可固化组合物的制作方法
【技术领域】
[0001] 本申请涉及可固化组合物及其用途。
【背景技术】
[0002] 发光二极管（LED)是用于各种领域的二极管，例如显示装置和照明装置等的光 源。
[0003] 广泛使用具有高粘合性和优良机械耐久性的环氧树脂作为LED封装剂。然而，环 氧树脂具有蓝光或紫外线区域的较低的透光率以及低耐热性和耐光性。因此，例如专利文 件1至3公开了用于解决上述问题的技术。然而，上述文献中所公开的封装剂不具有足够 的耐热性和耐光性。
[0004] 现有技术文件
[0005] 专利文件
[0006] 专利文件1 :日本公开专利申请第H11-274571号
[0007] 专利文件2 :日本公开专利申请第2001-196151号
[0008] 专利文件3 :日本公开专利申请第2002-226551号
【发明内容】
[0009] 技术问题
[0010] 本申请提供了可固化组合物及其用途。
[0011] 解决方案
[0012] 本申请的一个方面提供可固化组合物，其包含可通过氢化硅烷化反应（例如脂肪 族不饱和键和与硅原子连接的氢原子之间的反应）来固化的组分。例如，可固化组合物可 包含含有脂肪族不饱和键的交联聚有机硅氧烷和含有与硅原子连接的氢原子的聚有机硅 氧烧。
[0013] 本文中所使用的术语"M单元"可指在本领域中可由SR3Si01/2表示的单官能硅氧 烷单元，本文中所使用的术语"D单元"可指在本领域中可由式R2SiOv2表示的双官能硅氧 烷单元，本文中所使用的术语"T单元"可指在本领域中可由式RSi03/2表示的三官能硅氧烷 单元，并且本文中所使用的术语"Q单元"可指可由式Si04/2表示的四官能硅氧烷单元。此 处，R是与硅（Si)原子连接的官能团并且可以是例如氢原子、环氧基或一价烃基。
[0014] 可固化组合物可以包括交联聚有机硅氧烷作为含有脂肪族不饱和键的聚有机硅 氧烷。本文中所使用的术语"交联聚有机硅氧烷"可指基本上包含T或Q单元的聚有机硅氧 烷，并且聚有机硅氧烷所包括的D单元摩尔数与D、T和Q单元的总摩尔数的比（DAD+T+Q)) 为低于0. 7、0. 65或更低、0. 6或更低、0. 5或更低、0. 4或更低，或0. 3或更低。交联聚有机 硅氧烷的摩尔数的比（DAD+T+Q))下限无特别限制，例如可以为0。
[0015] 可固化组合物可以包含例如低折射率交联聚有机硅氧烷（下文称为聚有机硅氧 烷（A))和高折射率交联聚有机硅氧烷（下文称为聚有机硅氧烷（B))作为交联聚有机硅氧 烷。本文中所使用的术语"低折射率聚有机硅氧烷"可指分子中包含少量芳基或基本不包含 芳基的聚有机硅氧烷。例如，本说明书中低折射率聚有机硅氧烷可指具有0. 3或更低、0. 2 或更低、约〇. 15或更低、约0. 1或更低，或约0. 06或更低，或基本为0的聚有机硅氧烷的芳 基（Ar)与全部硅（Si)原子的摩尔比（Ar/Si)的聚有机硅氧烷。本文中所使用的术语"高 折射率聚有机硅氧烷"可指分子中包括预定比或更多的芳基的聚有机硅氧烷。例如，本文中 所使用的尚折射率聚有机硅氧烷可为具有〇. 25或更尚、0. 3或更尚、0. 4或更尚，或0. 45或 更高的聚有机硅氧烷的芳基（Ar)与全部硅（Si)原子的摩尔比（Ar/Si)的聚有机硅氧烷。 在高折射率聚有机硅氧烷中，比（Ar/Si)可为2. 0或更低、1. 5或更低、1或更低、约0. 8或 更低，或约0.7或更低。低折射率交联聚有机硅氧烷（A)可为包含Q单元的聚有机硅氧烷， 高折射率交联聚有机硅氧烷（B)可为包含T单元的聚有机硅氧烷。
