基、含氟取代基；rf与ro不同时表示相同基团；
m表示金属原子，所述金属原子选自ⅷ族金属元素、ⅰb族金属元素、ⅰa族金属元素、ⅱa族金属元素；
a2表示含氮杂环；b2表示芳环或杂环，x表示1～4的整数；
环结构a2和至少一个环结构b2与相邻的环结构在任意位置稠合；
l2表示四苯基磷酰亚胺、四(氟苯基)膦酰亚胺、四(三氟甲基苯基)膦酰亚胺；
p表示0～3的整数，q表示0～3的整数；m、n表示0～2的整数；
当m为ir、m为2、p为2、q为0、rf为三氟甲基且在吡啶环的2、6位置取代时，a2环和b2环稠合后的结构不包括以下通式表示的结构：
本发明的技术方案至少具有以下有益的效果：
本发明设计的金属配合物，在吡啶环上连接有含氟取代基，并将吡啶环与含氮稠杂环连接，在分子内部对配合物的光电性能进行调控。吡啶基团的引入提高了材料的电子传输性能，进而增加电子和空穴在发光层中的复合几率，提高了电致发光器件的效率和亮度性能。
在本发明优选的技术方案中，引入了具有位阻效应的含氟取代基，提高了材料的空间分布性能，能够有效的遏制了效率滚降的现象出现。并且含氟基团的引入，还可提高材料的升华效率，进一步降低能耗和成本，提高产品的附加价值。
附图说明
图1为本发明具体实施方式中发光器件的结构示意图。
10-发光器件；
11-阳极；
12-空穴传输层；
13-发光层；
14-电子传输层；
15-阴极。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本申请。应理解，这些实施例仅用于说明本申请而不用于限制本申请的范围。
本发明涉及一种金属配合物，该金属配合物的结构式如通式i所示，
其中，rf表示氟原子或含氟取代基；
ro表示氟原子、氰基、烷基、含氟取代基；rf与ro不同时表示相同基团；
m表示金属原子，所述金属原子选自ⅷ族金属元素、ⅰb族金属元素、ⅰa族金属元素、ⅱa族金属元素；
a1表示含氮杂环，b1表示芳环或杂环，x表示1～4的整数；
环结构a1和至少一个环结构b1与相邻的环结构在任意位置稠合；
l1表示与金属m配位的烷基或芳基配体，且不为四苯基磷酰亚胺、四(氟苯基)膦酰亚胺、四(三氟甲基苯基)膦酰亚胺；
p表示0～3的整数，q表示0～3的整数；m、n表示0～2的整数。
在本发明的上述金属配合物中，在吡啶环上连接有两个含氟取代基，并将吡啶环与含氮稠杂环连接，在分子内部对配合物的光电性能进行调控。本发明通过吡啶基团的引入提高了材料的电子传输性能，进而增加电子和空穴在发光层中的复合几率，提高了电致发光器件的效率和亮度性能。
本发明还涉及一种金属配合物，该金属配合物的结构式如通式iii所示，
其中，rf表示氟原子或含氟取代基；
ro表示氟原子、氰基、烷基、含氟取代基；rf与ro不同时表示相同基团；
m表示金属原子，所述金属原子选自ⅷ族金属元素、ⅰb族金属元素、ⅰa族金属元素、ⅱa族金属元素；
a2表示含氮杂环；b2表示芳环或杂环，x表示1～4的整数；
环结构a2和至少一个环结构b2与相邻的环结构在任意位置稠合；
l2表示四苯基磷酰亚胺、四(氟苯基)膦酰亚胺、四(三氟甲基苯基)膦酰亚胺；
p表示0～3的整数，q表示0～3的整数；m、n表示0～2的整数；
当m为ir、m为2、p为2、q为0、rf为三氟甲基且在吡啶环的2、6位置取代时，a2环和b2环稠合后的结构不包括以下通式表示的结构：
作为本发明金属配合物的一种改进，ⅷ族金属元素选自ir、pt或os，ⅰb族金属元素选自cu，ⅰa族金属元素选自li，ⅱa族金属元素选自be。优选的，金属原子为ir原子。
作为本发明金属配合物的一种改进，rf选自氟取代的c1～18烷基、氟取代的c6～26芳基。其中，取代基上的氢原子可被氟原子全部取代或部分取代。更优选的，rf选自三氟甲基或五氟苯基。本发明通过引入具有位阻效应的含氟取代基，提高了材料的空间分布性能，能够有效的遏制了效率滚降的现象出现。并且含氟基团的引入，还可提高材料的升华效率，进一步降低能耗和成本。
作为本发明金属配合物的一种改进，a1表示取代或未取代的吡啶环、取代或未取代的嘧啶环、取代或未取代的吡嗪环、取代或未取代的三嗪环、取代或未取代的吡唑环、取代或未取代的噻唑环、取代或未取代的咪唑环、取代或未取代的噁唑环、取代或未取代的三氮唑环、取代或未取代的吡咯环；
