专利名称：旋转型半导体晶片处理装置和半导体晶片处理方法
技术领域：
本发明涉及用于在半导体晶片上进行诸如刻蚀和薄膜淀积等不同工艺的半导体晶片处理装置，尤其涉及用于连续地对大量半导体晶片进行诸如刻蚀和薄膜淀积等工艺的半导体晶片工艺装置，本发明还涉及一种对大量半导体晶片连续进行处理的方法。
随着半导体器件集成度的提高，已产生一些通过将图形做得尽可能小来达到更高集成度的快速发展的技术手段。例如，现在为了大批量生产需要将图形形成在半微米量级。这种为了实现高密度技术的发展需要一步能形成精美图形的具有较高的精度和较高的生产量的刻蚀步骤。
一种进行刻蚀的装置是熟知的干法刻蚀装置。一种干法刻蚀装置通常包含两个互相平行地放置在一真空腔中且反应气体充满其间的圆盘形电极。其中一个电极通过一个隔直流电容器和高频电源连接，另一电极接地。通过给电极提供高频电压在电极间产生等离子体。提供高频的电极表面为负偏置。等离子体中荷正电的离子被电压加速，并垂直地辐射到半导体晶片。因此，半导体晶片通过这样产生的离子轰击而被各向异性地刻蚀。
上面提到的传统干法刻蚀装置是一次处理大量晶片的批量型装置。虽然一个批量型装置具有很大的处理速率，但它很难均匀地精确地处理放在一个腔中的大量晶片。另一方面，为了实现均匀处理，已设想出一个在一小腔中放置和处理每一单个半导体晶片的装置。但是，这种装置在处理速率上落后于上面提到的批量型装置。
有一种已知的较快速处理大量晶片的多腔型半导体晶片处理装置。图1是一个这种半导体晶片处理装置的截面图。如图1所示，多腔型装置基本包括一个晶片传递腔35，三个每个都通过门阀34和晶片传递腔35相连的工艺腔33，和两个每个都通过门阀37和晶片传递腔35相连的晶片装载腔40。
在晶片传递腔35中定义一个连锁腔36，通过它晶片传递腔35连接到晶片装载腔40。在晶片传递腔35中提供一个靠近工艺腔33的晶片传递臂38a以及一个靠近装载腔40的传递臂38b。在每一个晶片装载腔40中放置一个装有大量晶片32的片盒39。晶片传递臂38b用来将半导体晶片32一片一片地从晶片盒39中取出并送到传递臂38a，以及从传递臂38a接收处理过的晶片并送到晶片盒39。晶片传递臂38a用来从传递臂38b接收一个半导体晶片32并送到其中一个工艺腔33中，以及取出一个在工艺腔33中处理过的半导体晶片32。
在上述传统多腔型半导体晶片处理装置中，晶片通过一对晶片传递臂38a和38b在晶片传递腔35和工艺腔33之间传递。据此即使半导体晶片处理在某一工艺腔中完成，当晶片传递臂35a和35b传递另一晶片时，被处理过的半导体晶片必须等待，之后才能从工艺腔中取出。所以，即使使用一个多工艺腔装置，仍很难充分地增加生产量。
为解决已有技术中的问题，本发明的目的在于提供一种能提供晶片处理的均匀性和增加生产量的半导体晶片处理装置。
按一种方案，本发明提供的一种半导体晶片处理装置包含N个处理半导体晶片的工艺腔，这里N是一个大于1的正整数，这N个工艺腔放置在具有第一直径的圆上且互相间隔360/N度环形均布的工艺腔，其特征在于这N个工艺腔被支撑能绕此圆中心旋转，包含至少一对用来将半导体晶片送进N个工艺腔中之一和将半导体晶片从N个工艺腔之一中取出的晶片传递装置，这对晶片传递装置放置在具有大于第一直径的第二直径的圆上，且互相间隔360M/N度环形均布，这里M是在1至(N－1)之间并包含1和(N－1)的正整数，和一个能使N个工艺腔绕中心旋转以致N个工艺腔中的两个面对着晶片传递装置的驱动器。
