本发明涉及组合物及使用该组合物的发光元件。
背景技术：
有机电致发光元件(有机EL元件)等发光元件由于高发光效率、低电压驱动等特性，因而能够适宜地用于显示器等用途而在近年来受到关注。该发光元件具备发光层、电荷传输层等有机层。通过使用高分子化合物，能够通过以喷墨印刷法为代表的涂布法形成有机层，因此对用于发光元件的制造的高分子化合物进行了研究。
作为用于发光元件的发光层的材料，例如提出了含有包含芴结构单元及具有三嗪结构的结构单元的高分子化合物、和磷光发光性化合物的组合物(专利文献1)。需要说明的是，该高分子化合物是不包含后述的式(Ia)～(Id)所示的结构单元的高分子化合物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-036388号公报
技术实现要素：
发明要解决的问题
然而，使用上述组合物制造的发光元件其亮度寿命并不一定充分。
因此，本发明的目的在于，提供对亮度寿命优异的发光元件的制造有用的组合物及高分子化合物。本发明的目的还在于，提供使用该组合物或该高分子化合物得到的发光元件。
用于解决问题的手段
第一，本发明提供一种组合物，其含有高分子化合物和磷光发光性化合物，所述高分子化合物包含：下述式(Y)所示的结构单元、以及选自下述式(Ia)所示的结构单元、下述式(Ib)所示的结构单元、下述式(Ic)所示的结构单元及下述式(Id)所示的结构单元中的至少一种结构单元。
[式中，ArY1表示亚芳基、二价杂环基或至少一种亚芳基与至少一种二价杂环基直接键合成的二价基团，这些基团可以具有取代基。]
[式中，
m表示0～4的整数。存在的多个m可以相同也可以不同。
n表示0～3的整数。存在的多个n可以相同也可以不同。
RT1表示烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基。在RT1存在有多个的情况下，它们可以相同也可以不同。
Rx表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基。存在的多个RX可以相同也可以不同，可以相互键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。
Ar表示芳香族烃基或杂环基，这些基团可以具有取代基。
nA表示0～3的整数。
LA表示亚烷基、亚环烷基、亚芳基或二价杂环基，这些基团可以具有取代基。在LA存在有多个的情况下，它们可以相同也可以不同。
nB表示0～3的整数。
LB表示亚烷基、亚环烷基、亚芳基或二价杂环基，这些基团可以具有取代基。在LA存在有多个的情况下，它们可以相同也可以不同。]
第二，本发明提供一种高分子化合物，其包含：
上述式(Y)所示的结构单元、
选自上述式(Ia)所示的结构单元、上述式(Ib)所示的结构单元、上述式(Ic)所示的结构单元及上述式(Id)所示的结构单元中的至少一种结构单元、和
磷光发光性结构单元，
所述磷光发光性结构单元具有：除去与构成下述式(1)所示的磷光发光性化合物的碳原子或杂原子直接键合的1个以上氢原子而成的基团。
[式中，
M表示钌原子、铑原子、钯原子、铱原子或铂原子。
n1表示1以上的整数，n2表示0以上的整数，n1+n2为2或3。在M为钌原子、铑原子或铱原子的情况下，n1+n2为3，在M为钯原子或铂原子的情况下，n1+n2为2。
E1及E2各自独立地表示碳原子或氮原子。需要说明的是，E1及E2中的至少一者为碳原子。
环R1表示五元环或六元环的芳香族杂环，这些环可以具有取代基。在该取代基存在有多个的情况下，它们可以相同也可以不同，可以相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。在环R1存在有多个的情况下，它们可以相同也可以不同。需要说明的是，在环R1为六元环的芳香族杂环的情况下，E1为碳原子。
环R2表示五元环或六元环的芳香族烃环、或者五元环或六元环的芳香族杂环，这些环可以具有取代基。在该取代基存在有多个的情况下，它们可以相同也可以不同，可以相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。在环R2存在有多个的情况下，它们可以相同也可以不同。需要说明的是，在环R2为六元环的芳香族杂环的情况下，E2为碳原子。
A1-G1-A2表示阴离子性的二齿配体，A1及A2各自独立地表示碳原子、氧原子或氮原子，这些原子可以是构成环的原子。G1表示单键或与A1及A2一起形成二齿配体的原子团。在A1-G1-A2存在有多个的情况下，它们可以相同也可以不同。]
第三，本发明提供使用上述的组合物或上述的高分子化合物得到的发光元件。
发明的效果
根据本发明，可以提供对亮度寿命优异的发光元件的制造有用的组合物及高分子化合物。另外，根据本发明，可以提供使用该组合物或该高分子化合物得到的发光元件。
具体实施方式
以下，对本发明的适宜的实施方式进行详细说明。
<共通的术语的说明>
在本说明书中共通使用的术语只要没有特别记载就是以下的含义。
Me表示甲基，Et表示乙基，Bu表示丁基，i-Pr表示异丙基，t-Bu表示叔丁基。
氢原子也可以为氘原子，还可以为氕原子。
表示金属络合物的式中，表示与中心金属的键合的实线是指共价键或配位键。
“高分子化合物”是指具有分子量分布且聚苯乙烯换算的数均分子量为1×103～1×108的聚合物。
高分子化合物可以是嵌段共聚物、无规共聚物、交替共聚物、接枝共聚物中的任一种，也可以为其它的形态。
若聚合活性基团原样残留，则在将高分子化合物用于发光元件的制作时发光特性或亮度寿命有可能下降，因而高分子化合物的末端基团优选为稳定的基团。该末端基团优选为与主链进行共轭键合的基团，例如可以举出：经由碳-碳键与芳基或一价杂环基键合的基团。
“低分子化合物”是指没有分子量分布且分子量为1×104以下的化合物。
“结构单元”是指在高分子化合物中存在有1个以上的单元。
“烷基”可以是直链和支链中的任一种。直链的烷基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为1～50，优选为3～30，更优选为4～20。支链的烷基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为3～50，优选为3～30，更优选为4～20。
烷基可以具有取代基，烷基例如可以举出：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、2-乙基丁基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、3-丙基庚基、癸基、3，7-二甲基辛基、2-乙基辛基、2-己基-癸基、十二烷基、以及这些基团中的氢原子被环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、氟原子等取代后的基团，例如可以举出三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基、3-苯丙基、3-(4-甲基苯基)丙基、3-(3，5-二己基苯基)丙基、6-乙氧基己基。
“环烷基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为3～50，优选为3～30，更优选为4～20。
环烷基可以具有取代基，环烷基例如可以举出环己基、环己基甲基、环己基乙基。
“芳基”是指从芳香族烃除去与构成环的碳原子直接键合的氢原子1个后余下的原子团。芳基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为6～60，优选为6～20，更优选为6～10。
芳基可以具有取代基，芳基例如可以举出苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-芴基、3-芴基、4-芴基、2-苯基苯基、3-苯基苯基、4-苯基苯基、以及这些基团中的氢原子被烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、氟原子等取代后的基团。
“烷氧基”可以是直链及支链中的任一种。直链的烷氧基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为1～40，优选为4～10。支链的烷氧基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为3～40，优选为4～10。
烷氧基可以具有取代基，烷氧基例如可以举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、月桂氧基、以及这些基团中的氢原子被环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、氟原子等取代后的基团。
“环烷氧基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为3～40，优选为4～10。
环烷氧基可以具有取代基，环烷氧基例如可以举出环己氧基。
“芳氧基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为6～60，优选为7～48。
芳氧基可以具有取代基，芳氧基例如可以举出苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、1-蒽氧基、9-蒽氧基、1-芘基氧基、以及这些基团中的氢原子被烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、氟原子等取代后的基团。
“p价杂环基”(p表示1以上的整数)是指，从杂环式化合物除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子之中p个氢原子后余下的原子团。p价杂环基之中，优选为从芳香族杂环式化合物除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子之中p个氢原子后余下的原子团即“p价芳香族杂环基”。
“芳香族杂环式化合物”是指，噁二唑、噻二唑、噻唑、噁唑、噻吩、吡咯、磷杂环戊二烯、呋喃、吡啶、吡嗪、嘧啶、三嗪、哒嗪、喹啉、异喹啉、咔唑、二苯并磷杂环戊二烯等杂环自身表现芳香性的化合物、以及吩噁嗪、吩噻嗪、二苯并硼杂环戊二烯、二苯并噻咯、苯并吡喃等杂环自身虽然不表现芳香性但是在杂环上稠合有芳环的化合物。
一价杂环基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为、2～60，优选为4～20。
一价杂环基可以具有取代基，一价杂环基例如可以举出噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、哌啶基、喹啉基、异喹啉基、嘧啶基、三嗪基、以及这些基团中的氢原子被烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基等取代后的基团。
“卤原子”表示氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。
“氨基”可以具有取代基，氨基优选为取代氨基。氨基所具有的取代基优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基。
取代氨基例如可以举出：二烷基氨基、二环烷基氨基及二芳基氨基。
氨基例如可以举出二甲氨基、二乙氨基、二苯基氨基、双(4-甲基苯基)氨基、双(4-叔丁基苯基)氨基、双(3，5-二叔丁基苯基)氨基。
“烯基”可以是直链及支链中的任一种。直链的烯基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为2～30，优选为3～20。支链的烯基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为3～30，优选为4～20。
“环烯基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为3～30，优选为4～20。
烯基及环烯基可以具有取代基，例如可以举出乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-己烯基、5-己烯基、7-辛烯基、以及这些基团具有取代基的基团。
“炔基”可以是直链及支链中的任一种。炔基的碳原子数不包括取代基的碳原子在内，通常为2～20，优选为3～20。支链的炔基的碳原子数不包括取代基的碳原子在内，通常为4～30，优选为4～20。
“环炔基”的碳原子数不包括取代基的碳原子在内，通常为4～30，优选为4～20。
炔基及环炔基可以具有取代基，例如可以举出乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、3-戊炔基、4-戊炔基、1-己炔基、5-己炔基、以及这些基团具有取代基的基团。