b1表示取代或未取代的苯环、取代或未取代的吡啶环、取代或未取代的吡咯环、取代或未取代的噻吩环、取代或未取代的嘧啶环、取代或未取代的吡嗪环、取代或未取代的三嗪环、取代或未取代的噻唑环、取代或未取代的咪唑环、取代或未取代的呋喃环、取代或未取代的环戊二烯环；x表示1～2的整数；
取代基选自卤素原子、卤素取代或未取代的c1～12烷基、卤素取代或未取代的c6～12芳基、卤素取代或未取代的c6～12杂芳基。
作为本发明金属配合物的一种改进，l1表示取代或未取代的c5～36烷基配体、取代或未取代的c6～36芳基配体、取代或未取代的c4～36芳杂基配体，取代基选自卤素原子、卤素取代或未取代的c1～12烷基；
且不为四苯基磷酰亚胺、四(氟苯基)膦酰亚胺、四(三氟甲基苯基)膦酰亚胺。
作为本发明金属配合物的一种改进，l1选自以下通式表示的结构：
其中，c1、c2各自独立的表示苯环、稠环烃、吡啶环、吡嗪环、嘧啶环或三嗪环；
d1、d2、d3、d4各自独立的表示苯环、稠环烃、含氮六元杂环、含氮五元杂环、苯并含氮六元杂环或苯并含氮五元杂环；
e1、e2、e3各自独立的表示苯环、稠环烃、含氮六元杂环、含氮五元杂环、苯并含氮六元杂环或苯并含氮五元杂环；
r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7、r8、r9各自独立的表示氢原子、卤素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代芳香基、取代或未取代的杂环芳香基；取代基选自卤素、芳基、杂芳基；
a、b、c、d、e、f、g、h、i各自独立的表示0～4的整数；
z1表示氧原子或硫原子。
作为本发明金属配合物的一种改进，通式i所示的金属配合物进一步优选如通式ii所示的结构式，
在通式ii中，r11、r12各自独立的选自氟取代的c1～18烷基、氟取代的c6～26芳基，其他取代基的含义同通式i。
作为本发明金属配合物的一种改进，通式ii所示金属配合物的进一步优选通式iia、通式iib、通式iic、通式iid、通式iie或通式iif的至少一种所示的结构式：
其中，n1、n2、n3、n4、n5、n6、n7、n8、n9、n10、n11、n12各自独立的表示n原子、c原子或rc基团取代的c原子；
rc基团表示卤素取代或未取代的c1-24的烷基、取代或未取代c6-36的芳基、取代或未取代的c4-36的杂芳基；
芳基和杂芳基的取代基团为卤素、卤素取代或未取代的c1-16烷基。
作为本发明金属配合物的一种改进，通式iia～通式iif所示的金属配合物进一步优选通式iia1、通式iib1、通式iic1或通式iid1所示的结构式：
其中，y表示1或2，
n11、n12、n13、n14、n15、n16、n21、n22、n23、n24、n25、n26、n31、n32、n33、n34、n35、n36、n41、n42、n43、n44、n45、n46、n47、n48、n51、n52、n53、n54、n55、n56、n57、n58、n61、n62、n63、n64、n65、n66、n67、n68各自独立的表示n原子、c原子或rc基团取代的c原子；
rc基团表示被卤素取代或未取代的c1-24烷基、取代或未取代c6-36芳基、取代或未取代的c4-36杂芳基；芳基和杂芳基的取代基团选自卤素、c1-16烷基、卤素取代的c1-16烷基；
px表示取代或未取代的c6-36芳基、取代或未取代的c3-36杂芳基、取代或未取代c10-36稠环芳基、取代或未取代c10-36稠环杂芳基；取代基为卤素、烷基、卤素取代的烷基、芳基、稠环芳基、稠环杂芳基、芳香胺基、芳香硼基、芳香硅基，且不为苯基、氟苯基和三氟甲基苯基。
作为本发明金属配合物的一种改进，px选自甲苯基、乙基苯基、叔丁基苯基、二甲苯基、三甲苯基、氟苯基苯基、萘基、联苯基、吡啶基、甲基吡啶基、乙基吡啶基、叔丁基吡啶基、二甲基吡啶基、氟吡啶基、三氟甲基吡啶基、苯基吡啶基、喹啉基、嘧啶基、甲基嘧啶基、乙基嘧啶基、叔丁基嘧啶基、二甲基嘧啶基、氟嘧啶基、三氟甲基嘧啶基、苯基嘧啶基、吡嗪基、甲基吡嗪基、乙基吡嗪基、叔丁基吡嗪基、二甲基吡嗪基、氟吡嗪基、三氟甲基吡嗪基、苯基吡嗪基、三嗪基、甲基三嗪基、乙基三嗪基、叔丁基三嗪基、二甲基三嗪基、氟三嗪基、三氟甲基三嗪基、苯基三嗪基。
