技术总结
本发明涉及一种石墨烯敏化CdSe/TiO2纳米管复合膜的制备方法，涉及一种纳米管复合膜。以钛箔作为基体，以氢氟酸溶液为电解质溶液，铂作为对电极，进行阳极氧化后煅烧，即可在钛表面制得TiO2纳米管阵列膜；采用循环伏安沉积法，首先在TiO2纳米管阵列膜表面沉积石墨烯量子点，以配制的氧化石墨烯溶液为电解质溶液，以铂为对电极，以饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，将石墨烯沉积在TiO2纳米管阵列膜表面，即制得石墨烯/TiO2复合膜；然后在制得的石墨烯/TiO2复合膜表面沉积CdSe量子点，以SeO2、CdSO4和硫酸的混合溶液为电解质溶液，以铂为对电极，以饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，将CdSe沉积在石墨烯/TiO2复合膜表面，最终制得石墨烯敏化的CdSe/TiO2纳米管复合膜。
技术研发人员：李红;侯保荣;王秀通
受保护的技术使用者：中国科学院海洋研究所
文档号码：201410294934
技术研发日：2014.06.26
技术公布日：2017.01.25