在一个优选的实施例中，整数N是一大于1的偶数，其中该半导体晶片处理装置中包含N/2个晶片传递装置，这N/2个晶片传递装置互相间隔720/N度(M＝2〕环形均布并被放在正对着N个工艺腔中交替放置的工艺腔，而驱动器能把N个工艺腔旋转到相反方向。
较好的是该半导体晶片处理装置还包含一个抽空N个工艺腔的真空装置，一个置于圆中心的主导气管和每个都使主导气管与N个工艺腔连通的分导气管，该主导气管以气密方式和真空装置可旋转地连接。
每个晶片传递装置最好有一个既能延伸到N个工艺腔之一的以使该晶片传递装置和N个工艺腔之一相连的也能从N个工艺腔之一缩回以使它们互相隔开的部分。比如，该部分的构成如下。
本发明还提供了一种半导体晶片处理装置，它包括(a)在其中处理晶片的置于一圆上的多个工艺腔，每一工艺腔包含一个通过它送进和取出晶片的第一门阀，和一用来连通每一个工艺腔和外面的阀门，工艺腔彼此以等圆周间距隔离，(b)一个置于圆中心的主导气管，所有的阀门都和主导气管相连通，(c)一个用来通过主导气管和阀门抽空工艺腔的以气密方式和主导气管旋转连接的真空装置，(d)使工艺腔通过绕圆中心旋转和使工艺腔停止在预定位置来定位工艺腔的定位装置，(e)一对用来通过它将一个半导体晶片送进某一工艺腔中和将一个半导体晶片从某一工艺腔中取出的晶片传递腔，每一个晶片传递腔包含一个和被定位装置定位的工艺腔中的第一门阀相间放置的第二门阀，和一个在晶片传递腔尾部的第三门阀，(f)连接到第二门阀的以气密方式将第一门阀连接到第二门阀以及将第一门阀从第二门阀脱开的可伸缩的伸缩管，和(g)在每一个晶片传递腔中都提供的一个用来将一半导体晶片送进某一工艺腔中和将一个半导体晶片从某一工艺腔中取出的晶片传递臂，该传递臂也用来通过第三门阀将一半导体晶片送到外面以及将半导体晶片从外面取进。
该半导体晶片处理装置还可包含一个用来传送多片半导体晶片至晶片传递腔的升降装置。
另一方案，本发明提供了一种包含下列步骤的半导体晶片处理方法(a)准备N个处理半导体晶片的工艺腔，这里N是一个大于1的正整数，这N个工艺腔被置于一个圆上且彼此以360/N度的圆周间距隔开，并被支撑起围绕圆中心旋转，(b)将一个在第一位置的半导体晶片送进N个工艺腔中的第一工艺腔，(c)旋转N个工艺腔360M/N度，这里M是一个1至(n－1)之间包含1和(N－1)的正整数，(d)在第一工艺腔中处理一个半导体晶片，(e)将一在第一位置半导体晶片送到N个工艺腔中第二工艺腔，(f)对一连串的半导体晶片重复(c)至(e)步骤，(g)从处在和第一位置相隔360L/N度圆周间距的第二位置的第一工艺腔中取出处理过的晶片，这里L是一个1至(n－1)之间包含1和(N－1)的正整数，(h)重复(b)至(g)步骤。
在上面提及的方法中，最好(d)和(e)步骤同时操作。
本发明还提供了一种包含下列步骤的半导体晶片处理方法(a)准备N个处理半导体晶片的工艺腔，这里N是一个大于1的偶整数，这N个工艺腔被置于一个圆上且彼此间隔360/N度环形均布，并被支撑起围绕圆中心旋转，(b)当N个工艺腔处在第一位置时，将一半导体晶片送进N个工艺腔中相的间放置的工艺腔中，(c)按一方向旋转N个工艺腔至第二位置，(d)在工艺腔中处理一个半导体晶片，(e)按相反的方向将N个工艺腔旋转回第一位置，(f)从工艺腔中取出处理过的晶片和将未处理的晶片送进工艺腔中，和(g)重复(c)至(f)步骤。
例如，在(c)步和(e)步中N个工艺腔旋转180/N度。
下面参照