[0016] 除非特别另行限定，否则本文中所使用的术语"芳基"可指衍生自以下化合物或其 衍生物的一价残基，所述化合物具有与苯环或至少两个苯环连接的结构或者其中一个或至 少两个碳原子共价缩合或连接的结构。在本说明书中，芳基的类别中可以包括一般称为芳 基、芳烷基或芳基烷基的官能团。芳基可为例如具6至25个、6至21个、6至18个或者6 至12个碳原子的芳基。芳基可为苯基、二氯苯基、氯苯基、苯乙基、苯丙基、苄基、甲苯基、二 甲苯基或萘基。
[0017] 例如，交联聚有机硅氧烷（A)可为具有式1的平均经验式的交联聚有机硅氧烷，交 联聚有机硅氧烷（B)可为具有式2的平均经验式的交联聚有机硅氧烷。
[0018] [式 1]
[0019] (R13SiOl72)a (R22SiO272)b (R3SiO372)c (SiO472)d (OR)e
[0020] 在式I中，R1至R3各自独立地为环氧基或一价烃基，R1至R3中的至少一个为烯基， R为氢或一价经基，a、b、c、d和e各自独立地为0或正数，d/ (c+d)为0. 3或更高，e/ (c+d) 为〇. 2或更低。在一个实施方案中，式1的一价烃基可为不包括芳基的一价烃基。
[0021] [式 2]
[0022] (R43SiOl72)f (R52SiO272) 8 (R6SiO372)h (SiO472)f (OR)s
[0023] 在式2中，R4至R5各自独立地为环氧基或一价烃基，R4至R5中的至少一个为烯基， R4至R5中的至少一个为芳基，R为氢或一价经基，f、g、h、i和j各自独立地为0或正数，h/ (h+i)为0? 7或更高，j7(h+i)为0? 2或更低。
[0024] 在本说明书中，聚有机硅氧烷具有特定平均经验式的表述可以意味着聚有机硅氧 烷由平均经验式所表示的单一组分构成，或由至少两种组分的混合物构成，且混合物组分 的平均组成由平均经验式表示。
[0025] 在本说明书中，除非特别另行限定，否则本文中所使用的术语"环氧基"可指衍生 自具有三个成环原子的环醚或包含环醚的化合物的一价残基。环氧基可为缩水甘油基、环 氧烷基、环氧丙氧基烷基或脂环环氧基。此处，脂环环氧基可以指衍生自含有脂肪族烃环结 构以及形成脂肪族烃环的两个碳原子还形成环氧基的结构的化合物的一价残基。脂环环氧 基可为具有6至12个碳原子的脂环环氧基，例如3,4-环氧基环己基乙基。
[0026] 除非特别另行限定，否则本文中所使用的术语"一价烃基"可指衍生自由碳和氢构 成的化合物或其衍生物的一价残基。例如，一价烃基可包括1至25个碳原子。一价烃基可 为烷基、烯基或炔基。在一个实施方案中，式1的一价烃基可选自不包括芳基的一价烃基。
[0027] 除非特别另行限定，否则本文中所使用的术语"烷基"可指具有1至20个、1至16 个、1至12个、1至8个或者1至4个碳原子的烷基。烷基可具有线性、支化或环状结构。此 外，烷基可以任意地被至少一个取代基取代。
[0028] 除非特别另行限定，否则本文中所使用的术语"烯基"可指具有2至20个、2至16 个、2至12个、2至8个或者2至4个碳原子的烯基。烯基可具有线性、支化或环状结构，且 可以任意地被至少一个取代基取代。
[0029] 除非特别另行限定，否则本文中所使用的术语"炔基"可指具有2至20个、2至16 个、2至12个、2至8个或者2至4个碳原子的炔基。炔基可具有线性、支化或环状结构，且 可以任意地被至少一个取代基取代。
