本实用新型涉及一种加热装置，尤其涉及一种氮气干燥装置。
背景技术：
进入 21 世纪以来，我国信息产业在生产和科研方面都大大加快了发展速度，并已成为国民经济发展的支柱产业之一。作为信息产业核心技术的半导体技术的发展也是日新月异，而半导体技术的飞速发展是与工艺技术及工艺设备的开发息息相关的。与世界发达国家相比，我国在半导体工艺设备的研究和开发方面还处于落后地位，国内半导体生产单位往往不得不高价购买国外被淘汰的二手设备。这样一方面增大了生产成本，另一方面也严重制约了国内半导体技术的发展。因此，积极研究开发可靠实用的半导体工艺技术及工艺设备刻不容缓。
目前，在半导体制造工艺中，湿法刻蚀和清洗占有很大的比重，而在这些工艺流程中有30%左右是晶圆的刻蚀和清洗工艺。晶圆广泛应用于各种集成电路、半导体元器件、计算机、信息工业以及民用产品中。晶圆在经过湿法刻蚀或者清洗的环节后，表面会留下一些水或者清洗液的残留物，由于这些水或者清洗液的残留物中溶解有杂质，如果等待这些残留的液体自行蒸发干燥，则这些杂质会重新粘到晶片的表面上，造成污染，甚至破坏晶片的结构，所以需要对晶圆进行干燥处理来去除这些残留的液体。
技术实现要素：
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种结构简单、制造成本低廉、性能稳定、体积小，可实现氮气的快速加热与净化，特别适用于半导体制造工艺中的氮气干燥装置。
本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种氮气干燥装置，包括：加热腔体，所述加热腔体两端分别设置有密封块一、密封块二，所述加热腔体上侧设置有进气口，下侧设置有出气口，所述加热腔体内部设置有对称锥形喷头，所述对称锥形喷头之间设置有加热条。
所述在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。
进一步，所述加热腔体两侧分别设置有隔热层，所述隔热层用于降低加热腔体内部加热热量的损耗，以提升加热装置的加热效率。
进一步，所述密封块一中设置有气压传感器，所述气压传感器用于加热腔体内部气压的监测，以防止加热腔体内部气压过大，造成器件的损坏以及加热的不充分。
进一步，所述密封块二中设置有温度传感器，所述温度传感器用于加热腔体内部温度的监测，以便于对加热装置加热时的温度调控。
进一步，所述进气口及出气口上分别设置有保护罩，所述保护罩用于防止半导体加工时所用酸性颗粒及气体进入加热腔体内部，导致加热腔体内部被腐蚀损坏。
进一步，所述对称锥形喷头上设置有过滤网，所述过滤网用于对氮气中微小颗粒的过滤，以防止输出加热氮气对半导体的污染。
进一步，所述加热条成齿状交叉排列，所述加热条成齿状交叉排列有利于氮气与加热条的充分接触，以提升加热效率，同时加热条之间间距可调，用于氮气流速及加热效率的调节。
本实用新型的有益效果是：结构简单、制造成本低廉、性能稳定、体积小，可实现氮气的快速加热与净化，特别适用于半导体制造工艺中。
附图说明
图1为本实用新型一种氮气干燥装置结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。
如图1所示，一种氮气干燥装置，包括：加热腔体1，所述加热腔体1两端分别设置有密封块一7、密封块二8，所述加热腔体1上侧设置有进气口4，下侧设置有出气口3，所述加热腔体1内部设置有对称锥形喷头5，所述对称锥形喷头5之间设置有加热条9。
所述加热腔体1两侧分别设置有隔热层2，所述隔热层2用于降低加热腔体1内部加热热量的损耗，以提升加热装置的加热效率。所述密封块一7中设置有气压传感器，所述气压传感器用于加热腔体1内部气压的监测，以防止加热腔体1内部气压过大，造成器件的损坏以及加热的不充分。所述密封块二8中设置有温度传感器，所述温度传感器用于加热腔体1内部温度的监测，以便于对加热装置加热时的温度调控。所述进气口4及出气口3上分别设置有保护罩，所述保护罩用于防止半导体加工时所用酸性颗粒及气体进入加热腔体1内部，导致加热腔体1内部被腐蚀损坏。所述对称锥形喷头5上设置有过滤网6，所述过滤网6用于对氮气中微小颗粒的过滤，以防止输出加热氮气对半导体的污染。所述加热条9成齿状交叉排列，所述加热条9成齿状交叉排列有利于氮气与加热条9的充分接触，以提升加热效率，同时加热条9间间距可调，用于氮气流速及加热效率的调节。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。