本发明的上述和其它目的及优点，图中相应的附图标记表示相同和相似的部件。
图1是一个传统半导体晶片处理装置的截面图；图2是一个根据本发明的第一实施例制作的半导体晶片处理装置的平面示意图；图3是一个根据本发明的第二实施例制作的半导体晶片处理装置的平面示意图；图4A是一个为了清楚的目的而部分去掉了的根据本发明的第三实施例制作的半导体晶片处理装置的平面图；和图4B是一个沿图4A中B-B线的截面图。
下面参照
本发明的第一至第三实施例，其中第一和第二实施例表示本发明的概念，第三实施例表示出详细的结构。
参照表示本发明的第一实施例的图2，一个半导体晶片处理装置包含六个工艺腔1a至1f，其中每一个都有如刻蚀和薄膜淀积等处理半导体晶片功能。这六个工艺腔1a至1f放置在直径为D1的圆上，且彼此等圆周间距地隔开，即彼此间隔60度环形均布。
在圆D1的中心有一个以气密的方式通过分导气管3a至3f连通到工艺腔1a至1f的主导气管2。该主导气管2连接到真空装置(未示出)，这样工艺腔1a至1f靠真空装置通过主导气管和分导气管2和3a至3f而保持真空状态。
这六个工艺腔1a至1f被支撑在一圆盘4上以使它们绕圆D1旋转。一个连接到旋转盘2的电动机(未示出)按箭头A所指的方向驱动旋转盘2。控制该电动机来转动旋转盘2并由此带动工艺腔1a至1f每次旋转60度。
第一和第二晶片传递装置5a和5b放置在大于D1的直径为D2圆上。该晶片传递装置5a和5b彼此间隔120度环形均布。这样，第一和第二晶片传递装置5a和5b分别面对工艺腔1a和1e。
第一晶片传递装置5a从源头(未示出)接受多片半导体晶片6a，并将接受到的晶片之一以一种气密方式传送进工艺腔1a，同时第二晶片传递装置5b从工艺腔1a(如后面提到的，工艺腔1a旋转240度，即从第一晶片传递装置5a转至第二晶片传递装置5b)取出处理过的晶片6b，并将接受到的已处理的晶片6b送至外面。例如第一和第二晶片传递装置5a和5b都有一机器臂来实现上述功能。
工作中，第一晶片传递装置5a将一未处理的半导体晶片6a送进工艺腔1a。然后，电动机(未示出)旋转工艺腔1a至1f60度。工艺腔1a旋转至工艺腔1b原来所在的位置，且工艺腔1f旋转至工艺腔1a原来所在的位置。接着，第一晶片传递装置5a将一未处理的半导体晶片6a送进工艺腔1f，与此同时在工艺腔1a中进行如刻蚀等晶片处理。
然后，工艺腔1a至1f旋转60度，接着，晶片处理过程在工艺腔1f中进行，同时第一晶片传递装置5a将一未处理的半导体晶片送进工艺腔1e。
这些步骤一直重复直到工艺腔1a旋转到面对第二晶片传递装置5b的位置上。当装有处理过的晶片6b的工艺腔1a转至面对第二晶片传递装置5b时，第二晶片传递装置5b从工艺腔1a中取出已处理过的晶片6b，并将晶片6b送至外面。
当空的工艺腔1a旋转到面对第一晶片传递装置5a的位置时，第一晶片传递装置5a又将一未处理的晶片6a送至工艺腔1a中。
应该注意工艺腔的数目并不限制到六个，而是包括大于一的任何数。
因此，根据本发明的第一实施例制作的半导体晶片处理装置可以连续地进行晶片处理，而不象传统的晶片处理装置在一个已被处理好的晶片当晶片传递臂传送另一个晶片时必须等待才能被取出。另外，并不总是需要在工艺腔1a至1f中进行相同的处理工艺。可以进行各种不同的处理工艺。例如，第一刻蚀，第二刻蚀和薄膜淀积可以分别在工艺腔1a，1b，1c中进行。
