专利名称：300mm立式氧化炉石英舟旋转装置的制作方法
技术领域：
本实用新型属于一种用于300mm硅片热处理的氧化炉设备，具体的是 一种用于300mm硅片氧化处理的立式氧化炉中石英舟旋转装置。
背景技术：
氧化炉是给硅片进行氧化、退火等热处理工艺的半导体设备，现用的氧 化炉，大都是卧式结构，其温度均匀性及控温精度不够理想，操作和控制不 够精确灵活，自动化程度低、生产效率和产品质量不够高，不能适应300mm 硅片的生产需求。因此，需要提出一种结构改进的立式氧化炉。在此前的立 式氧化炉的石英舟升降机构上，石英舟在工艺过程中是不带旋转的，石英舟 在升降机构上只做上升、下降运动，造成硅片表面的温度、气体浓度均不够 均匀，影响产品质量。在300mm硅片生产线上影响尤为严重。因此，需要 对其进行改进。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决上述技术问题，提出一种300mm立式氧 化炉石英舟旋转装置，该装置结构科学、设计新颖、完善适用，位置控制灵 活精确，有力地改善了硅片表面的温度及气体的均匀性状态，大大提高了硅 片氧化膜的质量。
本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的300mm立式氧化炉 石英舟旋转装置，其特征在于设有步进电机，在石英舟的下方设有SiC转 盘，在该SiC盘的底部中央设有固定轴，固定轴的下端设有带轮，该带轮通 过传动带与步进电机传动连接，做工艺时，SiC转盘与保温筒连接，带动保 温桶及舟旋转，传递扭矩；在所述固定轴的下部设有舟旋转定位装置，控制 舟的精确位置；在固定轴的上部设有包裹在固定轴外围的密封腔，密封腔设 有氮气进、出气管与外面氮气气源连通， 一定流量的高纯氮气通过密封腔， 使其压力大于工艺腔的工艺气体，实现旋转密封；在所述SiC转盘的下面设有炉门，在该炉门中设有水冷却腔；炉门底部固定设有轴罩，该轴罩包覆在 密封腔的外面，并在轴罩的底端与所述SiC转盘的固定轴之间设有密封环； 在炉门下面垂直设有数个缓冲器，该缓冲器为圆柱体，圆柱体里面垂直设有 顶柱，在该顶柱下面设有压簧，缓冲器沿圆周均匀分部，调节舟的平衡，使 之保持水平，同时避免工艺门关闭时石英门板与石英管法兰之间的压紧力过 大；在炉门四周下面设有密封挡板，防止微量工艺气体流入微环境。
本实用新型的旋转装置具有结构完善，密封性能好，位置控制精确，能 保证硅片温度及气流的均匀，从而提高硅片加工质量的优点。
图1是本实用新型的整体结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明实施例参见附
图，300mm立式氧化炉石英舟旋转装置，其特征在于设有步进电机2，石 英舟的下方设有SiC材料制成的转盘1，在该SiC转盘的底部中央设有固定 轴l.l，固定轴的下端设有带轮1.2，该带轮通过传动带2.1与步进电机传动 连接；在所述固定轴的下部设有舟旋转定位装置3，在固定轴的上部设有包 裹在固定轴外围，采用聚四氟乙烯制成的密封腔4，密封腔设有氮气进出气 管4.1与外面氮气气源连通，在所述SiC转盘的下面设有炉门5，在该炉门 中设有水冷却腔5.1，炉门底部固定设有轴罩5.2，该轴罩包覆在密封腔的外 面，并在轴罩的底端与所述SiC转盘的固定轴之间设有密封环5.3;在炉门 下面设有三个缓冲器6，该缓冲器为圆柱体，圆柱体里面垂直设有顶柱6.1， 在该顶柱下面设有压簧6.2;在炉门四周下面还设有密封挡板7。
权利要求1、一种300mm立式氧化炉石英舟旋转装置，其特征在于设有步进电机(2)，在石英舟的下方设有SiC转盘(1)，在该SiC盘的底部中央设有固定轴(1.1)，固定轴的下端设有带轮(1.2)，该带轮通过传动带(2.1)与步进电机传动连接；在所述固定轴的下部设有舟旋转定位装置(3)，在固定轴的上部设有包裹在固定轴外围的密封腔(4)，密封腔设有氮气进、出气管(4.1)与外面氮气气源连通；在所述SiC转盘的下面设有炉门(5)，在该炉门中设有水冷却腔(5.1)，炉门底部固定设有轴罩(5.2)，该轴罩包覆在密封腔的外面，并在轴罩的底端与所述SiC转盘的固定轴之间设有密封环(5.3)；在炉门下面设有数个缓冲器(6)，该缓冲器为圆柱体，圆柱体里面垂直设有顶柱(6.1)，在该顶柱下面设有压簧(6.2)；在炉门四周下面还设有密封挡板(7)。
专利摘要本实用新型公开了一种300mm立式氧化炉石英舟旋转装置，设有步进电机，石英舟的下方设有SiC转盘，在该SiC盘的底部中央设有固定轴，固定轴的下端设有带轮，该带轮通过传动带与步进电机传动连接；在固定轴的下部设有舟旋转定位装置，上部设有密封腔，密封腔设有进出气管，SiC转盘的下面设有带水冷却腔炉门，炉门底部固定设有轴罩，在轴罩的底端与SiC转盘的固定轴之间设有密封环；在炉门下面设有数个缓冲器，在炉门四周下面还设有密封挡板。本实用新型适用于300mm立式氧化炉石英舟的旋转装置，结构完善，控制灵活，水平、垂直位置控制精确。从而使硅片受热均匀，提高了硅片膜厚均匀性。
文档编号F27B1/24GK201352059SQ20082012468
公开日2009年11月25日 申请日期2008年12月17日 优先权日2008年12月17日
发明者喆 王, 董金卫, 赛义德·赛迪, 赵星梅, 华 钟 申请人:北京七星华创电子股份有限公司