作为本发明金属配合物的一种改进，a2表示取代或未取代的吡啶环、取代或未取代的嘧啶环、取代或未取代的吡嗪环、取代或未取代的三嗪环、取代或未取代的吡唑环、取代或未取代的噻唑环、取代或未取代的咪唑环、取代或未取代的噁唑环、取代或未取代的三氮唑环、取代或未取代的吡咯环；
b2表示取代或未取代的苯环、取代或未取代的吡啶环、取代或未取代的吡咯环、取代或未取代的噻吩环、取代或未取代的嘧啶环、取代或未取代的吡嗪环、取代或未取代的三嗪环、取代或未取代的噻唑环、取代或未取代的咪唑环、取代或未取代的呋喃环、取代或未取代的环戊二烯环；x表示1～2的整数；
取代基选自卤素原子、卤素取代或未取代的c1～12烷基、卤素取代或未取代的c6～12芳基、卤素取代或未取代的c6～12杂芳基；
当m为ir、m为2、p为2、q为0、rf为三氟甲基且在吡啶环的2、6位置取代时，a2环和b2环稠合后的结构不包括以下通式表示的结构：
作为本发明金属配合物的一种改进，通式iii所示金属配合物的进一步优选通式iv所示的结构式：
其中，r11、r12各自独立的选自氟取代的c1～18烷基、氟取代的c6～26芳基，其他取代基的含义同通式iii。
作为本发明金属配合物的一种改进，通式iv所示金属配合物的进一步优选如通式iva、通式ivb、通式ivc、通式ivd、通式ive或者通式ivf所示的结构式：
其中，n71、n72、n73、n74各自独立的表示n原子、c原子或rc基团取代的c原子；且n71、n72、n73、n74至少有一个是表示n原子；
n81、n82、n83、n84、n85、n86各自独立的表示n原子、c原子或rc基团取代的c原子；且n81、n82、n83、n84、n85、n86至少有一个是表示n原子；
n91、n92、n93、n94、n95各自独立的表示n原子、c原子或rc基团取代的c原子；且n91、n92、n93、n94、n95至少有一个是表示n原子；
rc基团表示被卤素取代或未取代的c1-24烷基、取代或未取代c6-36芳基、取代或未取代的c4-36杂芳基；芳基和杂芳基的取代基团选自卤素、c1-16烷基、卤素取代的c1-16烷基；
py选自苯基、氟苯基和三氟甲基苯基。
在上述通式的rc基团中，碳原子数为1～24的烷基，烷基可为链状烷基，链状烷基为直链或支链烷基；也可为环烷基，位于环烷基的环上的氢可被烷基取代。优选地，选择碳原子数为1～10的烷基，进一步优选地，选择碳原子数为1～6的链状烷基，碳原子数为5～8的环烷基，更进一步优选地，选择碳原子数为1～4的链状烷基，碳原子数为5～6的环烷基。作为烷基的实例，具体可以举出：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、己基、2-甲基-戊基、3-甲基-戊基、1,1,2-三甲基-丙基、3,3,-二甲基-丁基、庚基、2-庚基、3-庚基、2-甲基己基、3-甲基己基、异庚基、辛基。
在上述通式的rc基团中，碳原子数为6～36的芳基，例如苯基、苯烷基、至少含有一个苯基的芳基如联苯基、稠环芳烃基如萘、蒽、菲均可，联苯基和稠环芳烃基还可被烷基所取代。优选地，选择碳原子数为6～30的芳基，进一步优选地，选择碳原子数为6～26的芳基，更进一步优选地，选择碳原子数为6～16的芳基。作为芳基的实例，具体可以举出：苯基、苄基、联苯基、对甲苯基、邻甲苯基、间甲苯基。
在上述通式的rc基团中，碳原子数为4～36的芳杂基，杂原子可为o、n、s、p并不限于此；具体可选自：呋喃基、噻吩基、吡咯基、噻唑基、咪唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、三嗪基、哒嗪基、吲哚基、喹啉基等。其芳香杂环上的氢原子还可被烷基所取代。
作为本发明金属配合物的一种改进，金属配合物选自以下化合物中的其中一种：
作为本发明金属配合物的一种改进，金属配合物选自以下化合物中的其中一种：
本发明的金属配合物，可以通过合成路线(a)进行合成，其中，a1、a2均用a表示，b1、b2均用b表示，l1、l2均用l表示。
其中通式(i-a)和(i-b)的符号定义与通式(i)相同，mz表示含金属m的金属盐，z为任意其他一个或多个原子。