[0030] 在本说明书中，可任意取代于环氧基或一价烃基的取代基的实例包括卤素例如氯 或氟、缩水甘油基、环氧基烷基、环氧丙氧基烷基、环氧基例如脂环环氧基、丙烯酰基、甲基 丙烯酰基、异氰酸酯基、巯基或一价烃基，但本申请不限于此。
[0031] 在式1中，R1至R3中的一个或至少两个可为烯基。在一个实施方案中，可存在量 为使得式1的聚有机硅氧烷所包括的烯基（Ak)摩尔数与全部硅（Si)原子摩尔数的比（Ak/ Si)为0.01至0.4或0.01至0.35的烯基。当摩尔比（Ak/Si)被控制为0.01或更高时，可 适当保持反应性，并且可防止从固化产物表面泄漏未反应组分的现象。此外，当摩尔比（Ak/ Si)被控制为0. 4或更低，或0. 35或更低时，可优良地保持固化产物的硬度、抗裂性和耐热 冲击性。
[0032] 在式1的平均经验式中，a、b、c和d各自为硅氧烷单元的摩尔比，且当a、b、c和d 的总和被换算成1时，a为0? 2至0? 8、0. 3至0? 8、0. 35至0? 8、0. 35至0? 7,或0? 35至0? 65， b为 0 至 0. 5、0 至 0. 4、0 至 0. 3,或 0 至 0. 2,c为 0 至 0. 5、0 至 0. 4、0 至 0. 3、0 至 0. 2,或 0 至 0?l，d为 0? 1 至 0.8、0. 1 至 0.7,0. 1 至 0.6、0. 1 至 0.5、0.2 至 0.5 或 0.2 至 0.45。为 了使固化产物的强度、抗裂性和耐热冲击性最大化，（a+b)/(a+b+c+d)可以被控制为0. 2至 0. 8、0. 3至0. 8、0. 4至0. 8或0. 45至0. 8。在式1中，cV(c+d)可以被控制为0. 3或更高、 0.5或更高，或0.7或更高。此处，dAd+c)的上限可为但不特别限于1。
[0033] 在式1中，e为聚有机硅氧烷所包括的可缩合官能团（例如羟基或烷氧基）的量。 在式1中，e为0或正数，且例如在式1中，eAc+d)可存在于0.2或更低、0. 15或更低、0. 1 或更低，或基本为〇的范围内。通过如上所述的控制保持了可固化组合物的组分之间的相 容性，并由此在固化之后可形成具有优良透明度的固化产物，此外，还可优良地保持固化产 物的耐湿性。例如当固化产物应用于半导体装置时，还可确保装置的长期可靠性。
[0034] 在式2中，R4至R6中的一个或至少两个可为烯基。例如，可存在量为使得式2经 验式的聚有机硅氧烷所包括的烯基（Ak)摩尔数与全部硅（Si)原子摩尔数的比（Ak/Si)为 0. 01至0. 4或0. 01至0. 35的烯基。当摩尔比（Ak/Si)被控制为0. 01或更高时，可适当 保持反应性，并且可防止从固化产物表面泄漏未反应组分的现象。此外，当摩尔比（Ak/Si) 被控制为〇. 4或更低，或0. 35或更低时，可优良地保持固化产物的硬度、抗裂性和耐热冲击 性。
[0035] 在式2中，R4至R6中的一个或至少两个可为芳基。例如，芳基可被控制为交联聚 有机硅氧烷（B)所包括的芳基（Ar)摩尔数与全部硅（Si)原子摩尔数的比（Ar/Si)在满足 高折射率聚有机硅氧烷的摩尔比（Ar/Si)的范围内。
[0036] 在式2的平均经验式中，f、g、h和i为硅氧烷单元的摩尔比，且当总和被换算成I 时，f为 0 至 〇? 7、0 至 0? 6、0 至 0? 5、0 至 0? 4,或 0 至 0? 3，g为 0 至 0? 7、0 至 0? 6、0 至 0? 5、 0 至 〇? 4,或 0 至 0? 3,h为 0 至 0? 85、0. 1 至 0? 85、0. 2 至 0? 85、0. 3 至 0? 85,0. 4 至