间（天）
[0085] 比较例2不包含添加剂。
[0086] 实例6包含250ppm递送到作为添加剂的Fe(0SiMe(0SiPh2Me)2)3中的铁或以作为 添加剂的Fe(OSiMe(0SiPh2Me) 2) 3形式递送的铁。
[0087] 上述数据证实将铁甲娃烷基氧基稳定剂加入甲基苯基有机娃基体中能在暴露于 高温时非常有效地抵抗硬化（如由断裂伸长率％所测量），这对于器件中的稳定性能很重 要。50-1000ppm递送到基体中的添加剂中的铁或以基体中的添加剂形式递送的铁适合于获 得显著益处，与比较（对照）例相比，能在超过两倍高温老化时长内保持超过20%伸长率。
[0088] 苯基基体样品的压缩模量测试结果在下表中示出： 压缩樽量测试（MPa) 225°C下于苧气中的老化时间（天）
压缩樽量测试（MPa) 225°C下于苧气中的老化时间（天） (续）
[0089] 比较例2不包含添加剂。
[0090] 实例6如上所述。
[0091] 实例7包含5ppm递送到作为添加剂的Fe(0SiMe(0SiPh2Me)2)3中的铁或以作为添 加剂的Fe(OSiMe(0SiPh2Me) 2) 3形式递送的铁。
[0092] 实例8包含50ppm递送到作为添加剂的Fe(0SiMe(0SiPh2Me)2)3中的铁或以作为 添加剂的Fe(OSiMe(0SiPh2Me) 2) 3形式递送的铁。
[0093] 实例9包含750ppm递送到作为添加剂的Fe(0SiMe(0SiPh2Me)2)3中的铁或以作为 添加剂的Fe(OSiMe(0SiPh2Me) 2) 3形式递送的铁。
[0094] 实例10包含2000ppm递送到作为添加剂的Fe(0SiMe(0SiPh2Me)2)3中的铁或以作 为添加剂的Fe(OSiMe(0SiPh2Me) 2) 3形式递送的铁。
[0095] 上述数据证实将铁甲娃烷基氧基稳定剂加入甲基苯基有机娃基体中能在暴露 于高温时非常有效地抵抗硬化（如由模量所测量），这对于器件中的稳定性能很重要。 50-1000ppm递送到基体中的添加剂中的铁或以基体中的添加剂形式递送的铁适合于获得 显著益处。 热重量分析：
[0096] 还经由热重量分析评价含上述相应添加剂的上述PDMS和苯基测试基体的样品。 通过将两个1_3方块放置在铂TGA盘中来完成热重量分析。将样品置于N2气氛中，并且经 由温度以l〇°C/min从室温斜升到250°C，对样品进行加热，并在250°C下保持1小时以使样 品脱去挥发份。然后将气氛切换为大气，并且使样品以l〇°C/min倾斜升温到275°C并保持 3小时。
[0097] 将初始脱去挥发份（在最初85分钟脱去挥发份步骤期间的损失占总样品的重 量％ )制表成第一列。通过获得斜率（重量损失％ /min)或一系列Fe浓度内每个基体的 斜率的加权平均值，来测量添加剂的实际功效。
[0098] 通过该测试可以确定，使用低至5ppm的递送到添加剂中的Fe或以添加剂形式递 送的Fe，就能有效稳定FeMe改性的PDMS基体。然而，在各种实施例中，可利用250ppm浓度 来平衡脱去挥发份及降解速率。
[0099] 在PMPS基体中，观察到相同趋势，但初始挥发与实现所需Fe载量所需要的添加剂 量成正比。同样，可利用250ppm浓度来平衡脱去挥发份及降解速率。 电感耦合等离子体发射光谱仪（ICP-0ES)分析：
[0100] 还执行ICP-0ES分析。更具体地讲，评价添加剂FeMe(Fe(OSiMe(0SiMe3) 2) 3和FeMe Ph(Fe(0SiMe(0SiPh2Me)2)3)，以测定Fe的理论量和Fe的实际量。通常，使用lppmSc内标， 校正所有数据的仪器漂移和基体差异。该校正量一般为+/-0-5%。更具体地讲，将约0.05 克的样品称取到铂皿中。使用氏50 4炭化样品，使之干燥，然后放入熔炉中以移除任何残余 碳。然后使用H2S04、圆03和HF消化样品。使样品接近干燥，然后使用约5%ΗΝ03定容至 20ml的终体积。在分析之前在5%ΗΝ03*进行第2次15倍稀释。加入lppm的Sc作为内 标。然后经由电感耦合等离子体发射光谱仪（ICP-0ES)分析样品。
[0101] 上述数据表明，上述化合物的Fe含量的分析能够精确获得制品或组合物中的最 终金属含量。Fe的分子复杂度以及得到添加剂的各种可能合成方法允许最终金属含量的偏 差。 ATR-FTIR光谱学：
[0102] 还生成了FeMe(Fe(OSiMe(0SiMe3) 2) 3和FeMePh(Fe(OSiMe(0SiPh2Me) 2) 3)的ATR-FTIR 光谱图，并且分别在图1和图2中示出。更具体地讲，使用配有ZnSe晶体、DTGSTEC检测 器、KBr分束器以及400至4000cm1范围内的红外源的Nicolet6700FTIR，获取ATR-FTIR 光谱。将样品光谱（32次扫描）采集为与晶体直接接触的纯材料。这些光谱图显示出这些 化合物中存在的铁-氧-硅键，其被示出为各种峰，如本领域技术人员应当理解的。