通式(i-a)表示的原料经与金属盐mz络合，形成通式(i-b)表示的二聚体，该二聚体在引入l后，形成通式(i)表示的本发明金属配合物。
在本发明的合成实施例中，mz优选自三氯化铱。
将通式(i-a)表示原料和三氯化铱按一定摩尔比例(2.4:1～2:1)溶解到2-乙氧基乙醇中，混合物在80～150℃下反应4～16小时，然后加入配体l和碳酸钠，配体l与三氯化铱的比例为(1.5:1～1:1)，碳酸钠与三氯铱的比例为(6:1～5:1)，继续反应10～36小时，冷却体系后，加入不良溶剂析出固体，清洗得到的固体，重结晶，可经柱层析提纯，得到通式(i)表示的目标化合物。进一步的纯度提高，可以采用梯度升华方式。
合成实施例1：irr-001的合成
将原料1-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]异喹啉和三氯化铱按摩尔比2:1溶解到2-乙氧基乙醇中，混合物在130℃下反应8小时，然后加入配体四(3-吡啶基)膦酰亚胺和碳酸钠，配体四(3-吡啶基)膦酰亚胺与三氯化铱的摩尔比例为1.1:1，碳酸钠与三氯铱的摩尔比例为6:1，继续反应16小时，冷却体系后，加入水析出固体，过滤并清洗固体，乙醇重结晶，得到式(irr-001)表示的目标化合物。收率24％。基质辅助飞行时间质谱maldi-tof,[m]计算值1295.0；实测值为[m四(3-吡啶基)膦酰亚胺+2]422.0,[m-420]874.3。核磁共振谱图1hnmr(400mhz,dmso-d6):d＝8.85(s,4h),8.65(m,6h),7.91(m,8h),7.81(d,2h),7.65(t,2h),7.60(m,4h),7.35ppm(m,4h)。
合成实施例2：irr-002的合成
采用与实施例1相同的方式，只是将四(4-甲苯基)膦酰亚胺替换四(3-吡啶基)膦酰亚胺，得到式(irr-002)表示的目标化合物。收率30％。基质辅助飞行时间质谱maldi-tof,[m]计算值1347.2；实测值为[m四(4-甲苯基)膦酰亚胺+2]474.6,[m-472]874.8。核磁共振谱图1hnmr(400mhz,dmso-d6):d＝8.63(d,2h),7.88(m,6h),7.60(m,6h),7.47(m,8h),7.27ppm(m,8h),2.38ppm(s,12h)。
合成实施例3：irr-003的合成
采用与实施例1相同的方式，只是将4-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]喹唑啉替换1-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]异喹啉，得到式(irr-003)表示的目标化合物。收率23％。基质辅助飞行时间质谱maldi-tof,[m]计算值1297.0；实测值为[m四(3-吡啶基)膦酰亚胺+2]422.0,[m-420]876.6。核磁共振谱图1hnmr(400mhz,dmso-d6):d＝9.42(s,2h),8.85(s,2h),8.80(s,2h),8.65(d,4h),8.01(d,2h),7.91(t,4h),7.83(m,4h),7.60(m,4h),7.35ppm(m,4h)。
合成实施例4：irr-004的合成
采用与实施例1相同的方式，只是将3-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]异喹啉替换1-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]异喹啉，将四(4-叔丁基苯基)膦酰亚胺替换四(3-吡啶基)膦酰亚胺，得到式(irr-004)表示的目标化合物。收率29％。基质辅助飞行时间质谱maldi-tof,[m]计算值1515.5；实测值为[m四(4-叔丁基苯基)膦酰亚胺+2]642.8,[m-641]874.7。核磁共振谱图1hnmr(400mhz,dmso-d6):d＝9.34(s,2h),7.98(d,2h),7.82(4h),7.65(m,6h),7.52(m,8h),7.38(m,8h),1.28ppm(s,36h)。