“亚芳基”是指从芳香族烃除去与构成环的碳原子直接键合的氢原子2个后余下的原子团。亚芳基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为6～60，优选为6～30，更优选为6～18。
亚芳基可以具有取代基，亚芳基例如可以举出亚苯基、萘二基、蒽二基、菲二基、二氢菲二基、并四苯二基、芴二基、芘二基、苝二基、茴二基、以及这些基团具有取代基的基团，优选为式(A-1)～式(A-20)所示的基团。亚芳基包括多个这些基团键合成的基团。
[式中，R及Ra各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基。存在的多个R及Ra各自可以相同也可以不同，Ra彼此可以相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。]
二价杂环基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为2～60，优选为3～20，更优选为4～15。
二价杂环基可以具有取代基，二价杂环基例如可以举出从吡啶、二氮杂苯、三嗪、氮杂萘、二氮杂萘、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并噻咯、吩噁嗪、吩噻嗪、吖啶、二氢吖啶、呋喃、噻吩、唑、二唑、三唑除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子之中2个氢原子后的二价基团，优选为式(AA-1)～式(AA-34)所示的基团。二价杂环基包括多个这些基团键合成的基团。
[式中，R及Ra表示与上文相同的含义。]
“交联基”是指通过供于加热处理、紫外线照射处理、自由基反应等可生成新的键的基团，优选为式(B-1)-(B-17)中任一者所示的基团。这些基团可以具有取代基。
“取代基”表示卤原子、氰基、烷基、环烷基、芳基、一价杂环基、烷氧基、环烷氧基、芳氧基、氨基、取代氨基、烯基、环烯基、炔基或环炔基。取代基可以是交联基。
“树枝化基元”是指，具有以原子或环为分支点的规则的树枝状支链结构(即树状高分子结构)的基团。作为具有树枝化基元的化合物(以下称作“树状高分子”)，例如可以举出国际公开第02/067343号、日本特开2003-231692号公报、国际公开第2003/079736号、国际公开第2006/097717号等中记载的结构。
树枝化基元优选为式(D-A)或(D-B)所示的基团。
[式中，
mDA1、mDA2及mDA3各自独立地表示0以上的整数。
GDA表示氮原子、芳香族烃基或杂环基，这些基团可以具有取代基。
ArDA1、ArDA2及ArDA3各自独立地表示亚芳基或二价杂环基，这些基团可以具有取代基。在ArDA1、ArDA2及ArDA3有多个的情况下，它们各自可以相同也可以不同。
TDA表示芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基。存在的多个TDA可以相同也可以不同。]
[式中，
mDA1、mDA2、mDA3、mDA4、mDA5、mDA6及mDA7各自独立地表示0以上的整数。
GDA表示氮原子、芳香族烃基或杂环基，这些基团可以具有取代基。存在的多个GDA可以相同也可以不同。
ArDA1、ArDA2、ArDA3、ArDA4、ArDA5、ArDA6及ArDA7各自独立地表示亚芳基或二价杂环基，这些基团可以具有取代基。在ArDA1、ArDA2、ArDA3、ArDA4、ArDA5、ArDA6及ArDA7有多个的情况下，它们各自可以相同也可以不同。
TDA表示芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基。存在的多个TDA可以相同也可以不同。]
mDA1、mDA2、mDA3、mDA4、mDA5、mDA6及mDA7通常为10以下的整数，优选为5以下的整数，更优选为0或1。mDA1、mDA2、mDA3、mDA4、mDA5、mDA6及mDA7优选为相同的整数。
GDA优选为式(GDA-11)～(GDA-15)所示的基团，这些基团可以具有取代基。
[式中，
*表示与式(D-A)中的ArDA1、式(D-B)中的ArDA1、式(D-B)中的ArDA2或式(D-B)中的ArDA3的键合。
**表示与式(D-A)中的ArDA2、式(D-B)中的ArDA2、式(D-B)中的ArDA4或式(D-B)中的ArDA6的键合。
***表示与式(D-A)中的ArDA3、式(D-B)中的ArDA3、式(D-B)中的ArDA5或式(D-B)中的ArDA7的键合。
RDA表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团还可以具有取代基。在RDA有多个的情况下，它们可以相同也可以不同。]
RDA优选为氢原子、烷基、环烷基、烷氧基或环烷氧基，更优选为氢原子、烷基或环烷基，这些基团可以具有取代基。
ArDA1、ArDA2、ArDA3、ArDA4、ArDA5、ArDA6及ArDA7优选为式(ArDA-1)～(ArDA-3)所示的基团。
[式中，
RDA表示与上文相同的含义。
RDB表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基。在RDB有多个的情况下，它们可以相同也可以不同。]
RDB优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，更优选为芳基或一价杂环基，进一步优选为芳基。
TDA优选为式(TDA-1)～(TDA-3)所示的基团。
[式中，RDA及RDB表示与上文相同的含义。]
式(D-A)所示的基团优选为式(D-A1)～(D-A3)所示的基团。
[式中，
Rp1、Rp2及Rp3各自独立地表示烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基或卤原子。在Rp1及Rp2有多个的情况下，它们各自可以相同也可以不同。
np1表示0～5的整数，np2表示0～3的整数，np3表示0或1。存在的多个np1可以相同也可以不同。]
式(D-B)所示的基团优选为式(D-B1)～(D-B3)所示的基团。
[式中，
Rp1、Rp2及Rp3各自独立地表示烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基或卤原子。在Rp1及Rp2有多个的情况下，它们各自可以相同也可以不同。
np1表示0～5的整数，np2表示0～3的整数，np3表示0或1。在np1及np2有多个的情况下，它们各自可以相同也可以不同。]
np1优选为0或1，更优选为1。np2优选为0或1，更优选为0。np3优选为0。
Rp1、Rp2及Rp3优选为烷基或环烷基。
<高分子化合物>
对于本发明的组合物中含有的高分子化合物进行说明。
本发明的组合物中含有的高分子化合物为包含式(Y)所示的结构单元、以及选自式(Ia)所示的结构单元、式(Ib)所示的结构单元、式(Ic)所示的结构单元及式(Id)所示的结构单元中的至少一种结构单元的高分子化合物(以下也称作“第一高分子化合物”)。
[式(Y)所示的结构单元]
ArY1所示的亚芳基更优选为式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)-(A-10)、式(A-19)或式(A-20)所示的基团，进一步优选为式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)或式(A-19)所示的基团，这些基团可以具有取代基。
ArY1所示的二价杂环基更优选为式(AA-1)-(AA-4)、式(AA-10)-(AA-15)、式(AA-18)-(AA-21)、式(AA-33)或式(AA-34)所示的基团，进一步优选为式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-12)、式(AA-14)或式(AA-33)所示的基团，这些基团可以具有取代基。
ArY1所示的至少一种亚芳基与至少一种二价杂环基直接键合成的二价基团中的亚芳基及二价杂环基的更优选的范围、进一步优选的范围各自与前述的ArY1所示的亚芳基及二价杂环基的更优选的范围、进一步优选的范围同样。
“至少一种亚芳基与至少一种二价杂环基直接键合成的二价基团”例如可以举出下述式所示的基团，这些可以具有取代基。
[式中，RXX表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基。]
RXX优选为烷基、环烷基或芳基，这些基团可以具有取代基。
ArY1所示的基团可以具有的取代基优选为烷基、环烷基或芳基，这些基团还可以具有取代基。
式(Y)所示的结构单元例如可以举出式(Y-1)-(Y-10)所示的结构单元，从使用本发明的组合物得到的发光元件的发光效率的观点出发优选为式(Y-1)-(Y-3)所示的结构单元，从使用本发明的组合物得到的发光元件的电子传输性的观点出发优选为式(Y-4)-(Y-7)所示的结构单元，从使用本发明的组合物得到的发光元件的空穴传输性的观点出发优选为式(Y-8)-(Y-10)所示的结构单元，从使用本发明的组合物得到的发光元件的亮度寿命的观点出发优选为式(Y-1)-(Y-4)所示的结构单元。
[式中，RY1表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基。存在的多个RY1可以相同也可以不同，相邻的RY1彼此可以相互键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。]
RY1优选为氢原子、烷基、环烷基或芳基，这些基团可以具有取代基。
式(Y-1)所示的结构单元优选为式(Y-1′)所示的结构单元。
[式中，RY11表示烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基。存在的多个RY11可以相同也可以不同。]
RY11优选为烷基、环烷基或芳基，更优选为烷基或环烷基，这些基团可以具有取代基。
[式中，
RY1表示与上文相同的含义。
XY1表示-C(RY2)2-、-C(RY2)＝C(RY2)-或-C(RY2)2-C(RY2)2-所示的基团。RY2表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基。存在的多个RY2可以相同也可以不同，RY2彼此可以相互键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。]
RY2优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，更优选为烷基、环烷基或芳基，这些基团可以具有取代基。
XY1中，-C(RY2)2-所示的基团中的2个RY2的组合优选为：两者为烷基或环烷基；两者为芳基；两者为一价杂环基；或者一者为烷基或环烷基且另一者为芳基或一价杂环基，更优选为一者为烷基或环烷基且另一者为芳基，这些基团可以具有取代基。存在的2个RY2可以相互键合并与各自所键合的原子一起形成环，在RY2形成环的情况下，-C(RY2)2-所示的基团优选为式(Y-A1)-(Y-A5)所示的基团，更优选为式(Y-A4)所示的基团，这些基团可以具有取代基。
XY1中，-C(RY2)＝C(RY2)-所示的基团中的2个RY2的组合优选为：两者为烷基或环烷基、或者、一者为烷基或环烷基且另一者为芳基，这些基团可以具有取代基。
XY1中，-C(RY2)2-C(RY2)2-所示的基团中的4个RY2优选为可以具有取代基的烷基或环烷基。存在的多个RY2可以相互键合并与各自所键合的原子一起形成环，在RY2形成环的情况下，-C(RY2)2-C(RY2)2-所示的基团优选为式(Y-B1)-(Y-B5)所示的基团，更优选为式(Y-B3)所示的基团，这些基团可以具有取代基。
[式中，RY2表示与上文相同的含义。]
式(Y-2)所示的结构单元优选为式(Y-2′)所示的结构单元。
[式中，RY1及XY1表示与上文相同的含义。]
[式中，RY1及XY1表示与上文相同的含义。]
式(Y-3)所示的结构单元优选为式(Y-3′)所示的结构单元。
[式中，RY11及XY1表示与上文相同的含义。]
[式中，
RY1表示与上文相同的含义。
RY3表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基。]
RY3优选为烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，更优选为芳基，这些基团可以具有取代基。
式(Y-4)所示的结构单元优选为式(Y-4′)所示的结构单元，式(Y-6)所示的结构单元优选为式(Y-6′)所示的结构单元。
[式中，RY1及RY3表示与上文相同的含义。]
[式中，
RY1表示与上文相同的含义。
RY4表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基。]