[0103] 在各种非限制性实施例中，本发明包括一种或多种化合物、方法步骤、器件或分析 步骤或任何其他描述，如在同时提交的道康宁案卷号（DowCorningDocket)DC11758;代理 人案卷号（AttorneyDocket)071038. 001321的美国临时专利申请中所述，该临时专利申请 中与这些非限制性实施例相关的全部内容明确地并入本文。
[0104] 上文所述的值中的一个或多个可以变动±5%、±10%、±15%、±20%、±25% 等，只要变化保持在本发明的范围内即可。可以从独立于所有其他成员的马库什（Markush) 组的各个成员中获得意料不到的结果。每个成员均可被单独地和/或组合地依赖，并且为 所附权利要求范围内的具体实施例提供足够的支持。本文明确考虑到独立权利要求和从属 权利要求（单项从属和多项从属）所有组合的主题。本说明的说明文字为示例性的，而非 限制性的。按照上述教导内容，本说明的许多修改形式和变型形式是可能的，并且本公开可 以不按本文具体描述的那样实施。
【主权项】
1. 一种用于有机硅封装材料的添加剂，所述添加剂具有如下结构：其中R1和R2各自为-O-Si (R 4) (R5) (R6)，并且R4、R5和R6中的每一者独立地选自C i-Q。 烃基、C1-C1。烷基、C 2-(；。烯基以及C S-C1。芳基，并且 其中R3独立地选自C ^C1。烃基、C ^C1。烷基、C 2-(；。烯基以及C S-C1。芳基。2. 根据权利要求1所述的添加剂，其中占所述基团R 3_R6总量的至少20摩尔百分比为 甲基。3. 根据权利要求1所述的添加剂，其中占所述基团R 3_R6总量的至少20摩尔百分比为 苯基。4. 根据权利要求1所述的添加剂，其中每个R3、R4和R6为甲基。5. 根据权利要求1所述的添加剂，其中每个R3、R4和R6为苯基。6. 根据权利要求1所述的添加剂，所述添加剂被进一步限定为具有如下结构：其中Me为甲基。7. 根据权利要求1所述的添加剂，所述添加剂被进一步限定为具有如下结构：其中Me为甲基并且Ph为苯基。8. 根据任何前述权利要求所述的添加剂，所述添加剂被进一步限定为： 铁醇盐与羟基官能有机硅氧烷反应的反应产物；或 铁金属与羟基官能有机硅氧烷反应的反应产物。9. 根据权利要求8所述的添加剂，其中所述羟基官能有机硅氧烷具有式M 1DmhM2,其中 R选自C1-C 1。经基、C。烷基、C ^C1。烯基以及C S-C1。芳基。10. 根据权利要求8所述的添加剂，其中所述羟基官能有机硅氧烷具有如下结构：其中Me为甲基并且Ph为苯基。11. 一种铁甲硅烷基氧化物团簇，所述铁甲硅烷基氧化物团簇包含2至10个单元的根 据权利要求1-10中任一项所述的添加剂。12. -种有机硅封装材料，所述有机硅封装材料包含根据权利要求1-11中任一项所述 的添加剂以及有机硅。13. -种有机硅封装材料，所述有机硅封装材料包含： A. 具有如下结构的添加剂：其中R1和R2各自为-O-Si (R 4) (R5) (R6)，并且R4、R5和R6中的每一者独立地选自C ^Ciq 烃基、C1-C1。烷基、C 2-(；。烯基以及C S-C1。芳基，并且 其中R3独立地选自C ^C1。经基、C。烷基、C 2-(；。烯基以及C S-C1。芳基；以及 B. 聚有机硅氧烷。14. 一种器件，所述器件包括电子部件以及根据权利要求13所述的封装材料。15. -种制备添加剂的方法，所述添加剂具有如下结构：其中R1和R2各自为-O-Si (R 4) (R5) (R6)，并且R4、R5和R6中的每一者独立地选自C ^Ciq 烃基、C1-C1。烷基、C 2-(；。烯基以及C S-C1。芳基，并且 其中R3独立地选自C ^C1。烃基、C ^C1。烷基、C 2-(；。烯基以及C S-C1。芳基， 其中所述方法包括使铁金属或铁（III)化合物与羟基官能有机硅氧烷反应的步骤。
【专利摘要】本发明公开了用于有机硅封装材料的添加剂，所述添加剂具有结构：式(I)其中R1和R2各自为-O-Si(R4)(R5)(R6)，并且R4、R5和R6中的每一者独立地选自C1-C10烃基、C1-C10烷基、C2-C10烯基以及C6-C10芳基，并且其中R3独立地选自C1-C10烃基、C1-C10烷基、C2-C10烯基以及C6-C10芳基。使用下述方法形成所述添加剂，所述方法包括使铁金属或铁(III)化合物与羟基官能有机硅氧烷反应的步骤。封装材料包含所述添加剂和聚有机硅氧烷。所述封装材料可用于形成器件，所述器件包括电子部件以及设置在所述电子部件上的所述封装材料。使用下述方法形成所述器件，所述方法包括将所述封装材料设置在所述电子器件上的步骤。
【IPC分类】C08K5/5419, C08K9/10
【公开号】CN105358616
【申请号】CN201480037102
【发明人】唐纳德·L·克莱尔, 兰德尔·G·施密特, 亚当·C·托马西克, 徐胜清
【申请人】道康宁公司
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2014年9月2日
【公告号】EP3041896A1, US20160177061, WO2015034814A1