合成实施例5：irr-005的合成
采用与实施例1相同的方式，只是将3-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]-2,6萘啶替换1-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]异喹啉，将四(4-三氟甲基苯基)膦酰亚胺替换四(3-吡啶基)膦酰亚胺，得到式(irr-005)表示的目标化合物。收率32％。基质辅助飞行时间质谱maldi-tof,[m]计算值1565.0；实测值为[m四(4-叔丁基苯基)膦酰亚胺+2]690.5,[m-688]876.7。核磁共振谱图1hnmr(400mhz,dmso-d6):d＝9.40(s,2h),8.78(s,2h),8.70(d,2h),7.72(s,2h),7.57(m,10h),7.45(m,8h),7.28ppm(d,2h)。
合成实施例6：irr-006的合成
采用与实施例1相同的方式，只是将2-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]-7-甲基-1,8-萘啶替换1-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]异喹啉，将四苯基膦酰亚胺替换四(3-吡啶基)膦酰亚胺，得到式(irr-006)表示的目标化合物。收率35％。基质辅助飞行时间质谱maldi-tof,[m]计算值1321.1；实测值为[m四苯基膦酰亚胺+2]418.4,[m-416]904.7。核磁共振谱图1hnmr(400mhz,dmso-d6):d＝8.36(d,2h),8.16(d,2h),7.79(d,2h),7.60(s,2h),7.52(m,8h),7.38(m,14h),2.51ppm(s,6h)。
合成实施例7：irr-007的合成
采用与实施例1相同的方式，只是将1-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-4-基]异喹啉替换1-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]异喹啉，将四(4-吡啶基)膦酰亚胺替换四(3-吡啶基)膦酰亚胺，得到式(irr-007)表示的目标化合物。收率25％。基质辅助飞行时间质谱maldi-tof,[m]计算值1295.0；实测值为[m四(4-吡啶基)膦酰亚胺+2]422.0,[m-420]874.3。核磁共振谱图1hnmr(400mhz,dmso-d6):d＝8.64(d,2h),8.55(d,8h),8.15(d,2h),7.93(d,2h),7.87(d,2h),7.82(d,2h),7.62(t,2h),7.59(t,2h),7.54(d,4h),7.50(d,4h)。
合成实施例8：irr-008的合成
采用与实施例1相同的方式，只是将1-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-4-基]-2,7-萘啶替换1-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]异喹啉，将四苯基膦酰亚胺替换四(3-吡啶基)膦酰亚胺，得到式(irr-008)表示的目标化合物。收率21％。基质辅助飞行时间质谱maldi-tof,[m]计算值1293.0；实测值为[m四苯基膦酰亚胺+2]418.4,[m-416]876.7。核磁共振谱图1hnmr(400mhz,dmso-d6):d＝9.37(s,2h),8.78(d,2h),8.70(d,2h),8.55(m,8h),8.15(s,2h),7.54(m,10),7.28(d,2h)。
合成实施例9：irr-009的合成