RY4优选为烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，更优选为芳基，这些基团可以具有取代基。
式(Y)所示的结构单元例如可以举出由式(Y-101)-(Y-121)所示的亚芳基构成的结构单元、由式(Y-201)-(Y-206)所示的二价杂环基构成的结构单元、由式(Y-301)-(Y-304)所示的至少一种亚芳基与至少一种二价杂环基直接键合成的二价基团构成的结构单元。
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的发光效率优异，式(Y)所示的结构单元中ArY1为亚芳基的结构单元相对于第一高分子化合物中包含的结构单元的合计量优选为0.5～90摩尔％，更优选为30～80摩尔％。
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的电荷传输性优异，式(Y)所示的结构单元中ArY1为二价杂环基、或者至少一种亚芳基与至少一种二价杂环基直接键合成的二价基团的结构单元相对于第一高分子化合物中包含的结构单元的合计量优选为0.5～50摩尔％，更优选为3～30摩尔％。
式(Y)所示的结构单元在第一高分子化合物中可以仅包含1种，也可以包含2种以上。
[式(X)所示的结构单元]
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的空穴传输性优异，第一高分子化合物优选还包含下述式(X)所示的结构单元。
[式中，
aX1及aX2各自独立地表示0以上的整数。
ArX1及ArX3各自独立地表示亚芳基或二价杂环基，这些基团可以具有取代基。
ArX2及ArX4各自独立地表示亚芳基、二价杂环基或者至少一种亚芳基与至少一种二价杂环基直接键合成的二价基团，这些基团可以具有取代基。
RX1、RX2及RX3各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基。]
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的发光效率优异，aX1优选为2以下，更优选为1。
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的发光效率优异，aX2优选为2以下，更优选为0。
RX1、RX2及RX3优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，更优选为芳基，这些基团可以具有取代基。
ArX1及ArX3所示的亚芳基更优选为式(A-1)或式(A-9)所示的基团，进一步优选为式(A-1)所示的基团，这些基团可以具有取代基。
ArX1及ArX3所示的二价杂环基更优选为式(AA-1)、式(AA-2)或式(AA-7)-(AA-26)所示的基团，这些基团可以具有取代基。
ArX1及ArX3优选为可以具有取代基的亚芳基。
ArX2及ArX4所示的亚芳基更优选为式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)-(A-11)或式(A-19)所示的基团，这些基团可以具有取代基。
ArX2及ArX4所示的二价杂环基的更优选的范围与ArX1及ArX3所示的二价杂环基的更优选的范围相同。
ArX2及ArX4所示的至少一种亚芳基与至少一种二价杂环基直接键合成的二价基团中的亚芳基及二价杂环基的更优选的范围、进一步优选的范围各自与ArX1及ArX3所示的亚芳基及二价杂环基的更优选的范围、进一步优选的范围同样。
ArX2及ArX4所示的至少一种亚芳基与至少一种二价杂环基直接键合成的二价基团可以举出与式(Y)的ArY1所示的至少一种亚芳基与至少一种二价杂环基直接键合成的二价基团同样的基团。
ArX2及ArX4优选为可以具有取代基的亚芳基。
ArX1～ArX4及RX1～RX3所示的基团可以具有的取代基优选为烷基、环烷基或芳基，这些基团还可以具有取代基。
式(X)所示的结构单元优选为式(X-1)-(X-7)所示的结构单元，更优选为式(X-1)-(X-6)所示的结构单元，进一步优选为式(X-3)-(X-6)所示的结构单元。
[式中，RX4及RX5各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、卤原子、一价杂环基或氰基，这些基团可以具有取代基。存在的多个RX4可以相同也可以不同。存在的多个RX5可以相同也可以不同，相邻的RX5彼此可以相互键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。]
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的空穴传输性优异，式(X)所示的结构单元相对于第一高分子化合物中含有的结构单元的合计量优选为0.1～50摩尔％，更优选为1～40摩尔％，进一步优选为5～30摩尔％。
式(X)所示的结构单元例如可以举出式(X1-1)-(X1-11)所示的结构单元，优选为式(X1-3)-(X1-10)所示的结构单元。
式(X)所示的结构单元在第一高分子化合物中可以仅包含1种，也可以包含2种以上。
[式(Ia)～式(Id)所示的结构单元]
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的电子传输性优异，m优选为0～2的整数，更优选为0。
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的电子传输性优异，n优选为0～2的整数，更优选为0。
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的电子传输性优异，RT1优选为烷基或环烷基，更优选为烷基。
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的电子传输性优异，Rx优选为氢原子、烷基、环烷基或芳基，更优选为氢原子或芳基。
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的发光效率优异，Ar优选为芳香族烃基。
Ar所示的芳香族烃基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为6～60，优选为6～30，更优选为6～18。
从Ar所示的芳香族烃基除去式(Ia’)所示的基团后的亚芳基部分优选为式(A-1)～式(A-20)所示的基团，更优选为式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)～式(A-10)、式(A-19)或式(A-20)所示的基团，进一步优选为式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)或式(A-19)所示的基团。
[式中，m、RT1、Rx、nA及LA表示与上文相同的含义。*表示与Ar键合的部位。]
Ar所示的杂环基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为6～60，优选为6～30，更优选为6～18。
从Ar所示的杂环基除去式(Ia’)所示的基团后的二价杂环基部分优选为式(AA-1)～式(AA-34)所示的基团。
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的电子传输性优异，nA优选为1或2，更优选为1。
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的电子传输性优异，LA优选为亚芳基或二价杂环基，更优选为亚芳基。
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的电子传输性优异，nB优选为1或2，更优选为1。
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的电子传输性优异，LB优选为亚芳基或二价杂环基，更优选为亚芳基。
第一高分子化合物是包含选自式(Ia)所示的结构单元、式(Ib)所示的结构单元、式(Ic)所示的结构单元及式(Id)所示的结构单元中的至少一种结构单元的高分子化合物，出于使用本发明的组合物得到的发光元件的电子传输性优异，优选为包含式(Ia)所示的结构单元或式(Ib)所示的结构单元的高分子化合物，更优选为包含式(Ia)所示的结构单元的高分子化合物。
第一高分子化合物为包含式(Ic)所示的结构单元的高分子化合物的情况下，式(Ic)所示的结构单元为末端的结构单元。另外，第一高分子化合物为包含式(Id)所示的结构单元的高分子化合物的情况下，式(Id)所示的结构单元为末端的结构单元。
“末端的结构单元”是指高分子化合物的末端的结构单元，该末端的结构单元优选为在高分子化合物的制造中由封端剂衍生的结构单元。
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的电子传输性优异，式(Ia)所示的结构单元优选为式(Ie)所示的结构单元。
[式中，Ar及Rx表示与上文相同的含义。]
式(Ie)所示的结构单元例如可以举出式(Ie-1)～(Ie-5)所示的结构单元，优选为式(Ie-1)或(Ie-2)所示的结构单元。
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的电子传输性优异，式(Ib)所示的结构单元优选为式(If)所示的结构单元。
式(If)所示的结构单元例如可以举出式(If-1)～(If-8)所示的结构单元，优选为式(If-1)、(If-2)、(If-4)或(If-6)所示的结构单元。
式(Ic)所示的结构单元例如可以举出式(Ic-1)～(Ic-6)所示的结构单元所示的结构单元。
式(Id)所示的结构单元优选为例如下述式(Id-1)～(Id-6)所示的结构单元所示的结构单元。
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的电子传输性优异，式(Ia)所示的结构单元、式(Ib)所示的结构单元、式(Ic)所示的结构单元及式(Id)所示的结构单元相对于第一高分子化合物中包含的结构单元的合计量优选为0.1～10摩尔％，更优选为0.1～5摩尔％，进一步优选为0.1～3摩尔％。
式(Ia)所示的结构单元、式(Ib)所示的结构单元、式(Ic)所示的结构单元及式(Id)所示的结构单元各自在第一高分子化合物中可以仅包含一种也可以包含两种以上。
第一高分子化合物的聚苯乙烯换算的重均分子量优选为1×104～5×105，聚苯乙烯换算的数均分子量优选为2×103～4×105。
第一高分子化合物例如可以举出表1的高分子化合物(P-1)～(P-7)。
[表1]
[表中，p、q、r、s、t及u表示各结构单元的摩尔比率。p+q+r+s+t+u＝100且100≥p+q+r+s+t≥70。其它的结构单元是指，除式(Y)所示的结构单元、式(X)所示的结构单元、式(Ia)～式(Id)所示的结构单元以外的结构单元。]
<磷光发光性化合物>
对本发明的组合物中含有的磷光发光性化合物进行说明。
本发明的组合物中含有的磷光发光性化合物优选为式(1)所示的磷光发光性化合物。
式(1)所示的磷光发光性化合物由作为中心金属的M、以后缀n1规定其数量的配体和以后缀n2规定其数量的配体构成。
出于本发明的发光元件的发光效率更优异，M优选为铱原子或铂原子，更优选为铱原子。
在M为钌原子、铑原子或铱原子的情况下，n1优选为2或3，更优选为3。
在M为钯原子或铂原子的情况下，n1优选为2。
E1及E2优选为碳原子。
环R1优选为吡啶环、嘧啶环、咪唑环或三唑环，这些环可以具有取代基。
环R2优选为苯环、萘环、芴环、菲环、吡啶环、二氮杂苯环或三嗪环，更优选为苯环、吡啶环或嘧啶环，这些环可以具有取代基。
环R1及环R2可以具有的取代基可以举出烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、一价杂环基、卤原子及取代氨基，优选为烷基、环烷基、芳基、一价杂环基或取代氨基，更优选为烷基、芳基、一价杂环基或取代氨基。
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的亮度寿命更优异，优选选自环R1及环R2中的至少一个环具有式(2)所示的基团，更优选环R2具有式(2)所示的基团。
-R100 (2)
[式中，R100表示芳基、一价杂环基或取代氨基，这些基团可以具有取代基。]
在环R1及环R2存在有多个的情况下，优选：存在的多个环R1的全部、存在的多个环R2的全部、或者存在的多个环R1及环R2的全部具有式(2)所示的基团，更优选：存在的多个环R2的全部具有式(2)所示的基团。
R100优选为芳基或一价杂环基，更优选为芳基。
R100所示的芳基、一价杂环基或取代氨基优选为树枝化基元。