图3表示一个根据本发明的第二实施例制作的半导体晶片处理装置。和第一实施例中相应的部件和单元标以相同的标记。第二实施例中的半导体晶片处理装置和第一实施例中的有相似的结构，但不同之处在于配有四个工艺腔1a至1d，及第一及第二晶片传递装置5a和5b放在和相间放置的工艺腔相面对的位置上，例如，相应的工艺腔11a和1c。
应该注意在第二实施例中需要配置N为偶数的N个工艺腔，及N/2个晶片传递装置。虽然第二实施例中有四个工艺腔1a至1d和两个晶片传递装置5a和5b，但工艺腔和晶片传递装置的数目并不限于四个和两个，而是可以选择其它的偶数。
工作中，第一和第二晶片传递装置5a和5b各将一未处理的半导体晶片6a分别送进工艺腔1a和1c。然后，电动机(未示出)按一箭头A1所指方向旋转工艺腔1a至1d90度。工艺腔1a旋转至工艺腔1b原来所在的位置，且工艺腔1c旋转至工艺腔1d原来所在的位置。工艺腔1d和1b旋转至与第一和第二晶片传递装置5a和5b相面对的位置。
然后，第一晶片传递装置5a传送一未处理的晶片6a至工艺腔1d，同时在工艺腔1a中有诸如刻蚀等晶片处理工艺。与此同时，第二晶片传递装置5b传送一未处理的晶片6a至工艺腔1b，同时在工艺腔1c中进行晶片处理工艺。
然后，工艺腔1a至1d按和箭头A1所指方向相反的箭头A2所指的方向旋转90度。这样，工艺腔1a至1d回到如图3所示的起始位置。即工艺腔1a和1c处在与第一和第二晶片传递装置5a和5b相面对的位置。第一和第二晶片传递装置5a和5b分别从工艺腔1a和1c中取出已处理的晶片6b，然后分别传递一新的未处理的晶片至工艺腔1a和1c。
当第一和第二晶片传递装置5a和5b分别从工艺腔1a和1c中取出已处理的晶片6b时，处在如图3所示的位置的工艺腔1b和1d中都进行着晶片处理工艺。
上面所提到的步骤按需要的数目重复。这样，根据第二实施例制作的半导体晶片处理装置就可以和第一实施例一样连续地进行晶片处理，和第一实施例相似，第二实施例可以进行各种不同的晶片处理工艺。例如，刻蚀可以在工艺腔1a和1c中进行，薄膜淀积可以在工艺腔1b和1d中进行。
参照图4A和4B，下面说明本发明的第三实施例。在下面的描述中，和第一及第二实施例中相对应的部件标以相同的标记。一个半导体晶片处理装置包含四个能在其中进行如刻蚀和薄膜淀积等半导体晶片处理工艺的工艺腔1a至1d。这四个工艺腔1a至1d被放置在具有直径为D1的圆上且互相以等圆周距离隔开，即互相间隔90度环形均布。工艺腔1a至1d中每一个都包含第一门阀8a至8d，通过它晶片可以被送进和取出们；和包含一个用来连通每一个工艺腔1a至1d和后面提到的真空装置的阀门9a至9d。工艺腔1a至1d可旋转地支撑在旋转轴承23上。
在圆D1的中心有一个以气密方式通过分导气管3a至3d连通到工艺腔1a至1d的主导气管2。该主导气管2连接到真空装置10，这样工艺腔1a至1d靠真空装置10通过主导气管和分导气管2和3a至3d而保持真空状态。该主导气管2通过一旋转接头11连接到真空装置10，以致主导气管2并及工艺腔1a至1d能绕圆D1的中心旋转。
工艺腔1a至1d通过一个变址装置12旋转。变址装置12也用作工艺腔1a至1d的旋转控制器。如后面要提到的，变址装置12使工艺腔1a至1d旋转90度，并停止它们以使其中的两个面对晶片传递装置5a和5b。
如图4A所示，和第一及第二实施例相似，该半导体晶片处理装置包含置与大于D1的直径为D2的圆上的晶片传递装置5a和5b。晶片传递装置5a和5b彼此间距90度环形均布。这样第一和第二晶片传递装置5a和5b分别面对工艺腔1a和1d。