采用与实施例1相同的方式，只是将3-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-4-基]噌啉替换1-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]异喹啉，将四(4-氟苯基)膦酰亚胺替换四(3-吡啶基)膦酰亚胺，得到式(irr-009)表示的目标化合物。收率22％。基质辅助飞行时间质谱maldi-tof,[m]计算值1365.0；实测值为[m四(4-氟苯基)膦酰亚胺+2]490.4,[m-488]876.6。核磁共振谱图1hnmr(400mhz,dmso-d6):d＝8.16(d,2h),8.07(s,2h),7.81(t,2h),7.76(s,2h),7.57(d,2h),7.50(m,8h),7.43(m,2h),7.11ppm(m,8h)。
合成实施例10：irr-010的合成
采用与实施例1相同的方式，只是将2-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-4-基]喹啉替换1-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]异喹啉，将四(5-嘧啶基)膦酰亚胺替换四(3-吡啶基)膦酰亚胺，得到式(irr-010)表示的目标化合物。收率20％。基质辅助飞行时间质谱maldi-tof,[m]计算值1299.0；实测值为[m四(5-嘧啶基)膦酰亚胺+2]426.3,[m-424]874.7。核磁共振谱图1hnmr(400mhz,dmso-d6):d＝9.28(s,4h),9.04(d,8h),8.42(d,2h),8.24(d,2h),8.15(s,2h),7.80(m,4h),7.72(m,2h),7.54(m,2h)。
合成实施例11：irr-011的合成
采用与实施例1相同的方式，只是将2-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-4-基]-7-甲基-1,8-萘啶替换1-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]异喹啉，将四苯基膦酰亚胺替换四(3-吡啶基)膦酰亚胺，得到式(irr-011)表示的目标化合物。收率24％。基质辅助飞行时间质谱maldi-tof,[m]计算值1321.1；实测值为[m四苯基膦酰亚胺+2]418.4,[m-416]904.7。核磁共振谱图1hnmr(400mhz,dmso-d6):d＝8.34(d,2h),8.15(m,4h),7.79(d,2h),7.53(m,8h),7.38(m,14h),2.49(s,6h)。
作为本发明的另一方面，本发明还涉及一种发光器件，请参阅图1，为本发明提供的发光器件的结构示意图。发光器件10包括依次沉积形成的阳极11、空穴传输层12、发光层13、电子传输层14和阴极15。其中所述空穴传输层12、发光层13、电子传输层14均为有机层，阳极11与阴极15与电连接。发光层包括本发明的金属配合物。
阳极11可由ito、石墨烯、铟镓锌氧化物或其它导电材料通过溅射、蒸发等方式形成；优选为ito。ito也可以经臭氧处理，也可以通过沉积或旋涂其他材料改变其表面的功函数。
本发明的具体实施例中，空穴传输层12的材料为4,4'-环己基二[n,n-二(4-甲基苯基)苯胺(tapc)，电子传输层14材料为3,3'-(5'-(3-(吡啶-3-基)苯基)-[1,1':3',1”-三苯基]-3,3”-二基)二吡啶(tmpypb)，厚度为60nm；阴极15采用lif/al，lif厚度为1nm，al厚度为100nm。发光层13为有机发光层，采用掺杂结构，主体材料分别是用4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(tcta)和2,6-双(3-(9-咔唑基)苯基)吡啶(26dczppy)，客体材料选用本发明的金属配合物。发光层厚度为40nm，金属配合物的质量占发光层13总重量的5％重量百分比。
选用以下金属配合物材料作为发光层的客体材料，形成发光器件实施例，并对形成的发光器件进行性能测试。器件制备后，采用业内通用的测试方法进行测试，即采用keithley2400电流源和pr655光谱仪组合测试系统进行测试。
测试结果如表1所示：
表1：
本发明虽然以具体实施例公开如上，但并不是用来限定权利要求，任何本领域技术人员在不脱离本发明构思的前提下，都可以做出若干可能的变动和修改，因此本申请的保护范围应当以本申请权利要求所界定的范围为准。