A1-G1-A2所示的阴离子性的二齿配体例如可以举出下述式所示的配体。
[式中，*表示与M键合的部位。]
为了使用本发明的组合物得到的发光元件的发光效率优异，式(1)所示的磷光发光性化合物优选为式(1-A)所示的磷光发光性化合物或式(1-B)所示的磷光发光性化合物。
[式中，
M、n1、n2、E1及A1-G1-A2表示与上文相同的含义。
E11A、E12A、E13A、E21A、E22A、E23A及E24A各自独立地表示氮原子或碳原子。在E11A、E12A、E13A、E21A、E22A、E23A及E24A存在有多个的情况下，它们各自可以相同也可以不同。在E11A、E12A及E13A为氮原子的情况下，R11A、R12A及R13A可以存在也可以不存在。在E21A、E22A、E23A及E24A为氮原子的情况下，R21A、R22A、R23A及R24A不存在。
R11A、R12A、R13A、R21A、R22A、R23A及R24A各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、一价杂环基、卤原子或取代氨基，这些基团可以具有取代基。在R11A、R12A、R13A、R21A、R22A、R23A及R24A存在有多个的情况下，它们各自可以相同也可以不同。R11A与R12A、R12A与R13A、R11A与R21A、R21A与R22A、R22A与R23A、以及R23A与R24A各组可以键合并与各组所键合的原子一起形成环。
环R1A表示由氮原子、E1、E11A、E12A及E13A构成的咪唑环或三唑环。
环R2A表示由2个碳原子、E21A、E22A、E23A及E24A构成的苯环、吡啶环或嘧啶环。]
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的亮度寿命更优异，选自R11A、R12A、R13A、R21A、R22A、R23A及R24A中的至少一个优选为式(2)所示的基团。
环R1A为咪唑环的情况下，优选：E11A为氮原子的咪唑环、或者E12A为氮原子的咪唑环，更优选：E11A为氮原子的咪唑环。
环R1A为三唑环的情况下，优选：E11A及E12A为氮原子的三唑环、或者E11A及E13A为氮原子的三唑环，更优选：E11A及E12A为氮原子的三唑环。
E11A为氮原子且R11A存在的情况下，R11A优选为烷基、环烷基或式(2)所示的基团。
E11A为碳原子的情况下，R11A优选为氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，更优选为氢原子、烷基、环烷基或芳基，进一步优选为氢原子、烷基或环烷基。
E12A为氮原子且R12A存在的情况下，R12A优选为烷基、环烷基或式(2)所示的基团。
E12A为碳原子的情况下，R12A优选为氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，更优选为氢原子、烷基、环烷基或芳基，进一步优选为氢原子、烷基或环烷基。
E13A为氮原子且R13A存在的情况下，R13A优选为烷基、环烷基或式(2)所示的基团。
E13A为碳原子的情况下，R13A优选为氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，更优选为氢原子、烷基、环烷基或芳基，进一步优选为氢原子、烷基或环烷基。
环R1A具有式(2)所示的基团的情况下，优选R11A或R12A为式(2)所示的基团，更优选R11A为式(2)所示的基团。式(2)所示的基团优选为树枝化基元。
环R2A为吡啶环的情况下，优选为：E21A为氮原子的吡啶环、E22A为氮原子的吡啶环、或者E23A为氮原子的吡啶环，更优选为：E22A为氮原子的吡啶环。
环R2A为嘧啶环的情况下，优选为：E21A及E23A为氮原子的嘧啶环、或者E22A及E24A为氮原子的嘧啶环，更优选为：E22A及E24A为氮原子的嘧啶环。
环R2A优选为苯环。
R21A、R22A、R23A及R24A优选为氢原子、烷基、环烷基或式(2)所示的基团，更优选为氢原子或式(2)所示的基团。
环R2A具有式(2)所示的基团的情况下，优选R22A或R23A为式(2)所示的基团，更优选R22A为式(2)所示的基团。式(2)所示的基团优选为树枝化基元。
[式中，
M、n1、n2及A1-G1-A2表示与上文相同的含义。
E11B、E12B、E13B、E14B、E21B、E22B、E23B及E24B各自独立地表示氮原子或碳原子。在E11B、E12B、E13B、E14B、E21B、E22B、E23B及E24B存在有多个的情况下，它们各自可以相同也可以不同。在E11B、E12B、E13B、E14B、E21B、E22B、E23B及E24B为氮原子的情况下，R11B、R12B、R13B、R14B、R21B、R22B、R23B及R24B不存在。
R11B、R12B、R13B、R14B、R21B、R22B、R23B及R24B各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、一价杂环基、卤原子或取代氨基，这些基团可以具有取代基。在R11B、R12B、R13B、R14B、R21B、R22B、R23B及R24B存在有多个的情况下，它们各自可以相同也可以不同。R11B与R12B、R12B与R13B、R13B与R14B、R11B与R21B、R21B与R22B、R22B与R23B、以及R23B与R24B各组可以键合并与各组所键合的原子一起形成环。
环R1B表示由氮原子、碳原子、E11B、E12B、E13B及E14B构成的吡啶环或嘧啶环。
环R2B表示由2个碳原子、E21B、E22B、E23B及E24B构成的苯环、吡啶环或嘧啶环。]
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的亮度寿命更优异，优选选自R11B、R12B、R13B、R14B、R21B、R22B、R23B及R24B中的至少一个为式(2)所示的基团。
环R1B为嘧啶环的情况下，优选为：E11B为氮原子的嘧啶环、或者E13B为氮原子的嘧啶环，更优选为：E11B为氮原子的嘧啶环。
R11B、R12B、R13B及R14B优选为氢原子、烷基、环烷基或式(2)所示的基团，更优选为氢原子或式(2)所示的基团。
环R1B具有式(2)所示的基团的情况下，优选R11B、R12B或R13B为式(2)所示的基团，更优选R11B或R13B为式(2)所示的基团，进一步优选R11B为式(2)所示的基团。式(2)所示的基团优选为树枝化基元。
环R2B为吡啶环的情况下，优选为：E21B为氮原子的吡啶环、E22B为氮原子的吡啶环、或者E23B为氮原子的吡啶环，更优选为：E22B为氮原子的吡啶环。
环R2B为嘧啶环的情况下，优选为：E21B及E23B为氮原子的嘧啶环、或者E22B及E24B为氮原子的嘧啶环，更优选为：E22B及E24B为氮原子的嘧啶环。
环R2B优选为苯环。
R21B、R22B、R23B及R24B优选为氢原子、烷基、环烷基或式(2)所示的基团，更优选为氢原子或式(2)所示的基团。
环R2B具有式(2)所示的基团的情况下，优选R22B或R23B为式(2)所示的基团优选，更优选R22B为式(2)所示的基团。式(2)所示的基团优选为树枝化基元。
式(1-A)所示的磷光发光性化合物优选为式(1-A1)所示的磷光发光性化合物、式(1-A2)所示的磷光发光性化合物、式(1-A3)所示的磷光发光性化合物或式(1-A4)所示的磷光发光性化合物。
[式中，
M、n1、n2、R11A、R12A、R13A、R21A、R22A、R23A、R24A及A1-G1-A2表示与上文相同的含义。]
式(1-B)所示的磷光发光性化合物优选为式(1-B1)所示的磷光发光性化合物、式(1-B2)所示的磷光发光性化合物或式(1-B3)所示的磷光发光性化合物。
[式中，
M、n1、n2、R11B、R12B、R13B、R14B、R21B、R22B、R23B、R24B及A1-G1-A2表示与上文相同的含义。
n3及n4各自独立地表示1以上的整数，n3+n4为2或3。在M为钌原子、铑原子或铱原子的情况下，n3+n4为3，在M为钯原子或铂原子的情况下，n3+n4为2。
R15B、R16B、R17B及R18B各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、一价杂环基、卤原子或取代氨基，这些基团可以具有取代基。在R15B、R16B、R17B及R18B存在有多个的情况下，它们各自可以相同也可以不同。R13B与R15B、R15B与R16B、R16B与R17B、R17B与R18B、R18B与R21B各组可以键合并与各组所键合的原子一起形成环。]
式(1)所示的磷光发光性化合物例如可以举出下述式所示的磷光发光性化合物。
磷光发光性化合物例如可以依据日本特表2004-530254号公报、日本特开2008-179617号公报、日本特开2011-105701号公报、日本特表2007-504272号公报、日本特开2013-147449号公报、日本特开2013-147450号公报中记载的方法进行合成。
<包含磷光发光性结构单元的高分子化合物>
本发明的组合物中含有的磷光发光性化合物也可以为包含具有磷光发光性化合物的结构的结构单元(即，具有除去与构成磷光发光性化合物的碳原子或杂原子直接键合的1个以上氢原子而成的基团的结构单元。以下也称作“磷光发光性结构单元”)的高分子化合物(以下也称作“第二高分子化合物”)。
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的发光效率优异，磷光发光性结构单元优选为具有式(1)所示的磷光发光性化合物的结构的结构单元。具有式(1)所示的磷光发光性化合物的结构的结构单元优选为：具有从式(1)所示的磷光发光性化合物除去与构成该化合物的碳原子或杂原子直接键合的1个以上且3个以下的氢原子而成的基团的结构单元，更优选为式(1B)、(2B)、(3B)或(4B)所示的结构单元，进一步优选为式(2B)或(3B)所示的结构单元，特别优选为式(2B)所示的结构单元。
[式(1B)所示的磷光发光性结构单元]
[式中，
M1B表示从式(1)所示的磷光发光性化合物除去与构成该化合物的碳原子或杂原子直接键合的1个氢原子而成的基团。
LC表示氧原子、硫原子、-N(RA)-、-C(RB)2-、-C(RB)＝C(RB)-、-C≡C-、亚芳基或二价杂环基，这些基团可以具有取代基。RA表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基。RB表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团可以具有取代基。存在的多个RB可以相同也可以不同，可以相互键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。在LC存在有多个的情况下，它们可以相同也可以不同。
nc1表示0以上的整数。]
RA优选为芳基或一价杂环基，更优选为芳基，这些基团可以具有取代基。
RB优选为氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，更优选为氢原子、烷基、环烷基或芳基，进一步优选为氢原子或烷基，特别优选为氢原子，这些基团可以具有取代基。
LC优选为-C(RB)2-、亚芳基或二价杂环基，更优选为-C(RB)2-或亚芳基，进一步优选为亚芳基，特别优选为式(A-1)或(A-2)所示的基团，这些基团可以具有取代基。
RA、RB及LC可以具有的取代基的定义及例子与前述的环R1及环R2可以具有的取代基的定义及例子同样。
nc1通常为0～10的整数，优选为0～5的整数，更优选为0～2的整数，进一步优选为0或1，特别优选为0。
第二高分子化合物为包含式(1B)所示的结构单元的高分子化合物的情况下，式(1B)所示的结构单元为末端的结构单元。
“末端的结构单元”是指高分子化合物的末端的结构单元，该末端的结构单元优选为在高分子化合物的制造中由封端剂衍生的结构单元。
M1B更优选为式(BM-1)所示的基团。
[式中，
M、E1、E2、环R1、环R2及A1-G1-A2表示与上文相同的含义。
环R11表示五元环或六元环的芳香族杂环，这些环可以具有取代基。在该取代基存在有多个的情况下，它们可以相同也可以不同，可以相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。需要说明的是，在环R11为六元环的芳香族杂环的情况下，E1为碳原子。
环R12表示五元环或六元环的芳香族烃环、或者五元环或六元环的芳香族杂环，这些环可以具有取代基。在该取代基存在有多个的情况下，它们可以相同也可以不同，可以相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。需要说明的是，在环R12为六元环的芳香族杂环的情况下，E2为碳原子。
需要说明的是，环R11及环R12中的一者具有一个键合键。
