蚀，在基板上形成一层深度为200 μπι的凹槽，然后将CNTs涂覆在存储空间中，获得了一层200 μπι厚度均匀的吸波薄膜，如图2所示。具体包括如下步骤:
[0046]第一步，设计制作所需要凹槽的掩膜版，在基板表面根据所需要的刻蚀深度涂覆一层相应厚度20-200 μ m的光刻胶，加上掩膜版之后，曝光刻蚀，如图3所示；
[0047]第二步，利用离子反应刻蚀或者其他的物化刻蚀技术，其效果见图4所示，对曝光区域进行刻蚀，凹槽深度为200 μ m，凹槽的宽度为20-50 μ m，得到带凹槽的基板，其效果见图5所示；
[0048]第三步，将CNTs粉末涂覆在基板表面，其过程见图6所示，尽量将CNTs压入凹槽内，其过程见图7所示，制成所需要的混合薄膜材料，其效果见图8所示。
[0049]本实施例中具体尺寸参数:
[0050]基板厚度为450 μ m，
[0051]基板直径为2.f54cm，
[0052]凹槽宽度为50 μ m，
[0053]凹槽深度为200 μ m，
[0054]凹槽间距为20 μ m。
[0055]如图7所示，为本实施例的示意图。
[0056]实施例3
[0057]本实施例涉及一种利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法，通过对基板进行深硅刻蚀，在基板上形成一层深度为100 μπι的凹槽，然后将CNTs涂覆在存储空间中，获得了一层ΙΟΟμπι厚度均匀的吸波薄膜，如图2所示。具体包括如下步骤:
[0058]第一步，设计制作所需要凹槽的掩膜版，在基板表面根据所需要的刻蚀深度涂覆一层相应厚度20-200 μ m的光刻胶，加上掩膜版之后，曝光刻蚀，如图3所示；
[0059]第二步，利用离子反应刻蚀或者其他的物化刻蚀技术，其效果见图4所示，对曝光区域进行刻蚀，凹槽深度为100 μ m，凹槽的宽度为50 μ m，得到带凹槽的基板，其效果见图5所示；
[0060]第三步，将CNTs粉末涂覆在基板表面，其过程见图6所示，尽量将CNTs压入凹槽内，其过程见图7所示，制成所需要的混合薄膜材料，其效果见图8所示。
[0061]或者也可以通过将CNTs与液态胶水混合，再涂覆在凹槽中，待胶水凝固，CNTs被牢牢地固定在凹槽之中。
[0062]本实施例中具体尺寸参数:
[0063]基板厚度为450 μ m，
[0064]基板直径为2.54cm,
[0065]凹槽宽度为50 μ m，
[0066]凹槽深度为100 μ m，
[0067]凹槽间距为20 μ m。
[0068]综上所述:由实施例1-3可以得出本发明方法制备的带有CNTs粉末的表面可以看做是CNTs和基板材料的混合物，这个混合物表面薄膜不但能够为CNTs薄膜的存储提供一定的深度，还能够较为稳定的固定住薄膜层，并且由于深度可控，所以可以根据需要，制造出一定厚度的薄膜。本发明方法有效地解决了以往CNTs隐身材料制作中的厚度不均匀，薄膜层太薄，并且容易脱落等问题。同时本发明工艺简单，操作方便，节约能源，成本较低，可以广泛运用于国防军事，医疗化工等领域。另外还能够应用于许多材料上，例如:玻璃、陶瓷等；其应用正在许多方面不断体现出来，具有良好的前景。
[0069]以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本发明的实质内容。
【主权项】
1.一种利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法，其特征在于，通过对基板进行深硅刻蚀，在基板上形成一层表面凹槽作为存储空间，然后将CNTs涂覆在存储空间中，获得了一层厚度均匀的吸波薄膜。2.根据权利要求1所述的利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法，其特征在于，所述方法，包括以下步骤: 第一步，利用深硅刻蚀，在基板上制作表面凹槽； 第二步，将CNTs粉末涂敷在基板的表面凹槽内，用力压平； 第三步，去除多余的CNTs粉末，得到凹槽中掺满CNTs的基板，获得了一层厚度均匀的吸波薄膜。3.根据权利要求2所述的利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法，其特征在于，所述在基板上制作表面凹槽，具体为:设计并制作表面凹槽所需的掩膜版，利用光刻技术，对基板进行光刻，获得所需要的阵列分布的表面凹槽。4.根据权利要求2所述的利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法，其特征在于，所述表面凹槽为不同深宽比的长条纹表面凹槽，各凹槽的深度相同，各凹槽的宽度不同。5.根据权利要求4所述的利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法，其特征在于，所述凹槽的深度为20-200 μ m，凹槽的宽度为20-50 μ m。6.根据权利要求1-5任一项所述的利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法，其特征在于，通过将CNTs与液态胶水混合，再涂覆在凹槽中，待胶水凝固，CNTs被牢牢地固定在凹槽之中。7.根据权利要求1-5任一项所述的利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法，其特征在于，所述吸波薄膜的厚度为20-200 μ m。8.根据权利要求1-5任一项所述的利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法，其特征在于，所述基板为金属或陶瓷材料制得。9.根据权利要求8所述的利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法，其特征在于，所述基板为娃片。
【专利摘要】本发明提供了一种利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法；通过对基板进行深硅刻蚀，在基板上形成一层表面凹槽作为存储空间，然后将CNTs涂覆在存储空间中，获得了一层厚度均匀的吸波薄膜。本发明中利用了凹槽存储CNTs，这相比一般的薄膜CNTs制造技术来说，CNTs的厚度可控，并且均匀度大为提高，沟道的存在，使得CNTs粉末能够长久的保存在基板表面。本发明用深刻硅技术制造出来的隐身材料工艺简单，操作方便，节约能源，成本较低，可以广泛运用于国防军事，医疗化工等领域。
【IPC分类】B81C1/00, H05K9/00
【公开号】CN105152124
【申请号】CN201510471536
【发明人】段力, 卢学良, 张亚非, 苏言杰, 李忠丽, 刘阳
【申请人】上海交通大学
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年8月4日