；去除所述第二硅片的未掺杂部分，其中所述第二硅片的剩余部分包括可移动硅微结构，所述可移动娃微结构具有可移动娃电极。
[0042]示例10包括示例9所述的方法，其中第一凹进和第二凹进被蚀刻到所述玻璃基板中，所述第一凹进位于所述玻璃基板的顶表面下方，所述第二凹进比所述第一凹进更深，其中所述固定硅电极耦合到所述第一凹进。
[0043]示例11包括示例9-10中任一项所述的方法,其中所述固定娃电极具有突出部分，其中所述突出部分是延伸超出所述第一凹进的表面的所述固定硅电极的一部分，其中所述突出部分在所述第二凹进上面延伸从而使得所述突出部分屏蔽所述可移动硅微结构免受所述第二凹进的表面上的电荷影响。
[0044]示例12包括示例9-11中任一项所述的方法,包括:将至少一个凹进蚀刻到第二玻璃基板中；将金属电引线图案化到所述第二玻璃基板上；将凹进蚀刻到具有掺杂外延层的第三硅片中；将所述第三硅片的外延硅结合到所述第二玻璃基板的所述至少一个凹进中的第三凹进；去除所述第三硅片的未掺杂部分，其中所述第三硅片的剩余部分包括第二固定娃电极；将所述第二娃片的外延娃结合到第二玻璃基板的顶表面。
[0045]示例13包括示例12所述的方法，其中第一凹进和第二凹进被蚀刻到所述玻璃基板中，所述第一凹进位于所述玻璃基板的顶表面下方，所述第二凹进比所述第一凹进更深，其中所述固定硅电极耦合到所述第一凹进，其中第三凹进和第四凹进被蚀刻到所述第二玻璃基板中，所述第三凹进位于所述第二玻璃基板的顶表面下方，所述第四凹进比所述第三凹进更深，其中所述第二固定硅电极耦合到所述第三凹进。
[0046]示例14包括示例12所述的方法,其中:所述固定娃电极具有突出部分,其中所述突出部分是延伸超出所述第一凹进的表面的所述固定硅电极的一部分，其中所述突出部分在所述第二凹进上面延伸从而使得所述突出部分屏蔽所述可移动硅微结构免受所述第二凹进的表面上的电荷影响；所述第二固定硅电极具有突出部分，其中所述突出部分是延伸超出所述第三凹进的表面的所述第二固定硅电极的一部分，其中所述突出部分在所述第四凹进上面延伸从而使得所述突出部分屏蔽所述可移动硅微结构免受所述第四凹进的表面上的电荷影响。
[0047]不例15是一种用于全娃电极电容换能器的系统,包括:全娃电极电容换能器，包括:稱合到玻璃基板的可移动娃微结构，该可移动娃微结构具有可移动娃电极，所述玻璃基板具有顶表面和至少一个凹进，所述可移动硅电极具有平行于所述玻璃基板的所述顶表面的平面的第一平坦表面，所述可移动硅电极具有第一电子功函数；耦合到玻璃基板的固定硅电极，该固定硅电极与所述可移动硅电极相邻，所述固定硅电极配置成感测或促使所述可移动硅微结构的位移，其中所述固定硅电极具有平行于所述第一平坦表面的第二平坦表面，所述固定硅电极具有与所述第一电子功函数相等的第二电子功函数；耦合到所述全硅电极电容换能器的测量单元，所述测量单元配置成读取来自所述全硅电极电容换能器的信号；以及耦合到测量单元的接口设备，配置成指示表示来自所述全硅电极电容换能器的所述信号的结果。
[0048]示例16包括示例15的系统，其中所述玻璃基板具有第一凹进和第二凹进，所述第一凹进位于所述玻璃基板的顶表面下方，所述第二凹进比所述第一个更深，其中所述固定硅电极耦合到所述第一凹进，其中所述可移动硅微结构耦合到所述玻璃基板的所述顶表面。
[0049]示例17包括示例15-16中任一项所述的系统,其中所述固定娃电极具有突出部分，其中所述突出部分是延伸超出所述第一凹进的所述表面的所述固定硅电极的一部分，其中所述突出部分在所述第二凹进上面延伸从而使得所述突出部分屏蔽所述可移动硅微结构免受来自所述第二凹进的表面的电场线的影响。