晶片传递装置5a和5b包含晶片传递腔13a和13b，及和晶片传递腔13a和13b连通的连锁腔14a和14b。晶片传递腔13a和13b都有和工艺腔1a至1d的第一门阀8a至8d相面对放置的第二门阀15a和15b，及第三门阀16a至16b，通过它们将晶片传递腔13a和13b和连锁腔14a和14b连通。
为了既能将第二门阀15a和15b以气密方式连接到工艺腔1a至1d中的第一门阀8a至8d和也能将晶片传递装置5a和5b从第一门阀8a至8d脱开，每一晶片传递装置5a和5b还包含一个连接到第二门阀15a和15b的可伸缩的伸缩管17a和17b。
连锁腔14a和14b提供有门18a和18b，通过它们装有多片未处理过的晶片20a和已处理过的晶片20b的晶片盒19a和19b能从连锁腔14a和14b被分别送进和取出。如图4B所示，还提供有用来在连锁腔14a和14b与外部之间传送晶片盒19a和19b的升降装置21a和21b。
在晶片传递腔13a和13b中设有将未处理过的晶片20a一片一片地传送到工艺腔1a中以及将处理过的晶片20b通过第一和第二门阀8a，8d和15a，15b从工艺腔1d中取出的晶片传递臂22a和22b，该传递臂还用来通过第三门阀16a和16b在晶片传递腔13a，13b和连锁腔14a，14b之间传送晶片20a和20b。
如图4B所示，在每一工艺腔1a至1d中提供上电极24a至24d(仅示出24a〕和要在其上放置未处理而待处理的晶片20a的下电极25a至25d(仅示出25a〕。一个高频源26在上下电极24a至24d和25a至25d之间提供一高频电压。一气体源27将工艺气体引进每个工艺腔1a至1d。
附加的真空装置(未示出)可以用供来独立地抽空晶片传递腔13a至13d和连锁腔14a至14d。
变址装置12由一连接到在其上放置着工艺腔1a至1d的旋转轴承23的外圈的圆形齿轮，游星齿轮和停止指针组成。该变址装置12按箭头A1所指方向旋转工艺腔1a至1d90度，并停止工艺腔1a至1d以使其中的两个面对晶片传递装置5a和5b。
当工艺腔1a至1d旋转时，伸缩管17a至17d通过气缸而被压缩以避免在工艺腔1a至1d及晶片传递装置5a和5b之间的干扰，当工艺腔1a至1d以气密方式连接到晶片传递装置5a和5b时，气缸扩张伸缩管17a至17d以使晶片传递装置5a和5b与工艺腔1a至1d分别相连接。这里，晶片传递臂22a和22b由传统的臂杆机构和摆动机构构成。
工作中，装有多片未处理的晶片20a的被抽真空的晶片盒17a通过升降装置21a被送进连锁腔14a，即将装进处理过的晶片20b的空的晶片盒17b通过升降装置21b被送进连锁腔14b。晶片传递臂22a通过预先打开的第三门阀16a从晶片盒19a中取出未处理的晶片20a中的一片，然后将未处理的晶片20a送进减压的工艺腔1a，该工艺腔1a通过抽空的晶片传递腔13a、第二门阀15a、伸缩管17a、和第一门阀8a而定位于A处。将未处理的晶片20a引进工艺腔1a中后，工艺腔1a至1d被变址装置12旋转90度。这样，工艺腔1a移动到位置B，且工艺腔1d移动到位置A，在A处工艺腔1d面对晶片传递装置5a。如刻蚀等晶片处理工艺在位置B处的工艺腔1a中进行。
与此同时，晶片传递装置5a将单个的未处理的晶片20a送进工艺腔1d中。然后，工艺腔1a至1d靠变址装置12旋转90度，这样，工艺腔1d旋转到位置B，且装有处理完的晶片20b的工艺腔1a旋转到位置C。