n11及n12各自独立地表示0以上的整数。需要说明的是，n11+n12为1或2。在M为钌原子、铑原子或铱原子的情况下，n11+n12为2，在M为钯原子或铂原子的情况下，n11+n12为1。]
在M为钌原子、铑原子或铱原子的情况下，n11更优选为2。
在M为钯原子或铂原子的情况下，n11优选为1。
环R11不具有键合键的情况下，环R11的定义及例子与前述的环R1的定义及例子同样。
环R11具有键合键的情况下，除环R11的键合键以外的环部分的定义及例子与前述的环R1的定义及例子同样。
环R12不具有键合键的情况下，环R12的定义及例子与前述的环R2的定义及例子同样。
环R12具有键合键的情况下，除环R12的键合键以外的环部分的定义及例子与前述的环R2的定义及例子同样。
环R11及环R12可以具有的取代基的定义及例子与前述的环R1及环R2可以具有的取代基的定义及例子同样。
[式(2B)所示的结构单元]
[式中，
M1B表示与上文相同的含义。
Ld及Le各自独立地表示氧原子、硫原子、-N(RA)-、-C(RB)2-、-C(RB)＝C(RB)-、-C≡C-、亚芳基或二价杂环基，这些基团可以具有取代基。RA及RB表示与上文相同的含义。在Ld及Le存在有多个的情况下，它们各自可以相同也可以不同。
nd1及ne1各自独立地表示0以上的整数。存在的多个nd1可以相同也可以不同。
Ar1M表示芳香族烃基或杂环基，这些基团可以具有取代基。]
Ld优选为-C(RB)2-、亚芳基或二价杂环基，更优选为亚芳基或二价杂环基，进一步优选为亚芳基，特别优选为式(A-1)或(A-2)所示的基团，这些基团可以具有取代基。
Le优选为-C(RB)2-、亚芳基或二价杂环基，更优选为-C(RB)2-或亚芳基，进一步优选为亚芳基，特别优选为式(A-1)或(A-2)所示的基团，这些基团可以具有取代基。
nd1及ne1通常为0～10的整数，优选为0～5的整数，更优选为0～2的整数，进一步优选为0或1，特别优选为0。
Ar1M优选为从苯环、萘环、芴环、菲环、二氢菲环、吡啶环、二氮杂苯环、三嗪环、咔唑环、吩噁嗪环或吩噻嗪环除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子3个后的基团，更优选为从苯环、萘环、芴环、菲环或二氢菲环除去与构成环的碳原子直接键合的氢原子3个后的基团，进一步优选为从苯环或芴环除去与构成环的碳原子直接键合的氢原子3个后的基团，特别优选为从苯环除去与构成环的碳原子直接键合的氢原子3个后的基团，这些基团可以具有取代基。
Ld、Le及Ar1M可以具有的取代基的定义及例子与前述的环R1及环R2可以具有的取代基的定义及例子同样。
[式(3B)所示的结构单元]
[式中，
Ld及nd1表示与上文相同的含义。
M2B表示从式(1)所示的磷光发光性化合物除去与构成该化合物的碳原子或杂原子直接键合的2个氢原子而成的基团。]
M2B更优选为式(BM-2)或(BM-3)所示的基团，进一步优选为式(BM-2)所示的基团。
[式中，
M、E1、E2、环R1、环R2、环R11、环R12及A1-G1-A2表示与上文相同的含义。存在的多个环R11可以相同也可以不同。存在的多个环R12可以相同也可以不同。
n13及n14各自独立地表示0以上的整数。需要说明的是，n13+n14为0或1。在M为钌原子、铑原子或铱原子的情况下，n13+n14为1，在M为钯原子或铂原子的情况下，n13+n14为0。]
在M为钌原子、铑原子或铱原子的情况下，n13优选为1。
[式中，
M、E1、E2、环R1、环R2、A1-G1-A2、n11及n12表示与上文相同的含义。
环R13表示五元环或六元环的芳香族杂环，这些环可以具有取代基。在该取代基存在有多个的情况下，它们可以相同也可以不同，可以相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。需要说明的是，在环R13为六元环的芳香族杂环的情况下，E1为碳原子。
环R14表示五元环或六元环的芳香族烃环、或者五元环或六元环的芳香族杂环，这些环可以具有取代基。在该取代基存在有多个的情况下，它们可以相同也可以不同，可以相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。需要说明的是，在环R14为六元环的芳香族杂环的情况下，E2为碳原子。
需要说明的是，环R13及环R14中的一者具有2个键合键，或者环R13及环R14各自各具有1个键合键。]
环R13不具有键合键的情况下，环R13的定义及例子与前述的环R1的定义及例子同样。
环R13具有键合键的情况下，除环R13的键合键以外的环部分的定义及例子与前述的环R1的定义及例子同样。
环R14不具有键合键的情况下，环R14的定义及例子与前述的环R2的定义及例子同样。
环R14具有键合键的情况下，除环R14的键合键以外的环部分的定义及例子与前述的环R2的定义及例子同样。
环R13及环R14可以具有的取代基的定义及例子与前述的环R1及环R2可以具有的取代基的定义及例子同样。
优选环R13及环R14各自各具有1个键合键。
[式(4B)所示的结构单元]
[式中，
Ld及nd1表示与上文相同的含义。
M3B表示从式(1)所示的磷光发光性化合物除去与构成该化合物的碳原子或杂原子直接键合的3个氢原子而成的基团。]
M3B优选为式(BM-4)所示的基团。
[式中，
M、E1、E2、环R11、环R12、环R13、环R14及A1-G1-A2表示与上文相同的含义。
n15表示0或1。n16表示1或3。需要说明的是，在M为钌原子、铑原子或铱原子的情况下，n15为0且n16为3。在M为钯原子或铂原子的情况下，n15为1且n16为1。]
磷光发光性结构单元例如可以举出式(B-1)～(B-25)所示的结构单元。
[式中，
D表示式(2)所示的基团。在D存在有多个的情况下，它们可以相同也可以不同。
Rp表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基或环烷氧基，这些基团可以具有取代基。]
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的发光效率优异，磷光发光性结构单元相对于第二高分子化合物中含有的结构单元的合计量优选为0.5～50摩尔％，更优选为1～30摩尔％，进一步优选为3～15摩尔％。
磷光发光性结构单元在第二高分子化合物中可以仅包含一种，也可以包含两种以上。
第二高分子化合物优选还包含式(Y)所示的结构单元。式(Y)所示的结构单元的定义及例子与前述的第一高分子化合物中包含的式(Y)所示的结构单元的定义及例子同样。
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的发光效率优异，属于式(Y)所示的结构单元且ArY1为亚芳基的结构单元相对于第二高分子化合物中包含的结构单元的合计量优选为0.5～90摩尔％，更优选为30～80摩尔％。
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的电荷传输性优异，属于式(Y)所示的结构单元且ArY1为二价杂环基、或者至少一种亚芳基与至少一种二价杂环基直接键合成的二价基团的结构单元相对于第二高分子化合物中包含的结构单元的合计量优选为0.5～50摩尔％，更优选为3～30摩尔％。
式(Y)所示的结构单元在第二高分子化合物中可以仅包含一种，也可以包含两种以上。
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的空穴传输性优异，第二高分子化合物优选还包含式(X)所示的结构单元。式(X)所示的结构单元的定义及例子与前述的第一高分子化合物中可以包含的式(X)所示的结构单元的定义及例子同样。
出于使用本发明的组合物得到的发光元件的空穴传输性优异，式(X)所示的结构单元相对于第二高分子化合物中含有的结构单元的合计量优选为0.1～50摩尔％，更优选为1～40摩尔％，进一步优选为5～30摩尔％。
式(X)所示的结构单元在第二高分子化合物中可以仅包含一种，也可以包含两种以上。
第二高分子化合物的聚苯乙烯换算的重均分子量优选为1×104～5×105，聚苯乙烯换算的数均分子量优选为2×103～4×105。
第二高分子化合物例如可以举出表2的高分子化合物(P-8)～(P-14)。此处，“其它”的结构单元是指，除式(Y)所示的结构单元、式(X)所示的结构单元以外的结构单元。
[表2]
[表中，p′、q′、r′、s′、t′及u′表示各结构单元的摩尔比率。p′+q′+r′+s′+t′+u′＝100且100≥p′+q′+r′+s′+t′≥70。其它的结构单元是指，除式(Y)所示的结构单元、式(X)所示的结构单元、磷光发光性结构单元以外的结构单元。]
<组合物>
对于本发明的组合物进行说明。
本发明的组合物为包含第一高分子化合物和磷光发光性化合物的组合物(以下也称作“组合物A”)。
组合物A中，第一高分子化合物可以含有单独一种，也可以含有两种以上。另外，组合物A中，磷光发光性化合物可以含有单独一种，也可以含有两种以上。
组合物A中，磷光发光性化合物的含量在将第一高分子化合物与磷光发光性化合物的合计设定为100重量份时通常为1～80重量份，出于使用组合物A得到的发光元件的亮度寿命优异，优选为3～60重量份，更优选为5～50重量份，进一步优选为7～40重量份。
组合物A还可以含有包含选自式(Y)所示的结构单元及式(X)所示的结构单元中的至少一种结构单元的高分子化合物(以下也称作“第四高分子化合物”。)。第四高分子化合物中可以包含的式(Y)所示的结构单元的定义及例子与前述的第一高分子化合物中包含的式(Y)所示的结构单元的定义及例子同样。第四高分子化合物中可以包含的(X)所示的结构单元的定义及例子与前述的第一高分子化合物中可以包含的式(X)所示的结构单元的定义及例子同样。第四高分子化合物的分子量的优选的范围与前述的第一高分子化合物相同。组合物A中，第四高分子化合物可以含有单独一种，也可以含有两种以上。
组合物A含有第四高分子化合物的情况下，其量相对于第一高分子化合物100重量份通常为1～80重量份。
本发明的组合物可以为含有第一高分子化合物和第二高分子化合物的组合物(以下也称作“组合物B”)。
组合物B中，第一高分子化合物可以含有单独一种，也可以含有两种以上。另外，组合物B中，第二高分子化合物可以含有单独一种，也可以含有两种以上。
组合物B中，第二高分子化合物的含量在将第一高分子化合物和第二高分子化合物的合计设定为100重量份时通常为1～80重量份，出于使用组合物B得到的发光元件的亮度寿命优异，优选为3～60重量份，更优选为5～50重量份。
<其它形态的高分子化合物>
包含式(Y)所示的结构单元、选自式(Ia)所示的结构单元、式(Ib)所示的结构单元、式(Ic)所示的结构单元及式(Id)所示的结构单元中的至少一种结构单元和磷光发光性结构单元的高分子化合物(以下也称作“第三高分子化合物”)发挥与本发明的组合物同样的效果。
第三高分子化合物中包含的式(Y)所示的结构单元的定义及例子与前述的第一高分子化合物中包含的式(Y)所示的结构单元的定义及例子同样。
出于使用第三高分子化合物得到的发光元件的发光效率优异，属于式(Y)所示的结构单元且ArY1为亚芳基的结构单元相对于第三高分子化合物中包含的结构单元的合计量优选为0.5～90摩尔％，更优选为30～80摩尔％。
出于使用第三高分子化合物得到的发光元件的电荷传输性优异，属于式(Y)所示的结构单元且ArY1为二价杂环基、或者至少一种亚芳基与至少一种二价杂环基直接键合成的二价基团的结构单元相对于第三高分子化合物中包含的结构单元的合计量优选为0.5～50摩尔％，更优选为3～30摩尔％。
式(Y)所示的结构单元在第三高分子化合物中可以仅包含一种，也可以包含两种以上。
第三高分子化合物中包含的选自式(Ia)所示的结构单元、式(Ib)所示的结构单元、式(Ic)所示的结构单元及式(Id)所示的结构单元中的至少一种结构单元的定义及例子与前述的第一高分子化合物中包含的选自式(Ia)所示的结构单元、式(Ib)所示的结构单元、式(Ic)所示的结构单元及式(Id)所示的结构单元中的至少一种结构单元的定义及例子同样。
出于使用第三高分子化合物得到的发光元件的电子传输性优异，式(Ia)所示的结构单元、式(Ib)所示的结构单元、式(Ic)所示的结构单元及式(Id)所示的结构单元各自相对于第三高分子化合物中包含的结构单元的合计量优选为0.1～10摩尔％，更优选为0.1～5摩尔％，进一步优选为0.1～3摩尔％。
式(Ia)所示的结构单元、式(Ib)所示的结构单元、式(Ic)所示的结构单元及式(Id)所示的结构单元各自在第三高分子化合物中可以仅包含一种，也可以包含两种以上。
出于使用第三高分子化合物得到的发光元件的空穴传输性优异，第三高分子化合物优选还包含式(X)所示的结构单元。式(X)所示的结构单元的定义及例子与前述的第一高分子化合物中可以包含的式(X)所示的结构单元的定义及例子同样。