[0050]示例18包括示例15-17中任一项所述的系统，其中所述固定硅电极和可移动硅电极是高掺杂外延硅电极，其中所述固定硅电极与可移动硅电极的所述电功函数相匹配以减轻所述固定硅电极与可移动硅电极之间的接触电位差。
[0051]示例19包括示例15-18中任一项所述的系统,其中所述全娃电极电容换能器具有附着到所述可移动娃微结构上方和下方的玻璃基板的多于一个固定娃电极，所述多于一个固定硅电极配置成将所述可移动硅电极电气屏蔽免受上方和下方的影响。
[0052]示例20包括示例19的系统，其中多于一个固定硅电极具有相应的突出部分，其中每个突出部分是延伸超出所述固定硅电极所附着的相应的玻璃基板的表面的相应的固定硅电极的一部分，其中所述突出部分在相应的玻璃基板中的凹进上面延伸从而使得所述突出部分屏蔽所述可移动硅微结构免受每个基板的所述凹进的相应的表面上的电荷影响。
【主权项】
1.一种全娃电极电容换能器(100),包括: 率禹合到玻璃基板(109)的可移动娃微结构(103),该可移动娃微结构具有可移动娃电极(104)，所述玻璃基板具有顶表面和至少一个凹进，所述可移动硅电极具有平行于所述玻璃基板的所述顶表面的平面的第一平坦表面，所述可移动硅电极具有第一电子功函数；以及 率禹合到玻璃基板(109)的固定娃电极(105),该固定娃电极与所述可移动娃电极相邻，所述固定硅电极配置成感测或促使所述可移动硅微结构的位移，其中所述固定硅电极具有平行于所述第一平坦表面的第二平坦表面，所述固定硅电极具有与所述第一电子功函数相等的第二电子功函数，其中所述玻璃基板具有第一凹进，其中所述固定硅电极结合到所述第一凹进。
2.权利要求1所述的电容换能器(100)，其中所述玻璃基板(109)具有第一凹进和第二凹进，所述第一凹进位于所述玻璃基板的顶表面下方，所述第二凹进比第一个更深，其中所述固定硅电极耦合到所述第一凹进，其中所述可移动硅微结构耦合到所述玻璃基板的所述顶表面。
3.权利要求2所述的电容换能器(100)，其中所述固定硅电极(105)具有突出部分，其中所述突出部分是延伸超出所述第一凹进的所述表面的所述固定硅电极的一部分，其中所述突出部分在所述第二凹进上面延伸从而使得所述突出部分屏蔽所述可移动硅微结构免受来自所述第二凹进的表面的电场线的影响。
【专利摘要】玻璃基板上的全硅电极电容换能器。一种全硅电极电容换能器，包括：耦合到玻璃基板的可移动硅微结构，该可移动硅微结构具有可移动硅电极，玻璃基板具有顶表面和至少一个凹进，所述可移动硅电极具有平行于所述玻璃基板的所述顶表面的平面的第一平坦表面，所述可移动硅电极具有第一电子功函数；以及耦合到玻璃基板的固定硅电极，该固定硅电极位于可移动硅电极附近，所述固定硅电极配置成感测或促使所述可移动硅微结构的位移，其中所述固定硅电极具有平行于所述第一平坦表面的第二平坦表面，所述固定硅电极具有与所述第一电子功函数相等的第二电子功函数。
【IPC分类】B81B7-02
【公开号】CN104555889
【申请号】CN201410585578
【发明人】B.R.约翰逊, R.苏皮诺
【申请人】霍尼韦尔国际公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2014年10月28日
【公告号】EP2868623A1, US20150115770