当工艺腔1a旋转到面对晶片传递装置5b的位置D时，伸缩管17b被扩张导致伸缩管17b的一个凸缘以气密方式连接到第一门阀8a的一个凸缘。然后，第一和第二门阀8a和5b打开。然后晶片传递臂22b从工艺腔1a中取出已处理的晶片20b并随后将其送进预先抽空的晶片传递腔13b。
然后，第二门阀8b关闭且伸缩管17b被压缩。接着，工艺腔1a至1d被变址装置12旋转90度，这样空的工艺腔1a旋转到位置A。同时，晶片传递臂22b将已处理的晶片20b通过打开的第三门阀16b送进抽空的连锁腔14b。这样，所传送的已处理的晶片20b被送进空晶片盒19b。
重复上面提到的步骤直到将所有未处理的晶片20a送进工艺腔1a至1d中的任一个而使晶片盒19a变空，并且直到在连锁腔14b中的晶片盒19b装满已处理的晶片20b为止。然后，第三门阀16a和16b关闭，且连锁腔14a和14b被控制到为大气的压力。然后，门18a和18b打开，空晶片盒19a和装有已处理的晶片20b的晶片盒19b一起由升降装置21a和21b降下来。
然后，多个未处理的晶片20a被装进该由升降装置21a送进连锁腔14a的晶片盒19a中。空晶片盒19b由升降装置21ab送进连锁腔14b。最后，连锁腔14a和14b再次被抽空。
和第一及第二实施例相似，根据第三实施例制作的半导体晶片处理装置可以连续地无时间损失的进行晶片处理工艺。
权利要求
1.一种半导体晶片处理装置，包括用来进行半导体晶片处理的N个工艺腔，这里N是一个大于一的正整数，所说的N个工艺腔被放置在具有第一直径的圆上且彼此间隔360/N度环形均布，其特征是所说的N个工艺腔被支撑起绕所说的圆的中心旋转；至少一对用来将一半导体晶片送进所说的N个工艺腔之一中并将一半导体晶片从所说的N个工艺腔之一中取出的晶片传递装置，所说的晶片传递装置放置在一个具有大于所说第一直径的第二直径的圆上，所说的晶片传递装置彼此间隔360M/N度环形均布，这里M是一个在1和(N－1)之间且包括1和(N－1)的正整数；和一个用来围绕所说的中心旋转所说的N个工艺腔以使所说的N个工艺腔中的任两个工艺腔面对所说的晶片传递装置的驱动装置。
2.如权利要求1的半导体晶片处理装置，其特征是所说的整数N是一个大于一的偶整数，所说的半导体晶片处理装置包含N/2个晶片传递装置，所说的N/2个晶片传递装置彼此间隔720/N度(M＝2)环形均布并且放置在面对所说的N个工艺腔中相间放置的工艺腔的位置上，所说的驱动装置按相反的方向旋转所说的N个工艺腔。
3.如权利要求1或2的半导体晶片处理装置，还包含一个用来抽空所说的N个工艺腔的真空装置，一个放置在所说的圆的所说中心上的主导气管以及每个用来连通所说的主导气管到每个所说的N个工艺腔的分导气管，所说的主导气管以一种气密方式旋转式地连接到所说的真空装置上。
4.权利要求1或2的半导体晶片处理装置，其特征是每个所说的晶片传递装置有一个既可延伸到所说的N个工艺腔之一的以使所说的晶片传递装置连通到所说的N个工艺腔之一个也可从所说的N个工艺腔之一退回以使它们分离的部分。
5.如权利要求4的半导体晶片处理装置，其特征是所说的晶片传递装置的所说的部分由一个伸缩管组成。