出于使用第三高分子化合物得到的发光元件的空穴传输性优异，式(X)所示的结构单元相对于第三高分子化合物中含有的结构单元的合计量优选为0.1～50摩尔％，更优选为1～40摩尔％，进一步优选为5～30摩尔％。
式(X)所示的结构单元在第三高分子化合物中可以仅包含一种，也可以包含两种以上。
第三高分子化合物中包含的磷光发光性结构单元的定义及例子与前述的第二高分子化合物中包含的磷光发光性结构单元的定义及例子同样。
出于使用第三高分子化合物得到的发光元件的发光效率优异，磷光发光性结构单元相对于第三高分子化合物中含有的结构单元的合计量优选为0.5～50摩尔％，更优选为1～30摩尔％，进一步优选为3～15摩尔％。
磷光发光性结构单元在第三高分子化合物中可以仅包含一种，也可以包含两种以上。
第三高分子化合物的聚苯乙烯换算的重均分子量优选为1×104～5×105，聚苯乙烯换算的数均分子量优选为2×103～4×105。
第三高分子化合物例如可以举出表3的高分子化合物(P-15)～(P-21)。
[表3]
[表中，p″、q″、r″、s″、t″、u″及v″表示各结构单元的摩尔比率。p″+q″+r″+s″+t″+u″+v″＝100且100≥p″+q″+r″+s″+t″+u″≥70。其它的结构单元是指，除式(Y)所示的结构单元、式(X)所示的结构单元、磷光发光性结构单元、式(Ia)～式(Id)所示的结构单元以外的结构单元。]
<高分子化合物的制造方法>
第一～第三高分子化合物可以为嵌段共聚物、无规共聚物、交替共聚物、接枝共聚物中任一种，可以为其它的方案，优选为将两种以上的原料单体共聚而成的共聚物。
第一高分子化合物例如可以通过使式(M-Y1)所示的化合物、
选自式(M-Y2)所示的化合物及式(M-X)所示的化合物中的至少一种化合物、和
选自式(M-Ia)所示的化合物、式(M-Ib)所示的化合物、式(M-Ic)所示的化合物及式(M-Id)所示的化合物中的至少一种化合物进行缩聚由此进行制造。
需要说明的是，使用式(M-Ic)所示的化合物及式(M-Id)所示的化合物的情况下，这些化合物被用作封端剂。
第二高分子化合物例如可以通过使式(M-Y1)所示的化合物、
选自式(M-Y2)所示的化合物及式(M-X)所示的化合物中的至少一种化合物、和
选自式(M-1B)所示的化合物、式(M-2B)所示的化合物、式(M-3B)所示的化合物及式(M-4B)所示的化合物中的至少一种化合物进行缩聚由此进行制造。
需要说明的是，使用式(M-1B)所示的化合物的情况下，这些化合物被用作封端剂。
第三高分子化合物例如可以通过使式(M-Y1)所示的化合物、
选自式(M-Y2)所示的化合物及式(M-X)所示的化合物中的至少一种化合物、
选自式(M-Ia)所示的化合物、式(M-Ib)所示的化合物、式(M-Ic)所示的化合物及式(M-Id)所示的化合物中的至少一种化合物、和
选自式(M-1B)所示的化合物、式(M-2B)所示的化合物、式(M-3B)所示的化合物及式(M-4B)所示的化合物中的至少一种化合物进行缩聚，由此进行制造。
需要说明的是，使用式(M-Ic)所示的化合物所示的化合物、式(M-Id)所示的化合物及式(M-1B)所示的化合物的情况下，这些化合物被用作封端剂。
本说明书中，有时将第一～第三高分子化合物的制造中使用的化合物统称为“原料单体”。
[式中，
ArY1、ArX1～ArX4、RX1、RX2、RX3、aX1、aX2、m、n、RT1、Rx、Ar、nA、LA、nB、LB、Lc～Le、M1B～M3B、nc1、nd1及ne1表示与上文相同的含义。
ZC1～ZC20各自独立地表示选自由取代基A组及取代基B组组成的组中的基团。]
例如，ZC1及ZC2为选自取代基A组的基团的情况下，ZC3～ZC20选择选自取代基B组的基团。
例如，ZC1及ZC2为选自取代基B组的基团的情况下，ZC3～ZC20选择选自取代基A组的基团。
<取代基A组>
氯原子、溴原子、碘原子、-O-S(＝O)2RC1所示的基团。
(式中，RC1表示烷基、环烷基或芳基，这些基团可以具有取代基。)
<取代基B组>
-B(ORC2)2(式中，RC2，表示氢原子、烷基、环烷基或芳基，这些基团可以具有取代基。存在的多个RC2可以相同也可以不同，可以相互连接而与各自所键合的氧原子一起形成环结构。)所示的基团；
-BF3Q′(式中，Q′表示Li、Na、K、Rb或Cs。)所示的基团；
-MgY′(式中，Y′表示氯原子、溴原子或碘原子。)所示的基团；
-ZnY″(式中，Y″表示氯原子、溴原子或碘原子。)所示的基团；以及
-Sn(RC3)3(式中，RC3表示氢原子、烷基、环烷基或芳基，这些基团可以具有取代基。存在的多个RC3可以相同也可以不同，可以相互连接而与各自所键合的锡原子一起形成环结构。)所示的基团。
-B(ORC2)2所示的基团例如可以举出下述式所示的基团。
具有选自取代基A组的基团的化合物与具有选自取代基B组的基团的化合物通过公知的偶联反应进行缩聚，从而与选自取代基A组的基团及选自取代基B组的基团键合的碳原子彼此键合。因此，如果将具有1个以上选自取代基A组的基团的化合物和具有1个以上选自取代基B组的基团的化合物供于公知的偶联反应，则可以通过缩聚得到这些化合物的缩聚物。
缩聚通常在催化剂、碱及溶剂的存在下进行，根据需要可以在相转移催化剂的共存下进行。
催化剂例如可以举出二氯双(三苯基膦)钯、二氯双(三邻甲氧基苯基膦)钯、[四(三苯基膦)]钯、[三(二亚苄基丙酮)]二钯、乙酸钯等钯络合物；[四(三苯基膦)]镍、二氯[1，3-双(二苯膦基)丙烷]镍、[双(1，4-环辛二烯)]镍等镍络合物等过渡金属络合物；这些过渡金属络合物进一步具有三苯基膦、三邻甲苯基膦、三(叔丁基膦)、三环己基膦、二苯基丙基磷、联吡啶等配体的络合物。催化剂可以使用单独一种，也可以并用两种以上。
催化剂的使用量以相对于原料单体的总摩尔量的过渡金属的量计通常为0.00001～3摩尔当量。
碱例如可以举出碳酸钠、碳酸钾、碳酸铯、氟化钾、氟化铯、磷酸三钾等无机碱；四丁基氟化铵、四丁基氢氧化铵等有机碱。碱可以使用单独一种，也可以并用两种以上。
相转移催化剂例如可以举出四丁基氯化铵、四丁基溴化铵等。相转移催化剂可以使用单独一种，也可以并用两种以上。
碱的使用量相对于原料单体的总摩尔量通常为0.001～100摩尔当量。
相转移催化剂的使用量相对于原料单体的总摩尔量通常为0.001～100摩尔当量。
溶剂例如可以举出甲苯、二甲苯、三甲苯、四氢呋喃、1，4-二氧六环、二甲氧基乙烷、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺等有机溶剂、水。溶剂可以使用单独一种，也可以并用两种以上。
溶剂的使用量通常相对于原料单体的合计100重量份为10～100000重量份。
缩聚的反应温度通常为-100～200℃。缩聚的反应时间通常为1小时以上。
聚合反应的后处理可以单独或组合使用公知的方法进行，例如通过分液除去水溶性杂质的方法；在甲醇等低级醇中加入聚合反应后的反应液，过滤析出的沉淀后进行干燥的方法等。高分子主体的纯度低的情况下，例如可以通过重结晶、再沉淀、利用索氏提取器的连续萃取、柱色谱等通常的方法进行纯化。
<其它成分>
本发明的组合物可以还含有选自空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料(与磷光发光性化合物不同)、抗氧化剂及溶剂中的至少一种材料。
另外，本发明的组合物可以为含有第三高分子化合物和选自空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料(与磷光发光性化合物不同)、抗氧化剂及溶剂中的至少一种材料的组合物。
含有溶剂的本发明的组合物(以下也称作“墨液”)适合于使用喷墨打印法、喷嘴打印法等印刷法的发光元件的制作。
墨液的粘度根据印刷法的种类进行调整即可，在应用于喷墨打印法等溶液经由喷出装置的印刷法的情况下，出于难以发生喷出时的堵塞和飞行弯曲，优选在25℃为1～20mPa·s。
墨液中包含的溶剂优选为可将墨液中的固体成分溶解或均匀分散的溶剂。溶剂例如可以举出1，2-二氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等氯系溶剂；THF、二氧六环、苯甲醚、4-甲基苯甲醚等醚系溶剂；甲苯、二甲苯、三甲苯、乙苯、正己基苯、环己基苯等芳香族烃系溶剂；环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷、正十二烷、联环己烷等脂肪族烃系溶剂；丙酮、甲乙酮、环己酮、苯乙酮等酮系溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯、苯甲酸甲酯、乙酸苯酯等酯系溶剂；乙二醇、甘油、1，2-己二醇等多元醇系溶剂；异丙醇、环己醇等醇系溶剂；二甲亚砜等亚砜系溶剂；N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺等酰胺系溶剂。溶剂可以使用单独一种，也可以并用两种以上。
墨液中，溶剂的配合量在将第一高分子化合物与磷光发光性化合物或第二高分子化合物的合计设为100重量份时(或在将第三高分子化合物设为100重量份时)，通常为1000～100000重量份，优选为2000～20000重量份。
<空穴传输材料>
空穴传输材料分类为低分子化合物和高分子化合物，优选为高分子化合物，更优选为具有交联基的高分子化合物。
高分子化合物例如可以举出聚乙烯咔唑及其衍生物；在侧链或主链具有芳香族胺结构的聚亚芳基及其衍生物。高分子化合物可以是键合有电子接受性部位的化合物。电子接受性部位例如可以举出富勒烯、四氟四氰基醌二甲烷、四氰基乙烯、三硝基芴酮等，优选为富勒烯。
本发明的组合物中，空穴传输材料的配合量在将第一高分子化合物与磷光发光性化合物或第二高分子化合物的合计设为100重量份时(或在将第三高分子化合物设为100重量份时)通常为1～400重量份，优选为5～150重量份。
空穴传输材料可以使用单独一种，也可以并用两种以上。
<电子传输材料>
电子传输材料分类为低分子化合物和高分子化合物。电子传输材料可以具有交联基。
低分子化合物例如可以举出以8-羟基喹啉为配体的金属络合物、噁二唑、蒽醌二甲烷、苯醌、萘醌、蒽醌、四氰基蒽醌二甲烷、芴酮、二氰基二苯乙烯及联苯醌、以及它们的衍生物。
高分子化合物例如可以举出聚苯、聚芴、以及它们的衍生物。高分子化合物可以经金属掺杂。
本发明的组合物中，电子传输材料的配合量在将第一高分子化合物与磷光发光性化合物或第二高分子化合物的合计设为100重量份时(或在将第三高分子化合物设为100重量份时)通常为1～400重量份，优选为5～150重量份。
电子传输材料可以使用单独一种，也可以并用两种以上。
<空穴注入材料及电子注入材料>
空穴注入材料及电子注入材料各自分类为低分子化合物和高分子化合物。空穴注入材料及电子注入材料可以具有交联基。
低分子化合物例如可以举出铜酞菁等金属酞菁；碳；钼、钨等的金属氧化物；氟化锂、氟化钠、氟化铯、氟化钾等金属氟化物。
高分子化合物例如可以举出聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚苯乙烯撑、聚亚噻吩基亚乙烯基、聚喹啉及聚喹喔啉、以及它们的衍生物；在主链或侧链包含芳香族胺结构的聚合物等导电性高分子。
本发明的组合物中，空穴注入材料及电子注入材料的配合量各自在将第一高分子化合物与磷光发光性化合物或第二高分子化合物的合计设为100重量份时(或在将第三高分子化合物设为100重量份时)通常为1～400重量份，优选为5～150重量份。
空穴注入材料及电子注入材料各自可以使用单独一种也可以并用两种以上。
<离子掺杂>
在空穴注入材料或电子注入材料包含导电性高分子的情况下，导电性高分子的电导率优选为1×10-5S/cm～1×103S/cm。为了将导电性高分子的电导率设为该范围，可以在导电性高分子中掺杂适量的离子。
掺杂的离子的种类在空穴注入材料的情况下为阴离子，在电子注入材料的情况下为阳离子。阴离子例如可以举出聚苯乙烯磺酸离子、烷基苯磺酸离子、樟脑磺酸离子。阳离子例如可以举出锂离子、钠离子、钾离子、四丁基铵离子。
掺杂的离子可以使用单独一种，也可以并用两种以上。
<发光材料>
发光材料(与磷光发光性化合物不同)分类为低分子化合物和高分子化合物。发光材料可以具有交联基。
低分子化合物例如可以举出萘及其衍生物、蒽及其衍生物、以及苝及其衍生物。
高分子化合物例如可以举出包含亚苯基、萘二基、芴二基、菲二基、二氢菲二基、式(X)所示的基团、咔唑二基、吩噁嗪二基、吩噻嗪二基、蒽二基、芘二基等的高分子化合物。
本发明的组合物中，发光材料的含量在将第一高分子化合物与磷光发光性化合物或第二高分子化合物的合计设为100重量份时(或在将第三高分子化合物设为100重量份时)通常为0.1～400重量份。
<抗氧化剂>
抗氧化剂只要是可溶于与第一高分子化合物及磷光发光性化合物或第二高分子化合物相同的溶剂(或可溶于与第三高分子化合物相同的溶剂)且不妨碍发光及电荷传输的化合物即可，例如可以举出酚系抗氧化剂、磷系抗氧化剂。
本发明的组合物中，抗氧化剂的配合量在将第一高分子化合物与磷光发光性化合物或第二高分子化合物的合计设为100重量份时(或在将第三高分子化合物设为100重量份时)通常为0.001～10重量份。
抗氧化剂可以使用单独一种，也可以并用两种以上。
<膜>
膜含有第一高分子化合物和磷光发光性化合物或第二高分子化合物。膜也可以为含有第三高分子化合物的膜。
膜也包括通过交联使得第一高分子化合物、或者磷光发光性化合物或第二高分子化合物(或者第三高分子化合物)变得在溶剂中不溶化的不溶化膜。不溶化膜是通过加热、光照射等外部刺激使第一高分子化合物、或者磷光发光性化合物或第二高分子化合物(或者第三高分子化合物)交联而得到的膜。不溶化膜由于实质上不溶于溶剂，因而可以适合地用于发光元件的层叠化。
用于使膜交联的加热的温度通常为25～300℃，出于发光效率优异，优选为50～250℃，更优选为150～200℃。
用于使膜交联的光照射所使用的光的种类例如为紫外区光、近紫外区光、可见光。
膜适合作为发光元件中的发光层、空穴传输层或空穴注入层。
膜可以使用墨液通过例如旋涂法、流延法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸渍涂布法、喷涂涂布法、丝网印刷法、柔性版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法、毛细管涂布法、喷嘴涂布法进行制作。
膜的厚度通常为1nm～10μm。
<发光元件>
本发明的发光元件是使用本发明的组合物(或者第三高分子化合物)得到的发光元件，第一高分子化合物、或者磷光发光性化合物或第二高分子化合物(或者第三高分子化合物)在分子内或分子间可以发生了交联，第一高分子化合物、或者磷光发光性化合物或第二高分子化合物(或者第三高分子化合物)在分子内及分子间可以发生了交联。
本发明的发光元件的构成例如具有由阳极及阴极构成的电极、和在该电极间设置的使用本发明的组合物得到的层。
<层构成>
使用本发明的组合物(或者第三高分子化合物)得到的层通常为发光层、空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层中的1种以上的层，优选为发光层。这些层分别包含发光材料、空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料。这些层可以如下形成：分别使发光材料、空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料溶于上述的溶剂，制备墨液后使用，使用与上述的膜的制作相同的方法进行形成。
发光元件在阳极与阴极之间具有发光层。从空穴注入性及空穴传输性的观点出发，本发明的发光元件优选在阳极与发光层之间具有空穴注入层及空穴传输层中的至少1层，从电子注入性及电子传输性的观点出发，优选在阴极与发光层之间具有电子注入层及电子传输层中的至少1层。
空穴传输层、电子传输层、发光层、空穴注入层及电子注入层的材料除了本发明的组合物以外，分别可以举出上述的空穴传输材料、电子传输材料、发光材料、空穴注入材料及电子注入材料等。
空穴传输层的材料、电子传输层的材料及发光层的材料在发光元件的制作中，在分别可溶于在与空穴传输层、电子传输层及发光层相邻的层的形成时所使用的溶剂的情况下，为了避免该材料溶于该溶剂，优选该材料具有交联基。使用具有交联基的材料形成各层后，通过使该交联基交联，可以使该层不溶化。
本发明的发光元件中，作为发光层、空穴传输层、电子传输层、空穴注入层、电子注入层等各层的形成方法，在使用低分子化合物的情况下，例如可以举出利用粉末的真空蒸镀法、基于利用溶液或熔融状态的成膜的方法，使用高分子化合物的情况下，例如可以举出基于利用溶液或熔融状态的成膜的方法。
层叠的层的顺序、数量及厚度考虑发光效率及亮度寿命进行调整。
<基板/电极>
发光元件中的基板只要是可以形成电极且在形成有机层时不发生化学性变化的基板即可，例如由玻璃、塑料、硅等材料构成的基板。不透明的基板的情况下，位置距基板最远的电极优选为透明或半透明。
阳极的材料例如可以举出导电性的金属氧化物、半透明的金属，优选为氧化铟、氧化锌、氧化锡；铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物等导电性化合物；银与钯与铜的复合体(APC)；NESA、金、铂、银、铜。
阴极的材料例如可以举出锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、锌、铟等金属；这些之中的2种以上的合金；这些之中1种以上与银、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡之中1种以上的合金；以及石墨及石墨层间化合物。合金例如可以举出镁-银合金、镁-铟合金、镁-铝合金、铟-银合金、锂-铝合金、锂-镁合金、锂-铟合金、钙-铝合金。
阳极及阴极各自可以为2层以上的层叠结构。
<用途>
为了使用发光元件得到面状的发光，以面状的阳极与阴极叠合的方式配置即可。为了得到图案状的发光，有在面状的发光元件的表面设置设有图案状的窗的掩模的方法、使欲作为非发光部的层形成得极端厚而实质上成为不发光的方法、以图案状形成阳极或阴极、或者这两种电极的方法。利用这些中的任一方法形成图案，以能够独立进行开关(ON/OFF)的方式配置若干电极，由此可得到可以显示数字、文字等的分段型的显示装置。为了形成点阵显示装置，将阳极和阴极以共同形成条状并正交的方式进行配置即可。通过分别涂布多种的发光色不同的高分子化合物的方法、使用滤色器或荧光转换过滤器的方法，能够进行部分彩色显示、多色显示。点阵显示装置也能够进行无源驱动，也可以与TFT等组合进行有源驱动。这些显示装置可以用于计算机、电视、便携终端等的显示器。面状的发光元件可以适合地用作液晶显示装置的背光用的面状光源、或者面状的照明用光源。如果使用柔性的基板，则也可以用作曲面状的光源及显示装置。
实施例
以下，通过实施例对本发明进行更详细说明，本发明不限于这些实施例。
本实施例中，高分子化合物的聚苯乙烯换算的数均分子量(Mn)及聚苯乙烯换算的重均分子量(Mw)通过尺寸排阻色谱法(SEC)(岛津制作所制、商品名：LC-10Avp)求出。需要说明的是，SEC的测定条件如下所述。
<测定条件>
将进行测定的高分子化合物以约0.05重量％的浓度溶于四氢呋喃，向SEC中注入10μL。使用四氢呋喃作为SEC的流动相，以2.0mL/分钟的流量进行流通。作为柱，使用PLgel MIXED-B(Polymer Laboratories公司制)。检测器使用UV-VIS检测器(岛津制作所制、商品名：SPD-10Avp)。
NMR的测定以下述的方法进行。
使5～10mg的测定试样溶于约0.5mL的重氯仿(CDCl3)、重四氢呋喃(THF-d8)或重二氯甲烷(CD2Cl2)，使用NMR装置(Agilent制、商品名：INOVA300或MERCURY 400VX)进行测定。
作为化合物的纯度的指标，使用高效液相色谱(HPLC)面积百分率的值。该值只要没有特别记载，就没为高效液相色谱(HPLC、岛津制作所制、商品名：LC-20A)中的在254nm下的值。此时，进行测定的化合物以0.01～0.2重量％的浓度溶于四氢呋喃或氯仿，在HPLC中与浓度相应地注入1～10μL。HPLC的流动相使用乙腈及四氢呋喃，以1mL/分钟的流速在乙腈/四氢呋喃＝100/0～0/100(体积比)的梯度分析下进行流通。柱使用Kaseisorb LC ODS 2000(东京化成工业制)或具有同等性能的ODS柱。检测器使用光电二极管阵列检测器(岛津制作所制、商品名：SPD-M20A)。
<合成例1>化合物G1的合成
化合物G1依据国际公开第2009/131255号中记载的方法进行合成。
<合成例2>化合物R1的合成
化合物R1依据日本特开2006-188673号公报中记载的方法进行合成。
<合成例3>化合物R2的合成
化合物R2依据日本特开2008-179617号公报中记载的方法进行合成。
以下示出高分子化合物HP-1的合成及高分子化合物EP-1～EP-4的合成中使用的单体CM1～CM11的结构。
单体CM1依据日本特开2011-174062号公报记载的合成方法进行合成。
单体CM2依据国际公开第2005/049546号记载的方法进行合成。
单体CM3使用市售的化合物。
单体CM4依据日本特开2008-106241号公报记载的合成方法进行合成。
单体CM5依据日本特开2010-189630号公报记载的合成方法进行合成。
单体CM6依据国际公开第2012/86671号记载的合成方法进行合成。
单体CM7依据日本特开2010-189630号公报记载的合成方法进行合成。
单体CM8依据下述的方法进行合成。
单体CM9依据日本特开2004-143419号公报记载的合成方法进行合成。
单体CM10依据国际公开第2009/131255号记载的方法进行合成。
单体CM11依据下述的方法进行合成。
单体CM12依据日本特开2012-131993号公报记载的合成方法进行合成。
单体CM13依据国际公开第2013/021180号记载的方法进行合成。
<合成例4>单体CM8的合成
化合物CM8’依照单体CM6的合成方法进行合成。
将反应容器内设为氮气气氛后，加入化合物CM8’(100g)及四氢呋喃(脱水品、1000mL)使用干冰/丙酮浴冷却至-70℃以下。之后，一边保持-70℃以下一边向其中用时45分钟滴加2.5mol/L浓度的正丁基锂-己烷溶液(126mL)，搅拌5小时。之后，一边保持-70℃以下一边向其中用时30分钟滴加2-异丙氧基-4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂环戊硼烷(81mL)。之后，移除干冰/丙酮浴，在室温搅拌一夜。将所得到的反应混合物冷却至-30℃，滴加2M盐酸-二乙醚溶液，由此调整至pH6～7后，进行减压浓缩由此得到固体。在所得到的固体中加入甲苯，在室温搅拌1小时后，向敷设硅胶的过滤器中进行通液由此得到滤液。对所得到的滤液进行减压浓缩由此得到固体。在所得到的固体中加入甲醇并进行搅拌后，进行过滤由此得到固体。对所得到的固体重复进行4次使用异丙醇的重结晶由此进行纯化后，在50℃减压干燥一夜，由此得到作为白色固体的单体CM8(72g)。所得到的单体CM8的HPLC面积百分率值(检测波长UV280nm)显示出99.0％。
1H-NMR(400MHz/CDCl3)：δ(ppm)＝7.82(d，2H)，7.81(s，2H)，7.76(d，2H)，7.11(d，4H)、7.00(d，4H)，2.52(t，4H)，1.59～1.54(m，4H)，1.36～1.26(m，20H)，1.31(s，24H)，0.87(t，6H).
<合成例5>单体CM11的合成
(工序1)化合物A的合成
将反应容器内设为氮气气氛后，加入芴(50g)及脱水二乙醚(500mL)，冷却至10℃以下。之后，向其中滴加正丁基锂的己烷溶液(2.5M、138mL)。将所得到的反应溶液升温至室温后，滴加至在另一反应容器内预先冷却至20℃以下的氯三甲基硅烷(46mL)及脱水二乙醚(700mL)的混合溶液中。将所得到的反应溶液升温至室温，搅拌一夜。将所得到的反应混合物冷却至室温以下，滴加水(10mL)。将所得到的反应混合物用水(250mL)进行3次洗涤后，将水层和有机层分离。在所得到的有机层中加入无水硫酸镁并进行搅拌后，进行过滤，将所得到的滤液浓缩由此得到固体。对所得到的固体重复进行3次使用正己烷的重结晶，由此得到作为橙色固体的化合物A(25.8g)。产率为36％。
1H-NMR(300MHz/CDCl3)：δ(ppm)＝7.86(d，2H)，7.50(d，2H)，7.37-7.26(m，4H)，3.87(s，1H)，-0.07(s，9H).
(工序2)单体CM11的合成
将反应容器内设为氮气气氛后，加入化合物A(25.8g)及脱水二乙醚(500mL)，冷却至10℃以下。之后，向其中滴加正丁基锂的己烷溶液(2.5M、40mL)，一边冷却至10℃以下一边进行15分钟搅拌。将所得到的反应溶液升温至25℃后，加入3，5-二溴苯甲醛(28.8g)，在25℃搅拌1.5小时。将所得到的反应混合物冷却至0℃后，滴加水(2mL)，进行搅拌。将所得到的反应混合物用水(100mL)进行3次洗涤后，将水层和有机层分离。在所得到的有机层中加入无水硫酸镁并进行搅拌后，进行过滤，将所得到的滤液浓缩由此得到固体。对所得到的固体重复进行3次使用正己烷的重结晶，由此得到固体。将所得到的固体在50℃溶于甲苯(50mL)及正己烷(500mL)的混合溶剂后，进行过滤，将所得到的滤液浓缩至200mL左右。将所得到的浓缩溶液冷却至室温以下，由此得到固体，将固体过滤，进行干燥，由此得到作为黄色固体的单体CM11(19.7g)。产率为49％。所得到的单体CM11的HPLC面积百分率值显示99.5％以上。
1H-NMR(300MHz/CDCl3)：δ(ppm)＝7.76～7.63(m，6H)，7.50～7.28(m，5H)、7.12(dt，1H).