6.一个半导体晶片处理装置包含置于一圆上用来处理的半导体晶片的多个工艺腔，每一个所说的工艺腔包含一个通过它将一个半导体晶片送进和取出的第一门阀，和一个用来连通每一个所说的工艺腔与外面的阀门，所说的工艺腔彼此等距环形均布；一个在所说的圆中心的主导气管，所有所说的阀门都连通到所说的主导气～管；一个用来通过所说的主导气管和所说的阀门抽空所说的工艺腔的并以气密的方式旋转式地连通到所说的主导气管的真空装置；用来通过绕所说的圆的中心旋转所说的工艺腔以及将所说的工艺腔停止在预定位置来定位所说的工艺腔的定位装置；一对用来将一半导体晶片传送至一个所说的工艺腔以及将一半导体晶片从一个所说的工艺腔取出的晶片传递腔，每一个所说晶片传递腔包含一个第二门阀，该第二门阀置于面对在由所说的定位装置定位的所说的工艺腔之中的所说的第一门阀的位置上，和一个在所说的晶片传递腔的尾部的第三门阀；连接到所说第二门阀的用来以气密的方式将所说第一门阀连接到所说第二门阀且将所说第一门阀从所说第二门阀脱开的可伸缩的伸缩管；和一个在每个晶片传递腔中提供的晶片传递臂，该传递臂既用来将一半导体晶片送进一个所说工艺腔中和将一半导体晶片从一个所说工艺腔中取出，也用来通过所说的第三门阀将一半导体晶片送至外面和将一半导体晶片从外面送入。
7.如权利要求6的半导体晶片处理装置，其特征是所说的主导气管通过一个旋转接头连接到所说的真空装置。
8.如权利要求6或7的半导体晶片处理装置，还包含一个用来将多片半导体晶片送到所说晶片传递腔的升降装置。
9.一种半导体晶片处理方法，包含下列步骤(a)准备N个处理半导体晶片的工艺腔，这里N是一个大于1的正整数，所说N个工艺腔被置于一个圆上且彼此间隔360/N度环形均布，所说N个工艺腔被支撑起围绕所说的圆中心旋转；(b)将处于第一位置一半导体晶片送进所说N个工艺腔中的第一工艺腔；(c)旋转所说N个工艺腔360M/N度，这里M是一个在1和(N－1)之间且包括1和(N－1)的正整数；(d)在所说的第一工艺腔中处理一个半导体晶片；(e)将一个在所说第一位置的晶片送进所说N个工艺腔中的第二工艺腔中(f)对一连串半导体晶片重复步骤(c)到(e)；(g)从在第二位置的所说的第一工艺腔中取出一已处理的半导体晶片，该第二位置和所说第一位置圆周式地间隔360L/N度，这里L是一个在1和(N－1)之间且包括1和(N－1)的正整数；和(h)重复所说的步骤(b)到(g)。10如权利要求9的半导体晶片处理方法，其特征是步骤(d)和(e)可以同时进行。
11一种半导体晶片处理方法，包含下列步骤(a)准备N个处理半导体晶片的工艺腔，这里N是一个大于1的偶整数，所说N个工艺腔被置于一个圆上且彼此间隔360/N度环形均布，所说N个工艺腔被支撑起围绕所说的圆中心旋转；(b)当所说N个工艺腔在第一位置时，将一半导体晶片送进所说N个工艺腔中相间放置的工艺腔中；(c)按某一方向旋转所说N个工艺腔至第二位置；(d)在所说的工艺腔中处理一个半导体晶片；(e)按相反方向旋转所说N个工艺腔回到所说第一位置；(f)从所说的工艺腔中取出已处理的半导体晶片，并将未处理的半导体晶片送进所说的工艺腔中；和(g)重复所说的步骤(c)到(f)。
全文摘要
本发明的半导体晶片处理装置包含处理半导体晶片的N(大于1的正整数)个工艺腔；以彼此间隔360/N度环形均布，且被支撑起围绕一圆心旋转；至少一对将半导体晶片送进/出N个工艺腔之一中的彼此间隔360M/N度环形均布的晶片传递装置，其中1≤M≤(N-1)的正整数；一将其中任何两个工艺腔旋转以面对晶片传递装置的驱动装置。本发明的装置不会导致半导体晶片等待处理的现象而增加了生产量。
文档编号B01J19/00GK1144398SQ9611001
公开日1997年3月5日 申请日期1996年5月31日 优先权日1995年5月31日
发明者东久美子 申请人:日本电气株式会社