<合成例6>高分子化合物HP-1的合成
高分子化合物HP-1是使用下述表4所示的单体依据日本特开2012-144722号公报记载的合成方法进行合成的。高分子化合物HP-1的Mn为1.0×105，Mw为2.4×105。高分子化合物HP-1是以由投入原料求出的理论值计，由各单体衍生的结构单元以下述表4所示的摩尔比构成而成的共聚物。
[表4]
<合成例7>高分子化合物EP-1的合成
高分子化合物EP-1是使用下述表5所示的单体依据日本特开2012-36388号公报记载的合成方法进行合成的。高分子化合物EP-1的Mn为5.8×104，Mw为1.2×105。高分子化合物EP-1是以由投入原料求出的理论值计，由各单体衍生的结构单元以下述表5所示的摩尔比构成而成的共聚物。
[表5]
<合成例8>高分子化合物EP-2的合成
(工序1)将反应容器内设为惰性气体气氛后，加入单体CM5(3.94g)、单体CM6(4.18g)、单体CM7(1.06g)、单体CM11(0.07g)、二氯双(三邻甲氧基苯基膦)钯(2.2mg)及甲苯(109g)，加热至100℃。
(工序2)在反应液中滴加20重量％四乙基氢氧化铵水溶液(30g)，进行8.0小时回流。
(工序3)之后，向其中加入苯硼酸(105mg)及二氯双(三邻甲氧基苯基膦)钯(7.3mg)，进行14.0小时回流。
(工序4)之后，向其中加入二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液，在40℃搅拌3小时。将反应液用水洗涤1次后，在减压下进行蒸馏由此除去水分，将析出的固体过滤。将所得到的溶液用10重量％盐酸水溶液洗涤2次，用3重量％氨水洗涤2次，用水洗涤2次后，通入填充有氧化铝与硅胶的混合物的柱中由此进行纯化。将所得到的溶液滴加至甲醇中，进行搅拌后，将所得到的沉淀物过滤，进行干燥，由此得到4.9g的高分子化合物EP-2。高分子化合物EP-2的Mn为5.9×104，Mw为1.3×105。
高分子化合物EP-2是以由投入原料求出的理论值计，由各单体衍生的结构单元以下述表6所示的摩尔比构成而成的共聚物。
[表6]
<合成例9>高分子化合物EP-3的合成
(工序1)将反应容器内设为惰性气体气氛后，加入单体CM8(4.7686g)、单体CM3(1.9744g)、单体CM6(0.7734g)、单体CM9(0.4432g)、单体CM10(0.3308g)及甲苯(67mL)，加热至105℃。
(工序2)在反应液中加入二氯双三苯基膦钯(4.2mg)，接着滴加20重量％四乙基氢氧化铵水溶液(20mL)后，进行3小时回流。
(工序3)之后，向其中加入苯硼酸(0.077g)、二氯双三苯基膦钯(4.2mg)、甲苯(60mL)及20重量％四乙基氢氧化铵水溶液(20mL)，进行24小时回流。
(工序4)之后，将有机层与水层分离。在所得到的有机层中加入N，N-二乙基二硫代氨基甲酸钠三水合物(3.33g)及离子交换水(67mL)，在85℃搅拌2小时。将有机层与水层分离后，将所得到的有机层依次用离子交换水(78mL)洗涤2次，用3重量％乙酸水溶液(78mL)洗涤2次，用离子交换水(78mL)洗涤2次。将有机层与水层分离后，将所得到的有机层滴加至甲醇中由此使固体沉淀，进行过滤、干燥，由此得到固体。将所得到的固体溶于甲苯，向事先通入过甲苯的硅胶柱及氧化铝柱中进行通液。将所得到的溶液滴加至甲醇中由此使固体沉淀，进行过滤、干燥，由此得到高分子化合物EP-3(4.95g)。高分子化合物EP-3的Mn为1.4×105，Mw为4.1×105。
高分子化合物EP-3是以由投入原料求出的理论值计，由各单体衍生的结构单元以下述表7所示的摩尔比构成而成的共聚物。
[表7]
<合成例10>高分子化合物EP-4的合成
(工序1)将反应容器内设为惰性气体气氛后，加入单体CM8(4.70g)、单体CM3(2.05g)、单体CM6(0.80g)、单体CM9(0.34g)、单体CM10(0.46g)、单体CM11(0.05g)、二氯双(三邻甲氧基苯基膦)钯(1.6mg)及甲苯(117g)，加热至100℃。
(工序2)在反应液中滴加20重量％四乙基氢氧化铵水溶液(22g)，进行6.4小时回流。
(工序3)之后，向其中加入苯硼酸(80mg)及二氯双(三邻甲氧基苯基膦)钯(5.5mg)，进行15.0小时回流。
(工序4)之后，向其中加入二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液，在40℃搅拌3小时。将反应液用水进行1次洗涤后，在减压下进行蒸馏由此除去水分，将析出的固体过滤。将所得到的溶液用10重量％盐酸水溶液洗涤2次，用3重量％氨水洗涤2次，用水洗涤2次后，通入填充有氧化铝与硅胶的混合物的柱中由此进行纯化。将所得到的溶液滴加至甲醇中，进行搅拌后，将所得到的沉淀物过滤，进行干燥由此得到5.1g的高分子化合物EP-4。高分子化合物EP-4的Mn为4.7×104，Mw为1.1×105。
高分子化合物EP-4是以由投入原料求出的理论值计，由各单体衍生的结构单元以下述表8所示的摩尔比构成而成的共聚物。
[表8]
<合成例11>高分子化合物EP-5的合成
(工序1)将反应容器内设为惰性气体气氛后，加入单体CM5(0.99g)、单体CM6(0.50g)、单体CM12(0.16g)、单体CM7(0.31g)、单体CM13(0.51g)、单体CM11(0.0083g)及甲苯(33mL)，加热至105℃。
(工序2)在反应液中滴加40重量％四丁基氢氧化铵水溶液(14g)及离子交换水(41g)的混合液，接着，加入二氯双(三邻甲氧基苯基膦)钯(3.6mg)后，进行8小时回流。
(工序3)反应后，向其中加入苯硼酸(98mg)及二氯双(三邻甲氧基苯基膦)钯(1.8mg)，进行16小时回流。
(工序4)将所得到的反应混合物冷却后，用10重量％盐酸洗涤2次，用3重量％氨水洗涤2次，用水洗涤2次。将所得到的溶液滴加至甲醇中，结果产生沉淀。使所得到的沉淀物溶于甲苯后，依次通过氧化铝柱、硅胶柱，由此进行纯化。将所得到的溶液滴加至甲醇中，进行搅拌，结果产生沉淀。将所得到的沉淀物过滤，进行干燥由此得到1.3g的高分子化合物EP-5。高分子化合物EP-5的Mn为5.21×104，Mw为1.23×105。
高分子化合物EP-5是以由投入原料求出的理论值计，由各单体衍生的结构单元以下述表9所示的摩尔比构成而成的共聚物。
[表9]
<合成例12>高分子化合物EP-6的合成
(工序1)将反应容器内设为惰性气体气氛后，加入单体CM5(0.25g)、单体CM6(0.13g)、单体CM12(0.040g)、单体CM7(0.076g)、单体CM13(0.13g)及甲苯(10mL)，加热至105℃。
(工序2)在反应液中加入乙酸钯(0.2mg)及三(2-甲氧基苯基)膦(1.4mg)，接着，加入20重量％四乙基氢氧化铵水溶液(2.5mL)后，进行4.5小时回流。
(工序3)反应后，向其中加入苯基硼酸(12.2mg)、乙酸钯(0.2mg)、三(2-甲氧基苯基)膦(1.4mg)及20重量％四乙基氢氧化铵水溶液(2.5mL)，进行14小时回流。
(工序4)将所得到的反应混合物后，除去水层。在所得到的有机层中加入N，N-二乙基二硫代氨基甲酸钠三水合物(0.14g)及离子交换水(2.7mL)后，在85℃搅拌2小时。将所得到的溶液分离成有机层和水层后，将所得到的有机层用3.6重量％盐酸洗涤2次，用2.5重量％氨水洗涤2次，用离子交换水洗涤4次。将所得到的溶液滴加至甲醇中，结果产生沉淀。将所得到的沉淀物溶于甲苯后，依次通过氧化铝柱、硅胶柱，由此进行纯化。将所得到的溶液滴加至甲醇中，进行搅拌，结果产生沉淀。将所得到的沉淀物滤取，进行干燥由此得到0.35g的高分子化合物EP-6。高分子化合物EP-6的Mn为6.60×104，Mw为2.01×105。
高分子化合物EP-6是以由投入原料求出的理论值计，由各单体衍生的结构单元以下述表10所示的摩尔比构成而成的共聚物。
[表10]
<实施例D1>发光元件D1的制作及评价
(阳极及空穴注入层的形成)
在玻璃基板上通过溅射法以45nm的厚度赋予ITO膜由此形成阳极。在该阳极上将聚噻吩·磺酸系的空穴注入剂即AQ-1200(Plextronics公司制)通过旋涂法以50nm的厚度进行成膜，在大气气氛下，在加热板上进行170℃、15分钟加热，由此形成空穴注入层。
(空穴传输层的形成)
在二甲苯中将高分子化合物HP-1以0.6重量％的浓度溶解。使用所得到的二甲苯溶液在空穴注入层上通过旋涂法以20nm的厚度进行成膜，在氮气气氛下，在加热板上进行180℃、60分钟加热由此形成空穴传输层。
(发光层的形成)
接着，制备高分子化合物EP-2的二甲苯溶液(2.2重量％)、化合物G1的二甲苯溶液(2.2重量％)。然后，混合各二甲苯溶液使得高分子化合物EP-2与化合物G1的固体成分比为60∶40(重量基准)。使用该二甲苯溶液在空穴传输层上通过旋涂法以80nm的厚度进行成膜，将其在氮气气氛中，在加热板上进行150℃、10分加热由此形成发光层。
(阴极的形成)
将形成有发光层的基板在蒸镀机内减压至1.0×10-4Pa以下后，作为阴极，在发光层上蒸镀氟化钠约7nm，接着，在氟化钠层上蒸镀铝约100nm。蒸镀后，使用玻璃基板进行密封，由此制作了发光元件D1。
(发光元件的评价)
对发光元件D1施加电压由此观测到绿色的EL发光。设定电流值使得初期亮度为24000cd/m2后，以恒电流进行驱动，测定发光亮度达到初期亮度的70％时为止的所需时间(以下表述为LT70)，结果为65小时。
<实施例D4>发光元件D4的制作及评价
使用高分子化合物EP-5的二甲苯溶液(1.8重量％)，代替实施例D1中的将高分子化合物EP-2的二甲苯溶液(2.2重量％)与化合物G1的二甲苯溶液(2.2重量％)混合的二甲苯溶液(高分子化合物EP-2与化合物G1的固体成分比为60∶40(重量基准))，除此以外与实施例D1同样地进行，制作了发光元件D4。
对发光元件D4施加电压由此观测到绿色的EL发光。设定电流值使得初期亮度为24000cd/m2后，以恒电流进行驱动，测定LT70，结果为90小时。
<实施例D5>发光元件D5的制作及评价
使用将高分子化合物EP-6的二甲苯溶液(1.8重量％)与高分子化合物EP-2的二甲苯溶液(1.8重量％)混合的二甲苯溶液(高分子化合物EP-6与高分子化合物EP-2的固体成分比为80∶20(重量基准))，代替实施例D1中的将高分子化合物EP-2的二甲苯溶液(2.2重量％)与化合物G1的二甲苯溶液(2.2重量％)混合的二甲苯溶液(高分子化合物EP-2与化合物G1的固体成分比为60∶40(重量基准))，除此以外与实施例D1同样地进行，制作了发光元件D5。
对发光元件D5施加电压由此观测到绿色的EL发光。设定电流值使得初期亮度为24000cd/m2后，以恒电流进行驱动，测定LT70，结果为52小时。
<比较例CD1>发光元件CD1的制作及评价
使用高分子化合物EP-1，代替实施例D1中的高分子化合物EP-2，除此以外与实施例D1同样地进行，制作了发光元件CD1。
对发光元件CD1施加电压由此观测到绿色的EL发光。设定电流值使得初期亮度为24000cd/m2后，以恒电流进行驱动，测定LT70，结果为32小时。
<实施例D2>发光元件D2的制作及评价
使用将高分子化合物EP-4的二甲苯溶液(1.8重量％)与化合物R2的二甲苯溶液(1.8重量％)混合的二甲苯溶液(高分子化合物EP-4与化合物R2的固体成分比为92.5∶7.5(重量基准))，代替实施例D1中的将高分子化合物EP-2的二甲苯溶液(2.2重量％)与化合物G1的二甲苯溶液(2.2重量％)混合的二甲苯溶液(高分子化合物EP-2与化合物G1的固体成分比为60∶40(重量基准))，除此以外与实施例D1同样地进行，制作了发光元件D2。
对发光元件D2施加电压由此观测到红色的EL发光。设定电流值使得初期亮度为24000cd/m2后，以恒电流进行驱动，测定LT70，结果为109小时。
<比较例CD2>发光元件CD2的制作及评价
使用高分子化合物EP-3代替实施例D2中的高分子化合物EP-4，除此以外与实施例D2同样地进行，制作了发光元件CD2。
对发光元件CD2施加电压由此观测到红色的EL发光。设定电流值使得初期亮度为24000cd/m2后，以恒电流进行驱动，测定LT70，结果为89小时。
<实施例D3>发光元件D3的制作及评价
使用化合物R1代替实施例D2中的化合物R2，除此以外与实施例D2同样地进行，制作了发光元件D3。
对发光元件D3施加电压由此观测到红色的EL发光。设定电流值使得初期亮度为12000cd/m2后，以恒电流进行驱动，测定LT70，结果为107小时。
<比较例CD3>发光元件CD3的制作及评价
使用高分子化合物EP-3代替实施例D3中的高分子化合物EP-4，除此以外与实施例D3同样地进行，制作了发光元件CD3。
对发光元件CD2施加电压由此观测到红色的EL发光。设定电流值使得初期亮度为12000cd/m2后，以恒电流进行驱动，测定LT70，结果为89小时。
产业上的利用可能性
本发明的组合物及高分子化合物对亮度寿命优异的发光元件的制造有用。